CN110121772B - 发光二极管封装件组件以及包括其的发光二极管灯泡 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光二极管封装件组件以及包括其的发光二极管灯泡。根据本发明的实施例，提供了一种发光二极管封装件组件，包括：基板；第一发光二极管封装件，布置在基板，并且包括至少一个第一发光二极管芯片；第二发光二极管封装件，布置在基板，并且包括至少一个第二发光二极管芯片；以及电阻器，布置在基板，与第一发光二极管封装件串联连接，并且与第二发光二极管封装件并联连接。并且，第二发光二极管封装件与第一发光二极管封装件和电阻器并联连接。并且，第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件发出彼此不同的色温的光。

Description

发光二极管封装件组件以及包括其的发光二极管灯泡
技术领域
本发明涉及发光二极管封装件组件以及包括其的发光二极管灯泡。
背景技术
以往，利用灯丝的白炽灯作为照明装置而被广泛使用。通常，利用灯丝的白炽灯以如下原理工作：在真空的玻璃灯具内放入钨灯丝后施加电源时，钨灯丝加热到高温而通过温度辐射获得光。
以往的白炽灯由于其大部分的能量以热形式被排出，仅有部分能量被转换成光，因此热效率极底，并且由于灯丝本身的寿命短，因此难以长时间使用。
近来，寿命长且能量效率高的发光二极管(LED：Light emitting diode)正在被利用于照明装置。
发明内容
技术问题
本发明期望解决的课题在于提供一种寿命长、发热低，从而具有高经济效率的发光二极管封装件组件和包括其的发光二极管灯泡。
本发明期望解决的另一课题在于，提供一种能够调节光的色温的发光二极管封装件组件和包括其的发光二极管灯泡。
本发明期望解决的又一课题在于，提供一种可以向彼此不同的方向发光而向全方向均匀地发光的发光二极管封装件组件和包括其的发光二极管灯泡。
技术方案
根据本发明的实施例，提供了一种发光二极管封装件组件，包括：基板；第一发光二极管封装件，布置在基板，并且包括至少一个第一发光二极管芯片；第二发光二极管封装件，布置在基板，并且包括至少一个第二发光二极管芯片；以及电阻器，布置在基板，与第一发光二极管封装件串联连接，并且与第二发光二极管封装件并联连接。并且，第二发光二极管封装件与第一发光二极管封装件和电阻器并联连接。并且，第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件发出彼此不同的色温的光。
根据本发明的另一实施例，提供了一种发光二极管灯泡，包括：基础部，形成有从外部电源输入电力的外部电极垫；发光二极管封装件组件；托架，与二极管封装件组件结合；以及透光性盖体，围绕发光二极管封装件组件，一端与基础部结合。发光二极管封装件组件包括在一端形成有一对电极垫的基板、包括至少一个第一发光二极管芯片的第一发光二极管封装件、包括至少一个第二发光二极管芯片的第二发光二极管封装件组件以及电阻器。并且，托架被插入有发光二极管封装件组件的一端，并且形成有与基板的电极垫电连接的连接部。并且，第一发光二极管封装件、第二发光二极管封装件以及电阻器布置在基板。并且，第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件并联连接，发出彼此不同的色温的光。并且，电阻器与第一发光二极管封装件串联连接，并且与第二发光二极管封装件并联连接。
技术效果
根据本发明的实施例，发光二级管封装件组件和包括其的发光二级管灯泡通过使用发光二级管封装件来代替钨灯丝，从而因其寿命长且发热低而可以提高经济效率。
根据本发明的实施例，发光二级管封装件组件和包括其的发光二级管灯泡可以利用发出不同色温的光的两个以上的发光二级管封装件而根据环境发出合适色温的光。
根据本发明的实施例，发光二级管封装件组件和包括其的发光二级管灯泡包括与一个发光二级管封装件串联连接而与另一个发光二级管封装件并联连接的电阻器。据此，发光二级管封装件组件和发光二级管灯泡可以发出色温根据供应到发光二级管封装件组件的电压和电流的变化而变化的光。
附图说明
图1和图2是示出根据本发明的实施例的发光二极管封装件组件的示例图。
图3是示出根据本发明的实施例的发光二极管封装件组件的电路图。
图4和图5是示出根据本发明的第一实施例的发光二极管灯泡的示例图。
图6是示出根据本发明的第二实施例的发光二极管灯泡的示例图。
具体实施方式
通过与附图相关的以下详细的说明和优选实施例，本发明的目的、特定优点以及新颖的特征将变得更加明确。以下所介绍的实施例是为了向本领域技术人员充分传达本发明的思想而作为示例提供的。因此，本发明不限于以下说明的实施例，也可以以其他形态具体化。在本说明书中，应当留意的是，对各个附图的构成要素赋予附图标记时，针对相同的构成要素，即使标记在了不同的附图上，也尽量对其赋予了相同的附图标记。并且，“第一”、“第二”、“一表面”、“另一表面”、“上表面”、“下表面”、“上部”、“下部”等术语用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分，构成要素并不受限于所述术语。
以下，将参照附图详细说明本发明的实施例。
根据本发明的实施例的一种发光二极管封装件组件，包括：基板；第一发光二极管封装件，布置在基板，并且包括至少一个第一发光二极管芯片；第二发光二极管封装件，布置在基板，并且包括至少一个第二发光二极管芯片；以及电阻器，布置在基板，与第一发光二极管封装件串联连接，并且与第二发光二极管封装件并联连接。并且，第二发光二极管封装件与第一发光二极管封装件和电阻器并联连接。并且，第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件发出彼此不同的色温的光。
发光二极管封装件组件以恒定电流驱动方式驱动。输入到发光二极管组件电力是根据调光信号而改变的电力。根据本发明的实施例，如果输入到发光二极管组件的电压根据调光信号而改变，则第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件之间的电流分配比率会改变。据此，混合了从第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件发出的光的混合光的色温会被改变。
在基板形成有一对电极垫。第一发光二极管封装件的一端和第二发光二极管封装件的一端与一对电极垫中的一个电极垫连接。并且，电阻器的一端与第一发光二极管封装件的另一端连接。并且，第二发光二极管封装件的另一端和电阻器的另一端与一对电极垫中的另一电极垫连接。
第一发光二极管封装件的光的色温高于第二发光二极管封装件的光的色温。第一发光二极管封装件的光和第二发光二极管封装件的光的色温差异可以是500K以上。或者，第一发光二极管封装件的光和第二发光二极管封装件的光的色温差异可以是1000K以下。
通过根据串联连接的第一发光二极管封装件和电阻器的电阻值和根据第二发光二极管封装件的电阻值而使电流被分配到第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件。
混合第一发光二极管封装件的光和第二发光二极管封装件的光的混合光的色温根据第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件中流动的各电流值而被改变。
第一发光二极管封装件可以包括围绕至少一个第一发光二极管芯片的第一波长变换部。并且，第二发光二极管封装件可以包括围绕至少一个第二发光二极管芯片的第二波长变换部。
例如，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片可以通过一个波长变换部使第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发出彼此不同的色温的光。此时，第一波长变换部和第二波长变换部可以形成为包括具有相同的色温的荧光体。
或者发光二极管封装件组件可以形成为第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片被一个变换部围绕。此时，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片可以发出彼此不同的色温的光。
第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的大小可以相同，也可以是不同大小。由于第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的大小越大，发光面积越大，因此可以具有高的发光效率。
根据本发明的另一实施例，一种发光二极管灯泡，包括：基础部，形成有从外部电源输入电力的外部电极垫；发光二极管封装件组件；托架，与二极管封装件组件结合；以及透光性盖体，围绕发光二极管封装件组件，一端与基础部结合。发光二极管封装件组件包括在一端形成有一对电极垫的基板、包括至少一个第一发光二极管芯片的第一发光二极管封装件、包括至少一个第二发光二极管芯片的第二发光二极管芯片的第二发光二极管封装件以及电阻器。并且，托架被插入有发光二极管封装件组件的一端，并且形成有与基板的电极垫电连接的连接部。并且，第一发光二极管封装件、第二发光二极管封装件以及电阻器布置在基板。并且，第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件并联连接，发出彼此不同的色温的光。并且，电阻器与第一发光二极管封装件串联连接并且与第二发光二极管封装件并联连接。在此，发光二极管封装件组件以恒定电流驱动方式驱动。
第一发光二极管封装件的一端和第二发光二极管封装件的一端与一对电极垫中的一个电极垫连接。并且，电阻器的一端与第一发光二极管封装件的另一端连接。并且，第二发光二极管封装件的另一端和电阻器的另一端与一对电极垫中的另一个电极垫连接。
第一发光二极管封装件的光的色温高于第二发光二极管封装件的光的色温。第一发光二极管封装件的光和第二发光二极管封装件的光的色温差异可以是500K以上。第一发光二极管封装件的光和第二发光二极管封装件的光的色温差异可以是1000K以下。
通过根据串联连接的第一发光二极管封装件和电阻器的电阻值和根据第二发光二极管封装件的电阻值而将电流分配到第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件。在此，电阻器是电阻值不变的固定电阻。
根据本发明的实施例，发光二极管灯泡根据输入到发光二极管封装件的电力的变化而使根据第一发光二极管封装件和电阻器的电阻值和根据第二发光二极管封装件的电阻值的相对比率改变。输入到发光二极管封装件的电流与该相对比率成反比地分配到第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件。
根据在第一发光二极管封装件和第二发光二极管封装件中流动的各电流值而改变混合第一发光二极管封装件的光和第二发光二极管封装件的光的混合光的色温。
托架的连接部形成为基板的一端被插入的槽或者孔的结构。并且，连接部包括与基板的一对电极垫电连接的一对连接端子。
基板还可以包括形成在一对电极垫与第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和电阻器之间而按使基板向上部或者下部方向弯曲的方式形成的弯曲部。
第一发光二极管封装件可以包括围绕至少一个第一发光二极管芯片的第一波长变换部。并且，第二发光二极管封装件可以包括围绕至少一个第二发光二极管芯片的第二波长变换部。
例如，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片可以发出不同色温的光。此时，第一波长变换部和第二波长变换部可以包括具有相同色温的荧光体。
或者，发光二极管灯泡还可以形成为第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片被一个波长变换部围绕。此时，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片可以发出彼此不同色温的光。
第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的大小可以相同，也可以是不同大小。由于第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的大小越大，发光面积越大，因此可以具有高的发光效率。
图1和图2是示出根据本发明的实施例的发光二极管封装件组件的示例图。
图1是示出根据本发明的实施例的发光二极管封装件组件100的平面图。并且，图2是根据本发明的实施例的发光二极管封装件组件100的剖面图A1-A2。
参考图1和图2，发光二极管封装件组件100包括基板140、第一发光二极管封装件110、第二发光二极管封装件120和电阻器130。发光二极管封装件组件100以恒定电流方式驱动。
基板140是形成有布线电路(省略)的电路基板。例如，基板140可以是印刷电路基板、金属基板、玻璃基板等可以形成布线电路的任何种类。在本发明的实施例中，基板140是金属基板。由于金属基板的散热性能高，因此可以布置有多个发光二极管芯片或者多个发光二极管封装件。
基板140的一端形成有一对电极垫141。在电极垫141施加有来自发光二极管封装件组件100的外部的用于驱动第一发光二极管封装件110、第二发光二极管封装件120的电力。在此，施加到基板140的电力是根据调光信号而变化的电力。
形成在基板140的电极垫141与第一发光二极管封装件110、第二发光二极管封装件120和电阻器130电连接。
第一发光二极管封装件110布置在基板140上。第一发光二极管封装件110包括第一发光二极管芯片111和第一波长变换部115。
第一发光二极管封装件110包括至少一个第一发光二极管芯片111。如果，第一发光二极管芯片111是多个，则第一发光二极管芯片111构成彼此电连接的阵列。
第一波长变换部115形成为在基板140上围绕第一发光二极管芯片111。第一波长变换部115可以形成为围绕全部的多个第一发光二极管芯片111。或者，第一波长变换部115可以形成为单独地围绕多个第一发光二极管芯片111。
第二发光二极管封装件120布置在基板140上。第二发光二极管封装件120包括第二发光二极管芯片121和第二波长变换部125。
第二发光二极管封装件120包括至少一个第二发光二极管芯片121。如果第二发光二极管封装件121是多个，则第二发光二极管芯片121构成彼此电连接的阵列。
第二波长变换部125形成为在基板140上围绕第二发光二极管芯片121。第二波长变换部125可以形成为围绕全部的多个第二发光二极管芯片121。或者，第二波长变换部125可以形成为单独地围绕多个第二发光二极管芯片121。
第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120发出相同颜色的光。并且，第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120的光具有彼此不同的色温。例如，第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120发出色温不同的白色光。
从第一发光二极管芯片111和第二发光二极管芯片121发出的光是暖(Warm)类。例如，从第一发光二极管芯片111和第二发光二极管芯片121发出的光具有1000K～4000K范围的色温。优选地，从第一发光二极管芯片111和第二发光二极管芯片121发出的光具有1600K～3000K范围的色温。
并且，第一波长变换部115和第二波长变换部125包括彼此不同的荧光体。据此，通过第一波长变换部115发出的第一发光二极管封装件110的光和通过第二波长变换部125发出的第二发光二极管封装件120的光具有彼此不同的色温。
根据本发明的实施例，第一波长变换部115包括色温高的荧光体。例如，第一波长变换部115可以包括具有大约3000K的色温的荧光体。并且，第二波长变换部125包括色温低的荧光体。例如，第二波长变换部125可以包括具有大约1800K的色温的荧光体。
因此，第一发光二极管封装件110发出色温比第二发光二极管封装件120高的光。然而，如果第一发光二极管封装件110的光和第二发光二极管封装件120的光的色温具有差异，则也可以构成为第二发光二极管封装件120的光的色温比第一发光二极管封装件110的光的色温高。
第一发光二极管封装件110的光和第二发光二极管封装件120的光的色温差异可以是500K以上1000K以下。
形成为具有低色温的发光二极管封装件的光量可以比具有相对高的色温的发光二极管封装件的光量低。因此，为了补偿第二发光二极管封装件120的光量，第二发光二极管芯片121可以使用发光面积比第一发光二极管芯片111大的发光二极管芯片。即，第二发光二极管芯片121可以形成为大于第一发光二极管芯片111。
电阻器130可以布置在基板140上或者内置在基板140内部。电阻器130具有固定的电阻值。电阻器130形成为用于分配第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120的电流。
虽然图1中未示出布线电路，但第一发光二极管封装件110和电阻器130串联连接。并且，第二发光二极管封装件120与串联连接的第一发光二极管封装件110和电阻器130并联连接。
根据本发明的实施例的发光二极管封装件组件100发出混合了具有彼此不同的色温的光的混合光。
在发光二极管封装件组件100施加有根据外部的调光(Dimming)信号而大小变化的电压。第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120的电阻值的相对比率根据电压的变化和电阻器130而变化。
电流与这种相对比率成反比地分配到第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120。
在此，调光信号是为了调节从发光二极管封装件组件100发出的光的色温而控制输入到基板140的电力的大小的信号。
如此，如果第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120中流动的电流改变，则第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120分别发出的光的强度或者亮度会改变。因此，发光二极管封装件组件100的混合光的色温根据具有彼此不同的色温的第一发光二极管封装件110的光和第二发光二极管封装件120的光的强度或者亮度的比率变化而被调节。
在本发明的实施例中，以第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120分别包括第一波长变换部115和第二波长变换部125的情形为示例进行说明。然而，如果第一发光二极管芯片111和第二发光二极管芯片121分别发出具有用户期望的颜色和色温的光，则可以省略第一波长变换部115和第二波长变换部125。
并且，在本发明的实施例中，以发光二极管封装件组件100包括光的色温不同的两个发光二极管封装件的情形作为示例进行了说明。然而，发光二极管封装件组件100也可以包括光的色温不同的三个以上的发光二极管封装件。此时，可以通过调节与发光二极管封装件串联连接的电阻器的电阻值而更加精细地调节从发光二极管封装件组件100发出的光的色温。
作为另一实施例，第一发光二极管封装件110的第一发光二极管芯片111和第二发光二极管封装件120的第二发光二极管芯片121也可以发出彼此不同的色温的光。此时，第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120可以被相同的波长变换部围绕。
作为又一实施例，第一发光二极管封装件110的第一发光二极管芯片111和第二发光二极管封装件120的第二发光二极管芯片121可以发出相同色温的光。即，第一发光二极管芯片111和第二发光二极管芯片121可以是相同的发光二极管芯片。此时，第一发光二极管封装件110的第一波长部115和第二发光二极管封装件120的第二波长变换部125可以是以包括彼此不同的色温的荧光体的方式形成的。
图3是示出根据本发明的发光二极管封装件组件的电路图。
在图3中以电路示出的发光二极管封装件组件100是图1和图2的发光二极管封装件组件100。
参照图3，第一发光二极管封装件(图1的110)的第一发光二极管阵列113与电阻器130串联连接。此时，电阻器130的一端与作为第一发光二极管阵列113的另一端的阴极(Cathode)端连接。并且，第二发光二极管封装件(图2的120)的第二发光二极管阵列123与串联连接的第一发光二极管阵列113和电阻器130并联连接。此时，第一发光二极管阵列113的阳极(Anode)端和第二发光二极管阵列123的阳极端与第一端子151连接。并且，电阻器130的另一端和第二发光二极管阵列123的阴极端与第二端子152连接。第一端子151和第二端子152分别连接到恒定电流系统160的一端和另一端。并且，电阻器130具有预先设计的固定电阻值。在此，恒定电流系统160是向发光二极管封装件组件100以恒定电流方式供应电力的系统。
根据外部的调光信号，输入到发光二极管封装件组件100的电力改变。即，输入到发光二极管封装件组件100的电压和电流根据外部的调光信号而改变。如果输入到发光二极管封装件组件100的电压根据调光信号而变化，则根据第一发光二极管封装件110和电阻器130的电阻值和根据第二发光二极管封装件120的电阻值的相对比率会改变。从恒定电流160供应的电流与该相对比率成反比地分配到第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120。
第一发光二极管封装件(图1的110)和第二发光二极管封装件(图2的120)的光量相同且最大时，调光信号是100％调光，并且以电流的大小最大为30mA的情形作为示例进行说明。
第一发光二极管封装件(图1的110)的色温是3000K，第二发光二极管封装件(图2的120)的色温是1800K。并且，电阻器130的电阻值是1K电。
在10％调光时，第一端子151被施加3mA的电流。此时，3mA的电流全部流向第二发光二极管封装件(图2的120)。因此，第一发光二极管封装件(图1的110)变成关闭(off)状态。并且，第二发光二极管封装件(图2的120)以与3mA的电流对应的光量发光。由于仅在第二发光二极管封装件(图2的120)发光，发光二极管封装件组件100发出具有1800K的色温的光。
在20％调光时，第一端子151被施加6mA的电流。此时，在第一发光二极管封装件(图1的110)中会流动1.2mA的电流，在第二发光二极管封装件(图2的120)中会流动4.8mA的电流。据此，发光二极管封装件组件100发出具有2100K的色温的光。
在50％调光时，第一端子151被施加15mA的电流。此时，在第一发光二极管封装件(图1的110)中会流动4.5mA的电流，在第二发光二极管封装件(图2的120)中会流动10.5mA的电流。据此，发光二极管封装件组件100发出具有2400K的色温的光。
在75％调光时，第一端子151被施加22.5mA的电流。此时，在第一发光二极管封装件(图1的110)中会流动9mA的电流，在第二发光二极管封装件(图2的120)中会流动13.5mA的电流。据此，发光二极管封装件组件100发出具有2550K的色温的光。
在100％调光时，第一端子151被施加30mA的电流。此时，在第一发光二极管封装件(图1的110)和第二发光二极管封装件(图2的120)中会分别流动15mA的电流。据此，发光二极管封装件组件100发出具有2700K的色温的光。
像这样，根据本发明的实施例的发光二极管封装件组件100可以根据调光信号而向第一发光二极管封装件(图1的110)和第二发光二极管封装件(图2的120)分配电流，从而发出多种色温的光。
图4和图5是示出根据本发明的第一实施例的发光二极管灯泡的示例图。
图4是示出发光二极管灯泡10的基础部170和托架180的示例图，图5是示出安装有发光二极管封装件组件100的发光二极管灯泡10的示例图。
发光二极管灯泡10包括基础部170、发光二极管封装件组件100、托架180和透光性盖体190。在此，发光二极管封装件组件100是图1至图3的发光二极管封装件组件100。关于发光二极管封装件组件100的详细说明可参考图1至图3。
基础部170是为了与外部电源的连接而与插座结合的结构。在基础部170的外侧面形成有与插座电连接的第一外部电极171和第二外部电极172。第一外部电极171和第二外部电极172从外部电源被输入电力。
透光性盖体190形成为与基础部170结合，从而覆盖如托架180和发光二极管封装件组件100等内部构成部。透光性盖体190由透光的材质形成。例如，透光性盖体190由玻璃形成。
在发光二极管灯泡10的内部布置有托架180和发光二极管封装件组件100。在此，发光二极管灯泡10的内部是基础部170和透光性盖体190结合而形成的内部空间。
托架180布置在发光二极管封装件组件100的下部而支撑发光二极管封装件组件100以使其竖立。参考图4，托架180包括槽或者贯通槽形态的连接部181。并且在连接部181的内部形成有由导电性物质形成的一对连接端子183。一对连接端子183中的一个与基础部170的第一外部电极171电连接，另一个与基础部170的第二外部电极172电连接。一对连接端子183通过引线(wire)等具有导电性的部件(未示出)而与基础部170的第一外部电极171和第二外部电极172连接。在本发明的实施例中，以托架180是与基础部170分离的构成部进行了说明。然而，托架180也可以与170是一体型。
发光二极管灯泡10包括至少一个发光二极管封装件组件100。图4中示出了发光二极管灯泡10包括四个发光二极管封装件组件100的情形。然而，安装在发光二极管灯泡10的发光二极管封装件组件100可以根据本领域技术人员的选择而被改变。
发光二极管封装件组件100固定在托架180。发光二极管封装件组件100的一端插入到托架180的连接部181。因此，发光二极管封装件组件100布置为在发光二极管灯泡10的内部竖立的形态。即，发光二极管封装件组件100以第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120与透光性盖体190的内侧面相对的方式竖立。
并且，插入到连接部181的发光二极管封装件组件100的一端是形成有一对电极垫141的基板140的一端。如果在连接部181插入有发光二极管封装件组件100的一端，则连接部181的一对连接端子183和基板140的一对电极垫141接触而彼此电连接。因此，根据调光信号而改变的电力会通过基础部170的第一外部电极171、第二外部电极172和托架180的一对连接端子183而施加到发光二极管封装件组件100。
由于发光二极管灯泡10中，发光二极管封装件组件100以插入到托架180的方式固定，因此在发光二极管封装件组件100不良时易于更换。
根据本发明的实施例，发光二极管封装件组件100通过施加的电流而调节第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120的光量。即，发光二极管灯泡10根据从外部施加的电流而改变发出的光的色温。像这样的发光二极管灯泡10可以根据用途和环境而发出合适色温的光。
并且，根据本发明的实施例，发光二极管封装件组件100包括与一个第一发光二极管封装件110串联连接而与第二发光二极管封装件120并联连接的电阻器130。并且，电流通过根据第一发光二极管封装件110和电阻器130的电阻值和根据第二发光二极管封装件120的电阻值被分配到第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120。据此，发光二极管灯泡10可以根据调光信号发出色温改变的光。
并且，在本发明的实施例中，由于发光二极管灯泡10包括多个发光二极管封装件组件100，因此可以向侧面方向均匀地发光。
图6是示出根据本发明的第二实施例的发光二极管灯泡的示例图。
在对根据第二实施例的发光二极管灯泡20进行说明时，将省略针对与根据第一实施例的发光二极管灯泡10相同的构成的说明。省略的构成和说明可以参考图1至图5。
根据第二实施例的发光二极管灯泡20包括至少一个发光二极管封装件组件200。在发光二极管封装件组件200形成有弯曲部。弯曲部形成在基板140，并且形成在第一发光二极管芯片111、第二发光二极管芯片121以及电阻器130和一对电极垫141之间。并且，弯曲部沿基板140的宽度方向形成。在此，基板140的宽度方向是垂直于连接形成有电极垫141的基板140的一端和作为其反面的另一端的直线的方向。
弯曲部形成为用于将发光二极管封装件组件200以预定角度弯曲。只要可以弯曲发光二极管封装件组件200，则弯曲部可以以任何形态和方法形成。例如，弯曲部可以通过将基板140的一部分半蚀刻(half etching)而形成。或者，弯曲部可以构成为贯通基板140的一部分的至少一个贯通孔。或者弯曲部可以由将基板140的一部分用尖锐的物体加压的压痕形成。
发光二极管封装件组件200可以借助弯曲部，如图6所示地弯曲，从而使第一发光二极管封装件110和第二发光二极管封装件120朝向发光二极管灯泡20的上部方向。
包括这种发光二极管封装件组件200的发光二极管灯泡20不仅可以向侧面方向，向上部方向也可以均匀地发光。
并且，发光二极管灯泡20可以包括与图6相反地向下部方向弯曲的发光二极管封装件组件200而向侧面方向和下部方向均匀地发光。并且，发光二极管灯泡20包括向上部方向弯曲的发光二极管封装件组件和向下部方向弯曲的发光二极管封装件组件两者，从而可以向侧面、上部和下部方向均匀地发光。
以上，虽然对根据本发明的多种实施例进行了说明，但本发明并不限于上述多种实施例和特征，在不脱离根据本发明的权利要求书的范围的技术思想的范围内可以进行多种变形和改变。

Claims (13)

1.一种发光二极管灯泡，包括：
基础部，形成有从外部电源输入电力的外部电极垫；
发光二极管封装件组件，包括在一端形成有一对电极垫的基板、包括至少一个第一发光二极管芯片的第一发光二极管封装件、包括至少一个第二发光二极管芯片的第二发光二极管封装件以及电阻器；
托架，插入有所述发光二极管封装件组件的一端，并且形成有与所述基板的电极垫电连接的连接部；以及
透光性盖体，围绕所述发光二极管封装件组件，一端与所述基础部结合，
所述第一发光二极管封装件、所述第二发光二极管封装件以及所述电阻器布置在所述基板，
所述第一发光二极管封装件和所述第二发光二极管封装件并联连接，并且发出彼此不同的色温的光，
所述电阻器与所述第一发光二极管封装件串联连接，并且与所述第二发光二极管封装件并联连接，
插入到所述连接部的所述发光二极管封装件的一端对应于所述基板的形成有所述一对电极垫的一端，
所述托架的连接部具有所述基板的一端插入的槽或孔的结构，并包括与所述基板的一对电极垫连接的一对连接端子，
所述一对电极垫设置于所述基板的相同的表面，并与所述连接部的一对连接端子电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管灯泡，其中，
所述第一发光二极管封装件的一端和所述第二发光二极管封装件的一端与所述一对电极垫中的一个电极垫连接，
并且所述电阻的一端与所述第一发光二极管封装件的另一端连接，
所述第二发光二极管封装件的另一端和所述电阻的另一端与所述一对电极垫中的另一个电极垫连接。
3.如权利要求1所述的发光二极管灯泡，其中，
所述第一发光二极管封装件的光的色温高于所述第二发光二极管封装件的光的色温。
4.如权利要求3所述的发光二极管灯泡，其中，
所述第一发光二极管封装件的光和所述第二发光二极管封装件的光的色温差异是500K以上。
5.如权利要求4所述的发光二极管灯泡，其中，
所述第一发光二极管封装件的光和所述第二发光二极管封装件的光的色温差异是1000K以下。
6.如权利要求1所述的发光二极管灯泡，其中，
通过根据串联连接的所述第一发光二极管封装件和所述电阻器的电阻值和根据所述第二发光二极管封装件的电阻值而将电流分配到所述第一发光二极管封装件和所述第二发光二极管封装件。
7.如权利要求6所述的发光二极管灯泡，其中，
混合所述第一发光二极管封装件的光和所述第二发光二极管封装件的光的混合光的色温根据所述第一发光二极管封装件和所述第二发光二极管封装件中流动的各电流值而被改变。
8.如权利要求1所述的发光二极管灯泡，其中，
所述基板还包括形成在所述一对电极垫与所述第一发光二极管芯片、所述第二发光二极管芯片和所述电阻器之间且以使所述基板向上部或者下部方向弯曲的方式形成的弯曲部。
9.如权利要求1所述的发光二极管灯泡，其中，
所述第一发光二极管封装件包括围绕所述第一发光二极管芯片的第一波长变换部，
所述第二发光二极管封装件包括围绕所述第二发光二极管芯片的第二波长变换部。
10.如权利要求9所述的发光二极管灯泡，其中，
所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片发出相同颜色的光。
11.如权利要求10所述的发光二极管灯泡，其中，
所述第一波长变换部和所述第二波长变换部包括具有彼此不同的荧光体。
12.如权利要求1所述的发光二极管灯泡，还包括：
波长变换部，围绕所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片。
13.如权利要求12所述的发光二极管灯泡，其中，
所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片具有彼此不同的发光效率。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111140773A (zh) * 2018-11-06 2020-05-12 朗德万斯公司 用于半导体灯的多色光引擎
US11209129B2 (en) * 2019-01-29 2021-12-28 Xiamen Eco Lighting Co. Ltd. Light apparatus
US11212901B2 (en) * 2019-01-29 2021-12-28 Xiamen Eco Lighting Co. Ltd. Light apparatus
WO2021018646A1 (en) 2019-07-30 2021-02-04 Signify Holding B.V. Color controllable led filament and lamp with such a filament
CN111174114A (zh) * 2020-01-15 2020-05-19 南京工业大学 一种新型半导体照明光源
EP4146979B1 (en) * 2020-05-07 2023-08-30 Signify Holding B.V. An led filament and a lamp
CN115479223A (zh) * 2022-09-13 2022-12-16 东莞圣柏电子有限公司 一种双色灯泡

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2768282A2 (en) * 2013-02-15 2014-08-20 Panasonic Corporation Lighting source and lighting apparatus
WO2016084437A1 (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 シャープ株式会社 発光装置および照明器具

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10487987B2 (en) * 2015-08-17 2019-11-26 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament
TWI354365B (en) 2009-08-26 2011-12-11 Quasioptical led package structure for increasing
KR101093952B1 (ko) 2010-03-08 2011-12-14 주식회사 인성전자 색온도 조절이 가능한 엘이디 패키지
US8410726B2 (en) * 2011-02-22 2013-04-02 Quarkstar Llc Solid state lamp using modular light emitting elements
KR101249673B1 (ko) * 2011-06-28 2013-04-01 주식회사 알앤에프케미칼 디스플레이 화면 보호용 필름 및 상기 필름을 이용한 디스플레이 포장용 백
KR101884599B1 (ko) * 2011-08-22 2018-08-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 조명 장치 및 조명 시스템
US9247597B2 (en) 2011-12-02 2016-01-26 Lynk Labs, Inc. Color temperature controlled and low THD LED lighting devices and systems and methods of driving the same
JP6210830B2 (ja) * 2013-05-27 2017-10-11 シチズン時計株式会社 Ｌｅｄ電球
TWI626395B (zh) * 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI651871B (zh) * 2013-06-27 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光組件及製作方法
KR20180054327A (ko) * 2016-11-15 2018-05-24 서울반도체 주식회사 발광 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2768282A2 (en) * 2013-02-15 2014-08-20 Panasonic Corporation Lighting source and lighting apparatus
WO2016084437A1 (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 シャープ株式会社 発光装置および照明器具

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