CN110098833B - 用于双模式操作的控制缓冲器电路和射频开关 - Google Patents

用于双模式操作的控制缓冲器电路和射频开关 Download PDF

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Abstract

本公开提供一种用于双模式操作的控制缓冲器电路和射频开关,所述控制缓冲器电路包括:电压检测电路,被配置为检测接收到的电压是负电压还是地电压并且基于所述检测的结果提供电压检测信号;以及缓冲器电路,被配置为:基于所述电压检测信号提供开关信号,其中,所述开关信号包括作为导通电平电压的正电压并且包括作为截止电平电压的所述地电压和所述负电压中的一个或更多个。

Description

用于双模式操作的控制缓冲器电路和射频开关
本申请要求于2018年1月30日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0011199号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种用于双模式操作的控制缓冲器电路和射频开关。
背景技术
通常,支持各种频带的功率放大器模块(PAM)可包括选择多个频带的射频(RF)开关、滤波器以及对RF信号进行放大的多个功率放大器(PA)。
PAM的RF开关可根据PA和滤波器的配置而在形状方面不同,并且由于PA通常被设计为处理包括多个频带的宽带通信,因此可将具有一个输入端口和多个输出端口的单极多掷(SPMT)开关用作RF开关。
一个PAM通常包括多个单极双掷(SPDT)开关。一些SPDT开关可将负电压用作用于断开路径的截止电平电压和用于处理高功率信号的隔离,而其他SPDT开关可在处理低功率信号时将零电压(或地电压)用作截止电平电压而不使用负电压。
然而,由于典型的PAM包括使用不同的截止电平电压的SPDT开关,并且使用不同的截止电平电压的SPDT开关分别通过不同制造工艺生产,所以SPDT开关的制造成本可能会增加并且PAM的制造成本可能会因此而增加。
发明内容
提供本发明内容是为了以简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的构思的选择。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面,一种控制缓冲器电路包括:电压检测电路,被配置为:检测接收到的电压是负电压还是地电压,并且基于所述检测的结果提供电压检测信号;以及缓冲器电路,被配置为:基于所述电压检测信号提供开关信号,其中,所述开关信号包括作为导通电平电压的正电压并且包括作为截止电平电压的所述地电压和所述负电压中的一个或更多个。
所述缓冲器电路可被进一步配置为:基于所述电压检测信号和频带选择信号生成所述开关信号。
所述电压检测电路可被进一步配置为:当所述接收到的电压是所述负电压时,提供具有第一电压的所述电压检测信号,并且当所述接收到的电压是所述地电压时,提供具有第二电压的所述电压检测信号,所述第二电压具有与所述第一电压的幅值不同的幅值。
所述缓冲器电路可包括第一缓冲器电路,所述第一缓冲器电路被配置为:生成根据所述电压检测信号和所述频带选择信号的第一频带选择信号确定的第一开关信号。
所述第一缓冲器电路可包括:负电压(VNEG)缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及地电压(VSS)缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
所述缓冲器电路可包括第一缓冲器电路至第n缓冲器电路,所述第一缓冲器电路至第n缓冲器电路被配置为:生成第一开关信号至第n开关信号,所述第一开关信号至第n开关信号是基于所述电压检测信号以及所述频带选择信号的第一频带选择信号至第n频带选择信号确定的。
所述第一缓冲器电路可包括:VNEG缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及VSS缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
所述第n缓冲器电路可包括:VNEG缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第n频带选择信号,提供所述正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及VSS缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第n频带选择信号,提供所述正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
在一个总体方面,一种射频开关包括:控制缓冲器电路,被配置为:基于频带选择信号和从外部源供应的接收到的电压,生成开关信号;以及开关电路,被配置为:响应于接收到所述开关信号,对至少一个信号路径进行开关,其中,所述控制缓冲器电路可包括:电压检测电路,被配置为对所述接收到的电压的电压幅值进行检测并且提供电压检测信号;以及缓冲器电路,被配置为基于接收到的所述电压检测信号提供开关信号。
所述缓冲器电路可被进一步配置为:基于接收到的所述电压检测信号和所述频带选择信号,提供所述开关信号。
所述电压检测电路可被进一步配置为:当所述接收到的电压是负电压时,提供具有第一电压的所述电压检测信号,并且当所述接收到的电压是地电压时,提供具有第二电压的所述电压检测信号,所述第二电压具有与所述第一电压的幅值不同的幅值。
所述缓冲器电路可包括第一缓冲器电路,所述第一缓冲器电路生成基于所述电压检测信号和所述频带选择信号的第一频带选择信号确定的第一开关信号。
所述第一缓冲器电路可包括:负电压(VNEG)缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及地电压(VSS)缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
所述缓冲器电路可包括第一缓冲器电路至第n缓冲器电路,所述第一缓冲器电路至第n缓冲器电路生成第一开关信号至第n开关信号,所述第一开关信号至第n开关信号是基于所述电压检测信号以及所述频带选择信号的第一频带选择信号至第n频带选择信号确定的。
所述第一缓冲器电路可包括:VNEG缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及VSS缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
所述第n缓冲器电路可包括:VNEG缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第n频带选择信号,提供正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及VSS缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第n频带选择信号,提供正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
在一个总体方面,一种射频开关包括:电压检测电路,被配置为检测电压的幅值并且基于检测到的所述电压的幅值生成电压检测信号;控制缓冲器,被配置为基于所述电压检测信号的值生成开关信号;以及开关电路,被配置为响应于接收到所述开关信号而执行对一个或更多个信号路径进行开关的操作。
所述检测电压的幅值可包括:确定检测到的电压是负电压(VNEG)还是地电压(VSS)。
所述电压检测电路可被进一步配置为:当所述检测到的电压是VNEG时,提供具有第一电压的所述电压检测信号,并且当所述检测到的电压是VSS时,提供具有第二电压的所述电压检测信号,所述第二电压具有与所述第一电压的幅值不同的幅值。
所述控制缓冲器可被进一步配置为基于所述电压检测信号的值生成多个开关信号,并且所述开关电路被进一步配置为响应于接收到所述开关信号而执行对多个信号路径进行开关的操作。
通过以下具体实施方式、附图和权利要求,其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是示出射频(RF)开关的示例的示图;
图2是示出射频开关的另一示例的示图;
图3是示出控制缓冲器电路的示例的示图;
图4是示出控制缓冲器电路的另一示例的示图;
图5是示出电压检测电路的示图;
图6是示出第一缓冲器电路和第n缓冲器电路的示图;
图7是示出第一频带选择信号、截止电平电压、电压检测信号和开关信号的电压电平的示图;以及
图8是示出应用射频开关的功率放大器模块(PAM)的内部框图的示图。
在整个附图和具体实施方式中,相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制,为了清楚、说明及便利起见,可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。在附图中,例如,由于制造技术和/或公差,可估计所示出的形状的修改。因此,在此描述的示例不应被解释为限于在此示出的区域的特定形状,例如,在此描述的示例包括由于制造导致的形状的改变。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而,在理解本申请的公开内容之后,在此描述的方法、设备和/或系统的各种变化、修改及等同物将是显而易见的。例如,在此描述的操作的顺序仅仅是示例,并且不限于这里所阐述的顺序,而是除了必须以特定顺序发生的操作之外,可对在此描述的操作的顺序做出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外,为了更加清楚和简洁,可省略本领域已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施,并且将不被解释为限于在此描述的示例。更确切地说,已经提供在此描述的示例,仅仅是为了示出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中,当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时,该元件可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件,或者它们之间可存在一个或更多个其他元件。相比之下,当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时,它们之间可不存在其他元件。
如在此所使用的,术语“和/或”包括相关所列项的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分,但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说,这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离示例的教导的情况下,在此描述的示例中所提及的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分还可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述,在此可使用诸如“在……之上”、“上部”、“在……之下”和“下部”的空间关系术语来描述如附图所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间关系术语意图除了包含在附图中所描绘的方位之外,还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上部”的元件随后将相对于另一元件位于“之下”或“下部”。因此,术语“在……之上”根据装置的空间方位而包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。所述装置还可以以其他方式定位(例如,旋转90度或处于其他方位),并将相应地解释在此使用的空间关系术语。
在此使用的术语仅用于描述各种示例,并且将不被用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合,但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差,可发生附图中所示的形状的变化。因此,在此描述的示例不限于附图中示出的特定形状,而是包括在制造期间发生的形状的改变。
图1示出了射频(RF)开关的示例。
参照图1,射频开关10可包括控制缓冲器电路100和开关电路200。
注意的是,在此关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如,关于示例或实施例可包括或实现什么)意为存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例,而全部示例和实施例不限于此。
控制缓冲器电路100可被供应操作电压VDD、地电压VSS和负电压VNEG,并且可基于从外部源供应的频带选择信号SBS和截止电平电压Voff生成开关信号Ssw,所述开关信号Ssw至少包括第一开关信号VRG1。尽管示出了单个开关信号VRG1,但这仅是示例,并且可实现多个开关信号VRG1至VRGn。
作为示例,作为比地电压大的电压的操作电压VDD可以是+2.5V,地电压VSS可以是零电压,并且作为比地电压小的电压的负电压VNEG可以是-2.5V。上面提到的电压不限于此。频带选择信号SBS可包括生成与将通过应用的射频开关处理的信号路径的数量相对应的开关信号的信号。
开关电路200可响应于接收到开关信号Ssw而对至少一个信号路径进行开关。
作为示例,开关电路200可包括连接在第一端子T10与第二端子T20之间的第一开关电路SW-1。第一开关电路SW-1可响应于接收到开关信号Ssw的第一开关信号VRG1而执行开关操作。
作为示例,第一端子T10可以是连接到天线的端子,并且第二端子T20可以是发送端子或接收端子,或者是发送/接收端子。然而,这些仅仅是示例,并且第一端子T10可连接到除了天线以外的装置。作为示例,第一开关信号VRG1可以是栅极信号,但不限于此。
在本公开的各个附图中,针对具有相同附图标记和相同功能的组件,可以省略不必要的重复描述,并且将描述各个附图中的差异。
图2示出了射频开关20的示例。
参照图2,根据示例的射频开关20可包括控制缓冲器电路100和开关电路200。图2的控制缓冲器电路100和图2的开关电路200可分别与图1的控制缓冲器电路100和图1的开关电路200相对应。
控制缓冲器电路100可被供应操作电压VDD、地电压VSS和负电压VNEG,并且可基于从外部源供应的频带选择信号SBS和截止电平电压Voff生成开关信号Ssw,所述开关信号Ssw包括第一开关信号VRG1至第n开关信号VRGn。
开关电路200可响应于开关信号Ssw而对多个信号路径进行开关。作为示例,开关电路200可包括第一开关电路SW-1至第n开关电路SW-n,所述第一开关电路SW-1至第n开关电路SW-n连接在第一端子T10与多个第二端子T20(T20-1至T20-n)中的每个之间。第一开关电路SW-1至第n开关电路SW-n可响应于接收到开关信号Ssw的第一开关信号VRG1至第n开关信号VRGn中的每个而执行开关操作。
作为示例,第一端子T10可以是连接到天线的端子,并且多个第二端子T20(T20-1至T20-n)中的每个可以是发送端子或接收端子,或者是发送/接收端子。
在图1和图2中,作为示例,第一开关电路SW-1至第n开关电路SW-n中的每个可包括串联开关。作为另一示例,第一开关电路SW-1至第n开关电路SW-n中的每个可包括连接到信号路径的串联开关和连接在信号路径和地之间的并联开关。
这里,串联开关和并联开关可包括彼此串联连接的多个晶体管。作为示例,多个晶体管可以是但不限于金属氧化物半导体(MOS)晶体管,并且多个MOS晶体管中的每个可通过栅极被供应相应的开关信号以执行开关操作。
图3示出了控制缓冲器电路100的示例,并且图4示出了控制缓冲器电路100的另一示例。
参照图3和图4,控制缓冲器电路100可包括电压检测电路120和缓冲器电路140。
电压检测电路120可对从外部源接收到的电压进行检测。具体地,电压检测电路120可检测从外部源供应的电压或截止电平电压Voff是负电压(例如,VNEG)还是地电压(例如,VSS),并且可生成电压检测信号SVD。作为示例,电压检测信号SVD可在截止电平电压Voff是负电压(VNEG)时达到高电平,并且可在截止电平电压Voff是地电压(VSS)时达到低电平。
缓冲器电路140可基于电压检测信号SVD和频带选择信号SBS生成开关信号Ssw。作为示例,开关信号Ssw可包括作为导通电平电压的正电压+VDD,并且可包括作为截止电平电压的地电压(例如,VSS)或负电压(例如,-VDD)。
参照图3,缓冲器电路140可包括第一缓冲器电路140-1。第一缓冲器电路140-1可生成第一开关信号VRG1(Ssw),所述第一开关信号VRG1(Ssw)是根据电压检测信号SVD和频带选择信号SBS的第一频带选择信号BS 1确定的。
作为示例,第一缓冲器电路140-1可包括VNEG缓冲器NB1和VSS(或地)缓冲器GB1。
当电压检测信号SVD是第一电压V1时,VNEG缓冲器NB1可根据第一频带选择信号BS1提供正电压(例如,+VDD)和负电压(例如,-VDD)中的一个作为开关信号Ssw的开关电平电压。
当电压检测信号SVD是第二电压V2时,VSS缓冲器GB1可根据第一频带选择信号BS1提供正电压(例如,+VDD)和地电压(例如,VSS)中的一个作为开关信号Ssw的开关电平电压。
参照图4,缓冲器电路140可包括第一缓冲器电路140-1至第n缓冲器电路140-n。
第一缓冲器电路140-1至第n缓冲器电路140-n可生成第一开关信号VRG1至第n开关信号VRGn(Ssw),所述第一开关信号VRG1至第n开关信号VRGn(Ssw)是根据电压检测信号SVD和频带选择信号SBS的第一频带选择信号BS1至第n频带选择信号BSn确定的。
第一缓冲器电路140-1可包括VNEG缓冲器NB1和VSS缓冲器GB1。
当电压检测信号SVD是第一电压V1时,VNEG缓冲器NB1可根据第一频带选择信号BS1提供正电压(例如,+VDD)和负电压(例如,-VDD)中的一个作为开关信号Ssw的开关电平电压。作为示例,当第一频带选择信号BS1是高电平电压时,开关信号Ssw可以是正电压,并且当第一频带选择信号BS1是低电平电压时,开关信号Ssw可以是负电压。
当电压检测信号SVD是第二电压V2时,VSS缓冲器GB1可根据第一频带选择信号BS1提供正电压(例如,+VDD)和地电压(例如,VSS)中的一个作为开关信号Ssw的开关电平电压。作为示例,当第一频带选择信号BS1是高电平电压时,开关信号Ssw可以是正电压,并且当第一频带选择信号BS1是低电平电压时,开关信号Ssw可以是地电压。
第n缓冲器电路140-n可包括VNEG缓冲器NBn和VSS缓冲器GBn。
当电压检测信号SVD是第一电压V1时,VNEG缓冲器NBn可根据第n频带选择信号BSn提供正电压(例如,+VDD)和负电压(例如,-VDD)中的一个作为开关信号Ssw的开关电平电压。作为示例,当第n频带选择信号BSn是高电平电压时,开关信号Ssw可以是正电压,并且当第n频带选择信号BSn是低电平电压时,开关信号Ssw可以是负电压。
当电压检测信号SVD是第二电压V2时,VSS缓冲器GBn可根据第n频带选择信号BSn提供正电压(例如,+VDD)和地电压(例如,VSS)中的一个作为开关信号Ssw的开关电平电压。作为示例,当第n频带选择信号BSn是高电平电压时,开关信号Ssw可以是正电压,并且当第n频带选择信号BSn是低电平电压时,开关信号Ssw可以是地电压。
图5示出了电压检测电路120的示例。
除了以下图5的描述以外,图1至图4的描述也适合于图5并且通过引用被包含于此。因此,这里可以不重复以上的描述。
参照图5,电压检测电路120可在截止电平电压Voff是负电压VNEG时提供具有第一电压V1的电压检测信号SVD,并且可在截止电平电压Voff是地电压VSS时提供具有第二电压V2的电压检测信号SVD。
作为示例,电压检测电路120可包括比较器Comp 125以及串联连接在操作电压VDD端子与截止电平电压Voff端子之间的第一电阻器R11和第二电阻器R12,比较器Comp 125具有连接到第一电阻器R11和第二电阻器R12的第一连接节点N1的第一输入端子(反相输入端子或非反相输入端子)以及连接到参考电压(VREF)端子的第二输入端子(非反相输入端子或反相输入端子)。
当截止电平电压Voff是负电压VNEG时,第一连接节点N1的电压可低于参考电压VREF,并且在这种情况下,比较器Comp可提供具有处于高电平的第一电压V1的电压检测信号。作为示例,第一电压V1可以是+2.5V。
另一方面,当截止电平电压Voff是地电压VSS时,第一连接节点N1的电压可高于参考电压VREF,并且在这种情况下,比较器Comp可提供具有处于低电平的第二电压V2的电压检测信号SVD。作为示例,第二电压V2可以是零电压。
图6示出了第一缓冲器电路和第n缓冲器电路的示例。
参照图6,VNEG缓冲器NB1或NBn可包括第一开关SW11和第二开关SW12。
作为示例,第一开关SW11可根据第一频带选择信号BS1选择正电压(例如,+VDD)和负电压(例如,-VDD)中的一个作为开关信号Ssw的开关电平电压并将选择的电压提供到第二开关SW12。
作为示例,当第一频带选择信号BS1是高电平电压时,第一开关SW11可选择正电压作为开关信号Ssw的开关电平电压,并且当第一频带选择信号BS1是低电平电压时,第一开关SW11可选择负电压作为开关信号Ssw的开关电平电压。
当电压检测信号SVD是第一电压V1时,第二开关SW12可处于接通状态并且将通过第一开关SW11选择的正电压(例如,+VDD)和负电压(例如,-VDD)中的一个输出为开关信号Ssw。
另一方面,当电压检测信号SVD是第二电压V2时,第二开关SW12可处于断开状态。
此外,VSS缓冲器GB1或GBn可包括第三开关SW21和第四开关SW22。
第三开关SW21可根据第一频带选择信号BS1选择正电压(例如,+VDD)和地电压(例如,VSS)中的一个作为开关信号Ssw的开关电平电压并将其提供给第四开关SW22。
作为示例,当第一频带选择信号BS1是高电平电压时,第三开关SW21可选择正电压作为开关信号Ssw的开关电平电压,并且当第一频带选择信号BS1是低电平电压时,第三开关SW21可选择地电压作为开关信号Ssw的开关电平电压。
当电压检测信号SVD是第二电压V2时,第四开关SW22可处于接通状态并且将通过第三开关SW21选择的正电压(例如,+VDD)和地电压(例如,VSS)中的一个输出为开关信号Ssw。
另一方面,当电压检测信号SVD是第一电压V1时,第四开关SW22可处于断开状态。
图7示出了第一频带选择信号、截止电平电压、电压检测信号和开关信号的电压电平的示例。
在图7中,将对截止电平电压Voff从地电压(例如,VSS=0V)变化到负电压(例如,-VDD=-2.5V)的情况进行描述,例如,当第一频带选择信号BS1交替包括高电平电压(例如,+2.5V)和低电平电压(例如,0V)时。
作为示例,当截止电平电压Voff是地电压(例如,VSS=0V)时,电压检测信号SVD可以是低电平,并且开关信号Ssw可以与第一频带选择信号BS1的电压电平同步地为+2.5V或0V。
作为另一示例,当截止电平电压Voff是负电压(例如,-VDD=-2.5V)时,电压检测信号SVD可以是高电平,并且开关信号Ssw可以与第一频带选择信号BS1的电压电平同步地为+2.5V或-2.5V。
图8示出了可应用射频开关的功率放大器模块(PAM)的内部框图的示例。
参照图8,射频开关可应用于选择至少两个信号路径的SPDT开关。例如,在射频开关应用于功率放大器模块(PAM)的情况下,射频开关可分别应用于输入SPDT 805(SPDT1)开关以及输出SPDT 810(SPDT2)和输出SPDT 815(SPDT3)开关,其中,所述功率放大器模块(PAM)包括将地电压用作截止电平电压的输入SPDT 805(SPDT1)开关、将负电压用作截止电平电压的输出SPDT 810(SPDT2)和输出SPDT 815(SPDT3)、低功率放大器820(LPA)、中功率放大器825(MPA)、高功率放大器830(HPA)、多个匹配网络840(MN1)、845(MN2)和850(MN3)以及PA控制器855。
如以上所阐述的,根据各个实施例,当实现不管截止电平电压的电平如何都可使用的控制缓冲器电路和射频开关时,由于控制缓冲器电路和射频开关可应用于使用不同截止电平电压的各个SPDT并且不管截止电平电压如何都具有相同的电路结构,因此控制缓冲器电路和射频开关可通过单个制造工艺制造而不必通过不同的制造工艺制造,从而降低制造成本。
虽然本公开包括具体示例,但在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是,在不脱离权利要求及其等同物的精神及范围的情况下,可在这些示例中作出形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被理解为描述性意义,而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被理解为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术,和/或如果以不同的方式组合和/或通过其他组件或它们的等同物替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件,则可获得合适的结果。因此,本公开的范围不由具体实施方式限定,而是由权利要求及其等同物限定,并且在权利要求及其等同物的范围之内的全部变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (20)

1.一种控制缓冲器电路,包括:
电压检测电路,被配置为:检测接收到的电压是负电压还是地电压,并且基于所述检测的结果提供电压检测信号;以及
缓冲器电路,被配置为:基于所述电压检测信号提供开关信号,
其中,所述开关信号包括作为导通电平电压的正电压并且包括作为截止电平电压的所述地电压和所述负电压中的一个。
2.根据权利要求1所述的控制缓冲器电路,其中,所述缓冲器电路被进一步配置为:基于所述电压检测信号和频带选择信号生成所述开关信号。
3.根据权利要求2所述的控制缓冲器电路,其中,所述电压检测电路被进一步配置为:当所述接收到的电压是所述负电压时,提供具有第一电压的所述电压检测信号,并且当所述接收到的电压是所述地电压时,提供具有第二电压的所述电压检测信号,所述第二电压具有与所述第一电压的幅值不同的幅值。
4.根据权利要求3所述的控制缓冲器电路,其中,所述缓冲器电路包括第一缓冲器电路,所述第一缓冲器电路被配置为:生成根据所述电压检测信号和所述频带选择信号的第一频带选择信号确定的第一开关信号。
5.根据权利要求4所述的控制缓冲器电路,其中,所述第一缓冲器电路包括:
负电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及
地电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
6.根据权利要求3所述的控制缓冲器电路,其中,所述缓冲器电路包括第一缓冲器电路至第n缓冲器电路,所述第一缓冲器电路至第n缓冲器电路被配置为:生成第一开关信号至第n开关信号,所述第一开关信号至第n开关信号是基于所述电压检测信号以及所述频带选择信号的第一频带选择信号至第n频带选择信号确定的。
7.根据权利要求6所述的控制缓冲器电路,其中,所述第一缓冲器电路包括:
负电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及
地电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供所述正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
8.根据权利要求6所述的控制缓冲器电路,其中,所述第n缓冲器电路包括:
负电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第n频带选择信号,提供所述正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及
地电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第n频带选择信号,提供所述正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
9.一种射频开关,包括:
控制缓冲器电路,被配置为:基于频带选择信号和接收到的电压,生成开关信号;以及
开关电路,被配置为:响应于接收到所述开关信号,对至少一个信号路径进行开关,
其中,所述控制缓冲器电路包括:
电压检测电路,被配置为:对所述接收到的电压的电压幅值进行检测,并且提供电压检测信号;以及
缓冲器电路,被配置为:基于接收到的所述电压检测信号提供开关信号。
10.根据权利要求9所述的射频开关,其中,所述缓冲器电路被进一步配置为:基于接收到的所述电压检测信号和所述频带选择信号,提供所述开关信号。
11.根据权利要求10所述的射频开关,其中,所述电压检测电路被进一步配置为:当所述接收到的电压是负电压时,提供具有第一电压的所述电压检测信号,并且当所述接收到的电压是地电压时,提供具有第二电压的所述电压检测信号,所述第二电压具有与所述第一电压的幅值不同的幅值。
12.根据权利要求11所述的射频开关,其中,所述缓冲器电路包括第一缓冲器电路,所述第一缓冲器电路被配置为:生成基于所述电压检测信号和所述频带选择信号的第一频带选择信号确定的第一开关信号。
13.根据权利要求12所述的射频开关,其中,所述第一缓冲器电路包括:
负电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及
地电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
14.根据权利要求11所述的射频开关,其中,所述缓冲器电路包括第一缓冲器电路至第n缓冲器电路,所述第一缓冲器电路至第n缓冲器电路被配置为生成第一开关信号至第n开关信号,所述第一开关信号至第n开关信号是基于所述电压检测信号以及所述频带选择信号的第一频带选择信号至第n频带选择信号确定的。
15.根据权利要求14所述的射频开关,其中,所述第一缓冲器电路包括:
负电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第一频带选择信号,提供正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及
地电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第一频带选择信号,提供正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
16.根据权利要求14所述的射频开关,其中,所述第n缓冲器电路包括:
负电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第一电压时,基于所述第n频带选择信号,提供正电压和所述负电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压;以及
地电压缓冲器,被配置为:当所述电压检测信号是所述第二电压时,基于所述第n频带选择信号,提供正电压和所述地电压中的一个作为所述开关信号的开关电平电压。
17.一种射频开关,包括:
电压检测电路,被配置为:
检测电压的幅值;并且
基于检测到的所述电压的幅值生成电压检测信号;
控制缓冲器,被配置为:基于所述电压检测信号的值生成开关信号;以及
开关电路,被配置为:响应于接收到所述开关信号,执行对一个或更多个信号路径进行开关的操作。
18.根据权利要求17所述的射频开关,其中,所述检测电压的幅值包括:确定检测到的电压是负电压还是地电压。
19.根据权利要求18所述的射频开关,其中,所述电压检测电路被进一步配置为:当所述检测到的电压是所述负电压时,提供具有第一电压的所述电压检测信号,并且当所述检测到的电压是所述地电压时,提供具有第二电压的所述电压检测信号,所述第二电压具有与所述第一电压的幅值不同的幅值。
20.根据权利要求18所述的射频开关,其中,所述控制缓冲器被进一步配置为基于所述电压检测信号的值生成多个开关信号,并且所述开关电路被进一步配置为响应于接收到所述开关信号而执行对多个信号路径进行开关的操作。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102497235A (zh) * 2011-11-15 2012-06-13 南京国睿嘉源微电子有限公司 一种宽动态范围射频功率检测装置及其检测方式
KR101616801B1 (ko) * 2015-11-26 2016-04-29 (주)모엔트 통화연결음 및 문자메시지를 이용한 음성정보 제공방법
CN106330168A (zh) * 2015-07-02 2017-01-11 三星电子株式会社 输出缓冲器电路、源极驱动器和生成源极驱动信号的方法
US9712158B1 (en) * 2016-04-07 2017-07-18 Analog Devices Global Apparatus and methods for biasing radio frequency switches

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
JP2013070530A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Renesas Electronics Corp ゲート駆動回路、電力変換回路、3相インバータ、及びゲート駆動方法
JP5780178B2 (ja) 2012-02-23 2015-09-16 日立金属株式会社 高周波スイッチモジュール
WO2014157471A1 (ja) 2013-03-28 2014-10-02 古河電気工業株式会社 粘着テープおよびウエハ加工用テープ
DK2887546T3 (en) * 2013-12-23 2019-01-21 Abb Schweiz Ag Method and Device for Monitoring a Semiconductor Power Switch
KR101616608B1 (ko) 2014-01-28 2016-04-28 삼성전기주식회사 고주파 스위치 회로 및 전자기기

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102497235A (zh) * 2011-11-15 2012-06-13 南京国睿嘉源微电子有限公司 一种宽动态范围射频功率检测装置及其检测方式
CN106330168A (zh) * 2015-07-02 2017-01-11 三星电子株式会社 输出缓冲器电路、源极驱动器和生成源极驱动信号的方法
KR101616801B1 (ko) * 2015-11-26 2016-04-29 (주)모엔트 통화연결음 및 문자메시지를 이용한 음성정보 제공방법
US9712158B1 (en) * 2016-04-07 2017-07-18 Analog Devices Global Apparatus and methods for biasing radio frequency switches

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