CN110147290B - 芯片年龄判断方法、装置、芯片及终端 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例涉及一种芯片年龄判断方法、装置、芯片及终端。方法包括：控制芯片SRAM多次上下电；多次获取SRAM的上电反馈值；计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；根据所述错误率判断所述芯片的年龄。通过实施本名发明实施例，可以准确的判断芯片年龄。

Description

芯片年龄判断方法、装置、芯片及终端
技术领域
本发明涉及芯片检测领域，尤其涉及一种芯片年龄判断方法、装置、芯片及终端。
背景技术
因为芯片全球供应链的关系，政府、公司等单位购买芯片使用的来源渠道多种多样。芯片回收翻新再售卖给相关的单位已经是一种常见的黑产获益手段。相关的政府，公司使用了翻新的芯片产品会对自身的产品稳定性造成巨大影响。当前手段仅仅通过芯片外表判断亦或是通过物理侵入芯片判断内部结构是否老化。这种判断方法费时费力，并且由于翻新技术的更迭，往往无法达到验收的效果，同时无法精确的判断出芯片的年龄。如何准确的判断芯片年龄，是本领域亟待解决的一大问题。
发明内容
本发明实施例提供一种芯片年龄判断方法、装置、芯片及终端，可准确的判断芯片年龄。
一方面，本发明实施例公开了一种芯片年龄判断方法，包括：控制芯片SRAM多次上下电；多次获取SRAM的上电反馈值；计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；根据所述错误率判断所述芯片的年龄。
可选的，计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率，具体为：根据所述多次获取的SRAM的上电反馈值与标准反馈值的比较计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；所述标准反馈值是被指定作为比较标准的，其中一次获取的SRAM的上电反馈值。
可选的，控制芯片SRAM多次上下电，具体为：在预设时长内以预设频率控制所述芯片SRAM反复上下电，直到获取的SRAM上电反馈值次数达到预设次数。
可选的，根据所述错误率判断所述芯片的年龄，具体为：将所述错误率与预存的错误率与芯片年龄的对应关系比较，得出所述芯片的年龄。
第二方面，本发明实施例公开一种芯片年龄判断装置，包括：上下电模块，用于控制芯片SRAM多次上下电；获取模块，用于多次获取SRAM的上电反馈值；计算模块，用于计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；年龄判断模块，用于根据所述错误率判断所述芯片的年龄。
可选的，计算模块，具体用于，根据所述多次获取的SRAM的上电反馈值与标准反馈值的比较计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；所述标准反馈值是被指定作为比较标准的，其中一次获取的SRAM的上电反馈值。
可选的，上下电模块，具体用于，在预设时长内以预设频率控制所述芯片SRAM反复上下电，直到获取的SRAM上电反馈值次数达到预设次数。
可选的，年龄判断模块，具体用于，将所述错误率与预存的错误率与芯片年龄的对应关系比较，得出所述芯片的年龄。
第三方面，本发明实施例还公开一种芯片，芯片为数字芯片，包括达成所述芯片功能的功能集成电路，以及如权利要求5-8中任一项所述的芯片年龄判断装置；所述芯片年龄判断装置以片上运行的方式判断所述芯片年龄。
第四方面，本发明实施例还公开一种终端，包括芯片，以及如权利要求5-8中任一项所述的芯片年龄判断装置。
本发明实施例，通过控制芯片SRAM多次上下电；多次获取SRAM的上电反馈值；计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；根据所述错误率判断所述芯片的年龄。通过实施本发明实施例，可以准确的判断芯片年龄。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种芯片年龄判断方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的一种芯片年龄判断装置示意图；
图3为本发明实施例提供的芯片示意图；
图4为本发明实施例提供的终端示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例描述中的芯片为数字芯片，具有静态随机存储器(SRAM)。芯片本身功能不做限制。
下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明，实施例并不构成对本发明的限定。
图1为本发明实施例提供的一种芯片年龄的判断方法的流程图；该实施例包括：
S101、控制芯片SRAM多次上下电；
S102、多次获取SRAM的上电反馈值；
每次对SRAM上电会产生一个上电反馈值，通过对芯片SRAM多次上下电来多次获取SRAM的上电反馈值，直到获取的上电反馈值次数达到满足数据分析次数的要求。
可选的，控制芯片SRAM多次上下电，具体的做法为在预设时长内以预设频率控制芯片SRAM反复上下电，直到上电次数达到预设次数；当然，也可以是直到获取SRAM上电反馈值的次数达到预设次数，即满足数据分析次数的要求(例如100次)。以避免在某些可能的情况下，仅统计上电次数，导致其中某些次上电的初始值没能被获取的情况。
S103、计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；
根据所述多次获取的SRAM的上电反馈值与标准反馈值的比较，计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；标准反馈值是被指定作为比较标准的，其中一次获取的SRAM的上电反馈值。比如，标准反馈值可以为此次检测过程中，多次获取SRAM上电反馈值中的第一次获取到的SRAM的上电反馈值，也可以是其他任一次获取到的SRAM的上电反馈值，当多次获取到的SRAM上电反馈值与该值比较，出现偏差，即可体现出整体的错误率，该错误率表现了SRAM上电反馈值的偏差程度。需要说明的是，随着芯片使用年龄的增加，芯片的老化，导致错误率逐渐增大。计算该错误率，对判断芯片的年龄至关重要。
S104、根据所述错误率判断所述芯片的年龄；
SRAM的上电反馈值本身对芯片使用年龄敏感。使用年龄的变化会导致SRAM的上电反馈值发生变化，体现为上电反馈值的错误率。比如芯片使用一年，其SRAM的上电反馈值错误率为3％，但是使用了一年半的芯片，其SRAM的上电反馈值错误率会超过4％。将S103中得到的错误率与预存的错误率与芯片年龄的对应关系比较，得出所述芯片的年龄。
需要说明的是，本发明实施例中的芯片年龄并非仅指芯片已用的年数，而是泛指芯片的已用时长。根据芯片工作环境的不同，可以得出几月甚至几日的的判断。比如，在高温环境下工作的芯片，芯片老化更快，SRAM的上电反馈值错误率会更高，从而可得出更短时间单位的计算结果。
本发明实施例通过芯片SRAM上电反馈值的错误率来判断芯片年龄，相较于现有技术中通过芯片外表判断的方式，准确度高；相对于现有技术中通过物理侵入芯片判断内部结构是否老化的方式，也节省了成本，并提升了效率。由于SRAM是数字芯片中普遍存在的元件，本发明实施例提供的方案通用性也强。
图3为本发明实施例提供的芯片年龄判断装置的示意图；芯片年龄判断装置20包括：
上下电模块201，用于控制芯片SRAM多次上下电；
具体的，上下电的方式为，在预设时长内以预设频率控制芯片SRAM反复上下电，直到获取的SRAM上电反馈值次数达到预设次数。
获取模块202，用于多次获取SRAM的上电反馈值；
计算模块203，用于计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；
具体的，根据多次获取的SRAM的上电反馈值与标准反馈值得比较，来计算所述多次获取得SRAM的上电反馈值的错误率。所述标准反馈值是被指定作为比较标准的，其中一次获取的SRAM的上电反馈值。
年龄判断模块204，用于根据所述错误率判断所述芯片的年龄；
具体的，将计算模块203得到的错误率与预存的错误率与芯片年龄的对应关系比较，得出芯片的年龄。
芯片年龄判断装置20各模块的细节描述对应前述芯片年龄的判断方法实施例中的各个步骤，此处不再赘述。
可以理解的是，芯片年龄判断装置20中的各模块为功能性描述，具体实施中可根据需要进行拆分，合并或删减，在不超出本发明实施例思想的前提下，任何拆分，合并或删减都应属本发明保护范围。芯片年龄判断装置20还会调用相应的激励电路来对芯片SRAM上下电，以及必要的反馈接收通信接口来接收获取芯片SRAM的上电反馈值，通信接口可以通过电路的，有线通信或无线通信方式接收获取芯片SRAM的上电反馈值。
进一步的，芯片年龄判断装置20还会调用相应的信息输出组件，比如显示组件，音频输出组件等，用于将得出的所述芯片的年龄输出给用户。
本发明实施例通过芯片SRAM上电反馈值的错误率来判断芯片年龄，相较于现有技术中通过芯片外表判断的方式，准确度高；相对于现有技术中通过物理侵入芯片判断内部结构是否老化的方式，也节省了成本，并提升了效率。由于SRAM是数字芯片中普遍存在的元件，本发明实施例提供的方案通用性也强。
对于本发明实施例芯片年龄判断装置20的工作方式，此处通过以下两种举例说明：
请参阅图3，为本发明实施例提供的芯片示意图；芯片30为数字芯片，具有实现其芯片本身功能的功能集成电路301，其中设有SRAM 3011。芯片年龄判断装置20设置在芯片上，直接以片上运行的方式输出结果。
再请参阅图4，为本发明实施例提供的终端示意图；终端40包括芯片401和芯片年龄判断装置20。芯片年龄判断装置安装于终端40上，终端的形式可以是PC、手机或其他任何具有运算能力的机器。
此外，芯片年龄判断装置20也可运行于专用的测试设备上。
可以理解的是，无论芯片年龄判断装置20是以以上哪种方式，或者其他方式进行工作，其均会调用相应的激励电路来对芯片SRAM上下电，以及必要的反馈接收通信接口来接收获取芯片SRAM的上电反馈值，通信接口可以通过电路的，有线通信或无线通信方式接收获取芯片SRAM的上电反馈值，芯片年龄判断装置20还会调用相应的信息输出组件，比如显示组件，音频输出组件等，用于将得出的所述芯片的年龄输出给用户。这些被调用的电路或组件来源于芯片本身、终端或测试设备。
本发明实施例通过芯片SRAM上电反馈值的错误率来判断芯片年龄，相较于现有技术中通过芯片外表判断的方式，准确度高；相对于现有技术中通过物理侵入芯片判断内部结构是否老化的方式，也节省了成本，并提升了效率。由于SRAM是数字芯片中普遍存在的元件，且芯片年龄判断装置20的应用方式也灵活，本发明实施例提供的方案通用性也强。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于装置、终端或设备中的计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：闪存盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取器(Random Access Memory，RAM)、磁盘或光盘等。
本发明实施例的方法的步骤顺序可以根据实际需要进行调整、合并或删减，且顺序不作为限制，对本发明方法实施例、系统实施例中步骤顺序的调整、步骤的合并或删减均应属于本发明的保护范围。
本发明实施例装置，中对于模块的描述是为举例，但具体实现方式可以根据实际需要进行整合、进一步划分或删减，任何整合、划分或删减均应属于本发明保护范围。
以上对本发明实施例公开的芯片年龄判断方法、装置、芯片及终端进行了详细的介绍，本文中应用了具体实例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而不是对本发明的范围的限制。同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均可能会有改变之处，亦应属本发明保护范围。

Claims (4)

1.一种芯片年龄的判断方法，其特征在于，包括：
控制芯片SRAM多次上下电；
多次获取SRAM的上电反馈值；
计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；
根据所述错误率判断所述芯片的年龄；
计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率，具体为：
根据所述多次获取的SRAM的上电反馈值与标准反馈值的比较计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；
所述标准反馈值是被指定作为比较标准的，其中一次获取的SRAM的上电反馈值；
所述控制芯片SRAM多次上下电，具体为：
在预设时长内以预设频率控制所述芯片SRAM反复上下电，直到获取的SRAM的上电反馈值次数达到预设次数；
所述根据所述错误率判断所述芯片的年龄，具体为：
将所述错误率与预存的错误率与芯片年龄的对应关系比较，得出所述芯片的年龄。
2.一种芯片年龄判断装置，其特征在于，包括：
上下电模块，用于控制芯片SRAM多次上下电；
获取模块，用于多次获取SRAM的上电反馈值；
计算模块，用于计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；
年龄判断模块，用于根据所述错误率判断所述芯片的年龄；
所述计算模块，具体用于，根据所述多次获取的SRAM的上电反馈值与标准反馈值的比较计算所述多次获取的SRAM的上电反馈值的错误率；
所述标准反馈值是被指定作为比较标准的，其中一次获取的SRAM的上电反馈值；
所述上下电模块，具体用于，在预设时长内以预设频率控制所述芯片SRAM反复上下电，直到获取的SRAM上电反馈值次数达到预设次数；
所述年龄判断模块，具体用于，将所述错误率与预存的错误率与芯片年龄的对应关系比较，得出所述芯片的年龄。
3.一种芯片，其特征在于，所述芯片为数字芯片，包括达成所述芯片功能的功能集成电路，以及如权利要求2所述的芯片年龄判断装置；所述芯片年龄判断装置以片上运行的方式判断所述芯片年龄。
4.一种终端，其特征在于，包括芯片，以及如权利要求2所述的芯片年龄判断装置。
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