CN110105055A - 薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法 - Google Patents

薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种薄膜电路用氧化铍抛光基片的制作方法。本发明包括如下步骤：A、氧化铍材料预处理，以降低粉料的比表面积，提高混料均匀性及一致性；B、瓷料的制备及喷雾造粒；C、干压预成型，再等静压成型；D、脱脂、熟烧一体烧结；E、基片减薄、找平、精磨；F、基片抛光。采用本发明制备的氧化铍陶瓷抛光基片具有热导率高、孔隙率低、基片表面清洁度、平整度、表面粗糙度较好(达到镜面效果)等特点，能够满足军民两用薄膜电路/器件对高导热陶瓷抛光基片高性能、高可靠性的发展需求，具有较强实用价值。

Description

薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法
技术领域
本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法。
背景技术
当前，整个薄膜电路/器件领域都朝着小型化、密集化、高功率、高频化的方向发展。而随着微细加工平台的不断更新换代和电路的集成度不断提高，电路的导线线宽也在不断减小，微波集成电路的线宽已低至微米甚至亚微米级，这就对电路基板的平整度、光洁度提出更高的要求，而电路的高密度集成化、高功率化也造成了电路的能量散射加大，这也要求整个电路基板具有更好的散热能力。氧化铍陶瓷作为实用化程度最高的高导热陶瓷之一，因具有导热性能好、抗折强度高、低介电常数、低介质损耗、高绝缘性能特点，而被广泛用于军事通讯、遥感遥测电子对抗、光电技术等领域，成为微电子器件、光电器件等相关领域。
但是，因为陶瓷的固有脆、硬以及多晶陶瓷内部封闭或半封闭气孔问题，氧化铍陶瓷经过加工处理后陶瓷表面粗糙度很难达到镜面效果(Ra≤0.1μm)，严重时因研磨加工带来的开放式的细小凹坑、针眼等缺陷，在薄膜电路制备过程中会使得薄膜电路出现短线、短路、电极损失等问题，严重影响薄膜电路的可靠性及线宽精度。同时因氧化铍原材料基本采用硫酸法或者氟化法制备，材料中存在部分挥高温发物质，薄膜电路制备后，在高温工作环境下回产生挥发，在陶瓷及薄膜电路接触面形成鼓泡(气泡)，使得整个薄膜电路/器件报废，严重影响相关器件的整体合格率。
目前按照传统方法制备的氧化铍抛光表面粗糙度在0.08μm左右，存在的主要问题就是孔隙率高，致密性差，加工过程抛光面容易被划伤等缺陷，基片很难满足亚微米级及以下的薄膜电路的发展要求，为从根本上解决相关问题，必须从降低氧化铍陶瓷的孔隙率，控制陶瓷晶粒尺寸，降低研磨过程对陶瓷表面的损伤等方面进行改进。以达到高外观质量、高表面粗糙度、高平整度、低成本的目标，满足薄膜电路/器件对高导热陶瓷抛光基片高可靠性、高精度的发展需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，能够满足亚微米级及以下的薄膜电路的要求。
为解决上述技术问题本发明所采用的技术方案是：薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，包括以下步骤：
A、氧化铍原粉的预处理：
(a).将氧化铍原粉装入承烧钵中，放入终温为1320℃～1350℃的连续式隧道窑中进行中温煅烧处理；
(b).将煅烧后的氧化铍粉料按照质量比氧化铍粉料：氧化铍瓷球：去离子水：镁硅复合添加剂＝1:(4-10):(1-1.5)：(0.03-0.05)加入球磨机中进行混合球磨，球磨时间≥12h；球磨后陶瓷浆料过200目-350目筛网备用；
B、喷雾造粒：
按照质量比陶瓷浆料：10％PVA(聚乙烯醇PVB-88)水溶液：正辛醇：鲱鱼油＝1:(0.03-0.05)： 0.05:(0.01～0.02)的比例加入搅拌球罐中，用20r/min-40r/min的转速混合均匀，用去离子水调节浆料粘度，当浆料粘度达到30mPa·s-50mPa·s时进行喷雾造粒，喷雾造粒料过筛后备成型使用，过筛后的造粒料粒径要求为40μm～120μm；
C、干压预成型，再等静压成型：
将造粒料取出放在干压机的料盒中，干压预成型氧化铍陶瓷基片；干压机预成型后，清除去掉生坯表面附着的陶瓷造粒料，然后用热合膜进行包裹，包裹后热塑封，放入冷等静压机进行等静压处理；
D、脱脂、熟烧一次烧结：
将步骤C得到的生坯取出，放在有氧化铍陶瓷垫片的承烧板上，生坯单层摆放在氧化铍陶瓷垫片上，生坯表面不涂覆任何隔粘粉，摆放好后，放入终温为1680℃-1710℃的连续式隧道窑炉进行烧结，窑炉升温速率为150℃/h-200℃/h，在1100℃-1300℃保温4h-6h；在 1680℃-1710℃保温2h-6h；并在烧结完成后的6h-10h内降温到室温；
E、减薄、找平加工：
(a).采用双面研磨机进行粗减薄，找平加工；
(b).采用精密平面磨作为精减薄、找平作业；
F、抛光：
在双面研磨抛光机进行抛光作业，先粗抛作业，然后精抛作业。
其中，步骤A的小步骤(a)中，氧化铍原粉料采用纯度为≥99.5％的超高纯氧化铍，煅烧窑炉升温速率为100℃/h-150℃/h,煅烧最终温度1320℃-1350℃，保温时间为4h-6h。
其中，步骤A的小步骤(b)中，球磨介质为纯度≥99％的氧化铍瓷球，氧化铍瓷球直径规格为φ15mm～φ20mm，镁硅复合添加剂为五水硅酸镁；球磨时，先将去离子水、氧化铍瓷球、五水硅酸镁加入球磨机的滚筒中，球磨时间≥45min，球磨后加入氧化铍煅烧料，再次球磨12h以上；球磨机的滚筒采用氧化铝内衬。
其中，步骤B中，喷雾造粒料过筛时，采用二级分析筛过筛处理，一级为120目筛网，二级为300目筛网，取过120目但未过300目的造粒料使用。
其中，步骤C中，干压预成型压力为600kN～900kN，压制速率为5mm/s～10mm/s，保压时间为3s～5s；等静压成型压力为220MPa～240MPa，保压时间120s～300s，采用三级泄压，一级泄压180MPa～200MPa，保压时间45s-90s；二级泄压120MPa～140MPa，保压时间30s-60s；三级泄压60MPa～80MPa，保压时间15s-30s。
其中，步骤D中，生坯烧结时，放置在同质的氧化铍陶瓷垫片的正中位置，氧化铍生坯不能超出垫片范围悬空，也不能掉落直接与底部承烧板接触。
其中，步骤E的小步骤(a)中，双面研磨机的研磨料为60目～80目的刚玉，双面研磨机的研磨量为单面0.2mm～0.3mm；研磨后保证熟坯的平面度在±0.05mm范围内。
其中，步骤E的小步骤(b)中，精密平面磨的磨料为240目以上的金刚石砂轮，精密平面磨的研磨量为单面0.1mm～0.2mm；研磨后保证熟坯的平面度在±0.02mm范围内。
其中，步骤F中，粗抛作业在底盘为铸铁盘的抛光机进行，粗抛工艺加工余量为0.005mm～0.008mm，粗抛作业采用粒度为W0.3的金刚石颗粒抛光液进行抛光，粗抛的抛光液流量为 8mL/min-10mL/min，粗抛时间30min-45min；精抛作业在有聚氨酯底衬的底盘上进行，精抛工艺加工余量为0.0015mm～0.0025mm，精抛作业采用粒度为W0.1的金刚石颗粒抛光液进行抛光，精抛的抛光液流量为10mL/min-15mL/min；精抛时间为2h～4h。
本发明通过氧化铍原材料预处理，瓷料制备、高压预成型及再成型、快速即烧、减薄、找平、抛光的方式制备氧化铍抛光基片，克服了目前氧化铍陶瓷抛光片存在的致密性差、表面质量差、高温工作环境下具有挥发性等问题，能够实现高致密、高精度、高工作稳定性、高性能氧化铍陶瓷抛光片的产业化生产，具有良好的市场应用价值。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1、本发明提供的陶瓷基体制备工艺，采用原材料中温煅烧、高压加压成型、快速即烧的方式能够实现陶瓷基片的致密化产业化生产，使得陶瓷材料的孔隙率低，致密性好，体积密度达到2.90g/cm3，远高于国标2.85g/cm3的水平，在保证氧化铍材料热导率的同时，能够保证产品加工内部无较大的开放性气孔出现，保证产品表面质量，为抛光工艺提供良好的基体材料。
2、采用本发明提供的抛光工艺，采用分步减薄，先找平，再抛光的方法，成功的保证了基片的平面度、平整度及表面粗糙度，产品抛光后表面面粗糙度可达Ra0.08μm，平面度在±0.03微米以内，能够满足薄膜电路/器件对高导热陶瓷抛光基片高可靠性、高精度的发展需求，整体性能水平到达国际先进水平。
3、本发明在烧结后，不需要经过整平烧结过程，最大程度地避免了因再次烧结导致的二次晶粒长大，使得陶瓷孔隙率升高。同时节约了生产周期，提高了生产效率，具有明显的实际效益。
具体实施方式
本发明提供一种薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法。该方法包括以下步骤：
A、氧化铍原粉的预处理：
(a).将氧化铍原粉装入承烧钵中，放入终温为1320℃～1350℃的连续式隧道窑中进行中温煅烧处理；氧化铍原粉可直接外购得到；
(b).将煅烧后的氧化铍粉料按照质量比氧化铍粉料：氧化铍瓷球：去离子水：镁硅复合添加剂＝1:(4-10):(1-1.5)：(0.03-0.05)加入球磨机中进行混合球磨，球磨时间≥12h；球磨后陶瓷浆料过200目-350目筛网备用；
B、喷雾造粒：
按照质量比陶瓷浆料：10％PVA(聚乙烯醇PVB-88)水溶液：正辛醇：鲱鱼油＝1:(0.03-0.05)： 0.05:(0.01～0.02)的比例加入搅拌球罐中，用20r/min-40r/min的转速混合均匀，用去离子水调节浆料粘度，当浆料粘度达到30mPa·s-50mPa·s时进行喷雾造粒，喷雾造粒料过筛后备成型使用，过筛后的造粒料粒径要求为40μm～120μm；
C、干压预成型，再等静压成型：
将造粒料取出放在干压机的料盒中，干压预成型氧化铍陶瓷基片；干压机预成型后，清除去掉生坯表面附着的陶瓷造粒料，然后用热合膜进行包裹，该热合膜为任何能够传递压力且在高压情况下耐油、水腐蚀，能够热合，方便裁剪的高分子薄膜材料均可，包裹后热塑封，放入冷等静压机进行等静压处理；本发明在这里优选采用PVC布，厚度为0.1mm-0.3mm，优选为0.2mm；
D、脱脂、熟烧一次烧结：
将步骤C得到的生坯取出，放在有氧化铍陶瓷垫片的承烧板上，生坯单层摆放在氧化铍陶瓷垫片上，生坯表面不涂覆任何隔粘粉，摆放好后，放入终温为1680℃-1710℃的连续式隧道窑炉进行烧结，窑炉升温速率为150℃/h-200℃/h，在1300℃-1400℃保温4h-6h；在 1680℃-1710℃保温2h-6h；并在烧结完成后的6h-10h内降温到室温；本发明在这里采用快速即烧的方式；可有效降低晶粒尺寸；
E、减薄、找平加工：
(a).采用双面研磨机进行粗减薄，找平加工；这里的双面研磨机底盘优选为刚玉研磨料；
(b).采用精密平面磨作为精减薄、找平作业；这里优选采用金刚石砂轮作为研磨料；
F、抛光：
在双面研磨抛光机进行抛光作业，先粗抛作业，然后精抛作业。
其中，步骤A的小步骤(a)中，氧化铍原粉料采用纯度为≥99.5％的超高纯氧化铍，煅烧窑炉升温速率为100℃/h-150℃/h,煅烧最终温度1320℃-1350℃，保温时间为4h-6h。
其中，步骤A的小步骤(b)中，球磨介质为纯度≥99％的氧化铍瓷球，氧化铍瓷球直径规格为φ15mm～φ20mm，镁硅复合添加剂为五水硅酸镁，优选采用AR级的五水硅酸镁；球磨时，先将去离子水、氧化铍瓷球、五水硅酸镁加入球磨机的滚筒中，球磨时间≥45min，球磨后加入氧化铍煅烧料，再次球磨12h以上；球磨机的滚筒优选采用氧化铝内衬。
为使得过筛后的造粒料满足粒径40μm～120μm的要求，步骤B中，喷雾造粒料过筛时，采用二级分析筛过筛处理，一级为120目筛网，二级为300目筛网，取过120目但未过300目的造粒料使用。这里的120目筛网和300目筛网均优选采用尼龙筛网。
为有效保证生坯质量，步骤C中，干压预成型压力为600kN～900kN，压制速率为5mm/s～ 10mm/s，保压时间为3s～5s；等静压成型压力为220MPa～240MPa，保压时间120s～300s，采用三级泄压，一级泄压180MPa～200MPa，保压时间45s-90s；二级泄压120MPa～140MPa，保压时间30s-60s；三级泄压60MPa～80MPa，保压时间15s-30s。
其中，步骤D中，生坯烧结时，放置在同质的氧化铍陶瓷垫片的正中位置，氧化铍生坯不能超出垫片范围悬空，氧化铍生坯不能掉落直接与底部承烧板接触。悬空会导致烧结后翘曲，掉落到承烧板上会导致烧结缺陷。
为有效保证基片的平面度、平整度及表面粗糙度，本发明对减薄、找平加工以及抛光作业作了进一步改进。
其中，步骤E的小步骤(a)中，双面研磨机的研磨料为60目～80目的刚玉，双面研磨机的研磨量为单面0.2mm～0.3mm；研磨后保证熟坯的平面度在±0.05mm范围内。
其中，步骤E的小步骤(b)中，精密平面磨的磨料为240目以上的金刚石砂轮，精密平面磨的研磨量为单面0.1mm～0.2mm；研磨后保证熟坯的平面度在±0.02mm范围内。
其中，步骤F中，粗抛作业在底盘为铸铁盘的抛光机进行，粗抛工艺加工余量为0.005mm～ 0.008mm，粗抛作业采用粒度为W0.3的金刚石颗粒抛光液进行抛光，粗抛的抛光液流量为 8L/min-10mL/min，粗抛时间30min-45min；精抛作业在有聚氨酯底衬的底盘上进行，精抛工艺加工余量为0.0015mm～0.0025mm，精抛作业采用粒度为W0.1的金刚石颗粒抛光液进行抛光，精抛的抛光液流量为10L/min-15mL/min；精抛时间为2h～4h。在这里的粗抛作业优选采用W0.3大连桑姆泰克SC300-20金刚石颗粒抛光液，粗抛的抛光液流量为8mL/min，粗抛时间45min；精抛作业优选采用W0.1大连桑姆泰克SC100-25金刚石颗粒抛光液；精抛的抛光液流量为10mL/min；精抛时间为2h～4h。
实施例1
称取20kg超高纯氧化铍原粉，用承烧钵与承烧板作为耐温容器装载氧化铍粉，放入终温为1320℃、窑炉温差为±10℃的窑炉中，以100℃/h速率升温，保温4h煅烧。煅烧后称取 100kg直径为φ15mm～20mm的99％氧化铍瓷球，20kg去离子水，600g的AR级五水硅酸镁备用，先将氧化铍瓷球、去离子水及五水硅酸镁倒入球磨机，球磨30min后，加入20kg煅烧后的氧化铍料，再球磨12h后，将陶瓷浆料过200目尼龙筛网备用。
称取陶瓷浆料10kg，10％PVA(聚乙烯醇PVB-88)水溶液300g，正辛醇500g，鲱鱼油100g 倒入搅拌罐中，用20r/min的转速慢搅拌30min混合均匀，用去离子水调节浆料粘度，当浆料粘度达到35mPa·s时进行喷雾造粒，造粒后料过筛，取粒径为40μm～120μm的造粒料用于成型。
造粒料倒入干压机料盒中，进行干压成型，成型压力为600kN,压制速率10mm/min,保压时间3s，成型后用毛刷刷掉表面造粒料颗粒，用厚度0.2mm的PVC塑料布塑封，放入等静压压机中，等静压压机参数设定为最大压力220MPa，保压时间180s，一级泄压180MPa，保压时间45s；二级泄压120MPa，保压时间30s；三级泄压60MPa，保压时间30s，成型后用剪刀剪开塑料布，取出生坯。
生坯单层摆放，并居中放置在有氧化铍陶瓷垫片的承烧板上，放入终温为1680℃的连续式隧道窑炉进行烧结，窑炉升温速率为200℃/h，在1300℃保温6h；1680℃保温6h，并在 6h内出窑并降温到室温。
熟坯放入双面研磨机游心轮中，研磨料为60目的刚玉，进行粗磨减薄处理，双面研磨机研磨量为单面0.2mm，总体研磨量0.4mm；取出产品清洗后，在精密平面磨进行精磨处理，精磨加工量为单面0.01mm；精磨后在铸铁双面研磨抛光机粗抛，粗抛工艺抛光加工余量为 0.005mm，抛光液采用大连桑姆泰克SC300-20金刚石颗粒抛光液，抛光液流量为8mL/min，抛光时间45min。精抛光液采用大连桑姆泰克SC100-25金刚石颗粒抛光液，抛光液流量为 10ml/min，精抛时间为2h。
制作的样件标记为C1，C1相关性能见表1。
实施例2
称取20kg超高纯氧化铍原粉，用承烧钵与承烧板作为耐温容器装载氧化铍粉，放入终温为1320℃、窑炉温差为±10℃的窑炉中，以100℃/h速率升温，保温6h煅烧。煅烧后称取 100kg直径为φ15mm～20mm的99％氧化铍瓷球，25kg去离子水，1000g的AR级五水硅酸镁备用，先将氧化铍瓷球、去离子水及五水硅酸镁倒入球磨机，球磨30min后，加入20kg煅烧后的氧化铍料，再球磨12h后，将陶瓷浆料过200目尼龙筛网备用。
称取陶瓷浆料10kg，10％PVA(聚乙烯醇PVB-88)水溶液300g，正辛醇500g，鲱鱼油200g 倒入搅拌罐中，用20r/min的转速慢搅拌30min混合均匀，用去离子水调节浆料粘度，当浆料粘度达到45mPa·s时进行喷雾造粒，造粒后料过筛，取粒径为40μm～120μm的造粒料用于成型。
造粒料倒入干压机料盒中，进行干压成型，成型压力为800KN,压制速率5mm/min,保压时间3s，成型后用毛刷刷掉表面造粒料颗粒，用厚度为0.2mm的PVC塑料布塑封，放入等静压压机中，等静压压机参数设定为最大压力240MPa，保压时间300s，一级泄压200MPa，保压时间45s；二级泄压160MPa，保压时间30s；三级泄压80MPa，保压时间30s，成型后用剪刀剪开塑料布，取出生坯。
生坯单层摆放，并居中放置在有氧化铍陶瓷垫片的承烧板上，放入终温为1680℃的连续式隧道窑炉进行烧结，窑炉升温速率为150℃/h，在1400℃保温4h；1680℃保温6h，并在 6h内出窑并降温到室温。
熟坯放入双面研磨机游心轮中，研磨料为60目的刚玉，进行粗磨减薄处理，双面研磨机研磨量为单面0.2mm，总体研磨量0.4mm；取出产品清洗后，在精密平面磨进行精磨处理，精磨加工量为单面0.01mm；精磨后在铸铁双面研磨抛光机粗抛，粗抛工艺抛光加工余量为 0.005mm，抛光液采用大连桑姆泰克SC300-20金刚石颗粒抛光液，抛光液流量为8mL/min，抛光时间45min。精抛光液采用大连桑姆泰克SC100-25金刚石颗粒抛光液，抛光液流量为 10mL/min，精抛时间为2h。
制作的样件标记为C2，C2相关性能见表1。
实施例3
称取20kg超高纯氧化铍原粉，用承烧钵与承烧板作为耐温容器装载氧化铍粉，放入终温为1350℃、窑炉温差为±10℃的窑炉中，以150℃/h速率升温，保温4h煅烧。煅烧后称取 100kg直径为φ15mm～20mm的99％氧化铍瓷球，25kg去离子水，1000g的AR级五水硅酸镁备用，先将氧化铍瓷球、去离子水及五水硅酸镁倒入球磨机，球磨30min后，加入20kg煅烧后的氧化铍料，再球磨12h后，将陶瓷浆料过200目尼龙筛网备用。
称取陶瓷浆料10kg，10％PVA(聚乙烯醇PVB-88)水溶液300g，正辛醇500g，鲱鱼油200g 倒入搅拌罐中，用20r/min的转速慢搅拌30min混合均匀，用去离子水调节浆料粘度，当浆料粘度达到45mPa·s时进行喷雾造粒，造粒后料过筛，取粒径为40μm～120μm的造粒料用于成型。
造粒料倒入干压机料盒中，进行干压成型，成型压力为900KN,压制速率5mm/min,保压时间3s，成型后用毛刷刷掉表面造粒料颗粒，用厚度为0.2mm的PVC塑料布塑封，放入等静压压机中，等静压压机参数设定为最大压力240MPa，保压时间300s，一级泄压200MPa，保压时间45s；二级泄压160MPa，保压时间30s；三级泄压80MPa，保压时间30s，成型后用剪刀剪开塑料布，取出生坯。
生坯单层摆放，并居中放置在有氧化铍陶瓷垫片的承烧板上，放入终温为1710℃的连续式隧道窑炉进行烧结，窑炉升温速率为200℃/h，在1400℃保温4h；1710℃保温2h，并在 10h内出窑并降温到室温。
熟坯放入双面研磨机游心轮中，研磨料为60目的刚玉，进行粗磨减薄处理，双面研磨机研磨量为单面0.2mm，总体研磨量0.4mm；取出产品清洗后在精密平面磨进行精磨处理，精磨加工量为单面0.01mm；精磨后在铸铁双面研磨抛光机粗抛，粗抛工艺抛光加工余量为0.005mm，抛光液采用大连桑姆泰克SC300-20金刚石颗粒抛光液，抛光液流量为10mL/min，抛光时间45min。精抛光液采用大连桑姆泰克SC100-25金刚石颗粒抛光液，抛光液流量为15mL/min，精抛时间为4h。
制作的样件标记为C3，C3相关性能见表1。
表1各实施例氧化铍抛光基片性能

Claims (9)

1.薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、氧化铍原粉的预处理：
(a).将氧化铍原粉装入承烧钵中，放入终温为1320℃～1350℃的连续式隧道窑中进行中温煅烧处理；
(b).将煅烧后的氧化铍粉料按照质量比氧化铍粉料：氧化铍瓷球：去离子水：镁硅复合添加剂＝1:(4-10):(1-1.5)：(0.03-0.05)加入球磨机中进行混合球磨，球磨时间≥12h；球磨后陶瓷浆料过200目-350目筛网备用；
B、喷雾造粒：
按照质量比陶瓷浆料：10％PVA(聚乙烯醇PVB-88)水溶液：正辛醇：鲱鱼油＝1:(0.03-0.05)：0.05:(0.01～0.02)的比例加入搅拌球罐中，用20r/min-40r/min的转速混合均匀，用去离子水调节浆料粘度，当浆料粘度达到30mPa·s-50mPa·s时进行喷雾造粒，喷雾造粒料过筛后备成型使用，过筛后的造粒料粒径要求为40μm～120μm；
C、干压预成型，再等静压成型：
将造粒料取出放在干压机的料盒中，干压预成型氧化铍陶瓷基片；干压机预成型后，清除去掉生坯表面附着的陶瓷造粒料，然后用热合膜进行包裹，包裹后热塑封，放入冷等静压机进行等静压处理；
D、脱脂、熟烧一次烧结：
将步骤C得到的生坯取出，放在有氧化铍陶瓷垫片的承烧板上，生坯单层摆放在氧化铍陶瓷垫片上，生坯表面不涂覆任何隔粘粉，摆放好后，放入终温为1680℃-1710℃的连续式隧道窑炉进行烧结，窑炉升温速率为150℃/h-200℃/h，在1300℃-1400℃保温4h-6h；在1680℃-1710℃保温2h-6h；并在烧结完成后的6h-10h内降温到室温；
E、减薄、找平加工：
(a).采用双面研磨机进行粗减薄，找平加工；
(b).采用精密平面磨作为精减薄、找平作业；
F、抛光：
在双面研磨抛光机进行抛光作业，先粗抛作业，然后精抛作业。
2.根据权利要求1所述的薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于：步骤A的小步骤(a)中，氧化铍原粉料采用纯度为≥99.5％的超高纯氧化铍，煅烧窑炉升温速率为100℃/h-150℃/h,煅烧最终温度1320℃-1350℃，保温时间为4h-6h。
3.根据权利要求1所述的薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于：步骤A的小步骤(b)中，球磨介质为纯度≥99％的氧化铍瓷球，氧化铍瓷球直径规格为φ15mm～φ20mm，镁硅复合添加剂为五水硅酸镁；球磨时，先将去离子水、氧化铍瓷球、五水硅酸镁加入球磨机的滚筒中，球磨时间≥45min，球磨后加入氧化铍煅烧料，再次球磨12h以上；球磨机的滚筒采用氧化铝内衬。
4.根据权利要求1所述的薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于：步骤B中，喷雾造粒料过筛时，采用二级分析筛过筛处理，一级为120目筛网，二级为300目筛网，取过120目但未过300目的造粒料使用。
5.根据权利要求1所述的薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于：步骤C中，干压预成型压力为600kN～900kN，压制速率为5mm/s～10mm/s，保压时间为3s～5s；等静压成型压力为220MPa～240MPa，保压时间120s～300s，采用三级泄压，一级泄压180MPa～200MPa，保压时间45s-90s；二级泄压120MPa～140MPa，保压时间30s-60s；三级泄压60MPa～80MPa，保压时间15s-30s。
6.根据权利要求1所述的薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于：步骤D中，生坯烧结时，放置在同质的氧化铍陶瓷垫片的正中位置，氧化铍生坯不能超出垫片范围悬空，氧化铍生坯不能掉落直接与底部承烧板接触。
7.根据权利要求1所述的薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于：步骤E的小步骤(a)中，双面研磨机的研磨料为60目～80目的刚玉，双面研磨机的研磨量为单面0.2mm～0.3mm；研磨后保证熟坯的平面度在±0.05mm范围内。
8.根据权利要求1所述的薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于：步骤E的小步骤(b)中，精密平面磨的磨料为240目以上的金刚石砂轮，精密平面磨的研磨量为单面0.1mm～0.2mm；研磨后保证熟坯的平面度在±0.02mm范围内。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的薄膜电路用氧化铍陶瓷抛光基片的制作方法，其特征在于：步骤F中，粗抛作业在底盘为铸铁盘的抛光机进行，粗抛工艺加工余量为0.005mm～0.008mm，粗抛作业采用粒度为W0.3的金刚石颗粒抛光液进行抛光，粗抛的抛光液流量为8mL/min-10mL/min，粗抛时间30min-45min；精抛作业在有聚氨酯底衬的底盘上进行，精抛工艺加工余量为0.0015mm～0.0025mm，精抛作业采用粒度为W0.1的金刚石颗粒抛光液进行抛光，精抛的抛光液流量为10mL/min-15mL/min；精抛时间为2h～4h。
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