CN110212407A - 垂直腔面发射激光器及其功率调节方法 - Google Patents
垂直腔面发射激光器及其功率调节方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110212407A CN110212407A CN201910608668.7A CN201910608668A CN110212407A CN 110212407 A CN110212407 A CN 110212407A CN 201910608668 A CN201910608668 A CN 201910608668A CN 110212407 A CN110212407 A CN 110212407A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- emitting laser
- vertical cavity
- cavity surface
- sin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title claims abstract description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000013461 design Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 101100442490 Artemisia annua DBR2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18363—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising air layers
- H01S5/18366—Membrane DBR, i.e. a movable DBR on top of the VCSEL
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。所述垂直腔面发射激光器包括作为光出射端面的上端面分布式布拉格反射镜，在所述上端面分布式布拉格反射镜上表面设置有由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构，所述下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，SiNx层的光学厚度为1/4λ，上Al2O3层的物理厚度不小于10nm。本发明还公开了上述垂直腔面发射激光器的功率调节方法。相比现有技术，本发明可在优化非气密封装VCSEL的可靠性及寿命同时，还可以较低的工艺难度和成本实现VCSEL发射功率的大范围调节。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体激光器，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器。
背景技术
基于III-V族材料的垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于出射光束易于光纤耦合、阈值电流低、直调带宽大、支持片上检测、易于实现二维阵列、生产成本低廉等优势，已经广泛应用于短距离光通信网络、数据中心以及USB,PCI Express,HDMI等消费类电子产品中。
与边发射激光器相比，垂直腔面发射激光器的功率一般较高，且其非气密封装的应用领域要求垂直腔面发射激光器具有抗湿性需求，这对其表面保护膜的要求更加严格。现有垂直腔面发射激光器的光出射端面(上端面分布式布拉格反射镜，简称上端面DBR)多使用单层1/4λSiNx(氮化硅)薄膜作为保护膜，这种材料的应力可调特性在一定程度上可以优化光器件可靠性，但由于传统的PECVD(等离子体辅助化学气相沉积)制备的SiNx薄膜，存在较多的针孔，同时与III-V族材料的粘附性不是很好，影响非气密封装VCSEL的可靠性及寿命；而现有的可以优化SiNx薄膜的ALD(原子层沉积)工艺尚不成熟，无法从根本上实现对SiNx薄膜的优化。
另一方面，现有VCSEL进行发射功率调节主要方式是通过外延结构的DBR对数进行调节，这一方案需要调整外延片设计及结构，极大程度上延长了开发周期，增加了开发难度和成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术不足，提供一种垂直腔面发射激光器及其功率调节方法，在优化非气密封装VCSEL的可靠性及寿命同时，还可以较低的工艺难度和成本实现VCSEL发射功率的大范围调节。
本发明具体采用以下技术方案解决上述技术问题：
一种垂直腔面发射激光器，包括作为光出射端面的上端面分布式布拉格反射镜，在所述上端面分布式布拉格反射镜上表面设置有由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构，所述下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，SiNx层的光学厚度为1/4λ，上Al2O3层的物理厚度不小于10nm。
优选地，上Al2O3层和下Al2O3层使用原子层沉积工艺制备得到。
优选地，SiNx层使用等离子体辅助化学气相沉积工艺制备得到。
如上任一技术方案所述垂直腔面发射激光器的功率调节方法，通过调整SiNx层中Si含量以及上Al2O3层的物理厚度来改变带有所述复合膜结构的上端面分布式布拉格反射镜的反射率，进而实现所述垂直腔面发射激光器的发射功率调节。
进一步地，具体根据以下公式进行所述垂直腔面发射激光器的发射功率P的调节：
其中，P为激光器出射功率；hν是光子能量；q为电子能量，为常量；I为垂直腔面发射激光器工作电流；V是共振腔体积；B为双分子复合系数，为常量；Ntr是传输载流子密度；ηi是内量子效率；αi为腔内损耗；αm是镜面损耗；Γ是限制因子；g0是增益因子；η为量子效率；是垂直腔面发射激光器的温度特性；L是垂直腔面发射激光器腔长；RN是下端面分布式布拉格反射镜的反射率；Rp是带有复合膜结构的上端面分布式布拉格反射镜的反射率。
相比现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明采用由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构作为上端面DBR的保护膜，其中，下Al2O3层起到钝化层及胶粘层的作用，可改善上层膜结构的附着力、物理及光学性能；SiNx层起到反射率调节作用，由于夹在两层Al2O3层之间，SiNx材料的折射率可在2.0-2.3之间可调且保持稳定的性质，增加了利用相同膜系进行功率调节的范围；上Al2O3层在与SiNx层一起起到反射率大范围调节作用的同时还可有效抵抗湿气侵蚀，从而有效保证VCSEL在大范围功率调节过程中非气密封装光器件的寿命及可靠性。采用本发明技术方案，可以在外延片结构设计固定及膜系材料固定的情况下，实现大范围的发射功率调节，可以极大程度地降低工艺开发成本、减小工艺开发周期。
附图说明
图1为本发明VCSEL的纵剖面结构示意图；其中包含以下附图标记：1、GaAs衬底；2、下端面DBR；3、氧化层；4、量子阱；5、上端面DBR；6、P面电极；7、复合膜结构；
图2为固定工作电流7.0mA情况下本发明VCSEL的输出功率随复合膜结构反射率的变化曲线。
具体实施方式
针对现有技术的不足，本发明的解决思路是采用由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构作为上端面DBR的保护膜。具体而言，本发明垂直腔面发射激光器，包括作为光出射端面的上端面分布式布拉格反射镜，在所述上端面分布式布拉格反射镜上表面设置有由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构，所述下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，SiNx层的光学厚度为1/4λ，上Al2O3层的物理厚度不小于10nm。
其中，下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，几乎不起到任何光学作用，仅起到钝化层及胶粘层的作用，可改善其上的膜结构与器件间的附着力以及其上的膜结构的物理及光学性能；中间的SiNx层为1/4λ膜厚，其起到反射率调节作用，可通过调整SiNx材料中Si、N比例来改变SiNx材料的光学性质，但这种调整会带来SiNx材料的物化性能的不稳定，因此本发明将其夹在两层Al2O3层之间，这样，SiNx材料的折射率就可在2.0-2.3之间可调且保持稳定的性质，增加了利用相同膜系进行功率调节的范围；上Al2O3层在与SiNx层一起起到对复合膜结构的反射率进行大范围调节作用的同时还可有效抵抗湿气侵蚀，从而有效保证VCSEL在大范围功率调节过程中非气密封装光器件的寿命及可靠性。
图1显示了本发明VCSEL的基本结构，如图1所示，其与常规VCSEL一样包括GaAs衬底1、下端面DBR2、氧化层3、量子阱4、上端面DBR5、P面电极6(图中未示出N面电极)；与常规VCSEL不同的是，在上端面DBR5的表面还设置有复合膜结构7，其为由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的三层膜复合结构，所述下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，SiNx层的光学厚度为1/4λ，上Al2O3层的物理厚度不小于10nm。
由于下Al2O3层的物理厚度要求不大于5nm，如果要将这一层极薄的氧化铝膜制备的均匀而致密，最好采用ALD工艺制备。ALD工艺可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，由于其具有沉积参数的高度可控型(厚度，成份和结构)以及优异的沉积均匀性和一致性，因此最适合于下Al2O3层的制备。
上Al2O3层由于厚度较大，可以采用现有的CVD、PVD、PECVD等工艺，考虑到简化工艺设备及镀膜质量，最好是与下Al2O3层一样都采用ALD工艺制备。
中间的SiNx层可采用常规的溅射法、CVD、PVD、PECVD等制备，优选采用比较成熟的PECVD工艺。
本发明VCSEL可以通过调整SiNx层中Si含量以及上Al2O3层的物理厚度来改变所述复合膜结构的发射率，进而实现VCSEL发射功率的调节。由于这种功率调节的过程不涉及除所述复合膜结构以外的其他区域及结构的调整，因此可以极大程度地降低工艺开发成本、减小工艺开发周期。并且由于通过SiNx层中Si含量和上Al2O3层的物理厚度这两个参数来进行反射率的调整，反射率的调节范围及调节灵活性均得到大幅提升，进而使得VCSEL可在大范围内实现发射功率的精细调节。
为了进一步说明本发明技术方案的有效性，先从理论角度对本发明技术方案进行分析。
图1所示VCSEL的出射功可通过下式表达：
其中：P为激光器出射功率；hν是光子能量(由出光波长决定)；q为电子能量，为常量；I为工作电流；V是共振腔体积(外延片设计决定)；B为双分子复合系数，为常量；Ntr是传输载流子密度(外延片设计决定)；ηi是内量子效率(外延片设计决定)；αi为腔内损耗(外延片设计决定)；αm是镜面损耗；Γ是限制因子(外延片设计决定)；g0是增益因子(外延片设计决定)；η为量子效率(外延片设计决定)；激光器的温度特性(本发明计算固定工作电流下输出功率，热效应忽略)；L是激光器腔长(外延片设计决定)；RN是N面反射率(外延片设计决定)；Rp是P面反射率。
综上，在外延片设计固定的情况下，激光器出射功率P与Rp直接相关，因此可以通过调整Rp来实现对出射功率P的调节。
将外延片结构P-DBR与复合膜结构作为P面反射组合，根据传输矩阵法，P面反射系统的特征矩阵如下：
其中MP-DBR是由外延片设计决定的P面DBR结构的特征矩阵；由SiNx薄膜决定，为常数；有Al2O3薄膜决定，为常数。则P面反射组合的特征矩阵M在外延结构固定的情况下，由nSiNx(SiNx薄膜折射率)，nAl2O3(Al2O3薄膜折射率)，dSiNx(SiNx薄膜厚度)，dAl2O3(Al2O3薄膜厚度)直接决定。如公式(4)、(5)，r为P面布拉格反射镜的反射系数，η0、ηG由衬底材料及出射介质决定。如公式(3)，A、B、C、D为特征矩阵M中元素。
RP＝rr*............(4)
综合公式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)利用数学计算软件matlab依据本发明专利中复合膜结构第二层SiNx薄膜及第三层Al2O3薄膜的折射率及厚度计算出垂直表面发射激光器出光功率。
为便于公众理解，下面通过具体实施例来对本发明的技术方案进行进一步详细说明：
以850nm垂直腔面发射激光器为例，表1显示了7种不同的复合膜结构设计方案(组合1～组合7)，表中的1层、2层、3层厚度数据分别表示复合膜结构中的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层的物理厚度，SiNx层中的Si含量通过相应的SiNx折射率体现。
表1
| 序号 | 材料系 | 1层 | 2层 | 3层 | SiNx折射率 |
| 组合1 | Al2O3+SiNx+Al2O3 | 5nm | 92nm | 254nm | 2.3 |
| 组合2 | Al2O3+SiNx+Al2O3 | 5nm | 92nm | 10nm | 2.3 |
| 组合3 | Al2O3+SiNx+Al2O3 | 5nm | 92nm | 30nm | 2.3 |
| 组合4 | Al2O3+SiNx+Al2O3 | 5nm | 101nm | 10nm | 2.1 |
| 组合5 | Al2O3+SiNx+Al2O3 | 5nm | 101nm | 30nm | 2.1 |
| 组合6 | Al2O3+SiNx+Al2O3 | 5nm | 92nm | 127nm | 2.3 |
| 组合7 | Al2O3+SiNx+Al2O3 | 5nm | 101nm | 127nm | 2.1 |
按照表1中的7种设计方案分别在850nm垂直腔面发射激光器的上端面DBR表面制备出相应的复合膜结构，然后测量相同工作电流(7.0mA)下各个850nm垂直腔面发射激光器的发射功率。
如表1所示组合7，第一层为Al2O3膜，膜层厚度为5nm，膜层折射率为1.67，使用原子层沉积(ALD)设备进行镀膜，镀膜温度为250℃；第二层为SiNx膜，膜层厚度为106nm，膜层折射率为2.3，使用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)设备进行镀膜，镀膜温度300℃；第三层为Al2O3膜，膜层厚度为127nm，膜层折射率为1.67，使用原子层沉积设备进行镀膜。在工作电流7.0mA下得到的发射功率为3.663mW。
如表1所示组合5，第一层为Al2O3膜，膜层厚度为5nm，膜层折射率为1.67，使用原子层沉积(ALD)设备进行镀膜，镀膜温度为250℃；第二层为SiNx膜，膜层厚度为106nm，膜层折射率为2.1，使用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)设备进行镀膜，镀膜温度300℃；第三层为Al2O3膜，膜层厚度为30nm，膜层折射率为1.67，使用原子层沉积设备进行镀膜。在工作电流7.0mA下得到的发射功率为4.684mW。
其余组合方案的制备工艺及测量条件与此相同。最终得到7种设计方案所对应的复合膜结构反射率与VCSEL发射功率之间的关系曲线，如图2所示。根据图2可以看到，在固定工作电流7.0mA的情况下，使用表1所示的不同复合膜结构设计，可以在不改变膜系、外延片设计及更换工艺设备及工艺气体的情况下实现VCSEL功率可调范围为：3.663mW-4.684mW。
Claims (5)
1.一种垂直腔面发射激光器，包括作为光出射端面的上端面分布式布拉格反射镜，其特征在于，在所述上端面分布式布拉格反射镜上表面设置有由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构，所述下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，SiNx层的光学厚度为1/4λ，上Al2O3层的物理厚度不小于10nm。
2.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器，其特征在于，上Al2O3层和下Al2O3层使用原子层沉积工艺制备得到。
3.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器，其特征在于，SiNx层使用等离子体辅助化学气相沉积工艺制备得到。
4.如权利要求1～3任一项所述垂直腔面发射激光器的功率调节方法，其特征在于，通过调整SiNx层中Si含量以及上Al2O3层的物理厚度来改变带有所述复合膜结构的上端面分布式布拉格反射镜的反射率，进而实现所述垂直腔面发射激光器的发射功率调节。
5.如权利要求4所述功率调节方法，其特征在于，具体根据以下公式进行所述垂直腔面发射激光器的发射功率P的调节：
其中，P为激光器出射功率；hν是光子能量；q为电子能量，为常量；I为垂直腔面发射激光器工作电流；V是共振腔体积；B为双分子复合系数，为常量；Ntr是传输载流子密度；ηi是内量子效率；αi为腔内损耗；αm是镜面损耗；Γ是限制因子；g0是增益因子；η为量子效率；是垂直腔面发射激光器的温度特性；L是垂直腔面发射激光器腔长；RN是下端面分布式布拉格反射镜的反射率；Rp是带有复合膜结构的上端面分布式布拉格反射镜的反射率。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910608668.7A CN110212407B (zh) | 2019-07-08 | 2019-07-08 | 垂直腔面发射激光器及其功率调节方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910608668.7A CN110212407B (zh) | 2019-07-08 | 2019-07-08 | 垂直腔面发射激光器及其功率调节方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110212407A true CN110212407A (zh) | 2019-09-06 |
| CN110212407B CN110212407B (zh) | 2024-02-09 |
Family
ID=67796578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910608668.7A Active CN110212407B (zh) | 2019-07-08 | 2019-07-08 | 垂直腔面发射激光器及其功率调节方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110212407B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113809635A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-17 | 苏州长瑞光电有限公司 | 垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060013276A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Mchugo Scott A | VCSEL having an air gap and protective coating |
| JP2006261252A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006302919A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2012156541A (ja) * | 2012-04-09 | 2012-08-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子アレイ |
| CN104078844A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 新科实业有限公司 | 具有窄激光发射角度的多模垂直腔面发射激光器 |
| US20170025820A1 (en) * | 2014-03-14 | 2017-01-26 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser, surface emitting laser element and atomic oscillator |
| CN106654856A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-10 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种垂直腔面激光器及其制作方法 |
| CN108736316A (zh) * | 2018-06-08 | 2018-11-02 | 北京嘉圣光通科技有限公司 | 制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器 |
| CN108923255A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-11-30 | 厦门大学 | 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 |
| CN109462143A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-12 | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 | 一种应用于vcsel中的dbr生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器 |
| CN209993867U (zh) * | 2019-07-08 | 2020-01-24 | 苏州长瑞光电有限公司 | 垂直腔面发射激光器 |
-
2019
- 2019-07-08 CN CN201910608668.7A patent/CN110212407B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060013276A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Mchugo Scott A | VCSEL having an air gap and protective coating |
| JP2006261252A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006302919A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2012156541A (ja) * | 2012-04-09 | 2012-08-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子アレイ |
| CN104078844A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 新科实业有限公司 | 具有窄激光发射角度的多模垂直腔面发射激光器 |
| US20170025820A1 (en) * | 2014-03-14 | 2017-01-26 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser, surface emitting laser element and atomic oscillator |
| CN106654856A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-10 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种垂直腔面激光器及其制作方法 |
| CN108736316A (zh) * | 2018-06-08 | 2018-11-02 | 北京嘉圣光通科技有限公司 | 制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器 |
| CN108923255A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-11-30 | 厦门大学 | 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 |
| CN109462143A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-12 | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 | 一种应用于vcsel中的dbr生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器 |
| CN209993867U (zh) * | 2019-07-08 | 2020-01-24 | 苏州长瑞光电有限公司 | 垂直腔面发射激光器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 黄永箴: "垂直腔面发射激光器中顶层相位对模式特性的影响", 光学学报, no. 02 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113809635A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-17 | 苏州长瑞光电有限公司 | 垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 |
| CN113809635B (zh) * | 2021-09-14 | 2022-11-25 | 苏州长瑞光电有限公司 | 垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110212407B (zh) | 2024-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3624476B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| US6583033B2 (en) | Method of fabricating a distributed Bragg reflector by controlling material composition using molecular beam epitaxy | |
| Peng et al. | Band gap bowing and refractive index spectra of polycrystalline Al~ xIn~ 1~-~ xN films deposited by sputtering | |
| US5362977A (en) | Single mirror light-emitting diodes with enhanced intensity | |
| JPH04229688A (ja) | 半導体垂直キャビティ面発光レーザ | |
| JPH104243A (ja) | 可視光用分散型ブラッグ反射器を有するｖｃｓｅｌ | |
| CN108242763B (zh) | 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 | |
| Choa et al. | High reflectivity 1.55 μm InP/InGaAsP Bragg mirror grown by chemical beam epitaxy | |
| CN110658576A (zh) | 一种亚波长光栅及其制备方法 | |
| CN110212407A (zh) | 垂直腔面发射激光器及其功率调节方法 | |
| CN209993867U (zh) | 垂直腔面发射激光器 | |
| CN110890690A (zh) | 一种半导体激光相干阵列及其制备方法 | |
| CN103414105A (zh) | 一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器 | |
| Ito et al. | Highly efficient operation and uniform characteristics of curved mirror vertical-cavity surface-emitting lasers | |
| Grasse et al. | Empirical modeling of the refractive index for (AlGaIn) As lattice matched to InP | |
| Gačević et al. | Q-factor of (In, Ga) N containing III-nitride microcavity grown by multiple deposition techniques | |
| CN101958512B (zh) | 通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 | |
| Paszkiewicz et al. | Functionally graded semiconductor layers for devices application | |
| US5379719A (en) | Method of deposition by molecular beam epitaxy | |
| US20020024988A1 (en) | Method of fabricating a distributed bragg reflector having enhanced thermal and electrical properties | |
| Liu et al. | 975 nm multimode semiconductor lasers with high-order Bragg diffraction gratings | |
| CN101540358A (zh) | 宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管及其制作方法 | |
| Szerling et al. | Reflectance study of SiO,/Si, N | |
| Lünenbürger et al. | In situ monitoring of GaN growth in multiwafer MOVPE reactors | |
| Yu et al. | Investigation of the Fabry–Perot dip shift in VCSEL photoluminescence near-infrared reflection spectra |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |