JP2006261600A - 照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法 - Google Patents
照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006261600A JP2006261600A JP2005080491A JP2005080491A JP2006261600A JP 2006261600 A JP2006261600 A JP 2006261600A JP 2005080491 A JP2005080491 A JP 2005080491A JP 2005080491 A JP2005080491 A JP 2005080491A JP 2006261600 A JP2006261600 A JP 2006261600A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forward voltage
- voltage value
- light emitter
- range
- led element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】 コストアップを招くことなく、各発光体列での電圧値を略一定にすることができる照明モジュールを提供する。
【解決手段】 照明モジュールは、32個のLED素子を直列に接続したLED素子列を2列備える。各LED素子列のLED素子は、その動作順電圧値が全て第2の範囲(ランクR−3〜ランクR+3)内に入っており、その動作順電圧値が第1の範囲(ランクR0)内に入っているときは単独で基板に実装され、また、その動作順電圧値が第1の範囲(ランクR0)内に入っていないときは、他のLED素子を組み合わせて第1の範囲に入るようにして基板に実装されている。
【選択図】 図10
【解決手段】 照明モジュールは、32個のLED素子を直列に接続したLED素子列を2列備える。各LED素子列のLED素子は、その動作順電圧値が全て第2の範囲(ランクR−3〜ランクR+3)内に入っており、その動作順電圧値が第1の範囲(ランクR0)内に入っているときは単独で基板に実装され、また、その動作順電圧値が第1の範囲(ランクR0)内に入っていないときは、他のLED素子を組み合わせて第1の範囲に入るようにして基板に実装されている。
【選択図】 図10
Description
本発明は、複数の発光体を直列に接続してなる発光体列を複数並列接続で備える照明モジュールに関する。
発光ダイオード素子(以下、単に「LED素子」という。)を実装する照明モジュールは、LED素子単体の光出力が小さいために、複数のLED素子を備えている。これらのLED素子は、通常、同一仕様のものが使用されると共に、例えば、複数のLED素子を直列に接続したLED素子列を複数用いて並列接続している。
これは、同一仕様のLED素子を用いれば、各LED素子列でLED素子の内部抵抗の合計値(合成抵抗値)が略等しくなり、各LED素子列に略同量の電流を流すことができ、各LED素子列での発光量のばらつきを少なくできるのである。
これは、同一仕様のLED素子を用いれば、各LED素子列でLED素子の内部抵抗の合計値(合成抵抗値)が略等しくなり、各LED素子列に略同量の電流を流すことができ、各LED素子列での発光量のばらつきを少なくできるのである。
しかしながら、各LED素子列を構成する各LED素子は、同一仕様であっても、実際には順方向の動作順電圧値Vfが異なり、夫々のLED素子列に流れる電流に差が生じる。
この差が大きくなると、合成抵抗値の低いLED素子列に過電流が流れ、当該LED素子列を構成するLED素子の商品寿命が短くなるという問題が生じる。
この差が大きくなると、合成抵抗値の低いLED素子列に過電流が流れ、当該LED素子列を構成するLED素子の商品寿命が短くなるという問題が生じる。
このような問題を解決する照明モジュールあるいは照明装置としては、例えば、LED素子列毎にLED素子列に流れる電流を一定にするための電子部品(例えば、抵抗素子)や電源(例えば、定電流回路)を備えたものや、動作順電圧値Vfのバラツキが殆ど無視できる範囲内のLED素子だけを用いたものがある。
特開2004−207654号公報
しかしながら、上記照明モジュールでは、コストが非常に高くなる等の問題がある。つまり、前者の照明モジュールでは、各LED素子列に電子部品や電源を備えることになりコストアップを招くと共に、照明モジュールが大型化するという問題がある。
一方、後者の照明モジュールでは、例えば、1枚のウェハからLED素子を切り出した内、ばらつきの小さいものだけを選別して抽出するため、照明モジュールに使用できるLED素子の数が極端に少なくなり、余ったLED素子は使用できないことから、LED素子1個当たりのコストが非常に高くなるのである。
一方、後者の照明モジュールでは、例えば、1枚のウェハからLED素子を切り出した内、ばらつきの小さいものだけを選別して抽出するため、照明モジュールに使用できるLED素子の数が極端に少なくなり、余ったLED素子は使用できないことから、LED素子1個当たりのコストが非常に高くなるのである。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであって、コストアップを招くことなく、各発光体列での電圧値を略一定にすることができる照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る第1の照明モジュールは、複数の発光体を直列に接続してなる発光体列を基板に1列以上備え、前記発光体列を構成する複数の発光体の動作順電圧値の平均値が、予め設定されていた基準順電圧値に対して第1の範囲に入るように各発光体が接続されてなり、前記基板に実装されている発光体は、当該動作順電圧値が前記基準順電圧値に対して、前記第1の範囲よりも広い第2の範囲内に入る特性を有し、動作順電圧値が前記第1の範囲内に入らない発光体が、当該発光体と組み合わせることで動作順電圧値の平均値が前記第1の範囲内に入る他の発光体と、組み合わされて同一の発光体列内に実装されていることを特徴としている。
或いは、上記目的を達成するため、本発明に係る第2の照明モジュールは、複数の発光体を直列に接続してなる発光体列を基板に1列以上備え、前記発光体列を構成する複数の発光体の動作順電圧値の平均値が、予め設定されている基準順電圧値に対して第1の範囲に入るように各発光体が接続されてなり、前記基板に実装されている発光体は、その動作順電圧値印加時の順電流値と前記基準順電圧値印加時の順電流値との差が第3の範囲内に入る特性を有し、動作順電圧値が前記第1の範囲内に入らない発光体が、当該発光体と組み合わせることで動作順電圧値の平均値が前記第1の範囲内に入る他の発光体と、組み合わされて同一の発光体列内に実装されていることを特徴としている。
ここでいう「発光体」は、発光素子だけでなく、発光素子をサブ基板に実装してなる構造を有するもの、例えば、サブマウントも含む概念であり、さらに、発光体を構成する発光素子は、半導体プロセスにより製造されるものであれば良く、例えば、LED、レーザダイオード等がある。
これにより、各発光体列を構成する複数の発光体における動作順電圧値の平均値を第1の範囲内に入れることができ、発光体列に流れる順方向の電流値を略一定にできる。しかも、動作順電圧値が第1の範囲内に入らないような発光素子も使用することができる。
これにより、各発光体列を構成する複数の発光体における動作順電圧値の平均値を第1の範囲内に入れることができ、発光体列に流れる順方向の電流値を略一定にできる。しかも、動作順電圧値が第1の範囲内に入らないような発光素子も使用することができる。
また、上記目的を達成するため、本発明に係る照明装置は、複数の発光体を有する照明モジュールを備え、前記照明モジュールが上記構成の照明モジュールであることを特徴としている。
また、上記目的を達成するための製造方法は、1枚のウェハから作られた複数の発光体を直列に接続してなる発光体列を基板に1列以上備え、前記発光体列を構成する複数の発光体の動作順電圧値の平均値が当該発光体の製造時に設定された基準順電圧値に対して第1の範囲に入るように各発光体が接続されてなる照明モジュールの製造方法であって、1枚のウェハから取り出された発光体の各々について動作順電圧値を測定する測定工程と、前記測定された発光体の内、その動作順電圧値が、前記ウェハの製造時に設定されている基準順電圧値に対して第2の範囲内に入るものを基板に実装する実装工程とを含み、前記実装工程では、動作順電圧値が前記第1の範囲内に入らない発光体がある場合に、当該発光体と直列接続して組み合わせることで動作順電圧値の平均値が前記第1の範囲内に入る他の発光体と一対で同一の発光体列内に実装することを特徴としている。
また、上記目的を達成するための製造方法は、1枚のウェハから作られた複数の発光体を直列に接続してなる発光体列を基板に1列以上備え、前記発光体列を構成する複数の発光体の動作順電圧値の平均値が当該発光体の製造時に設定された基準順電圧値に対して第1の範囲に入るように各発光体が接続されてなる照明モジュールの製造方法であって、1枚のウェハから取り出された発光体の各々について動作順電圧値を測定する測定工程と、前記測定された発光体の内、その動作順電圧値が、前記ウェハの製造時に設定されている基準順電圧値に対して第2の範囲内に入るものを基板に実装する実装工程とを含み、前記実装工程では、動作順電圧値が前記第1の範囲内に入らない発光体がある場合に、当該発光体と直列接続して組み合わせることで動作順電圧値の平均値が前記第1の範囲内に入る他の発光体と一対で同一の発光体列内に実装することを特徴としている。
本発明に係る照明モジュールは、発光体の動作順電圧値が第1の範囲に入らなくても、他の発光体と組み合わせて第1の範囲に入るようにしているので、各発光体列での動作順電圧値を略一定にすることができる。さらに、動作順電圧値が第1の範囲に入らない発光体を使用できるので、コストダウンを図ることもできる。しかも、第2の範囲を、例えば、発光体の寿命を考慮した範囲とすることで、長寿命の照明モジュールを得ることができる。
また、前記第1の範囲は、前記基準順電圧値に対して±1.0%以内であるので、1以上の発光体列間における順電圧値のばらつきを小さくできる。また、前記第2の範囲は、前記基準順電圧値に対して、±2.5%以内であるので、照明モジュールとして、10,000時間後の光束維持率が70(%)以上を保持できる。
また、前記発光体は、LED素子であり、前記組み合わされる2個の発光体は、同一のウェハから作られたものであるので、比較的発光体の製造ばらつきが小さくなり、照明モジュールに使用できる発光体が多くなり、コストを下げることができる。
また、前記発光体は、LED素子であり、前記組み合わされる2個の発光体は、同一のウェハから作られたものであるので、比較的発光体の製造ばらつきが小さくなり、照明モジュールに使用できる発光体が多くなり、コストを下げることができる。
一方、本発明に係る製造方法により製造した照明モジュールでは、各発光体列を構成する複数の発光体における動作順電圧値の平均値が第1の範囲内に入り、発光体列に流れる順方向の電流値を略一定にできる。これにより発光体列の寿命特性を同じにすることができる。また、本製造方法では、動作順電圧値が第1の範囲内に入らないような発光素子も使用することができ、コストダウンを図ることもできる。しかも、第2の範囲を、例えば、発光体の寿命を考慮した範囲とすることで、長寿命の照明モジュールを得ることができる。
以下、本発明の実施の形態に係る照明モジュール、そして当該照明モジュールを用いた照明装置について、それぞれ図面を参照しながら説明する。
1.照明装置について
(1)全体構造
図1は、本実施の形態に係る照明装置の斜視図である。
1.照明装置について
(1)全体構造
図1は、本実施の形態に係る照明装置の斜視図である。
照明装置150は、LED素子(本発明の「発光体」に相当する。)を実装する照明モジュール1と、この照明モジュール1を固定する固定部151と、照明モジュール1から発せられた光を所定方向(例えば、図1における上方)に反射する反射傘152と、固定部151における照明モジュール1を保持する側と反対側に取着されたケース153と、このケース153の固定部151と反対側に取着された口金154と、ケース153の内部に収納され且つ照明モジュール1を点灯させる点灯ユニット(図示省略)とを備える。
口金154は、一般電球でも用いられているE型の口金、例えば、E26である。反射傘152は、傘状をしており、その内面には、例えば、白色塗料が塗布されていたり、反射傘152が金属の場合には鏡面状に仕上げられたりしている。
(2)照明モジュールについて
図2は本実施の形態における照明モジュールの斜視図であり、図3は照明モジュールの分解斜視図である。図4は図2のX−X線における縦断面を矢印方向から見たときの拡大図である。
(2)照明モジュールについて
図2は本実施の形態における照明モジュールの斜視図であり、図3は照明モジュールの分解斜視図である。図4は図2のX−X線における縦断面を矢印方向から見たときの拡大図である。
照明モジュール1は、複数のLED素子を表面に実装する基板10と、この基板10の表面に取着され且つLED素子から発せられた光を所定方向に反射させる反射板60と、反射された光を所望方向に配光させるレンズ板70とを備える。
この照明モジュール1は、LED素子が互いに直交する2方向に規則正しく配された多点光源であり、これらのLED素子を発光させることで面状光源として用いられる。
この照明モジュール1は、LED素子が互いに直交する2方向に規則正しく配された多点光源であり、これらのLED素子を発光させることで面状光源として用いられる。
LED素子(D64,D65,D66)は、図4に示すように、透光性材料(R64,R65,R66)により封止されている。このため、図3において現われている、基板10に実装されているものは、LED素子ではなく、それを封止している透光性材料、つまり、樹脂パッケージである。
この樹脂パッケージ内のLED素子は、図3に示すように、8行8列のマトリクス状に64個が整然と実装されている。樹脂パッケージを符号「Rnm」(nは行数を、mは列数をそれぞれ示し、いずれも1〜8の整数である。)で示す。そして、樹脂パッケージ「Rnm」の内部にあるLED素子の符号を「Dnm」とし、「n」及び「m」は、樹脂パッケージRnmの「n」と「m」に対応する。したがって、図4で現われている部分は、LED素子が6行目の4列目から6列目までである(図2参照)。
この樹脂パッケージ内のLED素子は、図3に示すように、8行8列のマトリクス状に64個が整然と実装されている。樹脂パッケージを符号「Rnm」(nは行数を、mは列数をそれぞれ示し、いずれも1〜8の整数である。)で示す。そして、樹脂パッケージ「Rnm」の内部にあるLED素子の符号を「Dnm」とし、「n」及び「m」は、樹脂パッケージRnmの「n」と「m」に対応する。したがって、図4で現われている部分は、LED素子が6行目の4列目から6列目までである(図2参照)。
基板10は、図4に示すように、多層(実施の形態では2層)の絶縁層30、40と金属板20とLED素子用の配線パターン33(,42),43とからなる、所謂、金属ベース基板である。ここで、金属板20は、絶縁層30、40を補強すると共に、LED素子Dnmの発光時に生じる熱を放出する機能を有している。
配線パターン(33,42,43)は、各絶縁層30,40の表側(金属板20がある側と反対側)に形成され、ここでは、64個のLED素子Dnmを、32個ずつを直列にしてこれらを並列に接続すると共に照明装置150の点灯ユニットから給電を受ける機能を有している。
配線パターン(33,42,43)は、各絶縁層30,40の表側(金属板20がある側と反対側)に形成され、ここでは、64個のLED素子Dnmを、32個ずつを直列にしてこれらを並列に接続すると共に照明装置150の点灯ユニットから給電を受ける機能を有している。
表側の絶縁層40に形成されている配線パターンは、図3及び図4に示すように、実際にLED素子Dnmを実装・接続するための実装用パターン43と、点灯ユニット側と接続するための端子用パターン42A,42B,42C,42D(以下、それぞれの端子用パターンに区別がないときは、符号「42」を使用する。)とからなる。
一方、絶縁層40の裏側の絶縁層30に形成されている配線パターンは、実装用パターン43及び端子用パターン42とを接続するための接続用パターン33からなる。
一方、絶縁層40の裏側の絶縁層30に形成されている配線パターンは、実装用パターン43及び端子用パターン42とを接続するための接続用パターン33からなる。
そして、LED素子D11〜D48(Dnmの「n」が1〜4、「m」が1〜8までであり、このグループを「第1LED素子列」といい、符号「G1」で表す。)が直列に接続されて、その端が端子用パターン42A,42Bに接続され、LED素子D51〜D88(Dnmの「n」が5〜8、「m」が1〜8までであり、このグループを「第2LED素子列」といい、符号「G2」で表す。)が直列に接続されて、その端が端子用パターン42C,42Dに接続されている。なお、ここでの「LED素子列」が、本発明の「発光体列」に相当する。
LED素子Dnmには、図4に示すように、ここでは、裏面に両電極を有する裏面両電極型が用いられており、両電極が絶縁層40上の実装用パターン43に、例えば、バンプを介してフリップチップ実装されている。なお、このLED素子Dnmには、例えば、InGaN系が使用されている。
基板10に実装されたLED素子Dnmは、図3及び図4に示すように、例えば、円柱状の蛍光体層を兼ねる樹脂パッケージRnmにより封止されている。この樹脂パッケージRnmは、LED素子Dnmを保護すると共に、樹脂パッケージRnmを構成する樹脂内に蛍光体を内在している。
基板10に実装されたLED素子Dnmは、図3及び図4に示すように、例えば、円柱状の蛍光体層を兼ねる樹脂パッケージRnmにより封止されている。この樹脂パッケージRnmは、LED素子Dnmを保護すると共に、樹脂パッケージRnmを構成する樹脂内に蛍光体を内在している。
また、本実施の形態では、照明モジュール1の発光色は白色に設定されている。ここでは、LED素子に発光色が、主発光ピーク位置が420(nm)以上510(nm)未満、好ましくは、440(nm)以上480(nm)未満にある青色系のInGaN系を用いており、例えば、蛍光体として、珪酸塩蛍光体、好ましくは、Eu2+イオンで付活したアルカリ土類金属オルト珪酸塩系蛍光体(例えば、(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+や、(Sr,Ca)2SiO4:Eu2+等がある。)を利用している。
なお、前記アルカリ土類金属オルト珪酸塩系蛍光体は、その組成(Ba/Sr/Caの割合)を変えることによって、505(nm)以上600(nm)未満の範囲で、主発光のピーク波長が変化する蛍光体であり、青緑〜緑〜黄〜橙色の波長領域に波長ピークを有し得る蛍光体である。
なお、蛍光体としては、前記珪酸塩系蛍光体だけでなく、例えば、Ce3+付活ガーネット系蛍光体(Y3Al5O12:Ce3+など)や、Eu2+付活窒化物系蛍光体(Sr2Si4AlON7:Eu2+、Sr2Si5N8:Eu2+、CaAlSiN3:Eu2+など)や、Eu2+付活サイアロン系蛍光体などありとあらゆる蛍光体が使用可能である。
なお、蛍光体としては、前記珪酸塩系蛍光体だけでなく、例えば、Ce3+付活ガーネット系蛍光体(Y3Al5O12:Ce3+など)や、Eu2+付活窒化物系蛍光体(Sr2Si4AlON7:Eu2+、Sr2Si5N8:Eu2+、CaAlSiN3:Eu2+など)や、Eu2+付活サイアロン系蛍光体などありとあらゆる蛍光体が使用可能である。
また、蛍光体の発光色も特に限定されるものでなく、例えば、510(nm)以上560(nm)未満の緑色系蛍光体、560(nm)以上580(nm)未満の黄色系蛍光体、580(nm)以上600(nm)未満の橙色系蛍光体、600(nm)以上660(nm)未満の赤色系蛍光体などから適宜選択して用いることができる。
これにより、LED素子Dnmから発せられた光が樹脂パッケージRnmで波長変換されて、紫青色系光と前記蛍光体が放つ光との混色光(例えば、白色光)が放射される。
これにより、LED素子Dnmから発せられた光が樹脂パッケージRnmで波長変換されて、紫青色系光と前記蛍光体が放つ光との混色光(例えば、白色光)が放射される。
ここで、樹脂パッケージRnmの形状を円柱状としているのは、樹脂パッケージRnmにおいて、LED素子Dnmからの光を、内在する蛍光体によって所望色に変換して外部に放射する部分を限定することができ、結果的に点光源により近づけることができるからである。
樹脂パッケージRnm用の樹脂には、エポキシ樹脂を用いているが、他の樹脂でも良く、例えば、シリコーン樹脂のようなものを利用することができる。なお、ここでは、透光性材料として、樹脂を用いたが、他の透光性を有する材料、例えば、無機材料(低融点ガラスなど)を用いることもできる。
樹脂パッケージRnm用の樹脂には、エポキシ樹脂を用いているが、他の樹脂でも良く、例えば、シリコーン樹脂のようなものを利用することができる。なお、ここでは、透光性材料として、樹脂を用いたが、他の透光性を有する材料、例えば、無機材料(低融点ガラスなど)を用いることもできる。
反射板60は、各LED素子Dnmの実装位置に対応した部分に厚み方向に貫通する反射孔60Hを有している。この反射孔60Hは、図4に示すように、基板10からレンズ板70に向かって広がるテーパー状(所謂、上広がり状)に形成されている。なお、反射板60は、接着層50を介して基板10の表面に貼着される。
反射板60は、例えば、金属材料と樹脂材料(例えば、エポキシ樹脂材料)により形成されており、例えば、樹脂材料の内部にフィラーが混入されている。このフィラーは、少なくとも、TiO2、SiO2、Al2O3、BaSO4の一種以上含んでおり、反射効率を向上させる作用を有している。
反射板60は、例えば、金属材料と樹脂材料(例えば、エポキシ樹脂材料)により形成されており、例えば、樹脂材料の内部にフィラーが混入されている。このフィラーは、少なくとも、TiO2、SiO2、Al2O3、BaSO4の一種以上含んでおり、反射効率を向上させる作用を有している。
なお、反射板60の反射特性を向上させるために、例えば、反射孔60Hを構成する壁面(テーパ-部分)に蒸着、メッキ、その他の製法により金属薄膜を形成するようにしても良い。この場合、反射板内のTiO2等の混入物の有無は関係なくなる。
レンズ板70は、例えば、透光性を有するエポキシ樹脂により形成されており、図3及び図4に示すように、反射板60の反射孔60H、つまりLED素子Dnmの実装位置に対応した部分が半球状に突出する凸レンズ70Lとなっている。
レンズ板70は、例えば、透光性を有するエポキシ樹脂により形成されており、図3及び図4に示すように、反射板60の反射孔60H、つまりLED素子Dnmの実装位置に対応した部分が半球状に突出する凸レンズ70Lとなっている。
なお、凸レンズ70Lに対応する部分は、フラット面でも良く、さらには、凹レンズであっても良い。
ここで、反射板60及びレンズ板70の平面視形状は、例えば、略正方形をしており、基板10の平面視の形状は、反射板60及びレンズ板70の一辺を短辺とする長方形をしている。また、基板10の表面であって、反射板60及びレンズ板70が配されていない領域には、端子用パターン42が形成されている。
ここで、反射板60及びレンズ板70の平面視形状は、例えば、略正方形をしており、基板10の平面視の形状は、反射板60及びレンズ板70の一辺を短辺とする長方形をしている。また、基板10の表面であって、反射板60及びレンズ板70が配されていない領域には、端子用パターン42が形成されている。
(3)照明装置の回路構成図
図5は、照明装置の回路構成図である。
実施の形態では、LED素子Dnmは、32個が直列に接続されて、LED素子列G1,G2を構成し、当該LED素子列G1,G2が並列状態で接続されている。
点灯ユニットは、商業電源を利用してLED素子Dnmに一定の電流が流れるようにした公知の回路であり、例えば、公知の商用交流電源(AC100V)を全波整流するダイオードブリッジからなる整流回路51と、整流された直流電流を平滑化する電解コンデンサからなる平滑回路52と、第1及び第2LED素子列G1,G2を並列に接続した照明モジュール1に対して直列に接続される定電流回路53とを含んで構成されている。
図5は、照明装置の回路構成図である。
実施の形態では、LED素子Dnmは、32個が直列に接続されて、LED素子列G1,G2を構成し、当該LED素子列G1,G2が並列状態で接続されている。
点灯ユニットは、商業電源を利用してLED素子Dnmに一定の電流が流れるようにした公知の回路であり、例えば、公知の商用交流電源(AC100V)を全波整流するダイオードブリッジからなる整流回路51と、整流された直流電流を平滑化する電解コンデンサからなる平滑回路52と、第1及び第2LED素子列G1,G2を並列に接続した照明モジュール1に対して直列に接続される定電流回路53とを含んで構成されている。
定電流回路53は、三端子レギュレータ61の出力端子Voutに電流調整手段としての固定抵抗器62および可変抵抗器63を接続した公知の回路で構成されており、各LED素子列G1,G2の合成抵抗値が同じであれば、各LED素子列G1,G2に流れる電流Iが同じとなるように制御している。
なお、点灯ユニットは、リード線(図示省略)を介して照明モジュールの端子用パターン42と電気的に接続されると共に、図外のリード線を介して口金154と接続されており、外部商用電源(ここでは、AC100V)から口金154を介して入力される交流電力を直流電力に変換して照明モジュール1に供給する。
なお、点灯ユニットは、リード線(図示省略)を介して照明モジュールの端子用パターン42と電気的に接続されると共に、図外のリード線を介して口金154と接続されており、外部商用電源(ここでは、AC100V)から口金154を介して入力される交流電力を直流電力に変換して照明モジュール1に供給する。
2.LED素子列について
LED素子Dnmが直列接続されてなるLED素子列G1,G2は、合計64個のLED素子Dnmから構成される。これらのLED素子Dnmは、順方向に所定の電流を流したときに(このときを、「定格時」ともいい、例えば、点灯時、検査時などがある。)、動作順電圧が所定の電圧値(以下、「基準順電圧値」といい、符号「Vfs」で表す。)となるように製作された1枚のウェハからダイシングされて得られている。
LED素子Dnmが直列接続されてなるLED素子列G1,G2は、合計64個のLED素子Dnmから構成される。これらのLED素子Dnmは、順方向に所定の電流を流したときに(このときを、「定格時」ともいい、例えば、点灯時、検査時などがある。)、動作順電圧が所定の電圧値(以下、「基準順電圧値」といい、符号「Vfs」で表す。)となるように製作された1枚のウェハからダイシングされて得られている。
実際には、ウェハから切り出されたLED素子における定格時の動作順電圧値にはバラツキがあり、基準順電圧値Vfsから外れるものがあるが、当該基準順電圧値Vfsを含む第1の範囲に定格時の動作順電圧値Vf(単に、「動作順電圧値」と言うこともある。)が入っている場合、その基準順電圧値Vfsとの差が小さいために、そのまま基板10に実装できる。
なお、LED素子Dnmは、一般的なLED素子として説明するときに使用し、LED素子列G1,G2内での行列等の位置に関係したLED素子を説明するときは、「n」及び「m」に具体的な整数を用いて行う。
各LED素子Dnmは、定格時の動作順電圧値Vfが、上記の基準順電圧値Vfsに対して、当該基準順電圧値Vfsを含む第2の範囲内に入っているものが使用されている(この理由については後述する。)。
各LED素子Dnmは、定格時の動作順電圧値Vfが、上記の基準順電圧値Vfsに対して、当該基準順電圧値Vfsを含む第2の範囲内に入っているものが使用されている(この理由については後述する。)。
LED素子列G1,G2のそれぞれを構成する32個のLED素子Dnmの動作順電圧値についての平均値Vfaが、基準順電圧値Vfsに対して、第2の範囲より狭い第1の範囲に入るように、各LED素子Dnmが基板10に実装されている。
以下、各LED素子Dnmの組み合わせについて、第1LED素子列G1を例にして説明する。
以下、各LED素子Dnmの組み合わせについて、第1LED素子列G1を例にして説明する。
第1LED素子列G1は、上述したように、32個のLED素子D11〜D48を直列接続して構成される。使用予定のLED素子の定格時における各動作順電圧値Vfが第1の範囲に入っている場合は、そのLED素子を単独で基板10に実装する。
一方、使用予定のLED素子の定格時における動作順電圧値Vfが第1の範囲に入っていない場合は、このLED素子と他のLED素子とを組み合わせることで、両者の動作順電圧値Vfの平均値Vfaを前記第1の範囲内に入るようにして、他のLED素子と一対で第1LED素子列G1内に位置するように基板10に実装される。
一方、使用予定のLED素子の定格時における動作順電圧値Vfが第1の範囲に入っていない場合は、このLED素子と他のLED素子とを組み合わせることで、両者の動作順電圧値Vfの平均値Vfaを前記第1の範囲内に入るようにして、他のLED素子と一対で第1LED素子列G1内に位置するように基板10に実装される。
上記の第1の範囲に入らないLED素子を「D1」と、このLED素子D1の定格時の動作順電圧値を「Vf1」とそれぞれする。また、このLED素子D1と組み合わせる他のLED素子を「D2」と、その動作順電圧値を「Vf2」とそれぞれする。
LED素子D1の定格時の動作順電圧値Vf1は、基準順電圧値Vfsに対して△E1小さい。一方、他のLED素子D2の定格時の動作順電圧値Vf2は、基準順電圧値Vfsに対して△E1だけ大きい。
LED素子D1の定格時の動作順電圧値Vf1は、基準順電圧値Vfsに対して△E1小さい。一方、他のLED素子D2の定格時の動作順電圧値Vf2は、基準順電圧値Vfsに対して△E1だけ大きい。
そして、LED素子D1とLED素子D2とを組み合わせることで、これらの動作順電圧値の平均値Vfaが、基準順電圧値Vfsと略一致し、この組み合わせで、第1LED素子列G1内で、例えば、D34、D35として基板10に実装される。
同様に、上記の第1の範囲に入らないLED素子を「D3」と、このLED素子D3の定格時の動作順電圧値を「Vf3」とそれぞれする。また、この素子D3と組み合わせる他のLED素子を「D4」と、その動作順電圧値を「Vf4」とそれぞれする。
同様に、上記の第1の範囲に入らないLED素子を「D3」と、このLED素子D3の定格時の動作順電圧値を「Vf3」とそれぞれする。また、この素子D3と組み合わせる他のLED素子を「D4」と、その動作順電圧値を「Vf4」とそれぞれする。
LED素子D3の定格時の動作順電圧値Vf3は、基準順電圧値Vfsに対して△E2小さい。一方、他のLED素子D4の定格時の動作順電圧値Vf4は、基準順電圧値Vfsに対して△E2だけ大きい。
そして、LED素子D3とLED素子D4とを組み合わせることで、これらの動作順電圧値の平均値Vfaが、基準順電圧値Vfsと略一致し、この組み合わせで、第1LED素子列G1内で、例えば、D44、D45として基板10に実装される。
そして、LED素子D3とLED素子D4とを組み合わせることで、これらの動作順電圧値の平均値Vfaが、基準順電圧値Vfsと略一致し、この組み合わせで、第1LED素子列G1内で、例えば、D44、D45として基板10に実装される。
これにより、単独のLED素子の動作順電圧値Vfが上記第1の範囲内に入らないものを使用しても、LED素子列G1内でのLED素子D11〜D48についての動作順電圧値の平均値が上記の第1の範囲内に入ることになる。
このように第1LED素子列G1及び第2LED素子列G2におけるそれぞれの動作順電圧値Vfの差が略無くなり(均一化されている。)、従来のような、各LED素子列に、抵抗素子や定電流回路を設けることなく、LED素子列G1,G2の動作順電圧値の平均値Vfaを略一定にできる。これにより、LED素子列G1,G2内を流れる各電流(値)も略同じになる。したがって、従来発生していた、複数のLED素子列の内の1列が、動作電圧値Vfの違いにより発生する電流値の違い、或いは点灯動作条件の違い等によって、早期に生じる不点灯を未然に防止できる。
このように第1LED素子列G1及び第2LED素子列G2におけるそれぞれの動作順電圧値Vfの差が略無くなり(均一化されている。)、従来のような、各LED素子列に、抵抗素子や定電流回路を設けることなく、LED素子列G1,G2の動作順電圧値の平均値Vfaを略一定にできる。これにより、LED素子列G1,G2内を流れる各電流(値)も略同じになる。したがって、従来発生していた、複数のLED素子列の内の1列が、動作電圧値Vfの違いにより発生する電流値の違い、或いは点灯動作条件の違い等によって、早期に生じる不点灯を未然に防止できる。
3.第1の範囲について
実施の形態では、第1の範囲を0.15(V)としている。これは、照明モジュールの品質を考慮して決定されており、実質的には、基準順電圧値に対して±1.0(%)以内であれば、品質上問題ないと考えられる。
4.第2の範囲について
(1)光束について
発明者らは、LED素子を用いた照明装置の具体的仕様を設計する際に、一般照明用ハロゲン電球(ダイクロイックミラ付き)の40Wを対象とした。このハロゲン電球のビーム光束は105(lm)である。
実施の形態では、第1の範囲を0.15(V)としている。これは、照明モジュールの品質を考慮して決定されており、実質的には、基準順電圧値に対して±1.0(%)以内であれば、品質上問題ないと考えられる。
4.第2の範囲について
(1)光束について
発明者らは、LED素子を用いた照明装置の具体的仕様を設計する際に、一般照明用ハロゲン電球(ダイクロイックミラ付き)の40Wを対象とした。このハロゲン電球のビーム光束は105(lm)である。
図6は、順電流値とハロゲン電流の光束に対する比との関係を示す図である。
同図の縦軸の「1」が、照明モジュールの発光光束がハロゲン電流と同じ光束となる場合である。
同図に示すように、順電流値が増加すれば、照明モジュールの発光光束も増加し、順電流値が40(mA)のときに、定常点灯時での前記ハロゲン電球の光束と同じになる。従って、上記構成の照明モジュールの発光光束が、ハロゲン電球以上となるのは、順電流が40(mA)以上である。
同図の縦軸の「1」が、照明モジュールの発光光束がハロゲン電流と同じ光束となる場合である。
同図に示すように、順電流値が増加すれば、照明モジュールの発光光束も増加し、順電流値が40(mA)のときに、定常点灯時での前記ハロゲン電球の光束と同じになる。従って、上記構成の照明モジュールの発光光束が、ハロゲン電球以上となるのは、順電流が40(mA)以上である。
(2)寿命について
LED素子の発光光束は順電流値を増加させれば増加することは、上述の通りであり、また公知である。したがって、LED素子を照明用として利用するには、なるべく順電流値を高く設定した方が良いことになるが、順電流値を高めすぎると、LED素子の寿命特性が悪くなるという新たな問題が生じる。
LED素子の発光光束は順電流値を増加させれば増加することは、上述の通りであり、また公知である。したがって、LED素子を照明用として利用するには、なるべく順電流値を高く設定した方が良いことになるが、順電流値を高めすぎると、LED素子の寿命特性が悪くなるという新たな問題が生じる。
本発明者らは、照明装置の寿命特性の目標を、動作時間が10、000時間経過したときの、初期点灯時に対する光束維持率を70%以上と設定して検討を進めた。
図7は、LED素子単体の寿命特性を示す試験結果である。
本試験に使用したLED素子は、順電流値Ifが40(mA)のときの動作順電圧値Vfが4.0(V)である。寿命試験の内容は、LED素子の温度をヒートシンク等で安定化させて、例えば、LED素子に順電流値Ifとして40(mA)を印加したときにおけるLED素子内の接合部の温度が45(℃)近傍下となる環境で順電流値Ifの印加条件を40(mA)、45(mA)、50(mA)とし、その動作時間が所定時間に達したときのLED素子の輝度を測定している。なお、LED素子の動作条件は、連続点灯である。
図7は、LED素子単体の寿命特性を示す試験結果である。
本試験に使用したLED素子は、順電流値Ifが40(mA)のときの動作順電圧値Vfが4.0(V)である。寿命試験の内容は、LED素子の温度をヒートシンク等で安定化させて、例えば、LED素子に順電流値Ifとして40(mA)を印加したときにおけるLED素子内の接合部の温度が45(℃)近傍下となる環境で順電流値Ifの印加条件を40(mA)、45(mA)、50(mA)とし、その動作時間が所定時間に達したときのLED素子の輝度を測定している。なお、LED素子の動作条件は、連続点灯である。
図7から明らかなように、LED素子の順電流値Ifが40(mA)では、10,000時間後の光束維持率は、初期値の光束に対して高い維持率(約95%)を示し、順電流値Ifが45(mA)になると、順電流値Ifが40(mA)の条件よりも過酷となり、10,000時間後の光束維持率が約70(%)となる。
当然、順電流値Ifが45(mA)よりも過負荷な状態となる順電流値Ifが50(mA)の場合では、10,000時間後の光束維持率が約20(%)になっていることが分かる。
当然、順電流値Ifが45(mA)よりも過負荷な状態となる順電流値Ifが50(mA)の場合では、10,000時間後の光束維持率が約20(%)になっていることが分かる。
したがって、照明モジュールに対して本発明者らが目標とした10,000時間後の光束維持率が70(%)以上となる寿命特性を満足するには、順電流値Ifを45(mA)以下にする必要がある。
(3)まとめ
上記の(1)の光束についての欄、そして、(2)の寿命についての欄で説明した両特性を考慮すると、一般照明用のハロゲン電球と同等の光束特性を有し、且つ、10,000時間後の光束維持が70(%)以上となる寿命特性を満足するには、LED素子に流す順電流値Ifは、40(mA)が最適であるということになる。
(3)まとめ
上記の(1)の光束についての欄、そして、(2)の寿命についての欄で説明した両特性を考慮すると、一般照明用のハロゲン電球と同等の光束特性を有し、且つ、10,000時間後の光束維持が70(%)以上となる寿命特性を満足するには、LED素子に流す順電流値Ifは、40(mA)が最適であるということになる。
(4)Vfのバラツキ
以上のことから、定常点灯時におけるLED素子の順電流値が40(mA)、そして、この順電流値のときの順電圧値を4(V)と設定すると共に、この順電圧値を基準順電圧値Vfsとした。
次に、基準順電圧値Vfsを4.0(V)と設定して、ウェハを製作し、当該ウェハから切り出したLED素子について、その順電圧値Vfを測定した。
以上のことから、定常点灯時におけるLED素子の順電流値が40(mA)、そして、この順電流値のときの順電圧値を4(V)と設定すると共に、この順電圧値を基準順電圧値Vfsとした。
次に、基準順電圧値Vfsを4.0(V)と設定して、ウェハを製作し、当該ウェハから切り出したLED素子について、その順電圧値Vfを測定した。
図8は、LED素子における順電圧値Vfと順電流値Ifとの関係を示す。
なお、LED素子の違いよって、電流値−電圧特性にバラツキがあり、同図には、上限・平均・下限の3種類の複数のLED素子についての電圧値−電流特性を示している。図中において、各順電流値Ifで順電圧値Vfが高いほうから、前記上限、前記平均、前記下限となっている。また、上限、平均、下限は、順電流値Ifが20(mA)までは実測値であり、それ以降は、図中最下位に示している実測値を基にした推測値である。
なお、LED素子の違いよって、電流値−電圧特性にバラツキがあり、同図には、上限・平均・下限の3種類の複数のLED素子についての電圧値−電流特性を示している。図中において、各順電流値Ifで順電圧値Vfが高いほうから、前記上限、前記平均、前記下限となっている。また、上限、平均、下限は、順電流値Ifが20(mA)までは実測値であり、それ以降は、図中最下位に示している実測値を基にした推測値である。
同図から分かるように、基準順電圧値Vfsを4.0(V)に設定して製造されたウェハから切り出したLED素子であっても、順電流値Ifとして40(mA)を流したときの順電圧値Vfが、3.9〜4.1の範囲でバラツキがあるのが分かる。
ここで、上記の(2)で説明の寿命特性を考慮すると、寿命特性を満足するのは、基準順電圧値Vfsが4.0(V)で、そのときの順電流値Ifが40(mA)流れる電流―電圧特性を有するLED素子に40(mA)以下の順電流値を流した場合である。
ここで、上記の(2)で説明の寿命特性を考慮すると、寿命特性を満足するのは、基準順電圧値Vfsが4.0(V)で、そのときの順電流値Ifが40(mA)流れる電流―電圧特性を有するLED素子に40(mA)以下の順電流値を流した場合である。
逆にいうと、動作順電圧値Vfが4.0(V)のときの順電流値Ifが40(mA)となる特性を有するLED素子に45(mA)の順電流が流れたときは、目標の寿命特性を満足できない可能性が大きい(本発明に係る第3の範囲は、45(mA)から40(mA)を引いた5(mA)となる)。
つまり、臨界的意味を持つ順電流値が45(mA)というのは、あくまでも、動作順電圧値Vfが4.0(V)でこのときの順電流値Ifが40(mA)となる特性のLED素子についてであり、例えば、40(mA)の順電流Ifを流したときの順電圧値Vfが3.9(V)となるLED素子では、順電圧値Vfが、4.0(V)に対して0.1(V)小さくなった分、順電流値Ifとして40(mA)流れたとしても負荷が大きくなった状態といえる。
つまり、臨界的意味を持つ順電流値が45(mA)というのは、あくまでも、動作順電圧値Vfが4.0(V)でこのときの順電流値Ifが40(mA)となる特性のLED素子についてであり、例えば、40(mA)の順電流Ifを流したときの順電圧値Vfが3.9(V)となるLED素子では、順電圧値Vfが、4.0(V)に対して0.1(V)小さくなった分、順電流値Ifとして40(mA)流れたとしても負荷が大きくなった状態といえる。
従って、臨界的意味を持つ順電流値Ifと、順電圧値Vfとの比率で計算すると、順電圧値Vfが3.9(V)のLED素子では、寿命特性に影響を及ぼす臨界的な電流値Ifは40(mA)程度と推測できる。
以上のことから、上記の構成での照明モジュールにおいては、順電流値Ifが40(mA)流れたとしても、動作順電圧値Vfが3.9(V)以上あれば、LED素子の性能のバラツキがあっても、発光光束、寿命の両特性を満足させることできるということになる。従って、第2の範囲は、3.9(V)以上 4.1(V)以下となり、基準順電圧値に対して、±2.5(%)となる。
以上のことから、上記の構成での照明モジュールにおいては、順電流値Ifが40(mA)流れたとしても、動作順電圧値Vfが3.9(V)以上あれば、LED素子の性能のバラツキがあっても、発光光束、寿命の両特性を満足させることできるということになる。従って、第2の範囲は、3.9(V)以上 4.1(V)以下となり、基準順電圧値に対して、±2.5(%)となる。
5.LED素子の組み合わせについて
基板に実装されるLED素子は、上述したように、ウェハからダイシングされて得られ、それらについて全数その順電圧値Vfの測定が行われる。
図9は、順電圧値の分布を示す図である。
順電圧値の分布(横軸が順電圧値Vf、縦軸が個数)は、同図に示すように、目標(製造段階で設定されている)の基準順電圧値Vfsをピーク(中心)とした分布となる。この分布は近似的には、図中に示す正規曲線のような正規分布となる。
基板に実装されるLED素子は、上述したように、ウェハからダイシングされて得られ、それらについて全数その順電圧値Vfの測定が行われる。
図9は、順電圧値の分布を示す図である。
順電圧値の分布(横軸が順電圧値Vf、縦軸が個数)は、同図に示すように、目標(製造段階で設定されている)の基準順電圧値Vfsをピーク(中心)とした分布となる。この分布は近似的には、図中に示す正規曲線のような正規分布となる。
そして、基準順電圧値Vfsを基準軸としてその両側で対象となる箇所のLED素子を1対として使用すれば、理論上、第2の範囲内にあるLED素子を残すことなく使用することができる。
これにより、1枚のウェハから照明モジュールに実際に使用できるLED素子の数を増やすことができ、照明モジュールを、例えば、第1の範囲に入るLED素子だけを用いたものに比べて、安価に製造できる。
これにより、1枚のウェハから照明モジュールに実際に使用できるLED素子の数を増やすことができ、照明モジュールを、例えば、第1の範囲に入るLED素子だけを用いたものに比べて、安価に製造できる。
また、定格時の動作順電圧値Vfが、上記の基準軸に対して対称な距離にある2つのLED素子を組み合わせて直列に接続すると、2つ組み合わせた動作順電圧値の平均値Vfaが基準順電圧値Vfsと略一致し、各LED素子列G1,G2の動作順電圧値Vfsが略同じになり、LED素子列G1,G2毎で流れる順電流値Ifの差を小さくできる。これにより、各列における寿命特性のむらを小さくできる。
なお、実際のLED素子を基板に実装する場合には、LED素子を1個単位で管理して、任意のLED素子を組み合わせるのは現実的ではなく、例えば、ウェハから切り出したLED素子の特性(発光光束、動作順電圧値等)を測定した後に、動作順電圧値Vfが所定の範囲、例えば、0.03(V)範囲でランク分け(区分)され、ランクごとに組み合わせている。
以下、実際の工程に基づいて具体的に説明する。
要求されるLED素子の基準順電圧値Vfsは上述の理由により4.0(V)に設定され、ウェハの製造は、当該ウェハから得られたLED素子の定格時の動作順電圧値Vfが、基準順電圧値Vfs(4.0(V))になるように行われる。
製造されたLED素子は、少なくとも、定格時の動作順電圧値Vfについて実測される。なお、実際の測定は、LED素子に対して4.0(V)を印加するのではなく、例えば、4.0(V)より小さい3.4(V)で行う(これは、図8に示した順電流値Ifが40(mA)のときに、順電圧値Vfが4.0(V)となる電流−電圧特性を基に、順電圧値Vfが3.4(V)となるように順電流を流す。)。
要求されるLED素子の基準順電圧値Vfsは上述の理由により4.0(V)に設定され、ウェハの製造は、当該ウェハから得られたLED素子の定格時の動作順電圧値Vfが、基準順電圧値Vfs(4.0(V))になるように行われる。
製造されたLED素子は、少なくとも、定格時の動作順電圧値Vfについて実測される。なお、実際の測定は、LED素子に対して4.0(V)を印加するのではなく、例えば、4.0(V)より小さい3.4(V)で行う(これは、図8に示した順電流値Ifが40(mA)のときに、順電圧値Vfが4.0(V)となる電流−電圧特性を基に、順電圧値Vfが3.4(V)となるように順電流を流す。)。
この場合においても、この3.4(V)に対して第1及び第2の範囲が決定され、当該第1及び第2の範囲について、LED素子を組み合わせる必要があるか否かの判断、そして組み合わせ可能なLED素子を選別する。なお、ここでは、検査時が、「定格時に」に相当する。
このため、以下の説明では、上記第2の範囲は、基準順電圧値Vfsが4.0(V)のときが、3.9(V)以上、4.1(V)以下であるため、基準順電圧値Vfsが3.4(V)では、3.31(V)以上、3.49(V)以下となる。なお、動作順電圧値Vfは、0.01(V)の単位で測定され、この結果が図9である。
このため、以下の説明では、上記第2の範囲は、基準順電圧値Vfsが4.0(V)のときが、3.9(V)以上、4.1(V)以下であるため、基準順電圧値Vfsが3.4(V)では、3.31(V)以上、3.49(V)以下となる。なお、動作順電圧値Vfは、0.01(V)の単位で測定され、この結果が図9である。
図9に示す、各LED素子の動作順電圧値Vfとその個数との関係は、基準順電圧値Vfsをピークとし、動作順電圧値Vfが基準順電圧値Vfsから離れるに従って、その動作順電圧値VfのLED素子の数が少なくなっていることが分かる。
上記動作順電圧値Vfの測定結果に基づいて、全LED素子について、動作順電圧値Vfが所定の範囲に入るものを集めてランク分け(区分)される。
上記動作順電圧値Vfの測定結果に基づいて、全LED素子について、動作順電圧値Vfが所定の範囲に入るものを集めてランク分け(区分)される。
ここで、ランク分けについて、説明する。
まず、例えば、測定した動作順電圧値Vfが、基準順電圧値Vfsと同じ3.40(V)とみなされるとき、ランクR0(第1の範囲と同じである。)とされる。ランク幅は、0.03(V)であり、ランクR0は、基準順電圧値Vfsの3.4(V)を含む、3.385(V)以上〜3.415(V)未満の範囲となる。
まず、例えば、測定した動作順電圧値Vfが、基準順電圧値Vfsと同じ3.40(V)とみなされるとき、ランクR0(第1の範囲と同じである。)とされる。ランク幅は、0.03(V)であり、ランクR0は、基準順電圧値Vfsの3.4(V)を含む、3.385(V)以上〜3.415(V)未満の範囲となる。
また、基準順電圧値Vfsに対して、ランク幅が1つ分(0.03(V))小さい、つまり、3.355(V)以上〜3.385(V)未満の範囲にあるLED素子は、ランクR−1とされ、ランク幅が2つ分小さい場合はランクR−2とされ、これらを纏めると、基準順電圧値Vfsに対して、ランク幅*K(つまり、0.03(V)*Kであり、Kは自然である。)分小さいときはランクR−Kとなる。
一方、基準順電圧値Vfsに対して、ランク幅が1つ分(0.03(V))大きい、つまり、3.415(V)以上〜3.445(V)未満の範囲にあるLED素子は、ランクR+1とされ、ランク幅が2つ分大きい場合はランクR+2とされ、これらを纏めると、基準順電圧値Vfsに対して、ランク幅*L(つまり、0.03*Lであり、Lは、自然数である。)分大きいときは、ランクR+Lとなる。
このようにして1枚のウェハから切り出された全てのLED素子についてのランク分けされる。図10は、各ランクにおけるLED素子の個数を示す。
次に、各LED素子の基板への実装について説明する。
実装しようとするLED素子がランクR0にある場合、当該LED素子はそのまま基板10に実装される。
次に、各LED素子の基板への実装について説明する。
実装しようとするLED素子がランクR0にある場合、当該LED素子はそのまま基板10に実装される。
一方、LED素子がランクR0でない場合、例えば、ランクR−2にある場合、ランクR+2のLED素子と組み合わされて同一LED素子列、例えば、第1LED素子列G1を構成するように実装される。
本実施の形態では、各LED素子列G1,G2を構成するLED素子32個を用いている。このため、例えば、LED素子列のLED素子の内、4個をランクR0のものを用いると、残りの28個のLED素子を、第2の範囲内のランク(ここでは、K及びLが1から3までである。)であって、ランクR+LとランクR−Kとにおいて、R=Lとなるランク同士で組み合わせて基板10に実装すれば良いことになる。
本実施の形態では、各LED素子列G1,G2を構成するLED素子32個を用いている。このため、例えば、LED素子列のLED素子の内、4個をランクR0のものを用いると、残りの28個のLED素子を、第2の範囲内のランク(ここでは、K及びLが1から3までである。)であって、ランクR+LとランクR−Kとにおいて、R=Lとなるランク同士で組み合わせて基板10に実装すれば良いことになる。
このようにすれば、照明モジュールに使用できるLED素子の個数は3279個となるのに対し、従来の方法である、ランクR0に区分されたLED素子だけを用いた場合、使用できるLED素子の個数は1189個となる。従って、本発明に係る照明モジュールでは、従来に比べて使用できるLED素子の数が2000個以上も増え、安価に製造することができる。
さらに、ランクR0以外のLED素子を用いても、上述したように、動作順電圧値Vfのバラツキを考慮し、10,000時間の光束維持率が70(%)以上となるように、LED素子が選択されているので、例えば、従来の方法である、動作順電圧値が第1の範囲に属するLED素子のみを使用した場合に比べて、若干寿命特性が悪くなるものの、使用上問題のない範囲である。
(変形例)
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例が考えられる。
1.LED素子の特性
実施の形態では、LED素子は、順電流値Ifが40(mA)流れたときに、順電圧値Vfが4.0(V)になるように、設定され製造されているが、本発明に係る発光体は、上記の設定に限定されるものではない。
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例が考えられる。
1.LED素子の特性
実施の形態では、LED素子は、順電流値Ifが40(mA)流れたときに、順電圧値Vfが4.0(V)になるように、設定され製造されているが、本発明に係る発光体は、上記の設定に限定されるものではない。
2.第1の範囲及び第2の範囲
実施の形態では、動作順電圧についての第1の範囲及び第2の範囲は、順電流値Ifが40(mA)流れたときに、順電圧値Vfが4.0(V)になるように、設定され製造された発光体(LED素子)についてであり、当然、発光体の使用が変化すれば、範囲もそれに対応して変わる。
実施の形態では、動作順電圧についての第1の範囲及び第2の範囲は、順電流値Ifが40(mA)流れたときに、順電圧値Vfが4.0(V)になるように、設定され製造された発光体(LED素子)についてであり、当然、発光体の使用が変化すれば、範囲もそれに対応して変わる。
また、第2の範囲は、発光体の寿命特性を考慮して決定されているが、他の特性、例えば、輝度特性、発熱特性等について決定しても良い。
3.発光体の組み合わせ
実施の形態では、動作順電圧が第1の範囲に入らない発光体同士を組み合わせた組の数について特に説明をしなかったが、複数ある発光体列の内の1列に、少なくとも1組あれば良く、さらに、発光体列を構成する発光体の数が偶数の場合は、これらの発光体全てを、動作順電圧が第1の範囲に入らない発光体同士を組み合わせたものとしても良い。
3.発光体の組み合わせ
実施の形態では、動作順電圧が第1の範囲に入らない発光体同士を組み合わせた組の数について特に説明をしなかったが、複数ある発光体列の内の1列に、少なくとも1組あれば良く、さらに、発光体列を構成する発光体の数が偶数の場合は、これらの発光体全てを、動作順電圧が第1の範囲に入らない発光体同士を組み合わせたものとしても良い。
なお、組み合わせに用いた発光体の個数は、実施に形態では、2個であったが、3個以上の発光体を組み合わせて、第1の範囲に入るようにしても良い。
4.照明モジュール
実施の形態では、照明モジュールは、基板(配線パターンを含む)、LED素子、樹脂パッケージ、反射板、レンズ板等を備えていたが、本発明の照明モジュールは、少なくとも、基板と、当該基板に実装されたLED素子を有しておれば良い。
4.照明モジュール
実施の形態では、照明モジュールは、基板(配線パターンを含む)、LED素子、樹脂パッケージ、反射板、レンズ板等を備えていたが、本発明の照明モジュールは、少なくとも、基板と、当該基板に実装されたLED素子を有しておれば良い。
5.発光素子について
実施の形態では、発光素子についてLED素子を用いた例で説明したが、他の半導体発光素子でも良い。このようなものに、レーザダイオードがある。
さらに、実施の形態では、LED素子を基板に直接実装していたが、例えば、シリコン等のサブ基板にLED素子が実装され、この状態で、(メイン)基板に実装されるような、所謂サブマウントを用いても良い。実施の形態では、LED素子について動作順電圧値Vfが測定されたが、サブマウントの場合は、LED素子がサブ基板に実装された状態で行われる。
実施の形態では、発光素子についてLED素子を用いた例で説明したが、他の半導体発光素子でも良い。このようなものに、レーザダイオードがある。
さらに、実施の形態では、LED素子を基板に直接実装していたが、例えば、シリコン等のサブ基板にLED素子が実装され、この状態で、(メイン)基板に実装されるような、所謂サブマウントを用いても良い。実施の形態では、LED素子について動作順電圧値Vfが測定されたが、サブマウントの場合は、LED素子がサブ基板に実装された状態で行われる。
6.発光体列内のLED素子について
実施の形態での照明モジュールは、発光素子を32個直列に接続した発光素子列(発光体列)を2列有する構造をしていたが、本発明は、発光体列内の発光体の個数は、32個に限定するものではなく、また、発光体列の数も2列に限定するものではない。
実施の形態での照明モジュールは、発光素子を32個直列に接続した発光素子列(発光体列)を2列有する構造をしていたが、本発明は、発光体列内の発光体の個数は、32個に限定するものではなく、また、発光体列の数も2列に限定するものではない。
1 照明モジュール
10 基板
60 反射板
70 レンズ板
Dnm LED素子
G1,G2 LED素子列
10 基板
60 反射板
70 レンズ板
Dnm LED素子
G1,G2 LED素子列
Claims (6)
- 複数の発光体を直列に接続してなる発光体列を基板に1列以上備え、前記発光体列を構成する複数の発光体の動作順電圧値の平均値が、予め設定されていた基準順電圧値に対して第1の範囲に入るように各発光体が接続されてなる照明モジュールであって、
前記基板に実装されている発光体は、当該動作順電圧値が前記基準順電圧値に対して、前記第1の範囲よりも広い第2の範囲内に入る特性を有し、
動作順電圧値が前記第1の範囲内に入らない発光体が、当該発光体と組み合わせることで動作順電圧値の平均値が前記第1の範囲内に入る他の発光体と、組み合わされて同一の発光体列内に実装されていることを特徴とする照明モジュール。 - 複数の発光体を直列に接続してなる発光体列を基板に1列以上備え、前記発光体列を構成する複数の発光体の動作順電圧値の平均値が、予め設定されている基準順電圧値に対して第1の範囲に入るように各発光体が接続されてなる照明モジュールであって、
前記基板に実装されている発光体は、その動作順電圧値印加時の順電流値と前記基準順電圧値印加時の順電流値との差が第3の範囲内に入る特性を有し、
動作順電圧値が前記第1の範囲内に入らない発光体が、当該発光体と組み合わせることで動作順電圧値の平均値が前記第1の範囲内に入る他の発光体と、組み合わされて同一の発光体列内に実装されていることを特徴とする照明モジュール。 - 前記第1の範囲は、前記基準順電圧値に対して±1.0%以内であり、前記第2の範囲は、前記基準順電圧値に対して、±2.5%以内であることを特徴とする請求項1に記載の照明モジュール。
- 前記発光体は、LED素子であり、前記組み合わされる2個の発光体は、同一のウェハから作られたものであることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の照明モジュール。
- 複数の発光体を有する照明モジュールを備える照明装置であって、
前記照明モジュールが請求項1〜4の何れか1項に記載の照明モジュールであることを特徴とする照明装置。 - 1枚のウェハから作られた複数の発光体を直列に接続してなる発光体列を基板に1列以上備え、前記発光体列を構成する複数の発光体の動作順電圧値の平均値が当該発光体の製造時に設定された基準順電圧値に対して第1の範囲に入るように各発光体が接続されてなる照明モジュールの製造方法であって、
1枚のウェハから取り出された発光体の各々について動作順電圧値を測定する測定工程と、
前記測定された発光体の内、その動作順電圧値が、前記ウェハの製造時に設定されている基準順電圧値に対して第2の範囲内に入るものを基板に実装する実装工程とを含み、
前記実装工程では、
動作順電圧値が前記第1の範囲内に入らない発光体がある場合に、当該発光体と直列接続して組み合わせることで動作順電圧値の平均値が前記第1の範囲内に入る他の発光体と一対で同一の発光体列内に実装することを特徴とする照明モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005080491A JP2006261600A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005080491A JP2006261600A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006261600A true JP2006261600A (ja) | 2006-09-28 |
Family
ID=37100457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005080491A Pending JP2006261600A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006261600A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010113986A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Led照明装置 |
JP2010135749A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュールおよび照明装置 |
JP2012094709A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2012518912A (ja) * | 2009-04-07 | 2012-08-16 | 海立▲爾▼股▲ふん▼有限公司 | 過負荷保護を有する交流発光ダイオード構造 |
WO2013108366A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | パイオニア株式会社 | 電子部品移送装置および電子部品移送方法 |
US9184353B2 (en) | 2008-03-03 | 2015-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US10741107B2 (en) | 2013-12-31 | 2020-08-11 | Ultravision Technologies, Llc | Modular display panel |
US10891881B2 (en) | 2012-07-30 | 2021-01-12 | Ultravision Technologies, Llc | Lighting assembly with LEDs and optical elements |
-
2005
- 2005-03-18 JP JP2005080491A patent/JP2006261600A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9184353B2 (en) | 2008-03-03 | 2015-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US9455381B2 (en) | 2008-03-03 | 2016-09-27 | Ge Phosphors Technology, Llc | Light-emitting device |
JP2010135749A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュールおよび照明装置 |
JP4572994B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-11-04 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュールおよび照明装置 |
US8403536B2 (en) | 2008-10-28 | 2013-03-26 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting module and illuminating apparatus having an insulating base having a plurality of insulating layers |
JP2010113986A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Led照明装置 |
JP2012518912A (ja) * | 2009-04-07 | 2012-08-16 | 海立▲爾▼股▲ふん▼有限公司 | 過負荷保護を有する交流発光ダイオード構造 |
JP2012094709A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2013108366A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | パイオニア株式会社 | 電子部品移送装置および電子部品移送方法 |
US10891881B2 (en) | 2012-07-30 | 2021-01-12 | Ultravision Technologies, Llc | Lighting assembly with LEDs and optical elements |
US10741107B2 (en) | 2013-12-31 | 2020-08-11 | Ultravision Technologies, Llc | Modular display panel |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101487867B1 (ko) | 멀티칩 발광 다이오드 디바이스들 | |
US8820950B2 (en) | Light emitting device and illumination apparatus | |
US9194567B2 (en) | High voltage array light emitting diode (LED) devices and fixtures | |
JP5914826B2 (ja) | 発光モジュール、照明装置および照明器具 | |
JP5147997B2 (ja) | 発光装置、電球形ランプ及び照明装置 | |
JP4160881B2 (ja) | 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法 | |
JP4598767B2 (ja) | 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置 | |
US9488345B2 (en) | Light emitting device, illumination apparatus including the same, and mounting substrate | |
JP5511977B2 (ja) | 電球形ランプ及び照明装置 | |
US10522518B2 (en) | Light source with tunable CRI | |
JP2007517378A (ja) | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法 | |
JP2006261600A (ja) | 照明モジュール、照明装置及び照明モジュールの製造方法 | |
JP2006156837A (ja) | 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置 | |
JP2011066462A (ja) | 複数の発光セルを有する発光素子 | |
JP2015233121A (ja) | 光源モジュールの不良検査方法及び光源モジュールの製造方法 | |
KR20120109567A (ko) | 높은 연색 지수의 조정 가능한 색온도를 갖는 조명 장치 | |
JP2010129583A (ja) | 照明装置 | |
EP3618111A1 (en) | Led package set and led bulb including same | |
JP4116960B2 (ja) | 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法 | |
US20130341657A1 (en) | Light-emitting module and luminaire | |
KR101872253B1 (ko) | 발광 소자 패키지, 발광 장치 및 조명 장치 | |
US20200053852A1 (en) | Light emitting device | |
US9054278B2 (en) | Lighting apparatuses and driving methods regarding to light-emitting diodes | |
TWI385782B (zh) | 白光發光元件 | |
KR20150130698A (ko) | 발광 소자 패키지 |