CN110100227A - 网格电极 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一种连续导电电极，该连续导电电极包括导电第一网格，所述导电第一网格跨该电极重复以形成第一网格的二维规则阵列。第一网格包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点。电极还可以包括与第一网格不同并且包括多个导电闭合单元的导电第二网格，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点。第一网格和第二网格中的至少一者中的大部分闭合单元具有不规则布置的顶点。

Description

网格电极
背景技术
本领域中已知，在需要透光率以及电导率的应用中使用基于金属的导体网格。此类应用的示例包括针对电磁干扰的屏蔽、用于显示器的电极(例如，液晶显示器、有机发光二极管显示器)和用于显示器的触摸传感器。
发明内容
在本说明书的一些方面，提供了一种连续导电电极，所述连续导电电极包括导电第一网格，该导电第一网格跨电极重复以形成第一网格的二维规则阵列；并且包括与第一网格不同的导电第二网格。第一网格包括多个导电闭合单元，其中每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点。导电第二网格包括多个导电闭合单元，其中每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点。第一网格和第二网格中的至少一者的每个闭合单元中的多个顶点中的顶点是不规则布置的。
在本说明书的一些方面，提供了一种连续导电平铺电极，其包括沿第一方向布置的第一多个瓦片，并包括第一多对相邻瓦片。第一多对相邻瓦片中的每对相邻瓦片包括共同边界和相同多个不规则布置的导电迹线，其中每个导电迹线在交叉点处跨共同边界延伸并且在交叉点处具有连续一阶导数。
在本说明书的一些方面，提供了一种连续导电电极，其包括导电第一网格，该导电第一网格跨电极重复以形成第一网格的二维规则阵列。第一网格包括多个导电闭合单元，其中多个闭合单元中的大部分闭合单元中的每一个包括连接多个导电弯曲迹线的多个不规则布置的顶点。
在本说明书的一些方面，提供了一种连续导电网格，其包括连接多个导电迹线的多个顶点。网格可以被划分为多个相同尺寸和形状的栅格单元，其形成连续二维栅格，其中每个栅格单元的周边与多个导电迹线中的多个不规则布置的导电迹线相交，而不经过多个顶点中的顶点。
在本说明书的一些方面，提供了一种电容式触敏装置，其被配置为通过检测耦合电容的变化来检测所施加的触摸的位置。电容式触敏装置包括触敏查看区域；多个间隔开的导电第一电极，所述多个间隔开的导电第一电极设置在所述触敏查看区域中，并且沿第一方向延伸；以及多个间隔开的导电第二电极，所述多个间隔开的导电第二电极设置在所述触敏查看区域中，并且沿不同的第二方向延伸。第一电极和第二电极中的至少一者包括导电第一网格，该导电第一网格跨电极重复以形成第一网格的规则阵列。第一网格包括多个导电闭合单元，每个闭合单元具有连接多个导电迹线的多个不规则布置的顶点。
在本说明书的一些方面，提供了一种设计网格瓦片的方法，该网格瓦片被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格。该方法包括以下步骤：提供网格瓦片的周边；在周边内以及远离周边形成多个闭合单元，其中每个闭合单元具有连接多个迹线的多个顶点；以及沿周边形成多个开放单元，其中每个开放单元包括终止于周边的至少一个迹线，使得当网格瓦片沿至少第一方向重复地平铺以沿至少第一方向形成平铺网格时，对于其周边的部分彼此重叠以形成相邻网格瓦片的共同边界的每对相邻网格瓦片，相邻网格瓦片中共同边界处的至少多对对应的开放单元中的每一对组合以形成对应的组合闭合单元。
在本说明书的一些方面，提供了一种网格瓦片，其被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格。网格瓦片包括周边；位于周边内以及远离周边的多个闭合单元，其中每个闭合单元包括连接多个迹线的多个顶点；以及沿周边的多个开放单元，其中每个开放单元包括终止于周边的至少一个迹线，使得当网格瓦片沿至少第一方向重复地平铺以沿至少第一方向形成平铺网格时，对于其周边的部分彼此重叠以形成相邻网格瓦片的共同边界的每对相邻网格瓦片，相邻网格瓦片中共同边界处的至少多对对应的开放单元中的每一对组合以形成对应的组合闭合单元。对于至少多个组合闭合单元中的每一个，组合闭合单元具有多个不规则布置的顶点。
在本说明书的一些方面，提供了一种网格瓦片，其被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格。网格瓦片包括周边；在周边内以及远离周边的多个闭合单元，其中每个闭合单元具有连接多个迹线的多个顶点；以及沿周边的多个开放单元，其中每个开放单元包括终止于周边的至少一个迹线，使得对于沿周边的多个开放单元中的每个第一开放单元，在沿周边的多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿至少一个方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与第一开放单元组合以形成具有多个不规则布置的顶点的组合闭合单元。
附图说明
图1A是电极的示意性顶视图；
图1B是图1A的电极的区域的示意性顶视图；
图2是电极的示意性顶视图；
图3A是电极阵列的示意性顶视图；
图3B是网格瓦片的示意性顶视图；
图3C是叠加在图3A的电极阵列上的图3B的网格瓦片的示意性顶视图；
图3D是电不连续区域的示意性顶视图；
图4A是包括第一网格和第二网格的电极的顶视图；
图4B是图4A的电极的第一网格的顶视图；
图4C是图4A的电极的第二网格的一部分的顶视图；
图5是电极的示意性顶视图；
图6A是电极的顶视图；
图6B至图6C是图6A的电极的部分的顶视图；
图6D至图6E是图6A的电极的瓦片的共同边界的部分的顶视图；
图7是相邻网格瓦片之间的共同边界的顶视图；
图8是相邻网格瓦片之间的共同边界的顶视图；
图9是电容式触敏装置的示意性顶视图；
图10是Voronoi图的顶视图；
图11是网格瓦片的顶视图；
图12是重叠网格的示意性顶视图；并且
图13是闭合单元的顶视图。
具体实施方式
在以下说明中参考附图，该附图形成本发明的一部分并且其中通过举例说明的方式示出各种实施方案。附图未必按比例绘制。应当理解，在不脱离本说明书的范围或实质的情况下，可设想并进行其他实施方案。因此，以下具体实施方式不应被视为具有限制意义。
电极可以利用金属网格设计，其中网格是具有连接迹线的图案几何形状，该连接迹线被布置成形成单元。已经发现此类电极可用于各种应用，诸如在显示器和需要光透过电极的其他应用中。此类电极的例示性示例应用在与显示器的可视部分重叠的触摸传感器中。金属网格电极和传感器或包括电极的其他部件描述于例如美国专利8,179,381(Frey等人)、8,274,494(Frey等人)、8,970,515(Moran等人)、8,933,906(Frey)、9,320,136(Frey等人)和美国专利公布2013/0299214(Frey等人)和2013/0082970(Frey等人)中，这些专利中的每一个在不与本说明书相矛盾的范围内通过引用并入本文。在显示器应用中，可能希望使网格随机化，以便避免由网格与显示器中的像素阵列之间的干涉图案导致的光学伪像，诸如莫尔条纹。然而，从制造的角度来看，通常希望使用连续过程来制造网格，其中网格图案有规律地重复。在本说明书的一些方面，提供了同时结合不规则性和重复特性的网格。在一些实施方案中，电极的导电网格包括在瓦片或栅格单元中的多个不规则布置的顶点，并且瓦片或栅格单元在至少一个方向上有规律地重复。在一些实施方案中，通过首先限定网格瓦片并然后有规律地重复网格瓦片来制造电极。此类平铺电极可被分成多个相同尺寸和形状的栅格单元。栅格单元可以对应于用于限定网格的瓦片，但是可以选择其他可能的栅格单元。例如，用于构造电极的网格瓦片可以是矩形的，并且栅格单元可以包括两个网格瓦片的相邻部分。另选地，可以使用与所选择的栅格单元对应的不同网格瓦片来构造电极。
在一些实施方案中，本说明书的电极包括设置在可见光透明基底上的金属迹线的网格。“可见光透明”是指未图案化的基底或包括设置在基底上的网格的电极的透射水平为对可见光的至少一种偏振态至少呈60％的透射，其中透射百分比归一化为入射的任选偏振光的强度。在“可见光透明”的含义内，透射至少60％入射光的制品将包括微观特征结构(例如，具有最小尺寸的点、方形或迹线，如宽度介于0.5微米和10微米之间、介于0.5微米和5微米之间，或介于1微米和5微米之间)，所述微观特征结构局部阻挡光线，使其透射率低于60％(例如0％)；然而，在这种情况下，对于包括微观特征结构并且测量到宽度为微观特征结构最小尺寸的1000倍的大致各向等大的区域，平均透射率仍大于60％。与“可见光透明”相关的术语“可见”是修改术语“光”，以便指定基底或微图案化制品(例如，基底上的金属网)对其透明的光的波长范围(例如，波长从400nm至700nm)。
导电网格或导电网格区域的开放面积分数(或开放面积或者开放面积或开放孔径的百分比)是未被导体遮蔽的网格面积或区域面积的比例。开放面积等于1减去被导电网格遮蔽的面积分数，并且可以方便地和可互换地表示为小数或百分比。被导电网格遮蔽的面积分数可与导电网格的线或迹线(例如，非线性迹线)的密度互换使用。在本说明书中可用的例示性开放面积分数值是大于50％、大于75％、大于80％、大于90％、大于95％、大于96％、大于97％、大于98％、大于99％、99.25％至99.75％、99.8％、99.85％、99.9％和甚至99.95％的那些。在一些实施方案中，导电网格的区域(例如,可见光透明的导电区域)的开放面积介于80％和99.5％之间，在其他实施方案中介于90％和99.5％之间，在其他实施方案中介于95％和99％之间，在其他实施方案中介于96％和99.5％之间，在其他实施方案中介于97％和98％之间，以及在其他实施例中高达99.95％。在一些实施方案中，导电网格的迹线的宽度在0.1微米至20微米的范围内，在一些实施方案中，在0.5微米至10微米的范围内，在一些实施方案中，在0.5微米至5微米的范围内，在一些实施例中，在0.5微米至4微米的范围内，在一些实施方案中，在0.5微米至3微米的范围内，在一些实施方案中，在0.5微米至2微米的范围内，在一些实施方案中，在1微米至3微米的范围内，以及在一些实施方案中，在0.1微米至0.5微米的范围内。
在一些实施方案中，网格包括相邻顶点之间的弯曲迹线。在一些实施方案中，大部分(即，大于50％)的迹线中的每一个都是弯曲的。在一些实施方案中，迹线的至少60％，或至少80％，或至少90％中的每一个是弯曲的。在一些实施方案中，迹线中的每一个是弯曲的。在一些实施方案中，迹线中的每一个(或大部分迹线中的每一个，迹线的至少60％，或至少80％，或至少90％中的每一个)的曲率半径小于1cm，或小于1毫米，或小于500微米。在一些实施方案中，迹线中的每一个(或大部分迹线中的每一个，迹线的至少60％，或至少80％，或至少90％中的每一个)的曲率半径大于20微米，或大于50微米，或大于75微米，或大于100微米。在一些实施方案中，大部分迹线(或至少60％，或至少80％，或至少90％，或全部)中的每一个沿迹线的整个长度具有连续一阶导数。直线或线性迹线的长度被理解为表示由线或迹线跨越的相邻顶点之间的长度。弯曲迹线的长度是指沿相邻顶点之间的迹线的曲线的长度。
存在各种等效方式来表达曲线具有在微分几何的情境下熟悉的连续一阶导数的条件。表达此条件的一种方法是沿曲线的长度指定连续参数(例如，在曲线的一端开始为零并在曲线的另一端结束为1)，并然后定义沿曲线从参考点(例如，来自坐标系的原点的矢量)相对于参数的矢量位置的一阶导数。如果矢量位置的每个分量的一阶导数是连续的，则可以说该曲线具有连续一阶导数。例如，对于范围从0至1的t，跨越半径为R的四分之一圆的圆弧可以通过(x(t),y(t))＝(R sin(πt/2),R cos(πt/2))参数化。x(t)和y(t)中的每一个相对于参数t的一阶导数在弧的整个长度上是连续的。曲线可以延伸穿过边界并在交叉点处越过边界。曲线在交叉点处具有连续一阶导数的条件可以按照沿曲线长度的连续参数表示，如上所述。如果沿来自参考点的曲线的矢量位置的每个分量的一阶导数相对于对应于交叉点的参数值处的参数是连续的，则可以说该曲线在交叉点处具有连续一阶导数。描述边界上交叉点处的连续一阶导数的另一种方式是在交叉点附近定义局部x-y坐标系，其中x轴与交叉点处的边界正交，并至少在交叉点附近，按照函数y(x)描述该曲线。如果y相对于x的导数在交叉点处是连续的，则交叉点处的一阶导数可以说是连续的。如果迹线定义沿曲线的长度或在交叉点处具有连续一阶导数的曲线(例如，沿迹线的中心线)，则可以说迹线沿迹线的长度或在交叉点分别地具有连续一阶导数。沿迹线的整个长度具有连续一阶导数的迹线在迹线突然改变方向时没有扭结。
图1A是包括多个瓦片228的电极110的示意性顶视图，瓦片228包括如本文其他地方进一步描述的连续导电网格。图1B中提供了瓦片的区域222的例示性示例，图1B是瓦片的区域222的示意性顶视图，其中示出了不规则布置的顶点和相邻顶点之间的弯曲迹线。在所示实施方案中，参考图1A至图1B的x-y-z坐标系，瓦片228沿x方向和y方向两者重复。在其他实施方案中，瓦片仅沿一个方向重复或沿三个或更多个不同方向重复，其中不同方向指的是非平行方向。多个瓦片228包括在x方向上布置的第一多个瓦片228a和在y方向上布置的第二多个瓦片228b。在一些实施方案中，电极110包括多个瓦片228，并且另外包括沿一个或两个边缘或沿一个或两个端部的其他瓦片的部分。例如，在一些实施方案中，电极的长度或宽度可以不是瓦片的长度或宽度的整数倍，使得在电极的一个或多个端部和/或一个或多个边缘处的电极的一部分仅包括瓦片的部分。在一些实施方案中，电极110可以被分成多个相同尺寸和形状的栅格单元(例如，对应于瓦片228)，形成连续二维栅格。在一些实施方案中，连续二维栅格跨越电极的整个区域。在其他实施方案中，连续二维栅格跨越电极的一部分(例如，电极面积的至少60％，或至少80％，或至少90％)。例如，在一些实施方案中，电极的长度或宽度可以不是栅格单元尺寸的整数倍，使得在电极的一个或多个端部和/或一个或多个边缘处的电极的一部分仅包括栅格单元的一部分。在这种情况下，电极的网格可以被分成多个相同尺寸和形状的栅格单元，形成连续二维栅格，该栅格跨越除了可以被栅格单元的部分覆盖的电极的端部和/或一个或多个边缘部分之外的所有部分。在所示实施方案中，栅格是矩形栅格。在一些实施方案中，栅格是例如正方形栅格(其可以被理解为矩形栅格的特殊情况)或六边形栅格。
在一些实施方案中，电极的每个瓦片或栅格单元具有相同的尺寸和形状。在其他实施方案中，电极可以由具有不同尺寸和/或形状的两个或更多个不同的瓦片或栅格单元平铺。例如，矩形瓦片228中的每隔一个可以用两个较短的矩形瓦片代替，并然后通过原始矩形瓦片228和较短矩形瓦片的组合来平铺电极。
即使瓦片或栅格单元中的每一个不相同，也可以说网格包括重复的瓦片或栅格单元。例如，每个瓦片或栅格单元可以名义上相同，但是普通的制造变化可以导致瓦片或栅格单元中的微小差异，并且网格仍然将被描述为包括重复瓦片或栅格单元。瓦片和栅格单元之间的其他微小差异也可以以重复图案存在。网格中的瓦片或栅格单元的重复图案的强度可以根据网格中顶点位置的傅里叶变换来量化。如果傅里叶变换具有对应于重复图案的实质峰值，则即使傅里叶变换在峰值之间不是精确为零，也可以将网格描述为重复。
瓦片可以在多于两个的不同方向上重复。图2是包括多个瓦片328的电极111的示意性顶视图，瓦片328包括如本文其他地方进一步描述的连续导电网格。瓦片328沿不同的第一非平行方向333a、第二非平行方向333b和第三非平行方向333c重复。瓦片328包括沿不同的第一方向333a、第二方向333b和第三方向333c重复的第一多个瓦片328a、第二多个瓦片328b和第三多个瓦片328c。电极111的网格可以被分成多个相同尺寸和形状的栅格单元(对应于瓦片328)，形成连续二维栅格，在所示实施方案中，该连续二维栅格是六边形栅格。电极111的区域322可以出现，例如，如图1B中针对区域222所示，或者可以包括本文其他地方描述的其他网格图案。电极111还可以包括沿电极111的一个或多个侧面或一个或多个边缘的区域399，其包括不是多个瓦片328的部分的网格。在一些实施方案中，区域399包括瓦片或栅格单元的部分。
在一些实施方案中，使用网格瓦片和本文其他地方进一步描述的方法制造单独的电极。在其他实施方案中，可以使用瓦片制造电极阵列，瓦片限定电极的连续导电网格和相邻电极之间的非导电区域两者。
图3A是电极419的阵列417的示意性顶视图。图3B是网格瓦片404的示意性顶视图，在所示实施方案中，网格瓦片404布置在x-y平面中的二维栅格中，但是可以使用其他布置。图3C是网格瓦片404和电极419的阵列417的示意性顶视图。在一些实施方案中，电极419的阵列417使用网格瓦片404形成。在一些实施方案中，网格瓦片404限定电极419的连续导电区域422和相邻电极419之间的电不连续区域424。网格瓦片404与电极419的重叠限定了瓦片428。在一些实施方案中，每个电极419是连续导电平铺电极，包括沿第一方向(y方向)布置的多个瓦片428，并且包括多对相邻的瓦片(例如，瓦片对428a和428b，和瓦片对428b和428c)。
连续导电区域422可以出现，例如，如图1B中针对区域222所示，或者可以包括本文其他地方描述的其他网格图案。图3D是电不连续区域424的例示性示例的示意性顶视图。这里，迹线包括使该区域中的网格不导电的断裂。在一些实施方案中，每个迹线包括断裂，并且在其他实施方案中，并非所有迹线都包括断裂。已经发现利用相邻电极之间的电不连续区域可以减少当电极边界与显示器重叠时与电极边界相关联的光学伪像。
在所示实施方案中，瓦片404中的每一个覆盖导电电极419中的一个的宽度并覆盖相邻电极之间的一个不连续区域的宽度。在其他实施方案中，电极阵列的其他部分可以由网格瓦片限定。例如，单个网格瓦片可以覆盖两个或更多个电极的宽度以及相邻电极之间的两个或更多个区域的宽度。在其他实施方案中，一组瓦片(例如，瓦片428)用于限定电极，并且另一组瓦片用于限定相邻电极之间的区域(例如，与瓦片404的部分对应的瓦片不与瓦片428重叠)。
图4A是连续导电电极100的顶视图，其包括跨电极重复以形成第一网格的二维规则阵列288的导电第一网格200，并且包括与第一网格200不同的导电第二网格300。图4B是第一网格200的顶视图，并且图4C是第二网格300的一部分的顶视图。第一网格200包括多个导电闭合单元210。闭合单元210中的每一个包括连接多个导电迹线230a-230f的多个顶点220a-220f。导电第二网格300包括多个导电闭合单元310。每个闭合单元310包括连接多个导电迹线330a-330d的多个顶点320a-320d。在一些实施方案中，第一网格和第二网格中的至少一者的每个单元中的多个顶点中的顶点是不规则布置的。在所示实施方案中，每个闭合单元210中的顶点220a-220f被不规则布置，并且每个闭合单元310中的顶点320a-320d被规则布置。在其他实施方案中，第一网格200的顶点220a-220f和第二网格300的顶点320a-320d被不规则布置，或者第一网格200的顶点220a-220f被规则布置，并且第二网格300的顶点320a-320d被不规则布置。
在其他实施方案中，可以省略第二网格300，并且连续导电电极可以包括第一网格200，该第一网格200跨电极重复以形成第一网格的二维规则阵列，其中第一网格200的相邻实例彼此接触并且阵列直接电互连。例如，在一些实施方案中，第一网格的阵列中的每个第一网格与第一网格的阵列中的相邻第一网格共享共同边界，使得第一网格中的至少一个开放单元与沿共同边界的相邻第一网格中的开放单元组合以形成组合闭合单元(参见例如图6C)。
在其他实施方案中，连续导电电极包括多于两个网格。图5是分别包括第一网格260、第二网格270、第三网格273和第四网格280的电极116的顶视图。在所示实施方案中，第一网格260、第二网格270、第三网格273和第四网格280中的每一者重复以形成相应网格的二维规则阵列。在一些实施方案中，二维规则阵列中的任一个或多个是矩形阵列、正方形阵列(可以理解为矩形阵列的特殊情况)或六边形阵列。例如，在所示实施方案中，第一网格260重复以形成第一网格260的近似正方形阵列。在一些实施方案中，第一网格260、第二网格270、第三网格273和第四网格280中的至少一者包括具有不规则布置的多个顶点的闭合单元。在所示实施方案中，第一网格260、第二网格270、第三网格273和第四网格280中的每一者具有不规则布置的顶点。在所示实施方案中，包括其中没有网格的开放区域277。在其他实施方案中，开放区域277填充有第五网格(未示出)。由于电极116在没有该第五网格的情况下是导电的，因此在一些实施方案中，第五网格与第一网格260、第二网格270、第三网格273和第四网格280电断开。在其他实施方案中，第五网格电连接到至少第二网格270、第三网格273和第四网格280。在这种情况下，第二网格270、第三网格273和第四网格280以及第五网格的并集可以被描述为网格，并且所得到的电极可以被描述为包括第一网格260，该第一网格260跨电极重复以形成第一网格260的二维规则阵列；以及与第一网格260不同的导电第二网格(是第二网格270、第三网格273和第四网格280以及第五网格的并集)。
图6A是连续导电平铺电极400的顶视图。图6B至图6C是平铺电极400的部分的顶视图。电极400包括沿第一方向(x方向)布置的第一多个瓦片410，并且包括第一多对相邻瓦片，使得第一多个相邻瓦片中的每对相邻瓦片410a、410b包括共同边界420和相同的多个430不规则布置的导电迹线440，其中每个导电迹线在交叉点450处跨共同边界420延伸(图6D中示出)并且在交叉点450处具有连续一阶导数。换句话说，边界420和多个430不规则布置的导电迹线440在第一方向上重复，使得第一多个瓦片410中的相邻瓦片之间的每个边界420与每个其他边界420相同，并且包括相同的多个430不规则布置的导电迹线440。迹线440在交叉点450处具有连续一阶导数，使得没有扭结，其中迹线在交叉点450处突然改变方向。
在所示实施方案中，电极400还包括沿不同于第一方向的第二方向(y方向)布置的第二多个瓦片411，并且包括第二多对相邻瓦片，使得第二多个相邻瓦片中的每对相邻瓦片411a、411b包括共同边界421和相同的多个431不规则布置的导电迹线441，其中每个导电迹线在交叉点451处跨共同边界421延伸(图6E中示出—注意图6D中所示的共同边界420在y方向上延伸，而图6E中所示的共同边界421在x方向上延伸)并且在交叉点451处具有连续一阶导数。
第一多个瓦片410和第二多个瓦片411可以布置在如图所示的矩形栅格上，或者可以布置在正方形栅格上(可以理解为矩形栅格的特殊情况)，或者可以布置在例如六边形栅格上(参见例如图2)。在一些实施方案中，电极还包括沿不同于第一方向和第二方向的第三方向(例如，第三方向333c)布置的第三多个瓦片，并且包括第二多对相邻瓦片(例如，相邻瓦片328c)，使得第三多个相邻瓦片中的每对相邻瓦片包括共同边界和相同多个不规则布置的导电迹线，其中每个导电迹线在交叉点处跨共同边界延伸并且在交叉点处具有连续一阶导数(例如，相邻瓦片328c之间的共同边界可以在图6D或图6E中呈现为共同边界420或421)。
在一些实施方案中，电极400的连续导电网格402包括连接多个导电迹线470的多个顶点460，使得网格402可被分成多个相同尺寸和形状的栅格单元437，形成连续二维栅格。在一些此类实施方案中，每个栅格单元的周边412与多个导电迹线440中的多个不规则布置的导电迹线相交，而不穿过网格402中的任何顶点460。在一些实施方案中，栅格单元437对应于瓦片410和411。在其他实施方案中，栅格单元437可以被视为不与用于限定电极的导电网格402的网格瓦片对应的单元(例如，栅格单元可以被视为两个相邻瓦片的半部)。
在一些实施方案中，网格瓦片(例如，瓦片410a)被配置为沿至少第一方向(例如，x方向、y方向或两者)重复地平铺以形成连续平铺网格402。网格瓦片包括周边412；在周边412内以及远离周边412的多个闭合单元414，每个闭合单元414包括连接多个迹线(参见例如迹线230a-230f)的多个顶点(参见例如顶点220a-220f)；沿周边412的多个开放单元416，每个开放单元416包括终止于周边412的至少一个迹线(例如，迹线417a和417b)，使得当网格瓦片沿至少第一方向(例如，x方向和/或y方向)重复地平铺以沿至少第一方向形成平铺网格402时，对于其周边的部分412a和412b彼此重叠以形成相邻网格瓦片的共同边界420的每对相邻网格瓦片(例如，相邻瓦片410a和410b)，相邻网格瓦片中的共同边界420处的至少多对对应的开放单元416a和416b中的每一对组合以形成对应的组合闭合单元418。在一些实施方案中，对于至少多个组合闭合单元中的每一个，组合闭合单元包括多个不规则布置的顶点。在共同边界处相遇的开放单元的迹线也可以组合以形成组合迹线。例如，参考图6C，开放单元416a包括终止于共同边界420的迹线423a；开放单元416b包括终止于共同边界420的迹线423b；并且迹线423a和423b组合以形成组合迹线423。迹线423具有连续一阶导数，其中它在交叉点427处与共同边界420交叉。在一些实施方案中，组合闭合单元418包括至少一个迹线(423和425)，其在交叉点(分别为427和429)处跨共同边界延伸并且在交叉点处具有连续一阶导数。
在一些实施方案中，网格瓦片(例如，瓦片410a)被配置为沿至少第一方向(x方向和/或y方向)重复地平铺以形成连续平铺网格402。网格瓦片包括周边412；在周边内以及远离周边的多个闭合单元414，每个闭合单元包括连接多个迹线(参见例如迹线230a-230f)的多个顶点(参见例如顶点220a-220f)；以及沿周边412的多个开放单元416。在一些实施方案中，多个开放单元416中的每个开放单元包括终止于周边412的至少一个迹线(例如，迹线417a和417b)，使得对于沿周边412的多个开放单元416中的每个第一开放单元，在沿周边的多个开放单元416中存在不同的第二开放单元，当沿至少一个方向线性平移时，该不同的第二开放单元与第一开放单元组合以形成包括多个不规则布置的顶点的组合闭合单元。例如，当沿周边412的第二开放单元436b沿x方向线性平移时，其与第一开放单元436a组合以形成组合闭合单元436。类似地，当沿周边412的第四开放单元438b沿y方向线性平移时，其与第三开放单元438a组合以形成组合闭合单元438。
在一些实施方案中，除了沿周边412的多个开放单元416之外，在周边412的拐角485处还存在第二多个开放单元484。例如，在一些实施方案中，网格瓦片是矩形的，并且除了沿矩形的侧面的多个开放单元416之外，在第二多个开放单元484中包括四个角开放单元。在一些实施方案中，当第二多个开放单元484中的第一角单元在x方向上平移时，第二多个开放单元484中的第二角单元在y方向上平移，并且第二多个开放单元484中的第三角单元在x方向和y方向上平移，第一角开放单元、第二角开放单元和第三角开放单元与第四角开放单元组合以形成组合闭合单元。需要平移以形成组合闭合单元的拐角处或拐角附近的开放单元的数量可取决于拐角附近的瓦片的几何形状。例如，在一些实施方案中，在拐角处或拐角附近的一个组合闭合单元由3个开放单元形成，并且在拐角处或拐角附近的另一个组合闭合单元由4个开放单元形成。
连续导电平铺电极400还可以根据第一网格466来描述，第一网格466是平铺电极400的瓦片(例如，瓦片410a)的内部部分。在所示实施方案中，第一网格466跨平铺电极400重复，以形成第一网格的二维规则阵列。在图6A中概述了第一网格466的两个实例，但是应当理解，平铺电极中的每个网格瓦片包括第一网格466的实例。在第一网格466的实例之间的平铺电极400的网格是第二网格467，其电互连第一网格466的阵列。在一些实施方案中，平铺电极400是连续导电电极，包括导电第一网格466，该导电第一网格466跨电极400重复以形成第一网格466的二维规则阵列，其中第一网格466包括多个导电闭合单元，其中每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点；并且包括导电第二网格467，其不同于第一网格466并且包括多个导电闭合单元，其中每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点。在所示实施方案中，第一网格466和第二网格467中的每一者的每个闭合单元中的多个顶点中的顶点不规则布置。在其他实施方案中，第一网格和第二网格中仅一个或另一个具有不规则布置的顶点，如本文其他地方进一步所述。
在图6A至图6E所示的实施方案中，瓦片410和对应的栅格单元437相对于网格布置，使得边界穿过迹线而不与任何顶点相交。在其他实施方案中，瓦片或栅格单元可以具有与一个或多个顶点相交的周边。由于网格是周期性的，因此可以通过改变每个周边以包括一个或多个顶点来获得替代的一组瓦片或栅格单元。这在图7中示出，图7示出了包括顶点621的相邻网格瓦片610a和610b之间的共同边界620。在所示实施方案中，共同边界620仅在顶点621处与迹线相交。在其他实施方案中，共同边界与至少一个顶点相交并且在交叉点处与至少一个迹线相交，使得迹线在交叉点处具有连续一阶导数。这在图8中示出，其示出了与顶点626相交并且在交叉点处与迹线627相交的共同边界625，其中迹线在交叉点处具有连续一阶导数。
图9是电容式触敏装置500的示意性顶视图。在一些实施方案中，电容式触敏装置500被配置为通过检测耦合电容(也称为互电容)的变化来检测所施加的触摸的位置(例如，诸如手指或触笔之类的物体512的位置)。触敏装置500包括触敏查看区域510；多个间隔开的导电第一电极600，其设置在触敏查看区域510中并沿第一方向(在所示实施方案中为x方向)延伸；以及多个间隔开的导电第二电极700，其设置在触敏查看区域510中并沿不同的第二方向(在所示实施方案中为y方向)延伸。第一电极600和第二电极700中的至少一者包括跨电极重复以形成第一网格的规则阵列的导电第一网格(例如，第一网格200或第一网格466)，第一网格包括多个导电闭合单元(例如，闭合单元210)，每个闭合单元包括连接多个导电迹线(例如，迹线230a-230f)的多个不规则布置的顶点(例如，顶点220a-220f)。
包括在第一方向上延伸的第一电极和在第二方向上延伸的第二电极的电容式触敏设备是已知的。在第一方向上延伸的第一电极和在第二方向上延伸的第二电极可以在第三方向(图9的z方向)上彼此间隔开，其间具有介电层。控制器或微处理器等可以电连接到第一电极和第二电极，并且被配置为当触摸电容式触敏设备时确定耦合电容的变化。通过用透明粘合剂将两个基底层合在一起，可以生成两个或更多个重叠的导体图案，其中每个基底在其主表面中的一个上设置有根据本说明书的导电网格。当基底是透明的并且当导电网格具有高开放面积分数时，此类层合制品可以是可见光透明的。用于形成层合构造的合适基底的示例包括聚酯膜(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)和三乙酸酯(TAC)膜。
用于形成层合构造的合适粘合剂材料的示例为呈现出至少约为90％或者甚至更高的透光率以及低于约5％或者甚至更低的浊度值的光学透明的粘合剂。透光率和浊度的测量可以通过使用型号为9970BYK Gardner TCS Plus的分光光度计(Model 9970BYKGardner TCS Plus Spectrophotometer)(来自美国马里兰州的哥伦比亚市的毕克-加特纳公司(BYK Gardner,Columbia,MD))将其设置在25微米的MELINEX聚酯膜454(来自美国特拉华州威尔明顿市的杜邦公司(DuPont Company,Wilmington,DE))与A 75×50毫米平坦载物片(来自美国密歇根州米德兰的道康宁公司(Dow Corning,Midland,MI)的载玻片)之间。合适的光学透明的粘合剂可以具有抗静电特性，与基于金属的导体相容，并且可以能够通过拉伸在示例性的光学粘合剂中所描述的粘合剂而从玻璃基底中释放出来，包括在以下文档中进行描述的那些粘合剂：涉及防静电光学压敏粘合剂的PCT国际公开WO 2008/128073、涉及拉伸释放的光学透明的压敏粘合剂的美国专利申请公开US 2009-030084 A1、涉及具有光传输性质粘合剂的防静电光学构造的US 2010-0028564 A1、涉及光学透明的拉伸释放粘合带的PCT国际公开WO 2009/114683、涉及与腐蚀敏感层相容的粘合剂的WO 2010/019528，以及涉及拉伸释放粘合带的WO 2010/078346。在一个实施方案中，光学透明粘合剂的厚度为约5微米或更小，
其上设置有导电网格的基底，或者另选地包括其上设置有导电网格的两个或更多个基底的层合物可以被进一步层合到显示器，例如，液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、等离子体显示面板(PDP)、电泳显示器(EP)，或者电湿润显示器。可以使用所引用的粘合剂材料将此种基底或者层合物层合到显示器。其上设置有导电网格的基底或者另选地包括其上设置有导电网格的两个或更多个基底的层合物可以被进一步层合到另一种材料，例如，层合到刚性支撑件，所述刚性支撑件诸如是厚(例如，1毫米)聚合物片或者玻璃片。刚性支撑件的示例包括诸如手机或者智能电话这样的移动手持设备的屏幕。
在一些实施方案中，如本文所述的导电网格设置在基底的多于一侧上，例如设置在可以是柔性或刚性的平坦基底的每个主表面上。对于需要在垂直于网格的方向上间隔开的两个导电网格的应用，将两个网格设置在同一平坦基底的每一侧上，例如在聚合物膜的每一侧上可能是有利的。
在一些实施方案中，如本文所述的导电网格设置在功能性基底上。功能性基底是一种基底，其用于超出导电网格的支撑、光的透射以及导电网格集成到其中的设备的基本机械连续性之外的一个或多个特定目的。功能性基底的示例包括线性偏振器(例如，聚合物线性偏振器膜)、圆形偏振器(例如，聚合物圆偏振器膜)、防眩层(例如，聚合物膜或玻璃)、显示模块基底(例如，底部发射OLED单元基底)、防刮覆盖膜和光管理膜。
设计网格的一种方法涉及利用Voronoi图。Voronoi图，也称为Voronoi曲面细分，是一个数学术语，指的是基于到平面中的被称为种子点的点的距离将平面划分成区域。一旦指定了种子点，对应于种子点的区域可以被定义为与任何其他种子点相比更接近指定种子点的平面中的点集。对于合适的种子点选择，Voronoi图的区域之间的边界可以用作设计网格瓦片的步骤，该网格瓦片被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格。图10中示出了示例性Voronoi图。
图10是Voronoi图750的顶视图，其包括限定瓦片的周边712。多个种子点772设置在周边712内，并且种子点772的多个周期性副本774设置在周边712周围。例如，可以通过将种子点774a平移x方向上的平移距离(例如，瓦片在x方向上的宽度)从种子点774a获得周期性副本774b。种子点774a的周期性副本774c和774d也在图10中示出。
包含网格图案的瓦片可以如下设计。首先选择瓦片的尺寸和形状以及平均单元尺寸S和平均单元面积A。作为例示性示例，可以使用瓦片阵列来替换具有中心到中心距离H的六边形网格，并且可以选择宽度为100H，长度为100H且平均单元尺寸S＝H的正方形瓦片。在其他实施方案中，使用具有独立地在20H至500H范围内的长度和宽度的矩形瓦片。可以使用瓦片的其他尺寸和形状(例如，六边形)。根据瓦片的尺寸和平均单元尺寸，计算种子点的所需数量。例如，可以将种子点的所需数量确定为瓦片的面积除以平均单元面积A。
接下来，将计算出的种子点数量放入瓦片中。这可以一次一个点完成，同时对种子点的位置施加若干约束。可以关于瓦片中的先前点和先前点的周期性副本来指定约束(周期性副本对应于当多个瓦片以相邻瓦片之间的共同边界被布置在一起时相邻瓦片中出现的先前点)。例如，合适的约束是每个新点远离所有先前点距离S的至少75％，并且远离先前点的所有周期性副本距离S的至少75％。使用此种指定的最小距离构造的Voronoi图可以被称为硬核Voronoi图。此类图可以通过核心尺寸作为距离S的百分比来表征。例如，使用种子点构造的Voronoi图被约束使得每个新点远离所有先前点距离S的至少75％，并且远离先前点的所有周期性副本距离S的至少75％，该Voronoi图可以被称为具有75％的核心的硬核Voronoi图。可以另选地使用其他核心值(例如，在60％至80％范围内的核心百分比)。然而，已经发现使用约75％的核心引起优选的美学外观。
可以使用用于生成种子点的其他方法。例如，种子点可以随机放置(例如，具有为低甚至零的核心百分比值)，但然后根据点之间的合适的人工排斥力移动。力可以通过许多不同类型的函数来建模；例如，一除以点之间的距离的平方。因此，每次迭代可以将点移动一小段距离，直到它们全部处于平衡状态，或者它们可以根据所需的美学而移动得更少。另选地，可以在瓦片上定义场函数，从零或小的随机值开始，并且当按顺序添加点时，可以将在新点的位置处为高并且随着移动远离该点而下降的值添加到场(例如，如一除以距离的平方)。然后可以将每个后续点放置在场函数的当前最小值处。也可以使用这些方法的组合。
接下来，根据瓦片中的种子点和种子点的周期性副本构造Voronoi图。Voronoi图的区域之间的边界定义网格图案的相邻顶点之间的线段。例如，这在图10中示出。
接下来，可以修改由Voronoi图定义的网格图案以将顶点展开以减少短线段的数量。在一种方法中，所有顶点都朝向它们的连接顶点的平均位置移动(即，顶点通过线段连接到的那些顶点)。可以迭代此步骤。可以改变顶点移动的量以及迭代该步骤的次数。在一些实施方案中，顶点在每个步骤中移动距其连接顶点的先前平均位置的距离的20％(或10％，或25％)的距离。在一些实施方案中，例如，使用两个(或2-10个)此类步骤。在另一种方法中，仅连接到至少一个短边或线段的顶点(例如，连接顶点之间的距离小于指定阈值)朝向其连接顶点的平均位置移动。在该方法中，移动的距离和迭代次数也可以改变。在一些实施方案中，使用两种方法的组合。例如，在一些实施方案中，在第一步骤中移动所有顶点，并且在第二步骤中，仅移动连接到至少一个短边缘的顶点。除了移动的量和使用的迭代次数之外，可以指定的另一个参数是线段的最小长度。可以移动顶点直到相邻顶点之间的所有线段具有大于指定的最小长度的长度。例如，最小长度可以指定为S的0.2倍，并且使用20％的S用于最小长度，前一距离的10％的顶点移动到其连接顶点的平均位置，并且无限次迭代，已经发现，例如通常在5到10次迭代中消除比最小长度更短的所有边缘。
另选地，可以调整顶点位置，不仅考虑使短边更长，而且还可以移动顶点以均衡单元的多边形区域。另外，例如，可以移动顶点以使在顶点处形成的角度更接近120度。可以为这三个属性移动顶点(短边延长、均衡多边形区域和将顶点处的角度调整为接近120度)，或者对于这三个属性的子集，首先针对一个属性进行迭代，然后针对第二属性进行迭代，并且最后针对第三属性进行迭代。在其他实施方案中，指定附加的期望属性，并且移动顶点以用于多于这三个属性。另选地，可以针对每个属性迭代顶点移动一次，然后重复该序列多次。作为另一替代方案，可以对前三个属性中的每一个进行加权，并且根据每次迭代的所有三个“力”的加权和，使顶点在方向上移动。
Voronoi图技术对于在瓦片中生成顶点的不规则布置是有用的，该瓦片被配置为周期性地布置。也可以使用其他技术。例如，任何数量的规则或半规则的周期性曲面细分，其中一些顶点连接多于三条线，例如正方形点阵，可以用作初始图。连接多于三条线的顶点中的每一个或这些顶点的子集(例如，随机选择)可以用两个新顶点替换，其中两个顶点之间具有线，并且两个顶点中的每一个连接线中的至少两条(它们连接到原始顶点)。两个新顶点可以在随机方向上间隔开，例如，以给出不规则栅格。在一些实施方案中，起始图是正方形点阵，并且该顶点分裂技术导致具有包括4到8个边缘的多边形的不规则栅格。
接下来，在一些实施方案中，用曲线代替直线段。曲线可以是圆弧或其他弯曲形状。曲线的方向(例如，相对于查看方向向左或向右弯曲)可以是随机的。可以在端点顶点保持固定的情况下执行用曲线替换直线段。曲率量可以在瓦片内的曲线之间变化。曲率量可以在瓦片内的曲线之间随机分布。曲率量可以在一系列曲率上随机分布。一种用于调整替换直线段的曲线的曲率量的方法包括：对于终止直线段的每个顶点，选择直线段与顶点处的曲线之间的非零角度。如将理解的，增加角度导致曲率增加(曲率半径更小)。圆形曲线(弧)的实际曲率(或曲率半径)由顶点和角之间的距离确定，如从几何学中所理解的。对于包括多个闭合单元的瓦片，前述角度可以在一定角度范围内。在一些实施方案中，该角度范围为10度，或12度或15度至20度，或30度，或35度，或40度。在一些实施方案中，角度可以在此限定范围内均匀地随机分布。在一些实施方案中，角度范围对于曲线替换的不同长度线段可以是不同的。例如，角度可以偏置，使得较长的弧平均具有较大的角度。已经发现以这种方式弯曲线段减小或消除眼睛在反射中看到的直的或几乎直的迹线段的长度，并因此减小所得电极的可见反射。在一些实施方案中，迹线的曲率半径分布在S的0.08或0.10或0.12倍与S的1.5或1.7或1.9倍之间。例如，曲率半径的分布可近似为高斯分布。已发现弯曲迹线可改善迹线取向的均匀性。在一些实施方案中，网格的迹线具有迹线取向的均匀分布，如美国专利号8,933,906(Frey)中所述。
除了消除短边之外，还可以在添加弧之后应用上述顶点调整技术，特别是涉及顶点和单元区域处的角度的那些顶点调整技术。然后，考虑弧的顶点处的真实区域和角度可用于确定期望的顶点调整。
使用该Voronoi图技术设计的网格瓦片的一部分具有75％的核心值和20度的最大弧角，如图11所示。利用该技术设计网格402，使用75％的核心值和30度的最大弧角。
在一些实施方案中，瓦片被配置为周期性地布置以限定电极的连续导电网格，并且在一些实施方案中，瓦片被配置为周期性地布置以限定电极阵列的网格。当瓦片限定电极阵列的网格时，在瓦片的与相邻电极之间的区域对应的部分中识别要被省略以在迹线中形成断裂的迹线的区域(参见例如图3D)。
一旦算法完成了设计网格瓦片，该设计可以以计算机可读格式存储并用于制造掩模或工具，然后将其用于构造网状电极，如本文其他地方进一步所述。
在一些实施方案中，提供了一种制造第二网格的方法，该第二网格被配置为重叠在第一网格的顶部上。当两个独立创建的网格重叠时，由于闭合的网格单元几何变化(有时称为聚类)，可能会出现一些聚集。为了最小化这点，除了生成种子点的步骤之外，可以以与第一网格相同的方式(例如，使用种子点生成Voronoi图、修改顶点位置以及弯曲迹线)来制造第二网格。第一网格的种子点可以被称为第一种子点，并且第二网格的种子点可以被称为第二种子点。在一些实施方案中，选择第二网格的第二种子点，使得当第二网格以第一网格和第二网格的期望取向重叠在第一网格的顶部上时，没有第二种子点与用于生成第一网格的第一种子点重合(例如，第一网格对应于第一电极600或第一电极600的阵列，并且第二网格对应于第二电极700或第二电极700的阵列)。在一些实施方案中，第二种子点被选择为S的至少75％(或60％至80％)，例如，彼此远离，以及另外地S的45％(或35％至55％)，例如，远离用于生成第一网格的第一种子点。图12示意性地示出了彼此重叠的第一网格780和第二网格785的部分。例如，第一网格780可以用于第一电极阵列中，并且第二网格785可以用于第二电极阵列中。没有第二种子点787与第一种子点782重合。
可以使用各种度量来量化不规则布置的多个顶点的不规则程度。例如，可以通过该布置的一个或多个对应几何参数的一个或多个变异系数来描述单元的顶点的布置。此外，复合变异系数可以定义为两个或更多个此类变异系数的总和。为了说明这些概念，将使用各种变异系数来描述顶点的各种布置。一个有用的变异系数是径向变异系数(COVR)，另一个是周边变异系数(COVP)。复合变异系数(COVC)是COVR和COVP的总和，也是有用的。
图13示出了用于定义COVR和COVP的各种距离。图13是闭合单元617的顶视图，闭合单元617包括连接多个导电迹线632的多个顶点622。每对相邻顶点在它们之间具有距离(欧几里德距离)，本文称为周边距离。距离P1和P2在图13中示出。闭合单元中的周边距离的数量等于单元的顶点的数量。在闭合单元617中有7个周边距离。多个顶点622具有质心630。顶点和质心630之间的距离在本文中称为径向距离。径向距离R1和R2在图13中示出。闭合单元中的径向距离的数量等于单元的顶点的数量。在闭合单元617中有7个径向距离。
COVR的计算可以根据以下步骤进行。首先，计算多个顶点的质心作为多个顶点中的顶点的位置的算术平均值。(根据几何中的标准定义，多个点(例如，顶点)的质心指的是计算为多个点的位置的算术平均值的点)。其次，对于每个顶点，计算(或测量)质心与该顶点之间的径向距离Rn。最后，计算所有顶点的径向距离的变异系数(标准偏差除以平均值)，给出COVR。根据其在统计中的标准定义，一组数字的标准偏差指的是数值与它们的平均值的平方偏差平均值的平方根。
COVP的计算可以根据以下步骤进行。首先，计算(或测量)单元的顶点与其相邻顶点之间的每个周边距离Pn(即，通过迹线连接)。接下来，计算所有周边距离的变异系数，得到COVP。
COVC的计算可以通过对COVR和COVP求和来进行。
对于任何单元的顶点，COVR，COVP和COVC中的每一者都是大于或等于零的数字。规则布置的多个顶点的特征在于COVR，COVP和COVC中的每一者等于零。不规则布置的多个顶点的特征在于COVR和COVP(以及因此COVC)中的一者或两者大于零。在一些实施方案中，COVR等于零并且COVP大于零。在一些实施方案中，COVP等于零并且COVR大于零。在一些实施方案中，COVR和COVP都大于零。不规则的量值可通过COVR、COVP和COVC的量值来描述。
在一些实施方案中，网格中至少大部分闭合单元(或至少60％，或至少80％，或至少90％，或所有闭合单元)的COVR至少为0.02，或至少0.04，或至少0.06，或至少0.08，或至少0.1，或至少0.2，或至少0.3。在一些实施方案中，网格中至少大部分闭合单元(或至少60％，或至少80％，或至少90％，或所有闭合单元)的COVR不超过0.4，或不超过0.3，或不超过0.2。在一些实施方案中，网格中每个闭合单元的COVR介于0.02和0.3之间，或介于0.04和0.2之间，或介于0.06和0.2之间。
在一些实施方案中，网格中至少大部分闭合单元(或至少60％，或至少80％，或至少90％，或所有闭合单元)的COVP至少为0.02，或至少0.04，或至少0.06，或至少0.08，或至少0.1，或至少0.2，或至少0.3。在一些实施方案中，网格中至少大部分闭合单元(或至少60％，或至少80％，或至少90％，或所有闭合单元)的COVP不超过0.7，或不超过0.6。在一些实施方案中，网格中每个闭合单元的COVP介于0.02和0.6之间，或介于0.04和0.5之间，或介于0.06和0.4之间。
在一些实施方案中，网格中至少大部分闭合单元(或至少60％，或至少80％，或至少90％，或所有闭合单元)的COVC至少为0.02，或至少0.04，或至少0.06，或至少0.08，或至少0.1，或至少0.2，或至少0.3，或至少0.4，或至少0.5。在一些实施方案中，网格中至少大部分闭合单元(或至少60％，或至少80％，或至少90％，或所有闭合单元)的COVC不超过0.8，或不超过0.7，或不超过0.6。在一些实施方案中，网格中每个闭合单元的COVC介于0.02和0.7之间，或介于0.05和0.6之间，或介于0.1和0.5之间。
在一些情况下，就COVR、COVP和COVC值中的一者或多者的分布来描述构成导电网格的多个单元是有用的。对于COVR分布，可以根据其标准定义确定百分位数值(例如，第十百分位数、第二十百分位数、第五十百分位数、第八十百分位数和第九十百分位数)。例如，具有第九十百分位数0.2的COVR分布的多个闭合单元意味着百分之九十的闭合单元具有小于0.2的COVR。类似地，可以确定COVP分布或COVC分布的百分位数值。
为了描述导电网格的单元面积，可以使用至少四种不同的测量。在第一种方法中，直接确定单元的面积，而不调整连接单元顶点的迹线的形状。该第一面积测量将被称为真实单元面积。例如，可以通过几何的标准方法、图像分析等来确定真实面积。在用于描述单元面积的第二种方法中，首先将多边形单元定义为通过将单元的顶点与直线迹线连接而给出的单元。在实施方案中，其中通过用曲线替换修改的Voronoi图的直线段来给出网格，多边形单元是修改的Voronoi图的单元。然后，在该第二种方法中，确定多边形单元的面积。该面积将被称为多边形单元面积。当实际单元由弯曲迹线限定时，多边形单元面积可以与真实单元面积不同。多边形单元面积可以例如通过几何的标准方法、图像分析等来确定。在第三种方法中，多个单元中的每个单元的真实单元面积除以所有多个单元的真实单元面积的平均值。除非另有说明，否则平均值是指未加权的算术平均值。该第三测量将被称为归一化真实单元面积。在第四种方法中，多个单元中的每个单元的多边形单元面积除以所有多个单元的多边形单元面积的平均值。该第四测量将被称为归一化多边形单元面积。
对于构成导电网格的多个单元，可以确定各自与多个单元相关的真实单元面积值的分布、多边形单元面积值的分布、归一化真实单元面积值的分布，以及归一化多边形单元面积的分布。可以根据它们的标准定义确定这些分布中任一个的百分位数值(例如，第十百分位数、第二十百分位数、第五十百分位数、第八十百分位数和第九十百分位数)。
在一些实施方案中，导电网格包括具有COVR分布的单元，其特征在于第九十百分位数为至少0.05，或至少0.1，或至少0.12，或至少0.18，或至少0.2。在一些实施方案中，第九十百分位数不超过0.30，或不超过0.25，或不超过0.20。在一些实施方案中，导电网格包括具有COVR分布的单元，其特征在于第十百分位数为至少0.02，或至少0.03，或至少0.04，或至少0.065。在一些实施方案中，第十百分位数不超过0.1，或不超过0.09，或不超过0.085，或不超过0.07。在一些实施方案中，导电网格包括具有COVR分布的单元，其特征在于第十百分位数为0.02至0.10并且第九十百分位数为0.05至0.30，或第十百分位数为0.03至0.09并且第九十百分位数为0.10至0.25，或第十百分位数为从0.04至0.07并且第九十百分位数为0.12至0.20。
在一些实施方案中，导电网格包括具有COVP分布的单元，其特征在于第九十百分位数为至少0.05，或至少0.1，或至少0.18，或至少0.2，或至少0.25，或至少0.3，或至少0.4，或至少0.5。在一些实施方案中，第九十百分位数不超过1.05，或不超过0.9，或不超过0.8，或不超过0.7，或不超过0.65，或不超过0.5。在一些实施方案中，导电网格包括具有COVP分布的单元，其特征在于第十百分位数为至少0.05，或至少0.1，或至少0.18且不超过0.35，或不超过0.33，或不超过0.30。在一些实施方案中，导电网格包括具有COVP分布的单元，其特征在于第10百分位数为0.05至0.35且第90百分位数为0.05至0.80，或第10百分位数为0.07至0.25且第90百分位数为0.20至0.65，或者第10百分位数从0.10到0.20且第90百分位数从0.30到0.50。在一些实施方案中，导电网格包括具有COVP分布的单元，其特征在于第十百分位数为0.18至0.33且第90百分位数为0.40至0.80，或第十百分位数为0.20至0.30且第九十百分位数为0.50至0.70。
在一些实施方案中，导电网格包括具有COVC分布的单元，其特征在于第九十百分位数为至少0.1，或至少0.25，或至少0.4，或至少0.5，或至少0.55。在一些实施方案中，第九十百分位数不超过1.05，或不超过0.9，或不超过0.7。在一些实施方案中，导电网格包括具有COVC分布的单元，所述COVC分布的特征在于第十百分位数为至少0.05，或至少0.1，或至少0.12，或至少0.15，或至少0.2，或至少0.25，或在至少0.3。在一些实施方案中，第十百分位数不超过0.5，或不超过0.4，或不超过0.35，或不超过0.3。在一些实施方案中，导电网格包括具有COVC分布的单元，其特征在于第十百分位数为0.10至0.50且第九十百分位数为0.10至1.05，或第十百分位数为0.12至0.40且第九十百分位数为0.25至0.90，或第十百分位数为0.15至0.30且第九十百分位数为0.40至0.70，或第十百分位数为0.25至0.50且第九十百分位数为0.55至1.05，或第十百分位数为0.30至0.40且第九十百分位数为0.60至0.90。
在一些实施方案中，导电网格包括具有归一化多边形单元面积分布的单元，其特征在于第九十百分位数小于1.50，或小于1.30，或小于1.25，或小于1.2，或小于1.15，或小于1.1。在一些实施方案中，导电网格包括具有归一化多边形单元面积分布的单元，其特征在于第十百分位数大于0.5，或大于0.7，或大于0.75，或大于0.8，或大于0.85，或大于0.9。在一些实施方案中，导电网格包括具有归一化多边形单元面积分布的单元，其特征在于第十百分位数大于0.50且第九十百分位数小于1.50，或第十百分位数大于0.70且第九十百分位数小于1.30，或第十百分位数大于0.85且第九十百分位数小于1.15，或第十百分位数大于0.75且第九十百分位数小于1.25，或第十百分位数大于0.80且第九十百分位数小于1.20，或第十百分位数大于0.85且第九十百分位数小于1.15，或第十百分位数大于0.90且第九十百分位数小于1.10。
表1给出了优选实施方案的归一化单元面积和变异系数的分布的性质，其中以使用75％的核心值的硬核Voronoi图技术开始，使用本文其他地方描述的迭代技术修改顶点的位置，并然后用曲线替换线段。表2示出了使用高斯拟合估计的类似性质，其与从US 9,320,136(Frey等人)的图5中所示的网格部分估计的分布类似。表3至表6分别示出了表1和表2的网格设计以及各种硬核Voronoi图的归一化多边形单元面积、COVR、COVP和COVC的分布数据。已经发现，使用至少45％，并且更优选至少60％的核心值，可以获得优选的结果。
表1
表2
表3—归一化多边形单元面积
表4—COVR
表5—COVP
表6—COVC
在使用本文其他地方描述的方法提供网格设计之后，可以使用任何合适的方法制备根据本说明书的导电网格、电极和电极阵列。用于制备网格的方法的示例包括删减法或添加法。示例性的删减法包括将图案化的掩模放置在设置于基底(例如，可见光透明的基底)上的金属涂层上，随后进行选择性蚀刻(其中将金属从未被掩模覆盖的金属涂层的区域中移除，而被掩模覆盖的金属涂层的区域中的金属保留)。合适的掩模包括光致抗蚀剂(如所属领域中已知，通过光刻法进行图案化)、印刷的聚合物，或者印刷的自组装单分子层(例如，使用微接触印刷技术进行印刷)。其他示例性删减法包括最初将图案化的剥离掩模(lift-off mask)放置在基底(例如，可见光透明的基底)上，用金属导体(例如，薄膜金属)对被掩模和不被掩模的区域进行表层涂覆，以及对剥离掩模和任何设置在其上的金属进行洗涤。示例性的添加工艺包括按照所需的网格几何形状的形式在基底(例如，可见光透明的基底)上印刷无电沉积催化剂，随后进行图案化无电金属沉积(例如，铜或镍)。
用于生成导电网格的优选方法包括微接触印刷或微接触印刷和蚀刻的组合。已经发现此类方法可用于制造具有所需网格参数的网格，该网格参数可包括迹线宽度(例如，0.5微米至10微米、0.5微米至5微米，或1微米至3微米)和迹线厚度(例如，0.001微米至2微米，0.05微米至1微米、0.075微米至0.5微米，或0.1微米至0.25微米)。
用于生成导电网格的其他方法包括将导电油墨或前体施加到基底表面，例如通过印刷(例如，柔性版印刷、凹版印刷、静电印刷或喷墨印刷)。合适的方法还包括将导电油墨或前体沉积到基底表面的预先形成的沟槽中的方法，例如，如美国专利6,951,666(Kodas等人)中所述。
在一些实施方案中，电极被配置为具有低反射率以便降低其可见度或者以便减少不期望的视觉效果。在一些实施方案中，迹线设置在基底的第一表面上，其中第一表面是纳米结构表面，当暴露于空气时是抗反射的，并且其中迹线在正交于并朝向基底的第一表面的方向上具有小于50％的镜面反射。包括具有导电迹线的网格图案的此类基底的制品描述于美国专利公布2013/0299214(Frey等人)中。在一些实施方案中，迹线由多层材料形成，该多层材料依次包括半反射性金属、透明层和反射层。此类迹线描述于美国专利9,320,136(Frey等人)中。
在具有当暴露于空气时抗反射的纳米结构表面的基底的情况下，可以如下制造导电网格：提供基底(例如，可见光透明基底)，其包括表面，该表面为纳米结构并且当暴露于空气时是抗反射的；将金属导体沉积(例如，通过溅射或者通过蒸镀)到所述表面上；使用弹性压模按照一定图案印刷自组装单分子层(SAM)；并且最终金属被从不具有SAM的沉积金属区域蚀刻，而不从包括SAM的沉积金属区域被蚀刻。
在多层材料导体的情况下，导电网格可以如下制造：提供具有主表面的基底(例如，可见光透明基底)；将半反射性金属沉积在基底表面上(在一些情况下为厚度介于1纳米和20纳米之间的钛)；在半反射性金属上沉积透明材料(在一些情况下，SiO2的厚度在50纳米和100纳米之间)；将不透明的反射性金属沉积在透明材料上(在一些情况下首先沉积Ti金属导体来作为厚度介于5埃和5纳米之间的粘附力促进层，随后沉积厚度介于50纳米和250纳米之间的银)；使用弹性压模按照一定图案印刷自组装单分子层(SAM)；并且最终从不具有SAM的沉积金属区域蚀刻银，而不从包括SAM的沉积金属区域对银进行蚀刻；在蚀刻的第二阶段，将不透明的反射性金属下方材料的后续层从不具有SAM的沉积金属区域进行蚀刻，而不从包括SAM的沉积金属区域进行蚀刻。
例如，用于单层迹线或用作多层迹线中的不透明高反射层的合适金属包括银、钯、铂、铝、铜、钼、镍、锡、钨、合金，以及它们的组合。用于多层迹线中的半反射性金属层的合适金属包括钛、铬、铝、镍、铜、金、钼、铂、铑、银、钨、钴、铁、锗、铪、钯、铼、钒、硅、硒、钽、钇、锆，以及它们的组合和合金。用于多层迹线中的透明材料的合适材料包括丙烯酸聚合物、SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、HfO2、Sc2O3、La2O3、ThO2、Y2O3、CeO2、MgO、Ta2O5以及它们的组合。在一些实施方案中，半反射性金属包括铬或钛，不透明且反射性金属包括银或铝，并且透明材料包括丙烯酸聚合物、SiO2或TiO2。
以下为本说明书的示例性实施方案的列表。
实施方案1是一种连续导电电极，所述连续导电电极包括：
导电第一网格，其跨所述电极重复以形成所述第一网格的二维规则阵列，所述第一网格包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点；和
导电第二网格，其不同于所述第一网格并且包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点，其中所述第一网格和第二网格中的至少一者的每个闭合单元中的所述多个顶点中的所述顶点不规则布置。
实施方案2是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格和第二网格中的每一者的每个单元中的所述多个顶点中的所述顶点不规则布置。
实施方案3是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格和第二网格中的至少一者包括至少一个开放单元。
实施方案4是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述多个导电迹线中的每个迹线是弯曲的。
实施方案5是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述多个导电迹线中的大部分迹线中的每一个都是弯曲的。
实施方案6是根据实施方案1所述的连续导电电极，还包括不同于所述第一网格和第二网格并且包括多个导电闭合单元的导电第三网格，所述第三网格中的每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点。
实施方案7是根据实施方案6所述的连续导电电极，其中所述第一网格、第二网格和第三网格中的每一者的每个单元中的所述多个顶点中的所述顶点是不规则布置的。
实施方案8是根据实施方案1至7中任一项所述的连续导电电极，其中所述多个导电迹线中的每一个中的每个迹线是弯曲的。
实施方案9是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格包括在所述第一网格的周边处的多个开放单元，使得对于所述多个开放单元中的至少一个第一开放单元，在所述多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿至少一个方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成组合闭合单元。
实施方案10是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.02的径向变异系数，所述径向变异系数是从闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案11是根据实施方案10所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.04的径向变异系数。
实施方案12是根据实施方案10所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.08的径向变异系数。
实施方案13是根据实施方案10所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.2的径向变异系数。
实施方案14是根据实施方案1至13中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有不超过0.3的径向变异系数。
实施方案15是根据实施方案14所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有不超过0.2的径向变异系数。
实施方案16是根据实施方案1至15中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.02的周边变异系数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述距离的平均值。
实施方案17是根据实施方案16所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.04的周边变异系数。
实施方案18是根据实施方案16所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.08的周边变异系数。
实施方案19是根据实施方案16所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.2的周边变异系数。
实施方案20是根据实施方案1至19中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有不超过0.6的周边变异系数。
实施方案21是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.02的复合变异系数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案22是根据实施方案21所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.04的复合变异系数。
实施方案23是根据实施方案21所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.08的复合变异系数。
实施方案24是根据实施方案21所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.2的复合变异系数。
实施方案25是根据实施方案1至24中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有不超过0.8的复合变异系数。
实施方案26是根据实施方案1至24中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有不超过0.6的复合变异系数。
实施方案27是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有径向变异系数的分布，其具有在0.05至0.30的范围内的第九十百分位数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案28是根据实施方案27所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数至少为0.1。
实施方案29是根据实施方案27所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数至少为0.18。
实施方案30是根据实施方案27至29中任一项所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数不超过0.25。
实施方案31是根据实施方案27至30中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有径向变异系数的分布，其具有在0.02至0.1的范围内的第十百分位数。
实施方案32是根据实施方案31所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数在0.03至0.09的范围内。
实施方案33是根据实施方案32所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数在0.04至0.085的范围内。
实施方案34是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有周边变异系数的分布，其具有在0.05至0.80的范围内的第九十百分位数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案35是根据实施方案34所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数至少为0.2。
实施方案36是根据实施方案34所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数至少为0.4。
实施方案37是根据实施方案34所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数至少为0.5。
实施方案38是根据实施方案34至37中任一项所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数不超过0.7。
实施方案39是根据实施方案34至37中任一项所述的连续导电电极，其中所述周边变异系数的分布具有在0.05至0.35的范围内的第十百分位数。
实施方案40是根据实施方案39所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数至少为0.1。
实施方案41是根据实施方案39所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数至少为0.18。
实施方案42是根据实施方案39所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数不超过0.33。
实施方案43是根据实施方案39所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数不超过0.30。
实施方案44是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.1至1.05的范围内的第九十百分位数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案45是根据实施方案44所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数至少为0.25。
实施方案46是根据实施方案44所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数至少为0.55。
实施方案47是根据实施方案44至46中任一项所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数不超过0.9。
实施方案48是根据实施方案44至47中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.05至0.5的范围内的第十百分位数。
实施方案49是根据实施方案48所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数至少为0.1。
实施方案50是根据实施方案48所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数不超过0.35。
实施方案51是根据实施方案1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有归一化多边形单元面积分布，其特征在于第九十百分位数小于1.50。
实施方案52是根据实施方案51所述的连续导电电极，其中所述第九十百分位数小于1.3。
实施方案53是根据实施方案51至52中任一项所述的连续导电电极，其中所述归一化多边形单元面积分布具有大于0.5的第十百分位数。
实施方案54是根据实施方案53所述的连续导电电极，其中所述第十百分位数大于0.7。
实施方案55是一种连续导电平铺电极，所述连续导电平铺电极包括沿第一方向布置的第一多个瓦片，并且包括第一多对相邻瓦片，使得所述第一多对相邻瓦片中的每对相邻瓦片包括共同边界和相同的多个不规则布置的导电迹线，每个导电迹线在交叉点处跨所述共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数。
实施方案56是根据实施方案55所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片中的每个瓦片包括沿与相邻瓦片的所述共同边界的多个导电开放单元。
实施方案57是根据实施方案56所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片中的每个瓦片中的至少一个开放单元与所述共同边界处的相邻瓦片的开放单元组合以形成组合闭合单元。
实施方案58是根据实施方案55所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片中的每个瓦片包括沿所述瓦片的周边的多个开放单元，使得对于所述周边处的每个第一开放单元，存在所述周边处的不同的第二开放单元，当沿所述第一方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成包括多个不规则布置的顶点的组合闭合单元。
实施方案59是根据实施方案55所述的连续导电平铺电极，还包括沿不同于所述第一方向的第二方向布置的第二多个瓦片，并且包括第二多对相邻瓦片，使得所述第二多对相邻瓦片中的每对相邻瓦片包括共同边界和相同的多个不规则布置的导电迹线，每个导电迹线在交叉点处跨所述共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数。
实施方案60是根据实施方案59所述的连续导电平铺电极，其中所述第二多个瓦片中的每个瓦片包括沿所述瓦片的周边的多个开放单元，使得对于所述周边处的每个第三开放单元，存在所述周边处的不同的第四开放单元，当沿所述第二方向线性平移时，所述不同的第四开放单元与所述第三开放单元组合以形成包括多个不规则布置的顶点的组合闭合单元。
实施方案61是根据实施方案59所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片和第二多个瓦片布置在矩形栅格上。
实施方案62是根据实施方案59所述的连续导电平铺电极，还包括沿不同于所述第一方向和第二方向的第三方向布置的第三多个瓦片，并包括第三多对相邻瓦片，使得所述第三多个相邻瓦片中的每对相邻瓦片包括共同边界和相同的多个不规则布置的导电迹线，每个导电迹线在交叉点处跨所述共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数。
实施方案63是根据实施方案62所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片、第二多个瓦片和第三多个瓦片布置在六边形栅格上。
实施方案64是根据实施方案55所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片中的每个瓦片包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点。
实施方案65是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中在大部分闭合单元中的每一个中的所述多个顶点中的所述顶点是不规则布置的。
实施方案66是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中闭合单元中的每一个中的所述多个顶点中的所述顶点是不规则布置的。
实施方案67是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中在大部分闭合单元中的每一个中的所述多个导电迹线中的每个迹线是弯曲的。
实施方案68是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中所述闭合单元中的每一个中的所述多个导电迹线中的每个迹线是弯曲的。
实施方案69是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.3的范围内的径向变异系数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案70是根据实施方案64至69中任一项所述的连续导电平铺电极，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.6的范围内的周边变异系数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述距离的平均值。
实施方案71是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.8的范围内的复合变异系数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案72是根据实施方案64所述的连续导电平铺，其中闭合单元具有径向变异系数的分布，其具有在0.05至0.30的范围内的第九十百分位数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案73是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中闭合单元具有周边变异系数的分布，其具有在0.05至0.80的范围内的第九十百分位数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案74是根据实施方案73所述的连续导电平铺电极，其中所述周边变异系数的分布具有在0.05至0.35的范围内的第十百分位数。
实施方案75是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.1至1.05的范围内的第九十百分位数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案76是根据实施方案75所述的连续导电平铺电极，其中所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.05至0.5的范围内的第十百分位数。
实施方案77是根据实施方案64所述的连续导电平铺电极，其中所述闭合单元具有归一化多边形单元面积分布，其特征在于第九十百分位数小于1.50。
实施方案78是根据实施方案77所述的连续导电平铺电极，其中所述归一化多边形单元面积分布具有大于0.5的第十百分位数。
实施方案79是一种连续导电电极，所述连续导电电极包括导电第一网格，所述导电第一网格跨所述电极重复以形成所述第一网格的二维规则阵列，所述第一网格包括多个导电闭合单元，所述多个闭合单元中的大部分闭合单元中的每一个包括连接多个导电弯曲迹线的多个不规则布置的顶点。
实施方案80是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述多个闭合单元中的每个闭合单元包括连接多个导电弯曲迹线的多个不规则布置的顶点。
实施方案81是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格中的所述多个导电闭合单元中的所述闭合单元不规则布置。
实施方案82是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中每个闭合单元的每个弯曲迹线包括沿所述弯曲迹线的整个长度的连续一阶导数。
实施方案83是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述二维规则阵列是矩形阵列。
实施方案84是根据实施方案83所述的连续导电电极，其中所述矩形阵列是正方形阵列。
实施方案85是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述二维规则阵列是六边形阵列。
实施方案86是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格包括至少一个开放单元。
实施方案87是根据实施方案79所述的连续导电电极，还包括与所述第一网格不同的导电第二网格，所述第二网格电连接所述第一网格的所述阵列。
实施方案88是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述阵列直接电互连。
实施方案89是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述阵列中的每个第一网格与所述第一网格的所述阵列中的相邻第一网格共享共同边界，使得所述第一网格中的至少一个开放单元与沿所述共同边界的所述相邻第一网格中的开放单元组合以形成组合闭合单元。
实施方案90是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格包括在第一网格的周边处的多个开放单元，使得对于所述多个开放单元中的至少一个第一开放单元，在所述多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿第一方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成组合闭合单元。
实施方案91是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.3的范围内的径向变异系数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案92是根据实施方案79至91中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.6的范围内的周边变异系数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述距离的平均值。
实施方案93是根据实施方案79至92中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.8的范围内的复合变异系数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案94是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有径向变异系数的分布，其具有在0.05至0.30的范围内的第九十百分位数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案95是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有周边变异系数的分布，其具有在0.05至0.80的范围内的第九十百分位数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案96是根据实施方案95所述的连续导电电极，其中所述周边变异系数的所述分布具有在0.05至0.35的范围内的第十百分位数。
实施方案97是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.1至1.05的范围内的第九十百分位数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案98是根据实施方案97所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.05至0.5的范围内的第十百分位数。
实施方案99是根据实施方案79所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有归一化多边形单元面积分布，其特征在于第九十百分位数小于1.50。
实施方案100是根据实施方案99所述的连续导电电极，其中所述归一化多边形单元面积分布具有大于0.5的第十百分位数。
实施方案101是一种连续导电网格，所述连续导电网格包括连接多个导电迹线的多个顶点，使得所述网格可以被分成多个相同尺寸和形状的栅格单元，形成连续二维栅格，其中每个栅格单元的周边与所述多个导电迹线中的多个不规则布置的导电迹线相交而不穿过所述多个顶点中的顶点。
实施方案102是根据实施方案101所述的连续导电网格，其中大部分导电迹线中的每一个都是弯曲的。
实施方案103是根据实施方案101所述的连续导电网格，其中所述导电迹线中的每一个是弯曲的。
实施方案104是根据实施方案101所述的连续导电网格，其中相同尺寸和形状的栅格单元是矩形的。
实施方案105是根据实施方案104所述的连续导电网格，其中相同尺寸和形状的栅格单元是正方形的。
实施方案106是根据实施方案101所述的连续导电网格，其中相同尺寸和形状的栅格单元是六边形的。
实施方案107是根据实施方案101所述的连续导电网格，其中每个栅格单元包括相同的第一网格。
实施方案108是根据实施方案107所述的连续导电网格，其中所述第一网格包括在所述第一网格的周边处的多个开放单元，使得对于所述多个开放单元中的至少一个第一开放单元，在所述多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿一个方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成组合闭合单元。
实施方案109是根据实施方案101所述的连续导电网格，其中所述多个导电迹线中的每个迹线沿所述迹线的整个长度具有连续一阶导数。
实施方案110是根据实施方案101所述的连续导电网格，其中每个栅格单元包括相同的多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个不规则布置的顶点。
实施方案111是根据实施方案110所述的连续导电网格，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.3的范围内的径向变异系数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案112是根据实施方案110至111中任一项所述的连续导电网格，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.6的范围内的周边变异系数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述距离的平均值。
实施方案113是根据实施方案110所述的连续导电网格，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.8的范围内的复合变异系数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案114是根据实施方案110所述的连续导电网格，其中所述闭合单元具有径向变异系数的分布，其具有在0.05至0.30的范围内的第九十百分位数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案115是根据实施方案110所述的连续导电网格，其中所述闭合单元具有周边变异系数的分布，其具有在0.05至0.80的范围内的第九十百分位数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案116是根据实施方案115所述的连续导电网格，其中周边变异系数的所述分布具有在0.05至0.35的范围内的第十百分位数。
实施方案117是根据实施方案110所述的连续导电网格，其中所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.1至1.05的范围内的第九十百分位数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案118是根据实施方案117所述的连续导电平铺电极，其中所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.05至0.5的范围内的第十百分位数。
实施方案119是根据实施方案110所述的连续导电网格，其中所述闭合单元具有归一化多边形单元面积分布，其特征在于第九十百分位数小于1.50。
实施方案120是根据实施方案119所述的连续导电网网格，其中所述归一化多边形单元面积分布具有大于0.5的第十百分位数。
实施方案121是一种电容式触敏装置，所述电容式触敏装置被配置为通过检测耦合电容的变化来检测所施加的触摸的位置，所述电容式触敏装置包括：
触敏查看区域；
多个间隔开的导电第一电极，所述多个间隔开的导电第一电极设置在所述触敏查看区域中，并且沿第一方向延伸；和
多个间隔开的导电第二电极，所述多个间隔开的导电第二电极设置在所述触敏查看区域中，并且沿不同的第二方向延伸；
所述第一电极和第二电极中的至少一者包括导电第一网格，所述导电第一网格跨所述电极重复以形成所述第一网格的规则阵列，所述第一网格包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个不规则布置的顶点。
实施方案122是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中大部分导电迹线中的每一个都是弯曲的。
实施方案123是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述导电迹线中的每一个是弯曲的。
实施方案124是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述多个间隔开的导电第一电极中的所述第一电极沿所述第二方向间隔开，并且所述多个间隔开的导电第二电极中的所述第二电极沿所述第一方向间隔开。
实施方案125是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一电极中的至少一个包括所述导电第一网格，所述导电第一网格跨所述电极重复以形成所述第一网格的所述规则阵列，并且所述第二电极中的至少一个包括导电第二网格，所述导电第二网格跨所述电极重复以形成所述第二网格的规则阵列，所述第二网格包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个不规则布置的顶点。
实施方案126是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一电极和第二电极中的所述至少一个还包括与所述第一网格不同的导电第二网格，所述第二网格电连接所述第一网格的所述阵列。
实施方案127是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的阵列直接电互连。
实施方案128是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的所述阵列中的每个第一网格与所述第一网格的所述阵列中的相邻第一网格共享共同边界，使得所述第一网格中的至少一个开放单元与沿所述共同边界的所述第一网格中的另一个开放单元组合以形成组合闭合单元。
实施方案129是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格包括在所述第一网格的周边处的多个开放单元，使得对于所述多个开放单元中的至少一个第一开放单元，在所述多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿至少一个方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成组合闭合单元。
实施方案130是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.3的范围内的径向变异系数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案131是根据实施方案121至130中任一项所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.6的范围内的周边变异系数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述距离的平均值。
实施方案132是根据实施方案121至131中任一项所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.8的范围内的复合变异系数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案133是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的所述闭合单元具有径向变异系数的分布，其具有在0.05至0.30的范围内的第九十百分位数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案134是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的所述闭合单元具有周边变异系数的分布，其具有在0.05至0.80的范围内的第九十百分位数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案135是根据实施方案134所述的电容式触敏装置，其中周边变异系数的分布在0.05至0.35的范围内具有第十百分位数。
实施方案136是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.1至1.05的范围内的第九十百分位数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案137是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.05至0.5的范围内的第十百分位数。
实施方案138是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中所述第一网格的所述闭合单元具有归一化多边形单元面积分布，其特征在于第九十百分位数小于1.50。
实施方案139是根据实施方案138所述的电容式触敏装置，其中所述归一化多边形单元面积分布具有大于0.5的第十百分位数。
实施方案140是根据实施方案121所述的电容式触敏装置，其中每个导电迹线包括沿所述导电迹线的整个长度的连续一阶导数。
实施方案141是一种设计网格瓦片的方法，所述网格瓦片被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格，所述方法包括以下步骤：
提供网格瓦片的周边；
在所述周边内以及远离所述周边形成多个闭合单元，每个闭合单元包括连接多个迹线的多个顶点；以及
沿所述周边形成多个开放单元，每个开放单元包括终止于所述周边的至少一个迹线，使得当所述网格瓦片沿至少第一方向重复地平铺以沿所述至少第一方向形成平铺网格时，对于其所述周边的部分彼此重叠以形成相邻网格瓦片的共同边界的每对所述相邻网格瓦片，所述相邻网格瓦片中的所述共同边界处的至少多对对应开放单元中的每一对组合以形成对应的组合闭合单元。
实施方案142是根据实施方案141所述的方法，其中所述组合闭合单元包括至少一个迹线，所述至少一个迹线在交叉点处跨所述共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数。
实施方案143是根据实施方案141所述的方法，其中所述组合闭合单元包括所述共同边界上的至少一个顶点。
实施方案144是根据实施方案141所述的方法，其中形成所述多个闭合单元包括在所述周边内限定多个第一种子点并使用所述第一种子点构造Voronoi图。
实施方案145是根据实施方案144所述的方法，其中所述Voronoi图包括相邻顶点之间的顶点和直线，所述方法还包括修改所述Voronoi图的所述顶点的位置以提供第一修改的Voronoi图。
实施方案146是根据实施方案145所述的方法，还包括用曲线替换所述第一修改的Voronoi图的所述直线以提供第二修改的Voronoi图。
实施方案147是根据实施方案146所述的方法，其中所述多个闭合单元的所述多个顶点和所述多个迹线分别由所述第二修改的Voronoi图的所述顶点和曲线限定。
实施方案148是根据实施方案144所述的方法，还包括设计第二网格瓦片，其中设计所述第二网格瓦片包括在所述第二网格瓦片的周边内限定多个第二种子点并使用所述第二种子点构造第二Voronoi图，其中当所述第二网格瓦片在所述第一网格瓦片和第二网格瓦片的期望取向上重叠在所述第一网格瓦片上时，所述多个第二种子点中的种子点与所述多个第一种子点中的种子点不重合。
实施方案149是一种制造电极的方法，所述方法包括：
根据实施方案141所述的方法设计网格瓦片；
重复所述网格瓦片以形成所述电极。
实施方案150是根据实施方案141所述的方法，还包括在周边内以及远离周边形成多个开放单元。
实施方案151是一种制造电极阵列的方法，所述方法包括：
根据实施方案150所述的方法设计网格瓦片；
重复所述网格瓦片以形成所述电极阵列，其中所述电极阵列中的相邻电极之间的区域包括在所述网格瓦片的周边内以及远离所述网格瓦片的所述周边的多个开放单元。实施方案152是一种制造触摸传感器的方法，所述方法包括：
根据实施方案151所述的方法制造第一电极阵列，所述第一电极阵列包括在第一方向上延伸的电极；
制造第二电极阵列，所述第二电极阵列包括在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的电极，
其中制造所述第二电极阵列包括设计第二网格瓦片，其中设计所述第二网格瓦片包括在所述第二网格瓦片的周边内限定多个第二种子点并使用所述第二种子点构造第二Voronoi图，其中当所述第二网格瓦片在所述第一网格瓦片和第二网格瓦片的期望取向上重叠在所述第一网格瓦片上时，所述多个第二种子点中的种子点与所述多个第一种
子点中的种子点不重合。
实施方案153是根据实施方案141所述的方法，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.3的范围内的径向变异系数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案154是根据实施方案141所述的方法，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.6的范围内的周边变异系数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述距离的平均值。
实施方案155是根据实施方案141所述的方法，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.8的范围内的复合变异系数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案156是根据实施方案141所述的方法，其中所述闭合单元具有径向变异系数的分布，其具有在0.05至0.30的范围内的第九十百分位数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案157是根据实施方案141所述的方法，其中所述闭合单元具有周边变异系数的分布，其具有在0.05到0.80的范围内的第九十百分位数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案158是根据实施方案157所述的方法，其中周边变异系数的分布具有0.05至0.35的范围内的第十百分位数。
实施方案159是根据实施方案141所述的方法，其中闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.1至1.05的范围内的第九十百分位数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案160是根据实施方案159所述的方法，其中所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.05至0.5的范围内的第十百分位数。
实施方案161是根据实施方案141所述的方法，其中所述闭合单元具有归一化多边形单元面积分布，其特征在于第九十百分位数小于1.50。
实施方案162是根据实施方案161所述的方法，其中所述归一化多边形单元面积分布具有大于0.5的第十百分位数。
实施方案163是一种网格瓦片，所述网格瓦片被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格，所述网格瓦片包括：
周边；
在周边内以及远离所述周边的多个闭合单元，每个闭合单元包括连接多个迹线的多个顶点；和
沿所述周边的多个开放单元，每个开放单元包括终止于所述周边的至少一个迹线，使得当所述网格瓦片沿至少第一方向重复地平铺以沿所述至少第一方向形成平铺网格时，对于其所述周边的部分彼此重叠以形成相邻网格瓦片的共同边界的每对所述相邻网格瓦片，所述相邻网格瓦片中的所述共同边界处的至少多对对应开放单元中的每一对组合以形成对应的组合闭合单元，其中对于至少多个组合闭合单元中的每一个，所述组合闭合单元包括多个不规则布置的顶点。
实施方案164是根据实施方案163所述的网格瓦片，其中所述组合闭合单元包括至少一个迹线，所述至少一个迹线在交叉点处跨共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数。
实施方案165是根据实施方案163所述的网格瓦片，其中所述组合闭合单元包括所述共同边界上的至少一个顶点。
实施方案166是根据实施方案163所述的网格瓦片，其中所述组合闭合单元包括至少一个迹线，所述至少一个迹线在交叉点处跨所述共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数，并且在所述共同边界上具有至少一个顶点。
实施方案167是根据实施方案163所述的网格瓦片，其被配置为沿不同于所述第一方向的第二方向重复地平铺。
实施方案168是根据实施方案167所述的网格瓦片，其被配置为沿不同于所述第一方向和第二方向的第三方向重复地平铺。
实施方案169是根据实施方案163所述的网格瓦片，其中所述闭合单元的大部分迹线中的每一个都是弯曲的。
实施方案170是根据实施方案163所述的网格瓦片，其中所述闭合单元的所述迹线中的每一个都是弯曲的。
实施方案171是一种网格瓦片，所述网格瓦片被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格，所述网格瓦片包括：
周边；
在所述周边内以及远离所述周边的多个闭合单元，每个闭合单元包括连接多个迹线的多个顶点；和
沿所述周边的多个开放单元，每个开放单元包括终止于所述周边的至少一个迹线，使得对于沿所述周边的所述多个开放单元中的每个第一开放单元，在沿所述周边的所述多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿至少一个方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成包括多个不规则布置的顶点的组合闭合单元。
实施方案172是根据实施方案171所述的网格瓦片，其中当沿所述第一方向线性平移时，所述第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成所述组合闭合单元。
实施方案173是根据实施方案171所述的网格瓦片，其被配置为沿所述第一方向和不同的第二方向重复地平铺以形成所述连续平铺网格。
实施方案174是根据实施方案173所述的网格瓦片，其中对于所述多个开放单元中的至少一个第三开放单元，在所述周边处存在不同的第四开放单元，当沿所述第二方向线性平移时，所述不同的第四开放单元与所述第三开放单元组合以形成组合闭合单元。
实施方案175是根据实施方案171所述的网格瓦片，其中所述闭合单元的大部分迹线中的每一个都是弯曲的。
实施方案176是根据实施方案171所述的网格瓦片，其中所述闭合单元的所述迹线中的每一个都是弯曲的。
实施方案177是根据实施方案171所述的网格拼片，其中每个闭合单元的每个迹线包括沿所述迹线的整个长度的连续一阶导数。
实施方案178是根据实施方案171所述的网格瓦片，其中所述组合闭合单元包括至少一个迹线，所述至少一个迹线在交叉点处跨所述共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数。
实施方案179是根据实施方案171所述的网格瓦片，其中所述组合闭合单元包括所述共同边界上的至少一个顶点。
实施方案180是根据实施方案171所述的网格瓦片，其中所述组合闭合单元包括至少一个迹线，所述至少一个迹线在交叉点处跨所述共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数，并且在所述共同边界上具有至少一个顶点。
实施方案181是根据实施方案163至180中任一项所述的网格瓦片，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.3的范围内的径向变异系数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案182是根据实施方案163至180中任一项所述的网格瓦片，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.6的范围内的周边变异系数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述距离的平均值。
实施方案183是根据实施方案163至180中任一项所述的网格瓦片，其中大部分闭合单元中的每一个具有在0.02至0.8的范围内的复合变异系数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案184是根据实施方案163至180中任一项所述的网格瓦片，其中所述闭合单元具有径向变异系数的分布，其具有在0.05至0.30的范围内的第九十百分位数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
实施方案185是根据实施方案163至180中任一项所述的网格瓦片，其中所述闭合单元具有周边变异系数的分布，其具有在0.05至0.80的范围内的第九十百分位数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案186是根据实施方案185所述的网格瓦片，其中所述周边变异系数的分布具有在0.05至0.35的范围内的第十百分位数。
实施方案187是根据实施方案163至180中任一项所述的网格瓦片，其中所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.1至1.05的范围内的第九十百分位数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
实施方案188是根据实施方案187所述的网格瓦片，其中所述闭合单元具有复合变异系数的分布，其具有在0.05至0.5的范围内的第十百分位数。
实施方案189是根据实施方案163至180中任一项所述的网格瓦片，其中所述闭合单元具有归一化多边形单元面积分布，其特征在于第九十百分位数小于1.50。
实施方案190是根据实施方案189所述的网格瓦片，其中所述归一化多边形单元面积分布具有大于0.5的第十百分位数。
实施方案191是一种连续导电平铺电极，包括根据实施方案163至190中任一项所述的网格瓦片的二维规则阵列。
实施方案192是根据实施方案171所述的网格瓦片，还包括在所述周边的拐角处的第二多个开放单元。
除非另外指明，否则针对附图中元件的描述应被理解为同样应用于其他附图中的对应元件。虽然本文已经例示并描述了具体实施方案，但本领域的普通技术人员将会知道，在不脱离本公开范围的情况下，可用多种另选的和/或等同形式的具体实施来代替所示出和所描述的具体实施方案。本申请旨在涵盖本文所讨论的具体实施方案的任何改型或变型。因此，本公开旨在仅受权利要求及其等同形式的限制。

Claims (21)

1.一种连续导电电极，所述连续导电电极包括：
导电第一网格，所述导电第一网格跨所述电极重复以形成所述第一网格的二维规则阵列，所述第一网格包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点；和
导电第二网格，所述导电第二网格不同于所述第一网格并且包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个顶点，其中所述第一网格和所述第二网格中的至少一者的每个闭合单元中的所述多个顶点中的所述顶点不规则布置。
2.根据权利要求1所述的连续导电电极，其中所述第一网格包括在所述第一网格的周边处的多个开放单元，使得对于所述多个开放单元中的至少一个第一开放单元，在所述多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿至少一个方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成组合闭合单元。
3.根据权利要求1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.02的径向变异系数，所述径向变异系数是从闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.02的周边变异系数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以所述距离的平均值。
5.根据权利要求1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的大部分闭合单元中的每一个具有至少0.02的复合变异系数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从所述闭合单元的所述多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
6.根据权利要求1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有径向变异系数的分布，所述径向变异系数的分布具有在0.05至0.30的范围内的第九十百分位数，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值。
7.根据权利要求1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有周边变异系数的分布，所述周边变异系数的分布具有在0.05至0.80的范围内的第九十百分位数，所述周边变异系数是闭合单元的多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
8.根据权利要求1所述的连续导电电极，其中所述第一网格的所述闭合单元具有复合变异系数的分布，所述复合变异系数的分布具有在0.1至1.05的范围内的第九十百分位数，所述复合变异系数是径向变异系数和周边变异系数的总和，所述径向变异系数是从闭合单元的多个顶点的质心到所述闭合单元的所述多个顶点的径向距离的标准偏差除以所述径向距离的平均值，所述周边变异系数是所述闭合单元的所述多个顶点中的相邻顶点之间的距离的标准偏差除以相邻顶点之间的所述距离的平均值。
9.一种连续导电平铺电极，所述连续导电平铺电极包括沿第一方向布置的第一多个瓦片，并且包括第一多对相邻瓦片，使得所述第一多对相邻瓦片中的每对相邻瓦片包括共同边界和相同的多个不规则布置的导电迹线，每个导电迹线在交叉点处跨所述共同边界延伸并且在所述交叉点处具有连续一阶导数。
10.根据权利要求9所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片中的每个瓦片包括沿与相邻瓦片的所述共同边界的多个导电开放单元。
11.根据权利要求10所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片中的每个瓦片中的至少一个开放单元与所述共同边界处的相邻瓦片的开放单元组合以形成组合闭合单元。
12.根据权利要求9所述的连续导电平铺电极，其中所述第一多个瓦片中的每个瓦片包括沿所述瓦片的周边的多个开放单元，使得对于所述周边处的每个第一开放单元，存在所述周边处的不同的第二开放单元，当沿所述第一方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成包括多个不规则布置的顶点的组合闭合单元。
13.一种连续导电电极，所述连续导电电极包括导电第一网格，所述导电第一网格跨所述电极重复以形成所述第一网格的二维规则阵列，所述第一网格包括多个导电闭合单元，所述多个闭合单元中的大部分闭合单元中的每一个包括连接多个导电弯曲迹线的多个不规则布置的顶点。
14.根据权利要求13所述的连续导电电极，其中所述第一网格包括在所述第一网格的周边处的多个开放单元，使得对于所述多个开放单元中的至少一个第一开放单元，在所述多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿第一方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成组合闭合单元。
15.一种连续导电网格，所述连续导电网格包括连接多个导电迹线的多个顶点，使得所述网格能够被分成多个相同尺寸和形状的栅格单元，形成连续二维栅格，其中每个栅格单元的周边与所述多个导电迹线中的多个不规则布置的导电迹线相交而不穿过所述多个顶点中的顶点。
16.根据权利要求15所述的连续导电网格，其中所述多个导电迹线中的每个迹线沿所述迹线的整个长度具有连续一阶导数。
17.一种电容式触敏装置，所述电容式触敏装置被配置为通过检测耦合电容的变化来检测所施加的触摸的位置，所述电容式触敏装置包括：
触敏查看区域；
多个间隔开的导电第一电极，所述多个间隔开的导电第一电极设置在所述触敏查看区域中，并且沿第一方向延伸；和
多个间隔开的导电第二电极，所述多个间隔开的导电第二电极设置在所述触敏查看区域中，并且沿不同的第二方向延伸；
所述第一电极和所述第二电极中的至少一者包括导电第一网格，所述导电第一网格跨所述电极重复以形成所述第一网格的规则阵列，所述第一网格包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个不规则布置的顶点。
18.根据权利要求17所述的电容式触敏装置，其中所述第一电极中的至少一个包括所述导电第一网格，所述导电第一网格跨所述电极重复以形成所述第一网格的所述规则阵列，并且所述第二电极中的至少一个包括导电第二网格，所述导电第二网格跨所述电极重复以形成所述第二网格的规则阵列，所述第二网格包括多个导电闭合单元，每个闭合单元包括连接多个导电迹线的多个不规则布置的顶点。
19.一种设计网格瓦片的方法，所述网格瓦片被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格，所述方法包括以下步骤：
提供网格瓦片的周边；
在所述周边内以及远离所述周边形成多个闭合单元，每个闭合单元包括连接多个迹线的多个顶点；以及
沿所述周边形成多个开放单元，每个开放单元包括终止于所述周边的至少一个迹线，使得当所述网格瓦片沿至少第一方向重复地平铺以沿所述至少第一方向形成平铺网格时，对于其所述周边的部分彼此重叠以形成相邻网格瓦片的共同边界的每对所述相邻网格瓦片，所述相邻网格瓦片中的所述共同边界处的至少多对对应开放单元中的每一对组合以形成对应的组合闭合单元。
20.一种网格瓦片，所述网格瓦片被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格，所述网格瓦片包括：
周边；
在所述周边内以及远离所述周边的多个闭合单元，每个闭合单元包括连接多个迹线的多个顶点；和
沿所述周边的多个开放单元，每个开放单元包括终止于所述周边的至少一个迹线，使得当所述网格瓦片沿至少第一方向重复地平铺以沿所述至少第一方向形成平铺网格时，对于其所述周边的部分彼此重叠以形成相邻网格瓦片的共同边界的每对所述相邻网格瓦片，所述相邻网格瓦片中的所述共同边界处的至少多对对应开放单元中的每一对组合以形成对应的组合闭合单元，其中对于至少多个组合闭合单元中的每一个，所述组合闭合单元包括多个不规则布置的顶点。
21.一种网格瓦片，所述网格瓦片被配置为沿至少第一方向重复地平铺以形成连续平铺网格，所述网格瓦片包括：
周边；
在所述周边内以及远离所述周边的多个闭合单元，每个闭合单元包括连接多个迹线的多个顶点；和
沿所述周边的多个开放单元，每个开放单元包括终止于所述周边的至少一个迹线，使得对于沿所述周边的所述多个开放单元中的每个第一开放单元，在沿所述周边的所述多个开放单元中存在不同的第二开放单元，当沿至少一个方向线性平移时，所述不同的第二开放单元与所述第一开放单元组合以形成包括多个不规则布置的顶点的组合闭合单元。
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