CN110071224A - 有机发光器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机发光器件及其制作方法。有机发光器件从下至上依次包括基板、氧化铟锡层、半导体层以及像素定义层，其中所述半导体层用以覆盖所述氧化铟锡层上的异物颗粒使所述氧化铟锡层厚度均匀。有机发光器件的制作方法包括步骤：制作氧化铟锡层、制作半导体层、图形化处理和制作像素定义层。本发明通过在所述氧化铟锡层上制作所述半导体层，可覆盖住氧化铟锡层存在的异物颗粒，避免异物颗粒处引起的亮点或暗点的亮度不均(mura)问题，保证了有机发光器件整体亮度均匀。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种有机发光器件及其制作方法。
背景技术
有机发光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)以其良好的自发光特性、高的对比度、快速响应等优势，在显示领域、照明领域以及智能穿戴领域等都得到了广泛的应用。
制备有机发光器件的主要方法有蒸镀法和打印法两种，现在利用全蒸镀方法制备大中小尺寸的有机发光器件的技术相对于打印技术来说已相当成熟，目前已经用于商业化生产，但全蒸镀技术存在材料利用率低，难用于制备高分辨率的器件的问题。打印技术制备器件的材料利用率高达90％以上，其制备器件的成本较全蒸镀技术低17％左右，且打印过程中无需掩模板，可用于高分辨率显示器件的制备。所以制备出大尺寸、高分辨率的有机发光器件是现在显示领域的研究热点。
如图1所示，为现有技术采用打印制作有机发光器件过程结构示意图，打印制程为：在基板1上制作氧化铟锡层2,氧化铟锡层2图形化后制备挡墙结构41(bank)，底部的氧化铟锡层2为亲水性物质，周围挡墙结构41为疏水性物质，氧化铟锡层2边缘部分的面积与挡墙结构41重合。但在打印过程中发现，氧化铟锡层2表面有部分像素内有微米级的异物颗粒21，这样在打印完成后干燥就会造成较薄的功能层42出现异物凸起，从而引起器件在发光时出现异物颗粒21处亮点或暗点的亮度不均(mura)问题，带来有机发光器件整体亮度不均情况。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种有机发光器件及其制作方法，可解决氧化铟锡层存在异物颗粒引起的异物颗粒处亮点或暗点的亮度不均问题，避免有机发光器件整体亮度不均情况。
为了解决上述问题，本发明提供一种有机发光器件，包括基板；氧化铟锡层，设置于所述基板上；半导体层，设置于所述氧化铟锡层上；以及像素定义层，设置于所述半导体层上；其中，所述半导体层覆盖所述氧化铟锡层使所述氧化铟锡层厚度均匀。
进一步的，其中所述半导体层的厚度范围为3nm-10um。
进一步的，其中所述半导体层的透光率大于80％。
进一步的，其中所述半导体层的材料为铟锌氧化物或铟锗锌氧化物。
进一步的，其中所述半导体层通过化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂或打印方式制备。
进一步的，其中所述基板为薄膜晶体管基板。
进一步的，其中所述像素定义层包括：挡墙结构，围绕所述半导体层；以及功能层，设置于由所述挡墙结构围绕的所述半导体层上。
进一步的，其中所述功能层通过喷墨打印方式制作。
本发明又一实施例中提供一种有机发光器件的制作方法，包括步骤：
制作氧化铟锡层步骤，其为提供一基板，在所述基板上制作氧化铟锡层；
制作半导体层步骤，其为在所述氧化铟锡层上采用化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂或打印方式制作半导体层，所述半导体层的材料为铟锌氧化物或铟锗锌氧化物，所述半导体层物质膜层的厚度范围为3nm-10um；
图形化处理步骤，其为对所述氧化铟锡层及所述半导体层进行图形化处理，所述氧化铟锡层和所述半导体层图形化后的区域与所述有机发光器件的发光区域相对；
制作像素定义层步骤，其为在所述半导体层上制作制作所述像素定义层。
进一步的，其中所述制作像素定义层步骤包括：
制作挡墙结构步骤，其为在所述半导体层周围形成挡墙结构，所述挡墙结构与所述半导体层部分重叠；
制作功能层步骤，其为在由所述挡墙结构围绕的所述半导体层上通过喷墨打印方式制作所述功能层。
本发明的有益效果是：提供一种有机发光器件及其制作方法，通过在所述氧化铟锡层上制作所述半导体层，可覆盖住氧化铟锡层存在的异物颗粒，避免异物颗粒处引起的亮点或暗点的亮度不均问题，保证了有机发光器件整体亮度均匀。
附图说明
图1为现有技术制作有机发光器件过程结构示意图；
图2为本发明一实施例中一种有机发光器件的结构示意图；
图3为本发明一实施例中一种有机发光器件的制作流程图；
图4为图3中步骤S4的制作流程图；
图5为图3中制作方法过程的结构示意图。
图中部件标识如下：
1、基板，2、氧化铟锡层，3、半导体层，4、像素定义层，
21、异物颗粒，41、挡墙结构，42、功能层。
具体实施方式
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
请参阅图2所示，在一实施例中，本发明有机发光器件从下至上依次包括基板1、氧化铟锡层2、半导体层3和像素定义层4。具体地讲，所述氧化铟锡层2设置于所述基板1上；所述半导体层3设置于所述氧化铟锡层2上；所述像素定义层4设置于所述半导体层4上；其中，所述半导体层3用以覆盖所述氧化铟锡层2上的异物颗粒21使所述氧化铟锡层2厚度均匀，从而避免在异物颗粒21处引起的亮点或暗点的亮度不均问题，保证了有机发光器件整体亮度均匀。
其中，所述半导体层3的厚度范围为3nm-10um。
其中，所述半导体层3的材料为透明或半透明物质，其透光率在80％以上，以不影响器件透光性为目的，如铟锌氧化物(IZO)、铟锗锌氧化物(IGZO)等。
其中，所述半导体层3通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、旋涂或打印方式制备。
其中，所述基板1为薄膜晶体管基板。
其中，所述像素定义层4包括：挡墙结构41及功能层42，所述挡墙结构41围绕所述半导体层3；所述功能层42设置于由所述挡墙结构41所围绕的所述半导体层3上。所述挡墙结构41的材料选用光阻物质，防止漏光。
其中，所述功能层42通过喷墨打印方式制作。
请同时参阅图3和图5所示，本发明有机发光器件的制作方法，包括步骤：
S1、制作氧化铟锡层步骤；具体地讲，提供一基板1，在所述基板1上制作所述氧化铟锡层2；
S2、制作半导体层步骤；具体地讲，在所述氧化铟锡层2上采用化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、旋涂或打印方式制作所述半导体层3，所述半导体层3的材料为透明或半透明物质，所述半导体层3的厚度范围为3nm-10um；所述半导体层3能够覆盖所述氧化铟锡层2上的异物颗粒21使所述氧化铟锡层2厚度更趋于均匀；
S3、图形化处理步骤；具体地讲，对所述氧化铟锡层2及所述半导体层3进行图形化处理，所述氧化铟锡层2和所述半导体层3被图形化后的区域与本发明有机发光器件的发光区域相对；
S4、制作像素定义层步骤；具体地讲，在所述半导体层3上制作所述像素定义层4。
请参阅图4所示，所述制作像素定义层的步骤包括：
S41、制作挡墙结构步骤，其为在所述半导体层3的周围形成所述挡墙结构41，所述挡墙结构41与所述半导体层3部分重叠；
S42、制作功能层步骤，其为由所述挡墙结构41围绕的所述半导体层3上通过喷墨打印方式制作所述功能层42。
本发明的有益效果是：提供一种有机发光器件及其制作方法，通过在所述氧化铟锡层上制作所述半导体层，可覆盖住所述氧化铟锡层存在的异物颗粒，避免异物颗粒处引起的亮点或暗点的亮度不均问题，保证了有机发光器件整体亮度均匀。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机发光器件，其特征在于，包括：
基板；
氧化铟锡层，设置于所述基板上；
半导体层，设置于所述氧化铟锡层上；以及
像素定义层，设置于所述半导体层上；
其中，所述半导体层覆盖所述氧化铟锡层使所述氧化铟锡层厚度均匀。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述半导体层的厚度范围为3nm-10um。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述半导体层的透光率大于80％。
4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述半导体层的制作材料为铟锌氧化物或铟锗锌氧化物。
5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述半导体层通过化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂或打印方式制备。
6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述基板为薄膜晶体管基板。
7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述像素定义层包括：
挡墙结构，围绕所述半导体层；以及
功能层，设置于由所述挡墙结构围绕的所述半导体层上。
8.根据权利要求7所述的有机发光器件，其特征在于，所述功能层通过喷墨打印方式制作。
9.一种如权利要求1～8任一项所述的有机发光器件的制作方法，包括步骤：
制作氧化铟锡层步骤，其为提供一基板，在所述基板上制作所述氧化铟锡层，所述氧化铟锡层的厚度范围为1um-5um；
制作半导体层步骤，其为在所述氧化铟锡层上采用化学气相沉积、物理气相沉积、旋涂或打印方式制作所述半导体层，所述半导体层的材料为铟锌氧化物或铟锗锌氧化物，所述半导体层物质膜层的厚度范围为3nm-10um；
图形化处理步骤，其为对所述氧化铟锡层及所述半导体层进行图形化处理，所述氧化铟锡层和所述半导体层图形化后的区域与所述有机发光器件的发光区域相对；
制作像素定义层步骤，其为在所述半导体层上制作所述像素定义层。
10.根据权利要求9所述的有机发光器件的制作方法，其特征在于，所述制作像素定义层步骤包括：
制作挡墙结构步骤，其为在所述半导体层周围形成挡墙结构，所述挡墙结构与所述半导体层部分重叠；
制作功能层步骤，其为在由所述挡墙结构围绕的所述半导体层上通过喷墨打印方式制作所述功能层。
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