CN110058714A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及显示设备,该显示设备具有位于前表面处的显示表面和位于侧表面处的辅助感测表面。显示设备包括显示面板,显示面板包括显示区和非显示区。输入感测单元位于显示面板上,并且辅助感测单元位于辅助感测表面上。辅助感测单元配置成感测用户的指纹或掌纹并且形成在与显示面板和输入感测单元中的任何一个相同的层中。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月13日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0171620号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的方面涉及显示设备。
背景技术
随着信息技术的发展,作为用户与信息之间的连接媒介的显示设备的重要性增加。因此,越来越多地使用诸如液晶显示设备和有机发光显示设备的显示设备。
最近,已经在显示设备中设置了用于感测触摸的触摸传感器或用于感测指纹的指纹传感器。
发明内容
实施方式提供了一种显示设备,该显示设备包括位于显示设备的前表面处的输入感测单元和位于显示设备的侧表面处的辅助感测单元。
根据本公开的方面,提供了一种显示设备,该显示设备具有位于前表面处的显示表面和位于侧表面处的辅助感测表面。显示设备包括具有显示区和非显示区的显示面板。输入感测单元设置在显示面板上,并且辅助感测单元设置在辅助感测表面处。辅助感测单元配置成感测用户的指纹和掌纹中的至少一种。辅助感测单元形成在与显示面板和输入感测单元中的任何一个相同的层中。
根据本公开的方面,显示面板可包括位于显示表面处具有显示像素的显示单元和位于辅助感测表面处具有辅助像素的辅助感测单元。辅助感测单元可形成在与显示面板相同的层中。
根据本公开的方面,显示面板可包括基底层、位于基底层上的电路元件层、位于电路元件层上的显示元件层、位于电路元件层上且与显示元件层间隔开的辅助感测元件层以及配置成封装显示元件层和辅助感测元件层的薄膜封装层。
根据本公开的方面,显示元件层可包括显示像素中所包括的发光器件。辅助感测元件层可包括辅助像素中所包括的辅助感测电极。
根据本公开的方面,电路元件层可包括显示像素和辅助像素中所包括的晶体管。
根据本公开的方面,显示元件层可位于显示区中。
根据本公开的方面,显示面板还可包括用于驱动显示像素和辅助像素的驱动电路。
根据本公开的方面,驱动电路可顺序地驱动针对每条水平线的显示像素和辅助像素。
根据本公开的方面,驱动电路可将扫描信号顺序地输出至扫描线,并且对于每条水平线,显示像素和辅助像素可分别连接到相同的扫描线。
根据本公开的方面,驱动电路可位于显示单元与辅助感测单元之间。
根据本公开的方面,辅助像素中的连接到第i(i是2或更大的整数)扫描线和辅助输出线的辅助像素可包括辅助感测电极、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容器电极,其中,第一晶体管具有连接到辅助感测电极的栅电极,第一晶体管控制通过辅助输出线输出的电流,第二晶体管具有连接到第i扫描线的栅电极,第二晶体管连接在辅助电源线与第一晶体管之间,第三晶体管具有连接到第(i-1)扫描线的栅电极,第三晶体管连接在辅助电源线与辅助感测电极之间,电容器电极与辅助感测电极形成第一电容器,电容器电极连接到第i扫描线。
根据本公开的方面,当发生触摸时,辅助感测电极可与用户的手指形成第二电容器。
根据本公开的方面,辅助感测单元可使用第二电容器的与触摸对应的电容变化来识别用户的指纹或掌纹。
根据本公开的方面,输入感测单元和辅助感测单元可直接位于显示面板上。输入感测单元可包括感测电极,并且辅助感测单元可包括辅助感测电极。
根据本公开的方面,感测电极和辅助感测电极可具有网格形状。
根据本公开的方面,感测电极可包括第一感测电极和分别与第一感测电极对应的第二感测电极。第二感测电极中的每个可包括位于与第一感测电极相同的层中的传感器部分,传感器部分彼此间隔开。辅助感测电极可包括第一辅助感测电极和分别与第一辅助感测电极对应的第二辅助感测电极。第二辅助感测电极中的每个可包括位于与第一辅助感测电极相同的层中的辅助传感器部分,辅助传感器部分彼此间隔开。
根据本公开的方面,传感器部分的尺寸可设置成大于辅助传感器部分的尺寸。
根据本公开的方面,传感器部分和辅助传感器部分可通过相同的工艺形成。
根据本公开的方面,输入感测单元和辅助感测单元可位于限定在显示面板上的基底表面上。
根据本公开的方面,输入感测单元可包括第一感测电极和第二感测电极,其中,第一感测电极包括第一传感器部分和连接第一传感器部分的第一连接部分,第二感测电极包括第二传感器部分和连接第二传感器部分的第二连接部分。辅助感测单元可包括第一辅助感测电极和第二辅助感测电极,其中,第一辅助感测电极包括第一辅助传感器部分和连接第一辅助传感器部分的第一辅助连接部分,第二辅助感测电极包括第二辅助传感器部分和连接第二辅助传感器部分的第二辅助连接部分。
根据本公开的方面,第一连接部分、第一辅助传感器部分、第二辅助传感器部分和第一辅助连接部分可通过相同的工艺形成。
附图说明
现在将参考附图在下文中更充分地描述示例性实施方式;然而,示例性实施方式可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。更确切地说,提供这些实施方式使得本公开将是全面的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式的范围。
为了清楚示出,在附图中,可能夸大尺寸。将理解,当元件被称为在两个元件“之间”时,该元件可以为两个元件之间的唯一的元件,或还可存在一个或多个插入元件。
图1A是示出本公开的显示设备的实施方式的视图。
图1B是示出本公开的显示设备的实施方式的视图。
图1C是示出本公开的显示设备的另一实施方式的视图。
图2A至图2C是示出根据本公开的实施方式的显示设备的截面的视图。
图3是示出根据本公开的实施方式的显示面板的截面的视图。
图4是示出根据本公开的实施方式的显示面板的视图。
图5A和图5B是示意地示出根据本公开的实施方式的显示面板的实施方式的视图。
图6是示出根据本公开的实施方式的显示像素的视图。
图7A是示出根据本公开的实施方式的辅助像素的视图。
图7B是示出根据本公开的实施方式的辅助像素的结构的视图。
图7C是示出根据本公开的实施方式的辅助像素的结构的视图。
图7D是示出根据本公开的实施方式的辅助像素的等效电路的电路图。
图7E是示出图7D中所示的辅助像素的操作的时序图。
图8是示出根据本公开的实施方式的输入感测层的视图。
图9A是示意地示出根据本公开的实施方式的输入感测层的视图。
图9B是示意地示出根据本公开的另一实施方式的输入感测层的视图。
图10A和图10B是示出根据本公开的又一实施方式的输入感测层的视图。
图10C是示出图10B中所示的输入感测层的截面的视图。
图11A和图11B是示出根据本公开的实施方式的输入感测面板的视图。
图11C是示出图11B中所示的输入感测面板的截面的视图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图更详细地描述示例性实施方式,在全部附图中,相同的附图标记指代相同的元件。然而,本发明可以以多种不同的形式实施,并且不应被解释为仅限于本文中示出的实施方式。更确切地说,提供作为示例的这些实施方式使得本公开将是全面的和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的方面和特征。因此,可不描述对于本领域普通技术人员完整地理解本发明的方面和特征所不必须的工艺、元件和技术。除非另有说明,否则在全部附图和书面描述中,相同的附图标记指代相同的元件,并且因此,将不重复相同的元件的描述。在附图中,为了清楚,可能夸大元件、层和区域的相对尺寸。
将理解,虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用以描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应由这些术语限制。这些术语用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分。因此,在不背离本发明的精神和范围的情况下,以下描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分能够被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了方便解释,诸如“在…下面”、“在…下方”、“下部”、“在…之下”、“在…上方”、“上部”等的空间相对术语可在本文中用以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解,除附图中描绘的定向之外,空间相对术语旨在包含设备在使用中或操作中的不同的定向。例如,如果附图中的设备翻转,则描述为在其他元件或特征“下方”、“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在…下方”和“在…之下”可以包含上方和下方两种定向。设备可以以其他方式定向(例如,旋转90度或处于其他定向),并且应该相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
将理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层,或者可存在一个或多个中间元件或层。此外,还将理解的是,当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时,该元件或层可以是两个元件或层之间的唯一的元件或层,或也可存在一个或多个中间元件或层。
本文使用的术语仅是用于描述特定实施方式的目的,并且不旨在对本发明进行限制。除非上下文另有明确指示,否则如本文所使用的,单数形式“一(a)”和“一(an)”旨在也包括复数形式。还将理解的是,当在本说明书中使用时,术语“包含”、“包含有”、“包括”和“包括有”表示所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在或添加。如本文中所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。当位于元件列表之后时,诸如“…中的至少一个”的表述修饰整个元件列表,并且不修饰列表中的单个元件。
如本文所使用的,术语“基本上”、“约”以及类似的术语作为近似的术语而不是作为程度的术语使用,并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差。此外,当描述本发明的实施方式时,“可(may)”的使用指的是“本发明的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的,术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可分别被认为与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。此外,术语“示例性”旨在指代示例或说明。
可利用任何合适的硬件、固件(例如,专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文中所描述的本发明的实施方式的电子设备或电气设备和/或任何其他相关的设备或组件。例如,这些设备的多种组件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分开的IC芯片上。此外,这些设备的多种组件可在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现、或形成在一个基底上。此外,这些设备的多种组件可为在一个或多个计算设备中的一个或多个处理器上运行的进程或线程,所述进程或线程执行计算机程序指令并且与用于执行本文中所描述的多种功能的其他系统组件进行交互。计算机程序指令存储在存储器中,所述存储器可使用标准存储器设备(诸如,例如,随机存取存储器(RAM))在计算设备中实现。计算机程序指令还可存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如,例如,CD-ROM、闪存盘等)中。此外,本领域的技术人员将认识到的是,在不背离本发明的示例性实施方式的精神和范围的情况下,多种计算设备的功能可结合或集成到单个计算设备中,或者特定计算设备的功能可跨越一个或多个其他计算设备分布。
除非另有限定,否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员的通常理解相同的含义。还将理解的是,除非在本文中明确地如此限定,否则术语(诸如在常用词典中限定的术语)应该被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义相同的含义,并且不应以理想化或过度正式的意义进行解释。图1A是示出本公开的显示设备的实施方式的视图。
如图1A中所示,显示设备DD可围绕主体部分BD。主体部分BD可包括安装在主板上的电子模块、相机模块、电源模块等。主体部分BD连同显示设备DD可位于托架/壳体等中,并且可构成移动电话终端。
显示设备DD可包括显示表面DD-IS和至少一个辅助感测表面RIS。
显示表面DD-IS可位于显示设备DD的前表面处。显示设备DD可通过显示表面DD-IS显示图像IM,并且还可通过显示表面DD-IS感测输入(例如,触摸、指纹或压力)。显示表面DD-IS与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面平行。显示表面DD-IS的法线方向(即,显示设备DD的相对于显示表面DD-IS的厚度方向)由第三方向DR3表示。
至少一个辅助感测表面RIS可位于显示设备DD的侧表面处。显示设备DD可通过辅助感测表面RIS感测输入(例如,触摸、指纹或压力)。辅助感测表面RIS与由第一方向DR1和第三方向DR3限定的表面平行。辅助感测表面RIS的法线方向(即,显示设备DD的相对于辅助感测表面RIS的厚度方向)由第二方向DR2表示。
下文中所描述的每个构件或单元的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)由第三方向DR3区分开。然而,本实施方式中示出的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3仅仅是说明性的,并且由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的方向是相对概念且可改变成其他方向。在下文中,第一方向、第二方向和第三方向是分别由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的方向,并且由相同的附图标记标明。
在本公开的实施方式中,显示设备DD包括示出的平坦的显示表面DD-IS或平坦的辅助感测表面RIS,但是本公开不限于此。显示设备DD可包括弯曲的显示表面DD-IS、弯曲的辅助感测表面RIS、立体的显示表面DD-IS或立体的辅助感测表面RIS。立体的显示表面DD-IS可包括表示不同方向的多个显示区。例如,立体的显示表面DD-IS可包括多边形柱形状的显示表面。
根据本实施方式的显示设备DD可为刚性显示设备。然而,本公开不限于此,并且显示设备DD可为柔性显示设备。在本实施方式中,显示设备DD被示例性地示出为移动电话终端。根据本公开的显示设备DD可应用于诸如电视机和监视器的大型电子设备以及诸如平板PC、车辆导航系统、游戏机和智能手表的中型/小型电子设备。
如图1A中所示,显示表面DD-IS包括显示图像IM的显示区DD-DA和与显示区DD-DA相邻的非显示区DD-NDA。非显示区DD-NDA是不显示任何图像的区。在图1A中,温度和天气图像被示出为图像IM的示例。
如图1A中所示,显示区DD-DA可具有四边形(例如,四角形)形状。非显示区DD-NDA可围绕显示区DD-DA。然而,本公开不限于此,并且可相对地设计显示区DD-DA和非显示区DD-NDA的形状。
如图1A中所示,辅助感测表面RIS可表示显示设备DD的整个侧表面,但是本公开不限于此。与图1A中示出的不同,辅助感测表面RIS可表示显示设备DD的侧表面的一部分。
为了方便示出,在以下附图中假设显示设备DD处于其展开的状态中。因此,将容易理解,尽管以下附图中示出了显示表面DD-IS和至少一个辅助感测表面RIS位于相同的平面上的情况,但是显示表面DD-IS可位于显示设备DD的前表面处,并且至少一个辅助感测表面RIS可位于显示设备DD的侧表面处。
图1B是示出本公开的显示设备的实施方式的视图。为了方便说明,将主要描述与图1A的部分不同的部分。
图1B示出了显示设备DD展开的状态。如图1B中所示,显示设备DD可包括相对于显示表面DD-IS在两个方向上延伸的两个辅助感测表面RIS。
图1C是示出本公开的显示设备的另一实施方式的视图。为了方便说明,将主要描述与图1B的部分不同的部分。
图1C示出了显示设备DD展开的状态。如图1C中所示,显示设备DD可包括相对于显示表面DD-IS在一个方向上延伸的一个辅助感测表面RIS。
在下文中,如图1C中所示,假设显示设备DD包括一个辅助感测表面RIS。然而,将显而易见的是,以下描述可应用于图1B中示出的显示设备DD或包括三个或更多个辅助感测表面RIS的显示设备DD。
图2A至图2C是根据本公开的实施方式的显示设备的剖视图。例如,图2A至图2C可示出图1C中示出的显示设备的实施方式的截面。
图2A至图2C示出了由第二方向DR2和第三方向DR3限定的截面。图2A至图2C示出了构成显示设备DD的功能面板和/或功能单元之间的堆叠关系。
根据本公开的实施方式的显示设备DD可包括显示面板DP、输入感测单元、防反射单元和窗单元。显示面板DP、输入感测单元、防反射单元和窗单元中的至少一些组件可通过连续工艺形成。替代地,显示面板DP、输入感测单元、防反射单元和窗单元中的至少一些组件可通过粘合构件彼此联接。在图2A至图2C中,光学透明粘合构件OCA可被示例性地示出为粘合构件。下文中所描述的粘合构件可包括普通粘合剂或粘着剂。在本公开的实施方式中,可用其他组件代替防反射单元和窗单元或可省略防反射单元和窗单元。
在图2A至图2C中,在组件(例如,输入感测单元、防反射单元和窗单元)中,通过连续工艺与另一组件形成在一起的相应组件被表述为“层”。在组件(例如,输入感测单元、防反射单元和窗单元)中,通过粘合构件与另一组件联接的相应组件被表述为“面板”。“面板”包括提供基底表面的基底层,例如,合成树脂膜、复合材料膜、玻璃衬底等,但是可在“层”中省略基底层。换句话说,表述为“层”的单元设置在由另一单元提供的基底表面上。
根据基底层的存在/不存在,输入感测单元、防反射单元和窗单元可表示为输入感测面板ISP、防反射面板和窗面板WP或输入感测层ISL、防反射层和窗层WL。在一些实施方式中,可省略防反射单元。
如图2A中所示,显示设备DD可包括显示面板DP、输入感测层ISL和窗面板WP。
输入感测层ISL可直接设置在显示面板DP上。在本说明书中,“组件B直接设置在组件A上”意味着组件A与组件B之间未设置任何单独的粘合层/粘合构件。在形成组件A之后,组件B通过连续工艺形成在由组件A提供的基底表面上。
显示面板DP和直接设置在显示面板DP上的输入感测层ISL可被限定为显示模块DM。光学透明粘合构件OCA可设置在显示模块DM与窗面板WP之间。
显示面板DP可生成图像。例如,显示面板DP可包括图1A中所示的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA。
显示面板DP可被划分成显示表面DD-IS和辅助感测表面RIS。例如,显示像素可布置在显示表面DD-IS上,并且辅助像素可布置在辅助感测表面RIS上。
在本公开的实施方式中,显示面板DP可为发光显示面板,但是不受特别限制。例如,显示面板DP可为有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可包括量子点、量子棒等。在下文中,显示面板DP被描述为有机发光显示面板。
显示面板DP可包括安装在辅助感测表面RIS处的辅助感测单元RISU。例如,辅助感测单元RISU可设置在显示设备DD的侧表面处。
在一些实施方式中,辅助感测单元RISU可形成在与显示面板DP相同的层中。
在一些实施方式中,辅助感测单元RISU可感测触摸、指纹和压力中的至少一种。
即,辅助感测单元RISU可获取外部输入(例如,触摸事件)的坐标信息或压力信息,从而感测触摸、指纹和压力中的至少一种。
辅助感测单元RISU可使用有源自电容(ASC)方法、有源互电容(AMC)方法、自电容方法和互电容方法中的任何一种来实现。
在本文中,ASC方法可指的是这样一种方法,其中,辅助感测单元RISU中所包括的辅助像素被顺序地驱动,并且辅助像素中所包括的电极和用户的身体的一部分(例如,手指)形成电容器,从而感测指纹和压力中的至少一种。
在本文中,AMC方法可指的是这样一种方法,其中,辅助感测单元RISU中所包括的电极的被顺序地驱动,并且形成在辅助感测单元RISU中所包括的两个电极之间的电容根据用户的触摸而改变,从而感测指纹和压力中的至少一种。
在本文中,自电容方法可指的是这样一种方法,其中,辅助像素中所包括的电极和用户的身体的一部分(例如,手指)形成电容器,从而感测指纹和压力中的至少一种。
在本文中,互电容方法可指的是这样一种方法,其中,形成在辅助感测单元RISU中所包括的两个电极之间的电容根据用户的触摸而改变,从而感测指纹和压力中的至少一种。
在一些实施方式中,辅助感测单元RISU可用超声传感器或光学传感器实现。
当使用超声传感器实现辅助感测单元RISU时,辅助感测单元RISU可包括超声发生器和超声接收器。
当使用光学传感器实现辅助感测单元RISU时,辅助感测单元RISU可包括光源和光接收元件(例如,光电二极管)。
输入感测层ISL可获取外部输入(例如,触摸事件)的坐标信息或压力信息。在本公开的实施方式中,虽然未在附图中单独示出,但是显示模块DM还可包括设置在显示面板DP的底表面上的保护构件。保护构件和显示面板DP可通过粘合构件彼此联接。下文中所描述的图2B和图2C的显示设备DD中的每个也可包括保护构件。
防反射面板(未示出)减小从窗面板WP的顶部入射的外部光的反射率。在本公开的实施方式中,防反射面板(未示出)可包括延迟器和偏光器。延迟器可为膜类型延迟器或液晶涂覆类型延迟器,并且包括λ/2延迟器或λ/4延迟器。偏光器也可为膜类型偏光器或液晶涂覆类型偏光器。膜类型偏光器可包括拉伸合成树脂膜,并且液晶涂覆类型偏光器可包括以预定排列布置的液晶。延迟器和偏光器还可包括保护膜。延迟器和偏光器或保护膜可限定为防反射面板(未示出)的基底层。
在本公开的实施方式中,防反射面板(未示出)可包括滤色器。滤色器可具有预定布置。滤色器的布置可通过考虑显示面板DP中所包括的像素的发光颜色而确定。防反射面板(未示出)还可包括与滤色器相邻的黑色矩阵。
在本公开的实施方式中,防反射面板(未示出)可包括相消干涉结构。例如,相消干涉结构可包括设置在不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别来自第一反射层和第二反射层的第一反射光和第二反射光可彼此相消干涉,并且因此,减小外部光的反射率。
在本公开的实施方式中,窗面板WP可包括基底膜和遮光图案。基底膜可包括玻璃衬底和/或合成树脂膜。基底膜不限于单层。基底膜可包括通过粘合构件彼此联接的两个或更多个膜。
遮光图案可与基底膜部分重叠。遮光图案可设置在基底膜的后表面上以限定显示设备DD的边框区,即,非显示区DD-NDA(参见图1A至图1C)。
遮光图案可为着色有机层,并且可通过涂覆形成。虽然未在附图中单独地示出,但是窗面板WP还可包括设置在基底膜的前表面上的功能涂覆层。功能涂覆层可包括防指纹层、防反射层、硬化涂覆层等。在图2A至图2C中,简要地示出了窗面板WP,而没有将基底膜和遮光图案彼此区分开。
如图2B中所示,输入感测层ISL可包括设置在辅助感测表面RIS处的辅助感测单元RISU。例如,辅助感测单元RISU可设置在显示设备DD的侧表面处。
在一些实施方式中,辅助感测单元RISU可形成在与输入感测层ISL(即,输入感测单元)相同的层中。
如图2C中所示,显示设备DD可包括显示面板DP、输入感测面板ISP和窗面板WP。输入感测面板ISP可包括设置在辅助感测表面RIS处的辅助感测单元RISU。例如,辅助感测单元RISU可设置在显示设备DD的侧表面处。在一些实施方式中,辅助感测单元RISU可形成在与输入感测面板ISP(即,输入感测单元)相同的层中。
在图2A至图2C中,输入感测层ISL或输入感测面板ISP可与显示面板DP完全重叠,但是本公开不限于此。在一些实施方式中,输入感测层ISL或输入感测面板ISP可与显示面板DP部分重叠。
下文中所描述的感测电极之间的间距以及感测电极的宽度可根据输入感测单元的用途而改变。触摸感测面板的感测电极可具有几毫米至几十毫米的宽度,并且指纹感测面板的感测电极可具有几十微米至几百微米的宽度。
图3是示出根据本公开的实施方式的显示面板DP的截面的视图。例如,图3可示出图2A中所示的显示面板DP的截面。
如图3中所示,显示面板DP可包括基底层BL、设置在基底层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、辅助感测元件层RIS-SC和薄膜封装层TFE。虽然未在附图中单独示出,但是显示面板DP还可包括诸如防反射层和折射率调整层的功能层。
基底层BL可包括合成树脂膜。
合成树脂层形成在用于制造显示面板DP的工作衬底上。随后,在合成树脂层上形成导电层、绝缘层等。如果移除工作衬底,则合成树脂层对应于基底层BL。
合成树脂层可为聚酰亚胺基树脂层,并且合成树脂层的材料不受特别限制。此外,基底层BL可包括玻璃衬底、金属衬底、有机/无机复合材料衬底等。
电路元件层DP-CL可包括至少一个绝缘层和电路元件。在下文中,电路元件层DP-CL中所包括的绝缘层被称为中间绝缘层。中间绝缘层可包括至少一个中间无机层和至少一个中间有机层。电路元件可包括信号线、像素的驱动电路、辅助像素的驱动电路等。电路元件层DP-CL可通过经由涂覆、沉积等形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及经由光刻工艺对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化的工艺而形成。
例如,电路元件层DP-CL可包括显示像素的晶体管T1和T2(参见图6)或辅助像素的晶体管T1、T2和T3(参见图7D)。
显示元件层DP-OLED可包括显示像素的发光器件。显示元件层DP-OLED可包括有机发光二极管。显示元件层DP-OLED还可包括诸如像素限定层的有机层。
例如,显示元件层DP-OLED可位于显示区DD-DA中。
辅助感测元件层RIS-SC可包括辅助像素的辅助感测电极。辅助感测元件层RIS-SC可包括感测电极。辅助感测元件层RIS-SC还可包括位于感测电极之间的弹性层。
薄膜封装层TFE可封装显示元件层DP-OLED和辅助感测元件层RIS-SC。薄膜封装层TFE可包括至少一个绝缘层。在本公开的实施方式中,薄膜封装层TFE可包括至少一个无机层(在下文中,被称为封装无机层)。在本公开的实施方式中,薄膜封装层TFE可包括至少一个有机层(在下文中,被称为封装有机层)和至少一个封装无机层。
封装无机层可例如保护显示元件层DP-OLED免受水分/氧气的影响,并且封装有机层可例如保护显示元件层DP-OLED免受诸如粉尘颗粒的异物的影响。封装无机层可包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等,但是不受特别限制。封装有机层可包括丙烯酸基有机层,但是不受特别限制。
图4是示出根据本公开的实施方式的显示面板的视图。例如,图4可示出图2A中所示的显示面板DP。
如图4中所示,在平面上,显示面板DP可包括显示区DD-DA和非显示区DD-NDA。在本实施方式中,非显示区DD-NDA可沿着显示区DD-DA的边缘限定。显示面板DP的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA可分别与图1A和图1C中示出的显示设备DD的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA对应。
显示面板DP可包括信号线SGGL、信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD、辅助焊盘RIS-PD和显示单元DU。此外,显示面板DP还可包括辅助感测单元RISU。
显示单元DU可包括显示像素PX,并且辅助感测单元RISU可包括辅助像素RSPX。
显示面板DP可被划分成显示表面DD-IS和辅助感测表面RIS。信号线SGGL和显示单元DU可设置在显示面板DP的显示表面DD-IS处,并且辅助感测单元RISU可设置在显示面板DP的辅助感测表面RIS处。
此外,信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD可设置在显示面板DP的显示表面DD-IS处。然而,本公开不限于此。
虽然在图4中省略,但是信号线SGGL可设置在整个显示区DD-DA和非显示区DD-NDA中。信号线SGGL可包括焊盘部分和线部分。
线部分可为设置在显示区DD-DA和非显示区DD-NDA中的部分,并且焊盘部分可为连接到线部分的端部的部分。
连接到显示像素PX的线部分可占据信号线SGGL的大部分。线部分可连接到显示像素PX的晶体管T1和T2(参见图6)或辅助像素RSPX的晶体管T1、T2和T3(参见图7D)。
线部分可具有单层结构/多层结构。线部分可为集成的单体或包括两个或更多个部分。两个或更多个部分可设置在不同的层上并且通过穿过设置在该两个或更多个部分之间的绝缘层的接触孔彼此连接。
焊盘部分可与信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD中的对应的焊盘重叠。
其中设置有信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD的区可被限定为焊盘区NDA-PD。
信号焊盘DP-PD和辅助焊盘RIS-PD可电连接至信号线SGGL中的相应的信号线。
感测焊盘IS-PD可选择性地设置在图2A和图2B的显示面板DP中。感测焊盘IS-PD可在图2C的显示面板DP中省略。
感测焊盘IS-PD可与设置在图2A和图2B中示出的输入感测层ISL中的信号线的焊盘部分重叠。感测焊盘IS-PD可为浮动电极。感测焊盘IS-PD可与显示面板DP的信号线SGGL电绝缘。
信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD可通过与信号线SGGL相同的工艺形成,并且设置在与信号线SGGL相同的层上。
显示像素PX可布置在显示区DD-DA中。显示像素PX中的每个可包括有机发光二极管和连接至有机发光二极管的像素驱动电路。辅助像素RSPX中的每个可包括辅助感测电极和连接至辅助感测电极的辅助像素驱动电路。
信号线SGGL、信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD、辅助焊盘RIS-PD、像素驱动电路和辅助像素驱动电路可包括在图3中示出的电路元件层DP-CL中。
在图4中,另外示出了电连接至显示面板DP的电路板PCB。电路板PCB可为刚性电路板或柔性电路板。电路板PCB可直接联接到显示面板DP,或可通过另一电路板连接到显示面板DP。
用于控制显示面板DP的操作的时序控制电路TC可设置在电路板PCB上。此外,用于控制输入感测面板ISP或输入感测层ISL的输入感测电路IS-C可设置在电路板PCB上。时序控制电路TC和输入感测电路IS-C中的每个可以以集成芯片(IC)的形式安装在电路板PCB上。在本公开的实施方式中,时序控制电路TC和输入感测电路IS-C可以以一个IC的形式安装在电路板PCB上。电路板PCB可包括电连接到显示面板DP的电路板焊盘PCB-P。虽然未在附图中示出,但是电路板PCB还可包括用于将电路板焊盘PCB-P连接至时序控制电路TC和/或输入感测电路IS-C的信号线。
与图4中示出的不同,根据本公开的实施方式的显示面板DP还可包括设置在非显示区DD-NDA中的芯片安装区。
在一些实施方式中,以IC的形式安装在电路板PCB上的时序控制电路TC和输入感测电路IS-C中的至少一个可安装在芯片安装区中。
图5A和图5B是示意地示出图4中所示的显示面板的实施方式的视图,其中,使用有源自电容(ASC)方法实现辅助感测单元RISU。
为了方便描述,图5A和图5B中仅示出了图4中示出的显示像素PX中的一个以及与其对应的组件。
在图5A和图5B中,将省略与图4的内容重复的内容以避免冗余。
如图5A和图5B中所示,显示面板DP可包括驱动电路GDC、显示单元DU和辅助感测单元RISU。此外,显示面板DP可包括信号焊盘DP-PD和辅助焊盘RIS-PD。
为了方便描述,图5A和图5B中示出了辅助焊盘RIS-PD设置在显示面板DP的辅助感测表面RIS处的情况,但是本公开不限于此。
驱动电路GDC、信号线SGGL、信号焊盘DP-PD和像素驱动电路可包括在图3中示出的电路元件层DP-CL中。
图5A中示出了驱动电路GDC设置在显示单元DU和辅助感测单元RISU的一侧处的实施方式,并且图5B中示出了驱动电路GDC设置在显示单元DU与辅助感测单元RISU之间的实施方式。然而,本公开不限于此。在一些实施方式中,驱动电路GDC可设置在多种位置处。
驱动电路GDC可包括扫描驱动电路。扫描驱动电路可产生扫描信号并且将扫描信号顺序地输出至扫描线GL。在一些实施方式中,扫描驱动电路还可将另一控制信号输出至显示像素PX的驱动电路。即,驱动电路GDC可顺序地驱动针对每条水平线的显示像素PX和辅助像素RSPX。
扫描驱动电路可包括通过与显示像素PX的驱动电路相同的工艺(例如,低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)形成的多个薄膜晶体管。
图4中示出的信号线SGGL可包括扫描线GL、数据线DL、电源线PL和控制信号线CSL。此外,信号线SGGL还可包括辅助输出线ROL和辅助电源线RSPL。
扫描线GL中的每个可在连接到显示像素PX中的相应的显示像素的同时连接到辅助像素RSPX中的相应的辅助像素。即,相应的显示像素和相应的辅助像素可连接到相同的扫描线GL。例如,对于每条水平线,显示像素PX和辅助像素RSPX可连接到相同的扫描线GL。
数据线DL和电源线PL可连接到显示像素PX。
控制信号线CSL可连接到驱动电路GDC。
辅助输出线ROL和辅助电源线RSPL可连接到辅助像素RSPX。
图6是示出根据本公开的实施方式的显示像素的视图。图6包括根据本公开的实施方式的显示像素PX的等效电路图。
图6中示出了任何一条扫描线GL、任何一条数据线DL、电源线PL和连接到该任何一条扫描线GL、该任何一条数据线DL、该电源线PL的显示像素PX。显示像素PX的配置不限于图6并且可进行修改。
有机发光二极管OLED可为顶部发射类型发光二极管或底部发射类型发光二极管。显示像素PX包括构成用于驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路的第一晶体管(或开关晶体管)T1、第二晶体管(或驱动晶体管)T2和电容器Cst。第一电源电压ELVDD被提供至第二晶体管T2,并且第二电源电压ELVSS被提供至有机发光二极管OLED。第二电源电压ELVSS可为比第一电源电压ELVDD低的电压。
第一晶体管T1响应于施加至扫描线GL的扫描信号输出施加至数据线DL的数据信号。电容器Cst充入与从第一晶体管T1接收的数据信号对应的电压。第二晶体管T2连接到有机发光二极管OLED。第二晶体管T2与存储在电容器Cst中的电荷量对应地控制流过有机发光二极管OLED的驱动电流。
图6的等效电路仅仅是实施方式,并且本公开不限于此。显示像素PX还可包括多个晶体管和多个电容器。有机发光二极管OLED可连接在电源线PL与第二晶体管T2之间。
图7A至图7E是示出使用有源自电容(ASC)方法的辅助像素RSPX的视图。
图7A是示出根据本公开的实施方式的辅助像素的视图。例如,图7A可示出图5A和图5B中所示的辅助像素。
为了方便描述,图7A中示出了连接到第i扫描线GLi和任意一条辅助输出线ROL的辅助像素RSPX(此处,i为2或更大的整数)。
参考图7A,根据本公开的实施方式的辅助像素RSPX可包括辅助感测电极300、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和电容器电极350。
第一晶体管T1可控制辅助输出线ROL中流动的电流。为此,第一晶体管T1可连接在辅助输出线ROL与第二晶体管T2之间。
例如,第一晶体管T1可包括连接到第二晶体管T2的第二电极323的第一电极312、连接到辅助输出线ROL的第二电极313、连接到辅助感测电极300的栅电极314和连接在第一电极312与第二电极313之间的半导体层311。
此外,第一晶体管T1的栅电极314、第一电极312和第二电极313可分别通过接触孔CH1、CH2和CH3连接到其他组件。
第一晶体管T1可与辅助感测电极300的电位对应地控制输出至辅助输出线ROL的电流Io(参见图7D)。
第二晶体管T2可连接在辅助电源线RSPL与第一晶体管T1之间。
例如,第二晶体管T2可包括连接到辅助电源线RSPL的第一电极322、连接到第一晶体管T1的第一电极312的第二电极323、连接到第i扫描线GLi的栅电极324和连接在第一电极322与第二电极323之间的半导体层321。
此外,第二晶体管T2的第一电极322和第二电极323可分别通过接触孔CH4和CH5连接到其他组件。
当传感器扫描信号被提供至第i扫描线GLi时,第二晶体管T2可导通。如果第二晶体管T2导通,则参考电压可被施加至第一晶体管T1的第一电极312。
第三晶体管T3可连接在辅助电源线RSPL与辅助感测电极300之间。
例如,第三晶体管T3可包括连接到辅助电源线RSPL的第一电极332、连接到辅助感测电极300的第二电极333、连接到第(i-1)扫描线GLi-1的栅电极334和连接在第一电极332与第二电极333之间的半导体层331。
此外,第三晶体管T3的第一电极332和第二电极333可分别通过接触孔CH6和CH7连接到其他组件。
因此,当传感器扫描信号被提供至第(i-1)扫描线GLi-1时,第三晶体管T3可导通。如果第三晶体管T3导通,则辅助感测电极300的电压可初始化至参考电压。
电容器电极350可定位成与辅助感测电极300重叠。因此,电容器电极350可以与辅助感测电极300形成电容器。
此外,电容器电极350可连接到第i扫描线GLi。例如,电容器电极350可通过第二晶体管T2的栅电极324连接到第i扫描线GLi。
在此时,电容器电极350和第二晶体管T2的栅电极324可由与第i扫描线GLi相同的材料形成。
辅助感测电极300可与电容器电极350和用户的手指等形成电容器。
此外,辅助感测电极300可包括导电材料。例如,导电材料可包括金属、金属的合金、导电聚合物、导电金属氧化物等。
金属的示例可为铜、银、金、铂、钯、镍、锡、铝、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅等。
此外,导电聚合物的示例可为聚噻吩基化合物、聚吡咯基化合物、聚苯胺基化合物、聚乙炔基化合物和聚亚苯基化合物、它们的混合物等。聚噻吩基化合物中的PEDOT/PSS化合物可用作导电聚合物。
导电金属氧化物的示例可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锑锌(AZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等。
图7B和图7C是根据本公开的实施方式的辅助像素的剖视图。例如,图7B和图7C可示出图5A和图5B中所示的辅助像素的结构。
图7B和图7C还示出了与辅助感测电极300相关的第二电容器C2的电容根据指纹的脊410和谷420而改变。
具体地,图7B中示出了手指400的脊410位于辅助像素RSPX上的情况,并且图7C中示出了手指400的谷420位于辅助像素RSPX上的情况。
弹性绝缘层RSL可位于电容器电极350上,并且辅助感测电极300可位于弹性绝缘层RSL上。
辅助感测电极300和电容器电极350可形成第一电容器C1。辅助感测电极300和电容器电极350可定位成彼此间隔开,并且辅助感测电极300与电容器电极350之间插置有弹性绝缘层RSL。
弹性绝缘层RSL可位于辅助感测电极300上,并且窗面板WP可位于弹性绝缘层RSL上。
用户的手指400可与窗面板WP接触。
此外,当用户的手指400位于辅助像素RSPX上以识别指纹时,辅助感测电极300和手指400可形成第二电容器C2。
在此时,第二电容器C2是可变电容器,并且第二电容器C2的电容可根据指纹的脊410位于辅助感测电极300上还是指纹的谷420位于辅助感测电极300上而改变。
即,因为脊410与辅助感测电极300之间的距离比谷420与辅助感测电极300之间的距离短,所以当如图7B中所示的脊410位于辅助感测电极300上时的第二电容器C2的电容与当如图7C中所示的谷420位于辅助感测电极300上时的第二电容器C2的电容不同。
参考图7A至图7C,第二电容器C2的电容的变化对于辅助像素RSPX的输出电流有影响,并且可基于输出电流的改变感测用户的指纹或掌纹。
此外,弹性绝缘层RSL可具有弹性。具有弹性的弹性绝缘层RSL可具有根据施加至其的压力而改变的厚度。如果弹性绝缘层RSL的厚度改变,则第一电容器C1或第二电容器C2的电容可改变。
这种电容变化对辅助像素RSPX的输出电流具有影响,并且可基于输出电流的改变感测压力。
然而,本公开不限于此,并且辅助像素RSPX可以以各种方式设计以感测压力。
图7D是示出根据本公开的实施方式的辅助像素的等效电路的视图。图7E是示出图7D中所示的辅助像素的操作的时序图。
为了方便描述,图7D中示出了连接到第i扫描线GLi、第(i-1)扫描线GLi-1和辅助输出线ROL的辅助像素RSPX。此外,图7E中示出了提供至第(i-1)扫描线GLi-1的扫描信号和提供至第i扫描线GLi的扫描信号。
参考图7D,辅助像素RSPX可包括辅助感测电极300、电容器电极350、第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。
如上所述,辅助感测电极300和电容器电极350可构成第一电容器C1,并且第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3可构成辅助像素驱动电路SC。
此外,如上所述,第二电容器C2是可变电容器,并且可用辅助感测电极300和手指400配置。在此时,第二电容器C2的电容可根据辅助感测电极300与手指400之间的距离、指纹的脊还是指纹的谷位于辅助感测电极300上、由触摸引起的压力的强度等而改变。
第一晶体管T1可控制辅助输出线ROL中流动的电流。第一晶体管T1可连接在辅助输出线ROL与第二晶体管T2之间。
换句话说,第一晶体管T1可连接在辅助输出线ROL与第一节点N1之间,并且第一晶体管T1的栅电极可连接到第二节点N2。
例如,第一晶体管T1可包括连接到第二晶体管T2的第二电极的第一电极、连接到辅助输出线ROL的第二电极和连接到辅助感测电极300的栅电极。
第二晶体管T2可连接在辅助电源线RSPL与第一晶体管T1之间。
换句话说,第二晶体管T2可连接在辅助电源线RSPL与第一节点N1之间,并且第二晶体管T2的栅电极可连接到第i扫描线GLi。
例如,第二晶体管T2可包括连接到辅助电源线RSPL的第一电极、连接到第一晶体管T1的第一电极的第二电极以及连接到第i扫描线GLi的栅电极。
因此,当扫描信号被提供至第i扫描线GLi时,第二晶体管T2可导通。如果第二晶体管T2导通,则参考电压可被施加至第一晶体管T1的第一电极。
第三晶体管T3可连接在辅助电源线RSPL与辅助感测电极300之间。
换句话说,第三晶体管T3可连接在第二节点N2与辅助电源线RSPL之间,并且第三晶体管T3的栅电极可连接到第(i-1)扫描线GLi-1。
例如,第三晶体管T3可包括连接到辅助电源线RSPL的第一电极、连接到辅助感测电极300的第二电极和连接到第(i-1)扫描线GLi-1的栅电极。
因此,当扫描信号被提供至第(i-1)扫描线GLi-1时,第三晶体管T3可导通。如果第三晶体管T3导通,则辅助感测电极300的电压可被初始化至参考电压。
电容器电极350可定位成与辅助感测电极300重叠。因此,电容器电极350可以与辅助感测电极300一起形成第一电容器C1。
此外,电容器电极350可连接到第i扫描线GLi。
因此,第一电容器C1可连接在第二节点N2与第i扫描线GLi之间。
此外,第二电容器C2可连接到第二节点N2。
第一节点N1是第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极共同连接到的节点,并且第二节点N2是辅助感测电极300、第一晶体管T1的栅电极和第三晶体管T3的第二电极共同连接到的节点。
在这里,晶体管T1、T2和T3中的每个的第一电极可设置为源电极和漏电极中的任何一个,并且晶体管T1、T2和T3中的每个的第二电极可设置为与第一电极不同的电极。例如,如果第一电极被设置为源电极,则第二电极可被设置为漏电极。
此外,图7D中示例性地示出了晶体管T1、T2和T3是PMOS晶体管的情况。然而,在另一实施方式中,晶体管T1、T2和T3可用NMOS晶体管实现。
图7E是示出图7D中所示的辅助像素的操作的时序图。
参考图7E,扫描信号可在第一周期P1期间被提供至第(i-1)扫描线GLi-1。
因此,在第一周期P1中,第三晶体管T3可保持导通状态,并且第二节点N2可初始化至从辅助电源线RSPL施加的参考电压。
之后,扫描信号可在第二周期P2期间被提供至第i扫描线GLi。
因此,在第二周期P2中,第二晶体管T2可保持导通状态,并且电流可从辅助电源线RSPL经由第二晶体管T2和第一晶体管T1流入辅助输出线ROL中。
在此时,第一晶体管T1可与栅极电压(第二节点N2的电压)对应地控制输出电流的量。
例如,输出电流可根据第一晶体管T1的栅极电压Vg而改变。第一晶体管T1的栅极电压Vg可根据以下公式确定。
Vg=Vcom+{Vc1/(Vc1+Vc2)}*Vs(Vcom是参考电压,Vc1是第一电容器C1的电容,Vc2是第二电容器C2的电容,并且Vs是提供至第i扫描线GLi的传感器扫描信号的电压的变化)。
图8是示出根据本公开的实施方式的输入感测层ISL的视图。例如,图8可示出图2B中所示的输入感测层ISL。
如图8中所示,在平面上,输入感测层ISL可包括显示区DD-DA和非显示区DD-NDA。在本实施方式中,非显示区DD-NDA可沿着显示区DD-DA的边缘限定。输入感测层ISL的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA可分别与图1A至图1C中示出的显示设备DD的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA对应。
输入感测层ISL可包括信号线SGGL、信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD、辅助焊盘RIS-PD和输入感测单元ISU。此外,输入感测层ISL还可包括辅助感测单元RISU。
输入感测单元ISU可包括感测像素SPX,并且辅助感测单元RISU可包括辅助像素RSPX。
输入感测单元ISU可设置在显示设备DD(参见图1A)的前表面处,并且辅助感测单元RISU可设置在显示设备DD的侧表面处。
在一些实施方式中,输入感测单元ISU可用用于感测触摸的触摸传感器或用于感测指纹或掌纹的指纹传感器实现。
此外,辅助感测单元RISU可用用于感测指纹或掌纹的指纹传感器实现。
输入感测层ISL可被划分成显示表面DD-IS和辅助感测表面RIS。输入感测单元ISU可设置在输入感测层ISL的显示表面DD-IS处,并且辅助感测单元RISU可设置在输入感测层ISL的辅助感测表面RIS处。
此外,信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD可设置在输入感测层ISL的显示表面DD-IS处。然而,本公开不限于此。
信号线SGGL可设置在整个输入感测层ISL中。信号线SGGL可包括焊盘部分和线部分。
线部分可为设置在整个输入感测层ISL中的部分,并且焊盘部分可为连接到线部分的端部的部分。
连接到感测像素SPX的线部分可占据信号线SGGL的大部分。线部分可连接到感测像素SPX或辅助像素RSPX。
线部分可具有单层结构或多层结构。线部分可为集成的单体或包括两个或更多个部分。两个或更多个部分可设置在不同的层上并且通过穿过设置在该两个或更多个部分之间的绝缘层的接触孔彼此连接。
焊盘部分可与感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD中的相应的焊盘重叠。
其中设置有信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD的区可被限定为焊盘区NDA-PD。
感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD可电连接至信号线SGGL中的相应的信号线。
信号焊盘DP-PD可选择性地设置在图2A和图2B的输入感测层ISL中。信号焊盘DP-PD可在图2C的输入感测面板ISP中省略。
信号焊盘DP-PD可与设置在图2A和图2B中示出的显示面板DP中的信号线的焊盘部分重叠。信号焊盘DP-PD可为浮动电极。信号焊盘DP-PD可与输入感测层ISL的信号线SGGL电绝缘。
信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD可通过与信号线SGGL相同的工艺形成,并且设置在与信号线SGGL相同的层上。
感测像素SPX可布置在显示区DD-DA中。感测像素SPX中的每个可包括感测电极和连接至感测电极的感测像素驱动电路。辅助像素RSPX中的每个可包括辅助感测电极和连接至辅助感测电极的辅助像素驱动电路。
图9A是示意地示出图8中所示的输入感测层的实施方式的视图。
图9A示出了使用有源自电容(ASC)方法实现的输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。
为了方便描述,图9A中仅示出了图8中所示的感测像素SPX中的任何一个以及与其对应的组件。
在图9A中,将省略与图8的内容重复的内容以避免冗余。
如图9A中所示,输入感测层ISL可包括感测驱动电路SGDC、输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。此外,输入感测层ISL可包括感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD。
为了方便描述,图9A中示出了辅助焊盘RIS-PD设置在输入感测层ISL的辅助感测表面RIS处的情况,但是本公开不限于此。
图9A中示出了感测驱动电路SGDC设置在输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU的一侧处的实施方式。然而,本公开不限于此。在一些实施方式中,感测驱动电路SGDC可设置在输入感测单元ISU与辅助感测单元RISU之间。
感测驱动电路SGDC可包括感测扫描驱动电路。
感测扫描驱动电路可产生感测扫描信号并将感测扫描信号顺序地输出至感测扫描线SGL。在一些实施方式中,感测扫描驱动电路还可将另一控制信号输出至感测像素SPX的驱动电路或辅助像素RSPX的驱动电路。
即,感测驱动电路SGDC可顺序地驱动针对每条水平线的感测像素SPX和辅助像素RSPX。
图8中示出的信号线SGGL可包括感测扫描线SGL、感测输出线SOL、感测电源线SPL和感测控制信号线SCSL。此外,信号线SGGL还可包括辅助输出线ROL和辅助电源线RSPL。
感测扫描线SGL中的每个可在连接到感测像素SPX中的相应的感测像素的同时连接到辅助像素RSPX中的相应的辅助像素。即,相应的感测像素和相应的辅助像素可连接到相同的感测扫描线SGL。
感测输出线SOL和感测电源线SPL可连接到感测像素SPX。
感测控制信号线SCSL可连接到感测驱动电路SGDC。
辅助输出线ROL和辅助电源线RSPL可连接到辅助像素RSPX。
在一些实施方式中,感测电源线SPL和辅助电源线RSPL可提供相同的电源。例如,感测电源线SPL和辅助电源线RSPL可彼此电连接。
因为图9A中示出的输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU使用ASC方法实现,所以可应用图7A至图7E中描述的内容。
输入感测单元ISU的分辨率可比辅助感测单元RISU的分辨率低。在一些实施方式中,感测像素SPX的尺寸可大于辅助像素RSPX的尺寸。
图9B是示意地示出图8中所示的输入感测层的另一实施方式的视图。图9B示出了使用自电容方法实现的输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。
为了方便描述,图9B中仅示出了图8中所示的感测像素SPX中的一个以及与其对应的组件。
在图9B中,将省略与图8的内容重复的内容以避免冗余。
如图9B中所示,输入感测层ISL可包括输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。此外,输入感测层ISL可包括感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD。
为了方便描述,图9B中示出了辅助焊盘RIS-PD设置在输入感测层ISL的辅助感测表面RIS处的情况,但是本公开不限于此。
图8中示出的信号线SGGL可包括感测输出线SOL和感测电源线SPL。此外,信号线SGGL还可包括辅助输出线ROL和辅助电源线RSPL。
感测输出线SOL中的每个可连接到感测像素SPX中的相应的感测像素。
如图9B中所示,输入感测单元ISU可包括感测像素SPX。辅助感测单元RISU可包括辅助像素RSPX。感测像素SPX中的每个可包括感测电极IE。辅助像素RSPX中的每个可包括辅助感测电极RIE。
感测电极IE和辅助感测电极RIE可具有唯一的坐标信息。例如,感测电极IE和辅助感测电极RIE可以以矩阵形式布置。感测电极IE和辅助感测电极RIE的形状和布置不受特别限制。在一些实施方式中,感测电极IE和辅助感测电极RIE可具有多种形状,诸如网格形状和板形状。
在一些实施方式中,感测电极IE和辅助感测电极RIE可由金属或透明导电层制成。例如,金属可包括钼、银、钛、铜、铝和它们的任何合金。透明导电层可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。此外,透明导电层可包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。
感测电极IE和辅助感测电极RIE的形状和材料可通过考虑感测灵敏度而确定。RC延迟可对感测灵敏度具有影响。因为感测电极包括金属,所以感测电极可具有比透明导电层的电阻小的电阻。因此,可减小感测电极的RC值,并且还可减少限定在感测电极IE或辅助感测电极RIE之间的电容器的充电时间。与包括金属的感测电极IE或辅助感测电极RIE相比,用户不会看到包括透明导电层的感测电极IE或辅助感测电极RIE,并且感测电极IE或辅助感测电极RIE的输入面积增加,从而增加电容。
包括金属的感测电极IE或辅助感测电极RIE可具有网格形状,以防止用户看到感测电极IE或辅助感测电极RIE。
感测电源线SPL可连接到感测像素SPX。
辅助输出线ROL和辅助电源线RSPL可连接到辅助像素RSPX。
在一些实施方式中,感测电源线SPL和辅助电源线RSPL可提供相同的电源。例如,感测电源线SPL和辅助电源线RSPL可彼此电连接。
输入感测单元ISU的分辨率可比辅助感测单元RISU的分辨率低。在一些实施方式中,感测像素SPX的尺寸可大于辅助像素RSPX的尺寸。
图10A和图10B示出了根据本公开的实施方式的输入感测层ISL。例如,图10A和图10B示出了图2B中所示的输入感测层ISL的另一实施方式。
如图10A和图10B中所示,在平面上,输入感测层ISL可包括显示区DD-DA和非显示区DD-NDA。在本实施方式中,非显示区DD-NDA可沿着显示区DD-DA的边缘限定。输入感测层ISL的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA可分别与图1A至图1C中示出的显示设备DD的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA对应。
图10A示出了使用有源互电容(AMC)方法实现的输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。
参考图10A,输入感测层ISL可包括信号线、信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD、辅助焊盘RIS-PD、输入感测单元ISU和感测驱动电路SGDC。此外,输入感测层ISL还可包括辅助感测单元RISU。
如图10A中所示,输入感测单元ISU可包括第一感测电极IE1和第二感测电极IE2。辅助感测单元RISU可包括第一辅助感测电极RIE1和第二辅助感测电极RIE2。
输入感测层ISL可被划分成显示表面DD-IS和辅助感测表面RIS。输入感测单元ISU可设置在输入感测层ISL的显示表面DD-IS处,并且辅助感测单元RISU可设置在输入感测层ISL的辅助感测表面RIS处。
此外,信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD可设置在输入感测层ISL的显示表面DD-IS处。然而,本公开不限于此。
其中设置有信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD的区可被限定为焊盘区NDA-PD。
感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD可电连接至信号线中的相应的信号线。
信号焊盘DP-PD可与设置在图2A和图2B中示出的显示面板DP中的信号线的焊盘部分重叠。信号焊盘DP-PD可为浮动电极。信号焊盘DP-PD可与输入感测层ISL的信号线电绝缘。
图10A中示出了感测驱动电路SGDC设置在输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU之间的实施方式。然而,本公开不限于此。在一些实施方式中,感测驱动电路SGDC可设置在多种位置处。
感测驱动电路SGDC可产生感测驱动信号并将感测驱动信号顺序地输出至第一感测电极IE1和第一辅助感测电极RIE1。
第一感测电极IE1和第二感测电极IE2可彼此相交。第一辅助感测电极RIE1和第二辅助感测电极RIE2可彼此相交。
第一感测电极IE1可沿着第一方向DR1布置,并且第一感测电极IE1中的每个可在第二方向DR2上延伸。第二感测电极IE2可沿着第二方向DR2布置,并且第二感测电极IE2中的每个可在第一方向DR1上延伸。
输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU可使用互电容方法和/或自电容方法感测外部输入。在第一区间期间使用互电容方法计算外部输入的坐标之后,可在第二区间期间使用自电容方法重新计算外部输入的坐标。
第一感测电极IE1中的每个可包括第一传感器部分SP1和第一连接部分CP1,并且第二感测电极IE2中的每个可包括第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。
第一辅助感测电极RIE1中的每个可包括第一辅助传感器部分RSP1和第一辅助连接部分RCP1,并且第二辅助感测电极RIE2中的每个可包括第二辅助传感器部分RSP2和第二辅助连接部分RCP2。
第一传感器部分SP1中的设置在第一感测电极IE1的两端处的两个第一传感器部分可例如具有小于第一传感器部分SP1中的设置在中央处的第一传感器部分的尺寸的1/2的尺寸。第二传感器部分SP2中的设置在第二感测电极IE2的两端处的两个第二传感器部分可例如具有小于第二传感器部分SP2中的设置在中央处的第二传感器部分的尺寸的1/2的尺寸。
第一辅助传感器部分RSP1中的设置在第一辅助感测电极RIE1的两端处的两个第一辅助传感器部分可例如具有小于第一辅助传感器部分RSP1中的设置在中央处的第一传感器部分的尺寸的1/2的尺寸。第二辅助传感器部分RSP2中的设置在第二辅助感测电极RIE2的两端处的两个第二辅助传感器部分可例如具有小于第二辅助传感器部分RSP2中的设置在中央处的第二辅助传感器部分的尺寸的1/2的尺寸。
虽然图10A中示出了根据本公开的实施方式的感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2,但是感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2的形状不受限制。
在本公开的实施方式中,感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2可具有其中传感器部分和连接部分彼此没有区别的形状(例如,棒形状)。
虽然示例性地示出了传感器部分SP1和SP2以及辅助传感器部分RSP1和RSP2具有菱形形状的情况,但是本公开不限于此,并且传感器部分SP1和SP2以及辅助传感器部分RSP1和RSP2可具有另一多边形形状。
在一些实施方式中,第一传感器部分SP1可沿着第二方向DR2布置,并且第二传感器部分SP2可沿着第一方向DR1布置。第一辅助传感器部分RSP1可沿着第二方向DR2布置,并且第二辅助传感器部分RSP2可沿着第一方向DR1布置。
第一连接部分CP1中的每个可连接相邻的第一传感器部分SP1,并且第二连接部分CP2中的每个可连接相邻的第二传感器部分SP2。第一辅助连接部分RCP1中的每个可连接相邻的第一辅助传感器部分RSP1,并且第二辅助连接部分RCP2中的每个可连接相邻的第二辅助传感器部分RSP2。
在一些实施方式中,可向第一感测电极IE1提供与相应的第一辅助感测电极RIE1相同的电压。
输入感测单元ISU的分辨率可比辅助感测单元RISU的分辨率低。在一些实施方式中,传感器部分SP1和SP2的尺寸可大于辅助传感器部分RSP1和RSP2的尺寸。
图10B示出了使用互电容方法实现的输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。
将主要描述图10A中描述的输入感测层ISL与图10B中示出的输入感测层ISL之间的差异以避免冗余。
与图10A中示出的输入感测层ISL不同,图10B中示出的输入感测层ISL可包括信号线、信号焊盘DP-PD、感测焊盘IS-PD、辅助焊盘RIS-PD、输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。
根据图10B中示出的实施方式的输入感测层ISL可不包括感测驱动电路SGDC。
第一感测电极IE1和第一辅助感测电极RIE1可被直接提供来自感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD的感测驱动信号。
在一些实施方式中,感测驱动信号可顺序地或同时地提供至第一感测电极IE1和第一辅助感测电极RIE1。
图10C是示出图10B中所示的输入感测层的截面的视图。即,图10C示出了沿着图10B的线I1-I1'和I2-I2'截取的截面。
在图10C中,将省略与图3的内容重复的内容以避免冗余。
因为图10C中示出的薄膜封装层TFE包括至少一个封装无机层,所以可以提供更平坦的基底表面。因此,尽管输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU的组件通过连续工艺形成,但是可以减小故障率。
如图10C中所示,输入感测单元ISU可形成在显示面板DP的薄膜封装层TFE上,并且包括第一传感器部分SP1、连接部分CP1和CP2以及至少一个绝缘层IS-IL。
辅助感测单元RISU可形成在显示面板DP的薄膜封装层TFE上,并且包括第一辅助传感器部分RSP1、辅助连接部分RCP1和RCP2以及至少一个绝缘层IS-IL。
如图10C中所示,第一传感器部分SP1可电连接至第一连接部分CP1。第一连接部分CP1可包括具有比第一传感器部分SP1的电阻小的电阻的材料。第一辅助传感器部分RSP1可电连接至第一辅助连接部分RCP1。第一辅助连接部分RCP1可包括具有比第一辅助传感器部分RSP1的电阻小的电阻的材料。
第一连接部分CP1与第二连接部分CP2交叉。可减小或最小化第一连接部分CP1的(在平面上测量的)宽度以降低寄生电容的影响。
第一辅助连接部分RCP1与第二辅助连接部分RCP2交叉。在此时,可减小或最小化第一辅助连接部分RCP1的(在平面上测量的)宽度以降低寄生电容的影响。
在一些实施方式中,绝缘层IS-IL可包括无机层。无机层可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
在一些实施方式中,绝缘层IS-IL可包括有机层。有机层可包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。
在一些实施方式中,绝缘层IS-IL可为聚合物层,例如,丙烯酸聚合物层。即使当输入感测单元ISU(参见图10B)和辅助感测单元RISU(参见图10B)直接设置在显示面板DP上时,聚合物层也可以改善显示设备DD的柔性。
为了改善柔性,传感器部分SP1和SP2以及辅助传感器部分RSP1和RSP2可具有网格形状并且包括金属。传感器部分SP1和SP2以及辅助传感器部分RSP1和RSP2可被指定为金属网格图案。
感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2可具有网格形状。作为感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2,可以减小感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2与显示面板DP的电极之间的寄生电容。
传感器部分SP1和SP2、辅助传感器部分RSP1和RSP2、第二连接部分CP2和第二辅助连接部分RCP2可通过相同的工艺形成。传感器部分SP1和SP2、辅助传感器部分RSP1和RSP2、第二连接部分CP2和第二辅助连接部分RCP2可包括相同的材料并且具有相同的堆叠结构。
第一连接部分CP1和第一辅助连接部分RCP1可通过相同的工艺形成。第一连接部分CP1和第一辅助连接部分RCP1可包括相同的材料并且具有相同的堆叠结构。
图11A和图11B是示出根据本公开的实施方式的输入感测面板ISP的视图。例如,图11A和图11B可示出图2C中所示的输入感测面板ISP。
如图11A和图11B中所示,在平面上,输入感测面板ISP可包括显示区DD-DA和非显示区DD-NDA。在本实施方式中,非显示区DD-NDA可沿着显示区DD-DA的边缘限定。输入感测面板ISP的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA可分别与图1A至图1C中示出的显示设备DD的显示区DD-DA和非显示区DD-NDA对应。
图11A示出了使用有源互电容(AMC)方法实现的输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。
参考图11A,输入感测面板ISP可包括信号线、感测焊盘IS-PD、辅助焊盘RIS-PD、输入感测单元ISU、辅助感测单元RISU和感测驱动电路SGDC。
如图11A中所示,输入感测单元ISU可包括第一感测电极IE1和第二感测电极IE2。辅助感测单元RISU可包括第一辅助感测电极RIE1和第二辅助感测电极RIE2。
输入感测面板ISP可被划分成显示表面DD-IS和辅助感测表面RIS。输入感测单元ISU可设置在输入感测面板ISP的显示表面DD-IS处,并且辅助感测单元RISU可设置在输入感测面板ISP的辅助感测表面RIS处。
此外,感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD可设置在输入感测面板ISP的显示表面DD-IS处。然而,本公开不限于此。
其中设置有感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD的区可被限定为焊盘区NDA-PD。
感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD中的每个可电连接至相应的信号线。
图11A中示出了感测驱动电路SGDC设置在输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU之间的实施方式。然而,本公开不限于此。在一些实施方式中,感测驱动电路SGDC可设置在多种位置处。
感测驱动电路SGDC可产生感测驱动信号并将感测驱动信号顺序地输出至第一感测电极IE1和第一辅助感测电极RIE1。
第一感测电极IE1和第二感测电极IE2可彼此相交。第一辅助感测电极RIE1和第二辅助感测电极RIE2可彼此相交。
第一感测电极IE1可沿着第一方向DR1布置,并且第一感测电极IE1中的每个可在第二方向DR2上延伸。第二感测电极IE2可沿着第二方向DR2布置,并且第二感测电极IE2中的每个可在第一方向DR1上延伸。
第一辅助感测电极RIE1可沿着第一方向DR1布置,并且第一辅助感测电极RIE1中的每个可在第二方向DR2上延伸。第二辅助感测电极RIE2可沿着第二方向DR2布置,并且第二辅助感测电极RIE2中的每个可在第一方向DR1上延伸。
输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU可使用互电容方法和/或自电容方法感测外部输入。在第一区间期间使用互电容方法计算外部输入的坐标之后,可在第二区间期间使用自电容方法重新计算外部输入的坐标。
第一感测电极IE1中的每个可包括第一传感器部分SP1和第一连接部分CP1,并且第二感测电极IE2中的每个可包括第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2。
第一辅助感测电极RIE1中的每个可包括第一辅助传感器部分RSP1和第一辅助连接部分RCP1,并且第二辅助感测电极RIE2中的每个可包括第二辅助传感器部分RSP2和第二辅助连接部分RCP2。
第一传感器部分SP1中的设置在第一感测电极IE1的两端处的两个第一传感器部分可例如具有小于第一传感器部分SP1中的设置在中央处的第一传感器部分的尺寸的1/2的尺寸。第二传感器部分SP2中的设置在第二感测电极IE2的两端处的两个第二传感器部分可例如具有小于第二传感器部分SP2中的设置在中央处的第二传感器部分的尺寸的1/2的尺寸。
第一辅助传感器部分RSP1中的设置在第一辅助感测电极RIE1的两端处的两个第一辅助传感器部分可例如具有小于第一辅助传感器部分RSP1中的设置在中央处的第一辅助传感器部分的尺寸的1/2的尺寸。第二辅助传感器部分RSP2中的设置在第二辅助感测电极RIE2的两端处的两个第二辅助传感器部分可例如具有小于第二辅助传感器部分RSP2中的设置在中央处的第二辅助传感器部分的尺寸的1/2的尺寸。
虽然图10A中示出了根据示出的实施方式的感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2,但是感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2的形状不受限制。
在本公开的实施方式中,感测电极IE1和IE2以及辅助感测电极RIE1和RIE2可具有其中传感器部分和连接部分彼此没有区别的形状(例如,棒形状)。
虽然示例性地示出了传感器部分SP1和SP2以及辅助传感器部分RSP1和RSP2具有菱形形状的情况,但是本公开不限于此,并且传感器部分SP1和SP2以及辅助传感器部分RSP1和RSP2可具有另一多边形形状。
在一些实施方式中,第一传感器部分SP1可沿着第二方向DR2布置,并且第二传感器部分SP2可沿着第一方向DR1布置。第一辅助传感器部分RSP1可沿着第二方向DR2布置,并且第二辅助传感器部分RSP2可沿着第一方向DR1布置。
第一连接部分CP1中的每个可连接相邻的第一传感器部分SP1,并且第二连接部分CP2中的每个可连接相邻的第二传感器部分SP2。第一辅助连接部分RCP1中的每个可连接相邻的第一辅助传感器部分RSP1,并且第二辅助连接部分RCP2中的每个可连接相邻的第二辅助传感器部分RSP2。
在一些实施方式中,可向第一感测电极IE1提供与相应的第一辅助感测电极RIE1相同的电压。
输入感测单元ISU的分辨率可比辅助感测单元RISU的分辨率低。在一些实施方式中,传感器部分SP1和SP2的尺寸可大于辅助传感器部分RSP1和RSP2的尺寸。
图11B示出了使用互电容方法实现的输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。
将主要描述图11A中描述的输入感测面板ISP与图11B中示出的输入感测面板ISP之间的差异以避免冗余。
图11B中示出的输入感测面板ISP可包括信号线、感测焊盘IS-PD、辅助焊盘RIS-PD、输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU。
根据图11B中示出的实施方式的输入感测面板ISP可不包括感测驱动电路SGDC。
第一感测电极IE1和第一辅助感测电极RIE1可被直接提供来自感测焊盘IS-PD和辅助焊盘RIS-PD的感测驱动信号。
在一些实施方式中,感测驱动信号可顺序地或并发地(例如,同时地)提供至第一感测电极IE1和第一辅助感测电极RIE1。
图11C是示出图11B中所示的输入感测面板的截面的视图。即,图11C示出了沿着图11B的线I3-I3'和I4-I4'截取的截面。
在图11C中,将省略与图3的内容重复的内容以避免冗余。
如图11C中所示,输入感测单元ISU和辅助感测单元RISU可设置在限定在显示面板DP上的基底表面上。
输入感测单元ISU可使用光学透明粘合构件OCA形成在显示面板DP上,并且包括感测基底层IBL、第一传感器部分SP1、连接部分CP1、CP2以及至少一个绝缘层IS-IL。
辅助感测单元RISU可使用光学透明粘合构件OCA形成在显示面板DP上,并且包括感测基底层IBL、第一辅助传感器部分RSP1、辅助连接部分RCP1和RCP2以及至少一个绝缘层IS-IL。
感测基底层IBL可包括合成树脂膜。感测基底层IBL可包括玻璃衬底、金属衬底、有机/无机复合材料衬底等。
如图11C中所示,第一传感器部分SP1可电连接至第一连接部分CP1。第一连接部分CP1可包括具有比第一传感器部分SP1的电阻小的电阻的材料。例如,第一连接部分CP1可包括金属。
第一辅助传感器部分RSP1可电连接至第一辅助连接部分RCP1。第一辅助连接部分RCP1可由与第一辅助传感器部分RSP1相同的材料形成。例如,第一辅助连接部分RCP1和第一辅助传感器部分RSP1可包括金属。
在一些实施方式中,绝缘层IS-IL可包括无机层。无机层可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
在一些实施方式中,绝缘层IS-IL可包括有机层。有机层可包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。
在一些实施方式中,绝缘层IS-IL可为聚合物层,例如,丙烯酸聚合物层。即使当输入感测单元ISU(参见图11B)和辅助感测单元RISU(参见图11B)直接设置在显示面板DP上时,聚合物层也可以改善显示设备DD的柔性。
第一连接部分CP1可具有网格形状并且包括金属。第一连接部分CP1可被指定为金属网格图案。
此外,辅助传感器部分RSP1和RSP2以及第一辅助连接部分RCP1可具有网格形状并且包括金属。辅助传感器部分RSP1和RSP2以及第一辅助连接部分RCP1可被指定为金属网格图案。
第一连接部分CP1、辅助传感器部分RSP1和RSP2以及第一辅助连接部分RCP1可通过相同的工艺形成。第一连接部分CP1、辅助传感器部分RSP1和RSP2以及第一辅助连接部分RCP1可包括相同的材料并且具有相同的堆叠结构。
传感器部分SP1和SP2以及第二连接部分CP2可包括透明导电材料。此外,第二辅助连接部分RCP2可包括透明导电材料。
第二辅助连接部分RCP2、传感器部分SP1和SP2以及第二连接部分CP2可通过相同的工艺形成。第二辅助连接部分RCP2、传感器部分SP1和SP2以及第二连接部分CP2可包括相同的材料并且具有相同的堆叠结构。
根据本公开的显示设备可以使用能够感测指纹的辅助感测单元实现增强的安全性。
此外,根据本公开的显示设备使得用户能够在握持显示设备的同时解除锁定。
此外,根据本公开的显示设备可以使用能够感测输入的辅助感测单元实施按钮。
在本文中,已经公开了示例性实施方式,并且虽然采用特定术语,但是特定术语仅以概述性和描述性的含义进行使用和解释,并不出于限制的目的。在一些情况下,如在提交本申请时将对本领域普通技术人员显而易见的是,除非另有明确指示,否则与特定实施方式结合描述的特征、特性和/或元件可单独地使用,或者可与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件结合使用。因此,本领域的技术人员将理解,在不背离如所附权利要求及其等同中阐述的本公开的精神和范围的情况下,可作出形式和细节上的多种改变。
Claims (20)
1.显示设备,具有位于前表面处的显示表面以及位于侧表面处的辅助感测表面,所述显示设备包括:
显示面板,包括显示区和非显示区;
输入感测单元,位于所述显示面板上;以及
辅助感测单元,位于所述辅助感测表面处,所述辅助感测单元配置成感测用户的指纹和掌纹中的至少一种,
其中,所述辅助感测单元形成在与所述显示面板和所述输入感测单元中的任何一个相同的层中。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示面板还包括位于所述显示表面处的包括显示像素的显示单元和位于所述辅助感测表面处的包括辅助像素的所述辅助感测单元,
其中,所述辅助感测单元形成在与所述显示面板相同的层中。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述显示面板还包括:
基底层;
电路元件层,位于所述基底层上;
显示元件层,位于所述电路元件层上;
辅助感测元件层,位于所述电路元件层上并且与所述显示元件层间隔开;以及
薄膜封装层,封装所述显示元件层和所述辅助感测元件层。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述显示元件层包括所述显示像素的发光器件,以及
其中,所述辅助感测元件层包括所述辅助像素的辅助感测电极。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述电路元件层包括来自所述显示像素和所述辅助像素的晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述显示元件层位于所述显示区中。
7.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述显示面板还包括配置成驱动所述显示像素和所述辅助像素的驱动电路。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述驱动电路顺序地驱动针对每条水平线的所述显示像素和所述辅助像素。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,所述驱动电路将扫描信号顺序地输出至扫描线,以及
对于每条水平线,所述显示像素和所述辅助像素分别连接到相同的扫描线。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述驱动电路位于所述显示单元与所述辅助感测单元之间。
11.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述辅助像素中的连接到第i扫描线和辅助输出线的辅助像素包括:
辅助感测电极;
第一晶体管,具有连接到所述辅助感测电极的栅电极,所述第一晶体管控制通过所述辅助输出线输出的电流;
第二晶体管,具有连接到所述第i扫描线的栅电极,所述第二晶体管连接在辅助电源线与所述第一晶体管之间;
第三晶体管,具有连接到第(i-1)扫描线的栅电极,所述第三晶体管连接在所述辅助电源线与所述辅助感测电极之间;以及
电容器电极,与所述辅助感测电极形成第一电容器,所述电容器电极连接到所述第i扫描线,
其中,i是2或更大的整数。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,当发生触摸时,所述辅助感测电极与用户的手指形成第二电容器。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述辅助感测单元根据所述第二电容器的与所述触摸对应的电容变化识别所述用户的所述指纹或所述掌纹。
14.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述输入感测单元和所述辅助感测单元直接位于所述显示面板上,以及
所述输入感测单元包括感测电极,并且所述辅助感测单元包括辅助感测电极。
15.根据权利要求14所述的显示设备,其中,所述感测电极和所述辅助感测电极具有网格形状。
16.根据权利要求14所述的显示设备,其中,所述感测电极包括第一感测电极和与所述第一感测电极对应的第二感测电极,
其中,所述第二感测电极中的每个包括位于与所述第一感测电极相同的层中的传感器部分,所述传感器部分彼此间隔开,
其中,所述辅助感测电极包括第一辅助感测电极和与所述第一辅助感测电极对应的第二辅助感测电极,
其中,所述第二辅助感测电极中的每个包括位于与所述第一辅助感测电极相同的层中的辅助传感器部分,所述辅助传感器部分彼此间隔开。
17.根据权利要求16所述的显示设备,其中,所述传感器部分和所述辅助传感器部分通过相同的工艺形成。
18.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述输入感测单元和所述辅助感测单元位于限定在所述显示面板上的基底表面上。
19.根据权利要求18所述的显示设备,
其中,所述输入感测单元包括:
第一感测电极,包括第一传感器部分和连接所述第一传感器部分的第一连接部分;以及
第二感测电极,包括第二传感器部分和连接所述第二传感器部分的第二连接部分,
其中,所述辅助感测单元包括:
第一辅助感测电极,包括第一辅助传感器部分和连接所述第一辅助传感器部分的第一辅助连接部分;以及
第二辅助感测电极,包括第二辅助传感器部分和连接所述第二辅助传感器部分的第二辅助连接部分。
20.根据权利要求19所述的显示设备,其中,所述第一连接部分、所述第一辅助传感器部分、所述第二辅助传感器部分和所述第一辅助连接部分通过相同的工艺形成。
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