CN110124693A - 石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 title claims abstract description 10
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 23
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 7
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims description 5
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(I) nitrate Inorganic materials [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 claims description 4
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004201 L-cysteine Substances 0.000 claims description 3
- 235000013878 L-cysteine Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 3
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims description 2
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N ethanol;hydrate Chemical compound O.CCO IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 8
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004298 light response Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 abstract 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910007339 Zn(OAc)2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- -1 controlled shape Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000001967 indiganyl group Chemical group [H][In]([H])[*] 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/02—Sulfur, selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/04—Sulfides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
- C01B3/02—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
- C01B3/04—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of inorganic compounds, e.g. ammonia
- C01B3/042—Decomposition of water
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2203/00—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
- C01B2203/02—Processes for making hydrogen or synthesis gas
- C01B2203/0266—Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a decomposition step
- C01B2203/0277—Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a decomposition step containing a catalytic decomposition step
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,涉及光催化功能材料制备方法,本发明以三元硫化物ZnIn2S4为参照,将Ag+、锌源、铟源、硫源和氧化态石墨烯按照一定的摩尔比在水热条件下反应,并获得目标光催化剂。这种新型的可见光光催化剂结构清晰,组成明确,通过Ag+的掺杂可以显著增强ZnIn2S4的可见光光谱响应范围,与石墨烯复合后可以使光生载流子的扩散范围增大,抑制光生电子‑空穴对的重组从而增强可见光催化活性,是一种有前途的可见光光催化材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种光催化剂制备方法,特别是涉及一种石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法。
背景技术
氢能,作为一种环境友好,清洁无污染的新型能源可以通过光催化分解水来制备。为了实现高效水分解产氢,人们已经开发出大量用于制氢的半导体光催化剂。包括TiO2和其他氧化物半导体在内的传统光催化剂由于自身较大的禁带宽度(>3.0eV),只能吸收仅占太阳光谱5%的紫外光。因此,在该领域中,最关键的挑战之一是开发可见光活性光催化剂。
近年来,ZnIn2S4作为Ⅱ-Ⅲ-Ⅳ三元硫族化合物的一个重要组成部分,因其独特的光学性质和显着的太阳能采集能力(Eg~2.35 eV),加之高稳定性和光电导性而在光催化产H2中得到了深入的研究。 然而,相对较高的价带能量和光致电子具有更快的复合过程仍然不能满足我们的要求。因此,如何增大宽带隙半导体材料的可见光光谱响应范围,同时缩短光生载流子从半导体内部转移至表面所需要的时间,进而降低载流子的重组速率而增强光催化活性,已成为光催化研究领域亟待解决的问题。由于Ag+具有4d电子结构,在ZnIn2S4中掺杂少量Ag+,可在半导体中产生Ag4d施主能级,因其具有比ZnIn2S4更广的光谱响应范围,电子可以从该价带光激发到导带,因此能够提高光子的利用率,以这种方式增强了光催化活性。
石墨烯(RGO),是由sp2杂化碳组成的单原子厚度片,在室温下具有良好的载流子迁移率、良好的导电性、较高的理论比表面积等优点。因此,一直被视为合成各种功能复合材料的重要基石。研究发现,石墨烯能够被引入到各种半导体光催化剂中,形成石墨烯型复合半导体光催化剂,由于其优异的载流子迁移率可以使光生载流子的扩散范围增大,抑制电子与空穴的复合,延长寿命,使其具有更加优异的光催化性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,本发明以三元硫化物ZnIn2S4为基础,通过水热法将Ag+均匀的掺杂于ZnIn2S4中,并且使之与RGO复合,将其应用于光催化产氢中,抑制电子与空穴的复合,延长寿命,使其具有更加优异的光催化性能。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,所述方法包括以下制备过程:利用优化Hummers法制备氧化石墨烯;首先,将制得的氧化石墨利用超声作用剥落来制备单分散氧化石墨烯溶液;其次,分别称取一定量的Zn(OAc)2,In(OAc)3,AgNO3和L-半胱氨酸溶解在50 mL的去离子水中,然后加入一定量的氧化石墨烯溶液;待充分混匀后,再加入一定量的硫代乙酰胺,将溶液转移到100 mL带聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中;水热反应过后,将墨绿色的沉淀通过离心分离,并用去离子和乙醇水依次清洗,烘干得到RGO/Ag:ZnIn2S4复合光催化剂。
所述的石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,所述利用优化Hummers法制备氧化石墨烯,首先,利用强酸强氧化剂对石墨片进行氧化,在反应过程中通过控制氧化剂的加入方式、反应温度等因素制备出具有较高氧化程度的氧化石墨;然后,在水溶液中,利用超声作用剥落氧化石墨来制备单分散氧化石墨烯溶液(1g/L);
所述的石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,所述称取0.1036的Zn(OAc)2·2H2O,0.2839g的In(OAc)3 和0.00047g的AgNO3溶解在50 mL的去离子水中,再加入0.5 mL氧化石墨烯溶液,超声30min,然后加入0.0687g的L-半胱氨酸超声30 min待充分溶解后,将溶液转移到100 mL聚四氟乙烯内衬中,加入0.1418g的硫代乙酰胺,搅拌30min,将反应釜于160oC条件下水热反应6h;之后自然冷却至室温,所得产物用去离子水和无水乙醇依次洗涤3-5次,并在50oC下干燥12h,得到RGO/Ag:ZnIn2S4光催化剂。
本发明的优点与效果是:
本发明为开发可见光半导体光催化领域提供一种新的技术路径,对于解决日益严重的能源问题具有重要意义。
(1)本发明通过水热法可以将Ag+均匀而稳定的掺杂到ZnIn2S4中,可在半导体中产生Ag4d施主能级,在可见光照射下,使能量较小的光子可激发掺杂能级上的e-和h+,从而提高光子的利用率,促进可见光催化反应。
(2)本发明所制备的RGO/Ag:ZnIn2S4复合光催化剂,由于RGO的加入导致光生载流子的扩散范围增大,抑制电子与空穴的复合,延长寿命,使其具有更加优异的光催化性能。
(3)本发明采用常见的水热合成法,所合成的RGO/Ag:ZnIn2S4复合光催化剂结晶度、分散性好、形状可控,且原料常见,工艺可控,易于实施,符合环境友好的要求。
附图说明
图1为本发明RGO/Ag:ZnIn2S4复合光催化剂的TEM图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
下面结合具体实施例进一步阐明本发明的内容,但其并不限制本发明的保护范围。
实施例1
(1)利用优化Hummers法制备氧化石墨烯。首先,利用强酸强氧化剂对石墨片进行氧化,在反应过程中通过控制氧化剂的加入方式、反应温度等因素制备出具有较高氧化程度的氧化石墨。然后,在水溶液中,利用超声作用剥落氧化石墨来制备单分散氧化石墨烯溶液(1g/L)。
(2)称取0.1036的Zn(OAc)2·2H2O,0.2839g的In(OAc)3 和0.00047g的AgNO3溶解在50 mL的去离子水中,再加入0.5 mL氧化石墨烯溶液,超声30min,然后加入0.0687g的L-半胱氨酸超声30 min待充分溶解后,将溶液转移到100 mL聚四氟乙烯内衬中,加入0.1418g的硫代乙酰胺,搅拌30min,将反应釜于160oC条件下水热反应6h。之后自然冷却至室温,所得产物用去离子水和无水乙醇依次洗涤3-5次,并在50oC下干燥12h,得到RGO/Ag:ZnIn2S4光催化剂。
实施例2
如实施例1所述,所不同的是将步骤(2)中加入氧化石墨烯溶液的量调为1mL,则最终的催化剂为含有0.5wt% RGO的0.5wt%RGO/Ag:ZnIn2S4。
实施例3
如实施例1所述,所不同的是将步骤(2)中加入氧化石墨烯溶液的量调为1.5mL,则最终的催化剂为含有0.5wt% RGO的0.5wt%RGO/Ag:ZnIn2S4。
实施例4
如实施例1所述,所不同的是将步骤(2)中加入氧化石墨烯溶液的量调为2mL,则最终的催化剂为含有0.5wt% RGO的0.5wt%RGO/Ag:ZnIn2S4。
实施例5
如实施例1所述,所不同的是将步骤(2)中加入氧化石墨烯溶液的量调为4mL,则最终的催化剂为含有0.5wt%RGO的0.5wt%RGO/Ag:ZnIn2S4。
实施例6
如实施例1所述,所不同的是将步骤(2)中加入氧化石墨烯溶液的量调为6mL,则最终的催化剂为含有3wt%RGO的3wt%RGO/Ag:ZnIn2S4。
Claims (3)
1.石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,其特征在于,所述方法包括以下制备过程:利用优化Hummers法制备氧化石墨烯;首先,将制得的氧化石墨利用超声作用剥落来制备单分散氧化石墨烯溶液;其次,分别称取一定量的Zn(OAc)2,In(OAc)3,AgNO3和L-半胱氨酸溶解在50 mL的去离子水中,然后加入一定量的氧化石墨烯溶液;待充分混匀后,再加入一定量的硫代乙酰胺,将溶液转移到100 mL带聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中;水热反应过后,将墨绿色的沉淀通过离心分离,并用去离子和乙醇水依次清洗,烘干得到RGO/Ag:ZnIn2S4复合光催化剂。
2.根据权利要求1所述的石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,其特征在于,所述利用优化Hummers法制备氧化石墨烯,首先,利用强酸强氧化剂对石墨片进行氧化,在反应过程中通过控制氧化剂的加入方式、反应温度等因素制备出具有较高氧化程度的氧化石墨;然后,在水溶液中,利用超声作用剥落氧化石墨来制备单分散氧化石墨烯溶液(1g/L)。
3.根据权利要求1所述的石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,其特征在于,所述称取0.1036的Zn(OAc)2·2H2O,0.2839g的In(OAc)3和0.00047g的AgNO3溶解在50 mL的去离子水中,再加入0.5 mL氧化石墨烯溶液,超声30min,然后加入0.0687g的L-半胱氨酸超声30 min待充分溶解后,将溶液转移到100 mL聚四氟乙烯内衬中,加入0.1418g的硫代乙酰胺,搅拌30min,将反应釜于160oC条件下水热反应6h;之后自然冷却至室温,所得产物用去离子水和无水乙醇依次洗涤3-5次,并在50oC下干燥12h,得到RGO/Ag:ZnIn2S4光催化剂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910450611.9A CN110124693A (zh) | 2019-05-28 | 2019-05-28 | 石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910450611.9A CN110124693A (zh) | 2019-05-28 | 2019-05-28 | 石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110124693A true CN110124693A (zh) | 2019-08-16 |
Family
ID=67582108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910450611.9A Withdrawn CN110124693A (zh) | 2019-05-28 | 2019-05-28 | 石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法 |
Country Status (1)
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---|---|
CN (1) | CN110124693A (zh) |
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---|---|---|---|---|
CN110624583A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-12-31 | 沈阳化工大学 | 一种复合石墨相氮化碳异质结光催化剂的制备方法 |
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