CN110205602A - 一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，包括如下步骤：S1、将基带安装在驱动系统上，调节镀膜环境的真空度；S2、开启驱动系统，进行正向走带；开启阴极系统，经洗靶、镀膜后制得第一阻挡层，结束后关闭阴极系统和驱动系统；S3、开启驱动系统，进行反向走带；开启阴极系统，经洗靶、镀膜后制得第二阻挡层，结束后关闭阴极系统和驱动系统。本发明有效降低了系统摩擦力，提高了带材镀膜面积、提高了生产效率、降低了带材制造成本；同时通过往复运动实现复合膜层制备减少了抽空时间；一个腔体实现两种材料制备，极大减少了设备占地。从而更加适合于大规模工业化生产第二代高温超导带材阻挡层复合膜。

Description

一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法

技术领域

本发明涉及超导镀膜领域，具体地，涉及一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法。

背景技术

1911年荷兰莱顿大学的卡末林·昂纳斯教授在实验室首次发现超导现象以来，超导材料及其应用一直是当代科学技术最活跃的前沿研究领域之一。1986年1月在美国国际商用机器公司设在瑞士苏黎世实验室中工作的科学家柏诺兹和缪勒，首先发现钡镧铜氧化物是高温超导体，很快在1-2年的时间里，超导体的临界转变温度被世界上各个研究组提高到了液氮温度以上，从而摆脱了超导体对昂贵液氦制冷的需求。在过去的十几年间，以超导为主的超导电力设备的研究飞速发展，在超导储能、超导电机、超导电缆、超导限流器、超导变压器、超导同步调相机等领域取得显著成果。

目前进入商业化的高温超导带材分为铋系和钇系。铋系超导体即第一代高温超导带材，也称BSCCO超导体；钇系超导体即第二代高温超导带材，也称YBCO或REBCO超导体。

以BSCCO为材料的第一代超导带材，采用银包套生产工艺，具有较高的超导转变温度(Tc～110K)。特别是其层状的晶体结构导致的片状晶体很容易在应力的作用下沿铜－氧面方向滑移。所以，利用把Bi2223先驱粉装入银管加工的方法(PIT法)，经过拉拔和轧制加工，就能得到很好的织构。另外，在Bi2223相成相热处理时，伴随产生的微量液相能够很好地弥合冷加工过程中产生的微裂纹，从而在很大程度上克服了弱连接的影响。正由于这两个基本特性，使人们通过控制先驱粉末、加工工艺及热处理技术，成功地制备出了高性能长带。

以REBCO(RE为稀土元素)为超导层材料的第二代高温超导带材，因其具有相比铋系带材更强的载流能力、更高的磁场性能和更低的材料成本，在医疗、军事、能源等众多领域具备更广更佳的应用前景。第二代高温超导带材，由于其作为超导载流核心的REBCO为陶瓷属性，所以一般是在柔性金属基底上采用多层覆膜的工艺生产，所以又被称为涂层导体。第二代超导带材一般由基带、缓冲层(过渡层)、超导层以及保护层组成。金属基底的作用是为带材提供优良的机械性能。过渡层的作用一方面是防止超导层与金属基底发生元素间的相互扩散，另一方面，过渡层需为超导层的外延生长提供好的模板。制备超导性能优良的涂层导体，需要超导层具有高度的双轴织构。双轴织构是指晶粒在a/b轴和c轴(c轴垂直于a/b面)两个方向均有着近乎一致的排列。由于YBCO薄膜在a/b轴方向的排列程度(面内织构)相对较难实现，而面内织构较差会严重降低超导性能。因此需要YBCO超导薄膜在已经具有双轴织构和匹配晶格的过渡层上外延生长。制备实现双轴织构有两种主流的技术路线，一种是轧制辅助双轴织构基带技术，另一种为离子束辅助沉积技术。REBCO超导层制备的常见技术分为多种，有脉冲激光沉积、金属有机物化学气相沉积、反应共蒸发等。保护层主要是用来保护超导膜层，一般在超导带材表面镀1-5um的银层。随后进行镀铜或后续的封装加强处理。

2001年日本科学家秋光纯(Akimitsu)发现二硼化镁超导体(MgB2)，临界温度Tc为39K。MgB2超导材料具有十分简单的化学组成和晶体结构，晶界能承载较高的电流，原材料成本低廉。同时，MgB2相干长度比钙钛矿型结构的铜氧化物超导体相干长度大，这就意味着MgB2中更容易引入有效磁通钉扎中心。目前采用粉末装管法(PIT法)、连续粉末装管成型工艺(CTFF)或中心镁扩散工艺(IMD)制备MgB2长带。

2008年，日本科学家细野秀雄(Yoichi Kamihara)团队发现含铁的新型超导体(LaOFeAs)，临界转变温度为26K，这种超导体被人们称为铁基超导体。之后的几个月之内，中国的科学家在就将铁基超导体的临界温度Tc提高到55K。2016年马衍伟团队在铁基超导材料的成相物理化学、元素掺杂、线带材成材、热处理工艺、微观结构等方面开展了大量研究，掌握了采用成本较低的粉末装管法制备高性能铁基超导线带材的一整套关键技术，同时开展了铁基超导线材规模化制备工艺的探索研究，通过对超导长线的结构设计和加工技术的试验优化，成功解决了铁基超导线规模化制备中的均匀性、稳定性和重复性等技术难点，最终制备出了长度达到115米的(Sr，K)Fe2As2铁基超导长线。

目前铋系高温超导带材已经实现了产业化生产，铋系超导带材的长度大于500米。近年来，欧美日等技术发达国家先后突破了第二代高温超导带材的长线带材制备技术，世界上已有多家公司可生产第二代高温超导长带。技术发达国家主要是美国，日本，欧洲和韩国。生产和研发水平的主要标志是单根长度、77K下的单位宽度临界电流值。如日本的Fujikura公司制备出长度为1040米、临界电流(Ic)为582A/cm GdBCO超导带材，韩国的SuNAM公司2016年底制备出长度为1000米、平均Ic接近1000A/cm以上GdBCO超导带材。国内近年来组织了二代高温超导产业化关键技术重大项目攻关，培育战略性新兴产业。在上海市政府、苏州市政府等地方政府的有力支持下，上海超导科技股份有限公司、上海上创超导科技有限公司、苏州新材料研究所有限公司等高新技术民营企业脱颖而出，有力的推动了二代高温超导技术的快速发展。上述三家产业化公司为代表的国内超导带材生产单位，能够年生产100公里以上高性能二代高温超导带材。

第二代高温超导带材的制备工艺可分为金属基带，复合隔离层和超导层三部分。复合隔离层主要防止基带在高温过程中扩散到超导层而破坏超导性能，同时复合隔离层对基带进行平整化，为种子层提供良好的表面形貌。目前复合隔离层主要为氧化铝和氧化钇两种材料，制备方法主要为磁控溅射为主。由于氧化铝和氧化钇为陶瓷材料，因此很多厂家采用陶瓷氧化铝或氧化钇靶材，而陶瓷靶材必须要用射频电源才能维持辉光放电。陶瓷靶材的射频溅射本身效率较低，国外部分厂家采用金属靶进行反应溅射，同时采用贯通腔体的结构。但贯通腔体的结构设计需考虑速度匹配问题，即生长快的膜层必须降速以保持和生长慢的膜层相同的速度，这样牺牲了部分效率。同时由于镀多层膜需要按照一定的顺序，采用贯通腔体的结构，一旦前序工艺出现故障，后序工艺无法正常运行。且连体机涉及多套真空腔体系统，不仅占地空间大，造价也高。

公开号为CN 102751040 B的发明专利公开了一种高温超导双面带材的制备方法，该发明在金属基带的正反两面都设置有过渡层，过渡层以外为超导层，超导层以外为保护层。该发明的双面缓冲层/超导层结构，在超导带材总厚度几乎不变，并保证单面超导层临界电流密度，使超导带材达到或接近双倍的临界电流，显著提高超导带材的载流能力。但该发明中并没有提及如何实现多种膜层的镀膜方法。

另外为了提高镀膜面积，现有技术一般需要将基带多次缠绕在辊轮上，这种螺旋结构以及基带的变形会导致基带相对靶面倾斜，为了防止倾斜，一般会在镀膜区基带背面安装水冷支撑板，支撑板按压基带使基带宽度方向平行靶面从而使基带表面膜层更加均匀，基带接收面积垂直粒子前进的方向，镀膜效率会更高。然而，支撑板的引入会极大增加系统的摩擦力，尤其是基带多次缠绕在滚轮和支撑板上后，系统摩擦力主要来源于基带和支撑板的摩擦。由于这种摩擦力的存在会导致基带容易卷边，特别是系统运行一段时间后，支撑板的膜层增加后。目前大部分的解决的办法是减少缠绕的次数同时定期给支撑板做打磨。减少缠绕会导致镀膜效率下降，而支撑板打磨也会间接降低镀膜效率。

发明内容

针对以上缺陷，本发明的目的是提供一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法。首先利用金属靶材，采用反应溅射制备第二代高温超导带材阻挡层；通过在镀膜区上方两侧的带辊上多次缠绕带材的办法，增加了垂直于带材运动方向的镀膜区宽度；通过带轴承的小滚筒支撑基带，在保证基带尽可能平行靶面的同时极大减少系统摩擦力，从而可增加带辊上的绕带次数，进一步提高镀膜效率；采用可正反转的放卷结构和收卷结构，基带可往复运动，一次抽真空可实现多层阻挡层的制备。本发明有效降低了系统摩擦力，节省了镀膜空间，提高了带材制备速度、大大提高了生产效率、降低了带材制造成本。从而解决了适合于大规模工业化生产的第二代高温超导带材阻挡层镀膜效率和成本问题。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明提供一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，包括如下步骤：

S1、将基带安装在驱动系统上，调节镀膜环境的真空度；

S2、开启驱动系统，进行正向走带；开启阴极系统，经洗靶、镀膜后制得第一阻挡层，结束后关闭阴极系统和驱动系统；

S3、开启驱动系统，进行反向走带；开启阴极系统，经洗靶、镀膜后制得第二阻挡层，结束后关闭阴极系统和驱动系统。

优选地，所述基带包括镍-钨合金基带、哈氏合金基带、不锈钢金属基带中的一种。

优选地，步骤S1中，在调节镀膜环境的真空度后还包括：通入工艺气体、设置工艺压力的步骤。

优选地，所述镀膜环境的真空度为1.0×E^-5Torr以下

优选地，进行正向走带时的走带速度与进行反向走带时的走带速度相同或不同。

优选地，所述驱动系统包括：

滚轮，两个所述滚轮间隔设置，基带包裹在两个所述滚轮外侧；

滚筒，所述滚筒设置在两个所述滚轮之间，所述滚筒与基带接触；

驱动过渡轮，所述驱动过渡轮分别设置在两个所述滚轮的外侧；

所述阴极系统包括：

第一阴极单元及第二阴极单元；

所述第一阴极单元及所述第二阴极单元与电源连接；

所述第一阴极单元及所述第二阴极单元的位置分别与所述滚筒的位置相对应。

优选地，所述驱动系统还包括：收放过渡轮及收放带轮；

所述收放过渡轮分别设置在两个所述驱动过渡轮的外侧；

所述收放带轮分别设置在两个所述收放过渡轮的外侧。

优选地，步骤S1中，将基带安装在驱动系统上的步骤为：

将基带依次安装在一侧的所述收放带轮、所述收放过渡轮、所述驱动过渡轮上，再将基带多次缠绕在两个所述滚轮和所述滚筒上，最后再将基带依次安装在另一侧的所述驱动过渡轮、所述收放过渡轮、所述收放带轮上。滚筒必须按压基带，以保证基带宽度方向尽可能平行靶面。同时，基带多次缠绕在滚轮、滚筒、滚轮上以增加镀膜面积。

优选地，在基带运行过程中，所述第一阴极单元及所述第二阴极单元的位置仍分别与所述滚筒的位置相对应。当基带的运行时，滚筒的内部通过轴承连接到轴承杆，基带运动过程中，滚筒随基带运动而轴承杆静止。

优选地，所述阴极系统中：

所述第一阴极单元包括至少一个第一隔离层阴极，所述第二阴极单元包括至少一个第二隔离层阴极；

所述第一隔离层阴极的靶材与所述第二隔离层阴极的靶材为不同种类型的金属靶材。

优选地，步骤S2中，所述洗靶、镀膜的具体步骤为：打开第一隔离层阴极的电源进行洗靶，靶面稳定后进行镀膜；

步骤S3中，所述洗靶、镀膜的具体步骤为：打开第二隔离层阴极的电源进行洗靶，靶面稳定后进行镀膜。

优选地，所述电源为射频电源、直流电源或中频电源。

优选地，所述镀膜方法为反应磁控溅射镀膜方法。

由上述可知，本发明的镀膜方法包括如下步骤：

步骤1、将电抛好的金属基带装入一侧的收放带轮，基带经过同侧的收放过渡轮、驱动过渡轮并多次缠绕在滚轮、滚筒、滚轮上后，再经过驱动过渡轮、收放过渡轮后，最后进入另一侧的收放带轮；

步骤2、抽空，待真空度达到理想真空度后，走带，打开隔离层阴极电源进行洗靶，靶面稳定后进行镀膜直至结束并关闭隔离层阴极电源和走带；

步骤3、反向走带，打开隔离层阴极电源进行洗靶，靶面稳定后进行镀膜直至结束并关闭隔离层阴极电源和走带。

本发明可实现正反转动以实现正反走带。基带可往复运动，每次运动一个阴极工作，以实现多层隔离层镀膜。

与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：

1.采用金属靶材反应溅射镀膜提高镀膜本身的效率；

2.采用小滚筒支撑基带代替支撑板支撑基带，减少了系统摩擦力，从而可增加绕带次数增加镀膜面积，提高镀膜效率；

3.通过系统往复运动，只需在一个腔体增加阴极就可实现多种膜层的镀膜，相对连体机减少了空间，同时不牺牲各个隔离层的效率。由于各个阴极分时工作，所有电源可共用；不同阴极在一个腔体机密排列，共用抽空系统减少了系统器件，从而降低了设备成本。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明第二代高温超导带材阻挡层复合膜的结构示意图；

图2为本发明生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜装置的结构示意图1；

图3为本发明生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜装置的结构示意图2；

图4本发明所制备的第二代高温超导带材阻挡层复合膜的AFM测试结果图；

图5为传统采用支撑板支撑的镀膜系统结构示意图；

图6为传统连体机镀膜系统结构示意图。

图中：

1-滚轮 2-支撑板 3-驱动过渡轮

4-第一阴极单元 5-收放带轮 6-收放过渡轮

7-基带 8-滚筒 9-第二阴极单元

10-第三阴极单元 11-第四阴极单元 12-第一阻挡层

13-第二阻挡层

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。

本发明提供的一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，利用金属靶材，反应溅射制备第二代高温超导带材阻挡层；通过在镀膜区上方两侧的滚轮上多次缠绕带材的办法，增加了垂直于带材运动方向的镀膜区宽度；通过带轴承的小滚筒支撑基带，在保证基带尽可能平行靶面的同时极大减少系统摩擦力，从而可增加滚轮上的绕带次数，进一步提高镀膜效率；采用可正反转的放卷结构和收卷结构，基带可往复运动，一次抽真空可实现多层阻挡层的制备。

在本发明的镀膜方法中，还提供了一种镀膜装置，如图2所示，包括驱动系统和阴极系统。

所述驱动系统包括：

滚轮1，两个所述滚轮1间隔设置，基带7包裹在两个所述滚轮1外侧；

滚筒8，所述滚筒8设置在两个所述滚轮1之间，所述滚筒8与基带7接触；

驱动过渡轮3，所述驱动过渡轮3分别设置在两个所述滚轮1的外侧；

所述阴极系统包括：

第一阴极单元4及第二阴极单元9；

所述第一阴极单元4及所述第二阴极单元9与电源连接；

所述第一阴极单元4及所述第二阴极单元9的位置分别与所述滚筒8的位置相对应。

如图3所示，所述驱动系统还包括：收放过渡轮6及收放带轮5；

所述收放过渡轮6分别设置在两个所述驱动过渡轮3的外侧；

所述收放带轮5分别设置在两个所述收放过渡轮6的外侧。

将基带7安装在驱动系统上的步骤为：将基带7依次安装在一侧的所述收放带轮5、所述收放过渡轮6、所述驱动过渡轮3上，再将基带7多次缠绕在两个所述滚轮1和所述滚筒8上，最后再将基带7依次安装在另一侧的所述驱动过渡轮3、所述收放过渡轮6、所述收放带轮5上。在基带7运行过程中，所述第一阴极单元4及所述第二阴极单元9的位置仍分别与所述滚筒8的位置相对应。

如图3所示，在所述阴极系统中：所述第一阴极单元4包括至少一个第一隔离层阴极，所述第二阴极单元9包括至少一个第二隔离层阴极；所述第一隔离层阴极的靶材与所述第二隔离层阴极的靶材为不同种类型的金属靶材。

与第一隔离层阴极或第二隔离层阴极连接的电源为射频电源、直流电源或中频电源。

上述镀膜装置中，还包括真空腔，所述阴极系统及所述驱动系统设置在所述真空腔内。

实施例1

本实施例提供一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，主要包括以下几步：

步骤1：将已经电抛处理的基带装入真空室，并多次缠绕在滚轮和滚筒上；

基带为镍-钨合金、哈氏合金或不锈钢金属基带中的一种；由于采用了滚筒结构，系统摩擦力较小，缠绕次数比水冷板结构增加很多，本实施案例中缠绕25次；

步骤2：将真空度抽至1.0*E^-5Torr以下，通入工艺气体，设置好工艺压力；

所述工艺气体为氩气和氧气，所述工艺压力通过闸板阀控制，压力在1～10mTorr；

本实施案例中工艺压力为4mTorr，工艺气体流量用流量计控制；

步骤3：打开第一隔离层阴极的电源，进行洗靶，并往一个方向走带；

隔离层阴极所用靶材为阻挡层所需成分的靶材，为了提高镀膜效率，靶材为金属靶材，电源为射频、中频或直流中的一种；

洗靶时间为30min，将靶面污染去除；

步骤4：设定好走带速度200m/h，镀膜功率2kW-4kW等参数，稳定后开始镀膜；

洗靶过程中和工艺稳定期间，镀膜上方基带为引带，参数稳定后产品基带才下来；

步骤5：产品基带走完后，关闭第一隔离层阴极的电源和走带，第一阻挡层12镀膜完成，如图1所示；

步骤6：按步骤2重新设置工艺气体和工艺压力，打开第二隔离层阴极的电源，进行洗靶，并往另一个方向走带；

步骤7：靶面清洁完成后，设定好走带速度1000m/h，镀膜功率等参数，稳定后开始镀膜；

步骤8：产品基带走完后，关闭第二隔离层阴极的电源和走带，第二阻挡层13镀膜完成，如图1所示；

为了提高效率，降低成本，本发明采用了反应溅射方式镀膜，同时采用滚筒支撑基带、增加基带多次缠绕次数式以增加镀膜面积，提高整体镀膜速度。如本实施例采用金属Al靶和Y靶采用反应溅射制备Al₂O₃薄膜和Y₂O₃薄膜；绕带次数为25次。

此外，为了降低设备成本、场地成本和人力成本，本发明方法采用往复走带镀膜方法，第一阻挡层和第二阻挡层在镀制过程充分共享真空系统，走带系统和设备场地，同时尽可能发挥每种膜层的镀膜效率。如本实施案例中，Al₂O₃薄膜镀膜速度为200m/h，而Y₂O₃薄膜的镀膜速度为1000m/h。

综合以上数据，采用本发明中的系统和方法，生产1km长带时间为：抽空4小时，氧化铝洗靶镀膜6小时，氧化钇洗靶镀膜2小时，一共需要12小时。并且占地面积和分体机一台的面积是接近的。

第二代高温超导带材阻挡层复合膜结构示意图如图1所示。所制备的第二代高温超导带材阻挡层复合膜AFM测试结果如图4所示，粗糙度在1μm*1μm的扫描范围内为0.5nm。

对比例1

传统镀膜系统中，如图5所示，一般将基带7分别经过一侧驱动过渡轮3，并多次缠绕在滚轮1和支撑板2上，最后经过另一侧驱动过渡轮3进入收带系统。

在上述传统第二代高温超导带材阻挡层镀膜系统中，第一阴极单元4和第二阴极单元9一般采用相同的靶材，由于阻挡层为氧化物，阴极一般采用氧化物靶，电源采用射频电源；按压基带采用支撑板，导致缠绕次数较小，一般为15道左右，道数增加，摩擦力增加，卷边风险增加；以上两点导致该方法镀膜效率较慢；1km基带镀氧化铝需抽空4小时以上，镀膜30小时；氧化钇也需要抽空4小时以上，镀膜需要8小时，总共需要46小时，而且需要两套真空设备去实现，增加了设备成本，人力成本和场地。

对比例2

随着近几年第二代高温超导带材的发展，阻挡层镀膜技术也得到发展，某些公司采用了反应溅射和连体机的结构：即将两套图5的结构进行合并，如图6所示。用两套真空系统分别控制，第一阴极单元4、第二阴极单元9采用的金属靶材与第三阴极单元10、第四阴极单元11采用的金属靶材不同，利用反应溅射设备去制备阻挡层复合膜。

镀膜时，先将基带7多次缠绕在左侧的滚轮1、支撑板2上，再多次缠绕在右侧的滚轮1、支撑板2上。镀膜时，基带7先在左侧阴极上进行多次镀膜完成第一阻挡层12的镀膜，再经过右侧阴极上进行多次镀膜完成第二阻挡层13的镀膜。通过本对比例方法，1km基带镀氧化铝需抽空4小时以上，洗靶镀膜8小时；氧化钇抽空和镀膜是同时进行的，总共需要12小时。

但该方案存在如下缺点：1)采用了两套支撑板结构，系统的摩擦力将更大，因此绕带次数会减少，进而减少镀膜效率；2)第一阻挡层和第二阻挡层的镀膜效率不一样，但走带系统要求他们具有相同的走带速度，因此需要牺牲一种材料的镀膜效率。如氧化铝镀膜速度为150m/h，而氧化钇的镀膜效率为800m/h，为了速度匹配，不得不降低氧化钇的镀膜效率使其镀膜速度和氧化铝一样为150m/h；3)虽然采用的连体设备，但整个系统中仍然需要两套真空系统、电源系统、气路控制系统，因此该方法所需的设备整本较高，占地面积较大。

通过与以上对比例进行对比，本发明的优点在于本方法不仅提高了镀膜效率，还减少了设备成本，减少了设备占地面积、降低了带材制造成本。从而更加适合于大规模工业化生产的第二代高温超导带材阻挡层。

以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (10)

1.一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将基带安装在驱动系统上，调节镀膜环境的真空度；

S2、开启驱动系统，进行正向走带；开启阴极系统，经洗靶、镀膜后制得第一阻挡层，结束后关闭阴极系统和驱动系统；

S3、开启驱动系统，进行反向走带；开启阴极系统，经洗靶、镀膜后制得第二阻挡层，结束后关闭阴极系统和驱动系统。

2.根据权利要求1所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，所述基带包括镍-钨合金基带、哈氏合金基带、不锈钢金属基带中的一种。

3.根据权利要求1所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，进行正向走带时的走带速度与进行反向走带时的走带速度相同或不同。

4.根据权利要求1所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，所述驱动系统包括：

滚轮，两个所述滚轮间隔设置，基带包裹在两个所述滚轮外侧；

滚筒，所述滚筒设置在两个所述滚轮之间，所述滚筒与基带接触；

驱动过渡轮，所述驱动过渡轮分别设置在两个所述滚轮的外侧；

所述阴极系统包括：

第一阴极单元及第二阴极单元；

所述第一阴极单元及所述第二阴极单元与电源连接；

所述第一阴极单元及所述第二阴极单元的位置分别与所述滚筒的位置相对应。

5.根据权利要求4所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，所述驱动系统还包括：收放过渡轮及收放带轮；

所述收放过渡轮分别设置在两个所述驱动过渡轮的外侧；

所述收放带轮分别设置在两个所述收放过渡轮的外侧。

6.根据权利要求5所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，步骤S1中，将基带安装在驱动系统上的步骤为：

将基带依次安装在一侧的所述收放带轮、所述收放过渡轮、所述驱动过渡轮上，再将基带多次缠绕在两个所述滚轮和所述滚筒上，最后再将基带依次安装在另一侧的所述驱动过渡轮、所述收放过渡轮、所述收放带轮上。

7.根据权利要求4所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，在基带运行过程中，所述第一阴极单元及所述第二阴极单元的位置仍分别与所述滚筒的位置相对应。

8.根据权利要求4所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，所述阴极系统中：

所述第一阴极单元包括至少一个第一隔离层阴极，所述第二阴极单元包括至少一个第二隔离层阴极；

所述第一隔离层阴极的靶材与所述第二隔离层阴极的靶材为不同种类型的金属靶材。

9.根据权利要求8所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，步骤S2中，所述洗靶、镀膜的具体步骤为：打开第一隔离层阴极的电源进行洗靶，靶面稳定后进行镀膜；

步骤S3中，所述洗靶、镀膜的具体步骤为：打开第二隔离层阴极的电源进行洗靶，靶面稳定后进行镀膜。

10.根据权利要求4或9所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜方法，其特征在于，所述电源为射频电源、直流电源或中频电源。