CN110050325A - 溅射沉积源以及将层沉积于基板上的方法 - Google Patents

Abstract

根据本公开内容的一方面，提供一种溅射沉积源(100、200)。溅射沉积源包括：电极阵列(110)，具有两对或更多对电极，其中电极阵列的每个电极(112)围绕各自旋转轴(A)可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和电源供应器布置(120)，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至所述两对或更多对电极。根据本公开内容的另一方面，提供一种利用溅射沉积源(100、200)将层沉积于基板上的方法。

Description

溅射沉积源以及将层沉积于基板上的方法

技术领域

本公开内容涉及一种溅射沉积源，配置为将层沉积于基板上。本公开内容进一步涉及一种具有溅射沉积源的溅射沉积设备以及一种通过溅射将薄膜层沉积于基板上的方法。更具体而言，本公开内容涉及利用可旋转电极阵列进行溅射。

背景技术

将具有高均匀性的薄膜层形成于基板上，在许多技术领域中是相关的议题。举例而言，在薄膜晶体管(TFT)的领域中，一个或多个沉积层的厚度均匀性和电气特性的均匀性对于可靠地制作出显示通道区而言可能是一个议题。

将层形成在基板上的一个方法是溅射，而在多种制造领域中，例如在薄膜晶体管的制造中，溅射已经发展为具有价值的方法。进行溅射时，溅射靶材被等离子体的能量粒子(例如是反应性气体或惰性气体的能量化离子)撞击而射出原子。射出的原子可沉积在基板上，因而溅射材料的膜层可形成于基板上。

已知的溅射沉积源包括电源供应器布置(power supply arrangement)，其具有电源供应器用以产生并将电能提供至溅射沉积源的一个或多个电极，例如是阴极。此能量沉积于阴极之间的气体中用于点燃并维持等离子体，且等离子体离子和等离子体电子的移动可由磁性组件而控制，而磁性组件可布置于阴极的背后。阴极可包括各自的靶材，用于由等离子体溅射而提供涂布材料。

可以经由具有不同电气、磁性和机械构造的广泛多种装置而完成溅射。已知的构造包括电源布置，其提供直流电(DC)或交流电(AC)以制造等离子体，其中相较于直流电场，交流电场施加至气体通常具有较高等离子体率。在射频(RF)溅射设备中，通过施加射频电场而撞击并维持等离子体。因此，非导电性材料也可以被溅射。和射频溅射相比，直流溅射典型地具有较高的沉积速度，但可能因为电弧率可能较高而较会发生问题。

提供配置为提供高沉积速度同时可以降低电弧率的溅射沉积源会是有益的。更进一步，有助于使溅射材料形成均匀层的溅射沉积源以及溅射沉积设备会是有益的。

发明内容

有鉴于上述，提供溅射沉积源、溅射沉积设备以及将层沉积于基板上的方法。

根据本公开内容的一方面，提供一种溅射沉积源。溅射沉积源包括：具有两对或更多对电极的电极阵列，其中电极阵列的每个电极围绕各自旋转轴可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和电源供应器布置，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至两对或更多对电极。

根据本公开内容的另一方面，提供一种溅射沉积设备。溅射沉积设备包括：真空腔室；溅射沉积源，包括具有两对或更多对电极的电极阵列，其中此电极阵列布置于真空腔室中；和基板支撑件，布置于真空腔室中且配置为于沉积期间支撑基板。电极阵列的每个电极围绕各自旋转轴可旋转且配置为提供待沉积于基板上的靶材材料。溅射沉积源进一步包括电源供应器布置，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至两对或更多对电极。

根据本公开内容的又一方面，提供利用包括可旋转电极阵列的溅射沉积源将层沉积于基板上的方法。此方法包括分别将双极脉冲直流电压提供至可旋转电极阵列的两对或更多对电极。

根据从属权利要求、说明书和附图，本公开内容的其他方面、优点和特征是显而易见的。

附图说明

为了使此处所述的本公开内容的上述特征可详细地了解，简要摘录于上的本公开内容更特有的说明可参照实施方式。所附附图是与本公开内容的实施方式相关且说明于下方。典型的实施方式在附图中示出并且在下面的描述中详述。

图1绘示根据本文所述一些实施方式的一种溅射沉积源的示意图。

图2绘示根据本文所述一些实施方式的一种溅射沉积源的示意图。

图3绘示根据本文所述实施方式的可施加于溅射沉积源中的一对电极的一种双极脉冲直流电压和各自的电流的示意图。

图4A和图4B绘示根据本文所述的一些方法进行溅射的电弧率下降曲线图。

图5绘示根据本文所述实施方式的一种溅射沉积设备的示意图。

图6绘示根据本文所述实施方式的一种方法的流程图。

具体实施方式

以下参照附图对多个实施方式进行详细说明，各个附图描述其中的一个或多个例子。每个例子用于举例说明而非作为本公开内容的限制。举例而言，在一个实施方式的部分中说明或叙述的特征可以使用于其他实施方式或与其他实施方式结合以衍生再进一步的实施方式。本公开内容包括上述的调整及变化。

在下述有关附图的说明中，相同的附图标记意指相同或相似的组件。一般来说，仅对各个实施方式的不同之处进行说明。除非另有特别说明，否则一个实施方式中的一部分或一方面也可应用至其他实施方式的对应部分或方面上。

本文所述的以材料涂布基板的工艺典型地指薄膜应用。“涂布”的用语和“沉积”的用语在本文同步使用。本文所述的实施方式中所使用的涂布工艺为溅射。

根据本文所述的实施方式的一种溅射沉积源包括可旋转电极阵列。阵列的每个电极可配置为提供待沉积于基板上的靶材材料。举例而言，每个电极可包括靶材，例如是柱状靶材，由待沉积在基板上的靶材材料所制成。更进一步，每个电极可配置为和靶材材料一起相对各自旋转轴可旋转。可以改善柱状靶材的利用性。

一般而言，溅射可作为二极管溅射或磁控溅射来进行。在沉积速度相当高的时候进行磁控溅射是特别有利的。典型地，磁性组件设置在可旋转电极中。通过将磁性组件布置在可旋转电极中，例如在柱状靶材内部，靶材表面上方的自由电子会被驱使在磁场内移动而不会逃出。这使得气体分子的离子化机率典型地上升了好几个数量级。这显著地提升了沉积速度。

在涂布期间，基板可以被连续性地移动(“动态涂布(dynamic coating)”)或在涂布期间基板可静置(“静态涂布(static coating)”)。静态涂布的优点在于其用于涂布的靶材材料的使用量比动态涂布所需要的量少，这是因为动态涂布时基板保持器常常也被涂布所致。静态涂布特别适用于大面积基板的涂布。所述基板进入涂布区，被涂布，接着基板再度从涂布区中被取出。

溅射可用于显示器的生产。更详细而言，溅射可以用于金属化(metallization)，例如电极或总线的产生。溅射也可用于薄膜晶体管(TFT)的产生。溅射也可用于透明导电氧化物层的产生，例如ITO(氧化铟锡)层。

溅射也可用于薄膜太阳能电池的生产。一般而言，薄膜太阳能电池包括背触点(back contact)、吸收层和透明导电氧化物层(TCO)。典型地，背触点和TCO层通过溅射生产，其中吸收层典型地以化学气相沉积工艺生产。

本文所述的“基板”的用语应包含非柔性基板，例如晶片或玻璃板；以及柔性基板，例如卷材(web)和箔。在一些实施方式中，基板是非柔性基板，例如是玻璃板，例如用于生产太阳能电池。

根据本公开内容的一方面，施加至可旋转电极的电压随时间改变。也就是说，非固定的电压施加至可旋转电极。

图1绘示根据本文所述一些实施方式的一种溅射沉积源100的示意图。溅射沉积源100包括电极阵列110，电极阵列110包括两对或更多对电极，例如第一对电极114和第二对电极115。第一对电极114和第二对电极115如图1所示。其他实施方式中可具有两对或更多对电极。在一些实施方式中，具有偶数个电极。在一些其他实施方式中，可具有奇数个电极。在具有奇数个电极的状况中，一个电极，例如是最外侧的电极，可不属于两对或更多对电极的一对。

一对电极里的电极可以是相邻的电极。举例而言，每对电极可包括第一电极和第二电极，此两者之间布置相隔一距离，此距离为50厘米或更小，特别是30厘米或更小。在如图1所示的实施方式中，第一对电极114包括两个相邻的电极，第二对电极115包括电极阵列110的两个相邻电极。可通过在电极之间施加电位差而在一对电极的电极之间产生等离子体130，例如通过将负电压施加至此对电极的第一电极以及通过将正电势施加至此对电极的第二电极。据此，第一电极作为阴极，而第二电极作为阳极；或者反之亦然。

在一些实施方式中，电极阵列中的电极可布置为彼此等距相邻。换言之，一对电极中的两个电极之间的距离可对应至不同对电极的两个相邻电极之间的距离。

电极阵列110的电极112可具有实质上线性布置。举例而言，可具有一条线性的电极行(a linear row of electrodes)。据此，具有线性布置的电极112可同时溅射大面积的基板。

电极112围绕各自旋转轴A可旋转且配置为提供待沉积于基板10上的靶材材料。举例而言，每个电极112可具有实质上柱状靶材。通过在沉积期间使具有靶材的电极围绕各自旋转轴旋转，靶材的利用性可以提升，且可沉积出均匀的层。

溅射沉积源100进一步包括电源供应器布置120，配置分别将双极脉冲直流电压提供至两对或更多对电极。换言之，电源供应器布置120可将双极脉冲直流电压提供至每对电极。在如图1所示的实施方式中，电源供应器布置120配置为将双极脉冲直流电压提供至第一对电极114及将双极脉冲直流电压提供至第二对电极115。

本公开内容所使用的双极脉冲直流电压是具有交替(alternating)极性(双极)的电压，此电压施加至一对电极。据此，此对电极的第一电极交替地作为阴极和阳极，而此对电极的第二电极交替地作为阳极和阴极。

双极脉冲直流电溅射不同于一般的交流电溅射，交流电溅射例如是中频溅射或射频溅射，其电压的波形并非正弦波。甚至，其电压的波形可能暂时为实质上恒定(直流)。举例而言，双极脉冲直流电压的波形可以是矩形波或方波。特别地，此波形的正电压部分可以是暂时实质上恒定，和/或此波形的负电压部分可以是暂时实质上恒定，和正弦波电压不同。

在一些实施方式中，电极阵列的每个电极可交替地作为阳极和阴极。不需要另外提供持续地作为阳极的电极。

在一些实施方式中，双极脉冲直流电压可具有1kHz或更大且100kHz或更小的频率，特定地可具有10kHz或更大且80kHz或更小的频率，更特定地可具有30kHz或更大且50kHz或更小的频率。于此，双极脉冲直流电压的波形可以在1kHz或更大且100kHz或更小的频率反复产生。

在以下的叙述中，将解释本文所述实施方式中施加的电压和以往使用的溅射工艺相比所具有的优点。脉冲磁控溅射工艺以单磁控溅射(Single Magnetron Sputtering,SMS)和双磁控溅射(Dual Magnetron Sputtering,DMS)存在。在单磁控溅射中，单极脉冲电压可以被施加至阴极阵列的阴极。一般提供单独的阳极。通过周期性地脉冲施加至阴极的电压(单极脉冲电压)，阴极上累积的电荷可以被抑制，且电弧可以被减少。

在双磁控溅射中，一对电极中的电极之间的电压极性周期性地切换。和交流电溅射相比，使用脉冲而非正弦波电压。

根据本文所述的实施方式，一个电极阵列分为多对电极，各对电极分别被提供双极脉冲直流电压。可提供大数目的电极对，例如两对、三对、四对或更多对电极。这使得涂布导电层或介电层至大面积基板可以快速而有效率。特别地，由于是脉冲直流电压，例如是方波电压，其功率效率(power efficiency)高于采用交流电压的状况，其例如是正弦波电压。更进一步，相对于以交流正弦波电压进行溅射，以脉冲直流电压进行溅射可提供较佳的溅射稳定性。相较于以恒定的直流电压进行溅射，根据本文所述的实施方式的沉积速度几乎不降低。

更进一步，当电极阵列的电极交替地作为阴极和阳极，其电弧率相较于直流电溅射可以相当程度地降低。在电压的波形的负部分期间，离子被吸引至带负电荷的电极而发生溅射。基于此，在施加电压的波形在正部分期间，电子朝向带正电荷的电极加速，而电极上所累积的正电荷则减少。溅射发生在各自对的另一者电极，其可同时地带负电荷。电弧的风险下降，这是因为电极对的电极之间无法累积高电荷差。

特别地，相较于传统的直流溅射，以双极脉冲直流电压进行溅射可以提高电弧的抑制，没有工艺稳定性的疑虑，且提供较佳地层均匀性控制。并且，相较于传统的交流正弦波溅射方法，直流双极溅射中的矩形波形电压可减少沉积速度的下降。

在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，电源供应器布置120可配置为交替地将正电压(特别是正直流电压)和负电压(特别是负直流电压)提供至电极阵列110中的每个电极112。电极阵列的电极可交替地作为阴极和阳极，特别是相对于同对电极的另一个电极。

在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，电源供应器布置可配置为将矩形波或方波电压提供至两对或更多对电极的每对。矩形波或方波电压可具有约40kHz的频率。

在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，电源供应器布置120可配置为分别将对称双极脉冲直流电压提供至两对或更多对电极。举例而言，双极脉冲直流电压的负电压振幅可对应至双极脉冲直流电压的正电压振幅。另一方面或者更进一步，双极脉冲直流电压的负电压周期可对应至双极脉冲直流电压的正电压周期。另一方面或者更进一步，双极脉冲直流电压的正波形部分的形状和/或振幅可实质上对应双极脉冲直流电压的负波形部分的形状和/或振幅。

另一方面，可施加非对称(也称做反对称)双极脉冲直流电压。举例而言，波形的正电压部分的振幅可小于负电压部分的振幅；或者反之亦然。然而，在电极阵列中的电极具有相同形状的状况，对称双极脉冲直流电压可较为有利，可以将均匀层沉积于基板上。

如图1示意性所示，两对或更多对电极可具有实质上线性布置，例如是一条线性的电极行(a linear row of electrodes)。

图2绘示根据本文所述一些实施方式的一种溅射沉积源200的示意图。如图2所示的溅射沉积源200实质上对应如图1所示的溅射沉积源100，因而具有相同符号的组件的叙述如前所述，于此不再赘述。

溅射沉积源200包括电极阵列110，其包括三对或更多对电极，特别是四对或更多对电极，更特别是六对或更多对电极。每对电极包括第一电极和第二电极，此两者典型地彼此相邻。所述电极配置为可围绕各自旋转轴可旋转。

溅射沉积源200进一步包括电源供应器布置120，配置为将双极脉冲直流电压提供至每对电极。

电极阵列110的电极可具有实质上线性布置。或者，电极也可具有曲线布置，例如是弧线布置。

电源供应器布置120可配置为将双极脉冲直流电压同步提供至多对电极。换言之，多对电极可以进行同步操作；如此一来，第一次操作时，电极阵列的电极交替地作为阴极和阳极，而第二次操作时，所述电极带有相反电荷而交替地作为阳极和阴极。所述电极可依照预定频率同步改变极性。

在一些其他实施方式中，电源供应器布置120可配置为向各对电极彼此独立地提供双极脉冲直流电压，也就是在各对电极之间并不同步。

在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，电极112可具有各自的柱状靶材，其包括待沉积的靶材材料。举例而言，靶材材料可以是或包括金属、金属合金、半导体、金属-非金属化合物、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)和铝的至少一种或多种。溅射沉积源200可配置为将透明导电氧化物层沉积于基板上。在一些实施方式中，溅射沉积源200可配置为将IGZO层沉积于基板10上。

在一些实施方式中，两对或更多对电极中的每对电极可经由脉冲单元122连接至电源供应器布置120的直流电源供应器125。脉冲单元122的数量和直流电源供应器125的数量可对应至电子对的数量。脉冲单元122可配置为由直流电源供应器将直流电压转换为双极脉冲直流电压。

直流电源供应器中的至少一个，特别地每个直流电源供应器，可配置为提供1kW或更大且200kW或更小的功率，特别地为10kW或更大且100kW或更小。在一些实施方式中，直流电源供应器可配置为分别提供1kW至10kW的功率范围、10kW至100kW的功率范围和/或100kW至200kW的功率范围。在一些实施方式中，直流电源供应器可配置为提供120kW的功率。另一方面或者更进一步，直流电源供应器中的至少一个，特别地每个直流电源供应器，可配置为提供100V或更大且1000V或更小的电压。在一些实施方式中，每个直流电源供应器可配置为提供30kW或更大且60kW或更小的功率以及300V或更大且800V或更小的电压。举例而言，在脉冲单元122的输出端，电压振幅可以在第一数值+500V和第二数值-500V之间周期性改变。

图3是绘示根据本文所述实施方式的可施加于溅射沉积源的一对电极的双极脉冲直流电压关于时间(t)的函数的图。第一个图绘示施加于一对电极中的第一电极上的电压U1，第二个图绘示施加于此对电极中的第二电极上的电压U2，电压U2可以是电压U1的反相电压(inverted voltage)。在本图所示的实施方式中，双极方波或矩形波电压施加至此对电极。实际上，电压的正部分和负部分仅能分别大致恒定。在一些实施方式中，可以同步将对应电压施加至每对电极。

更进一步，操作期间的一对电极的电极之间流动的电流I关于时间(t)的函数绘示于图3中。此间，电流可依循施加电压波形的形状，即电流的频率可对应至施加电压的频率。

图4A和图4B绘示根据本文所述的方法进行溅射的电弧率下降曲线图。

图4A绘示电弧率(电弧/秒(arcs/sec))，其中电弧率描绘为关于施加的双极脉冲直流电压的频率的函数。附图中左侧的长条呈现在直流电溅射的例子中，在一给定的溅射参数组下，其电弧率高于0.5电弧/秒。当施加双极脉冲直流电压时，在一给定的溅射参数组下，电弧率是随着双极脉冲直流电参数的频率而下降的函数，下降至小于0.05电弧/秒。双极脉冲直流电压的频率是10kHz或更大且80kHz或更小是有利的，这因为低电弧率是处于电源供应器布置120的可管理的复杂度程度。

图4B绘示电弧率(电弧/秒(arcs/sec))，其中电弧率描绘为关于直流电源供应器125提供的溅射功率的函数，其中直流电源供应器125经由脉冲单元122而连接至两对或更多对电极中的一对电极。提供给定的溅射参数组。由于相对高的沉积速度下的低电弧率，所以30kW或更大且60kW或更小的溅射功率是有利的。本图依据真空腔室中在溅射期间的背景气体中的氧气的不同部分而绘示。如图4B所示，电弧率根据真空腔室中的氧气率而增加，且仍维持在相对低的程度。

图5绘示根据本文所述实施方式的一种溅射沉积设备400的示意图。溅射沉积设备400包括真空腔室402、具有布置于真空腔室402中的电极阵列110的溅射沉积源100以及布置于真空腔室402中且配置为于沉积期间支撑基板10的基板支撑件406。

在所示的实施方式中，溅射沉积源100包括布置于真空腔室402内的四个电极112，即两对电极。电极122配置为旋转电极。可以具有超过四个的可旋转电极。

电源供应器布置120布置于真空腔室402之外，且电源供应器布置120经由各自的电性连接点和功率连接件电性连接至电极112。

如图5所示，真空腔室402的相邻处可设有另一腔室411。真空腔室402和另一腔室411可由各具有阀壳体404和阀单元405的阀而彼此分隔开来。据此，在具有待涂布的基板10的基板支撑件406被送入真空腔室402后(如箭头401所示)，可关闭阀单元405。据此，可以例如使用连接至真空腔室402的真空泵和/或将处理气体插入真空腔室402中的沉积区域而产生技术性真空，而可以独立控制真空腔室402里的气体。

根据典型的实施方式，处理气体可包括惰性气体例如氩气、和/或反应性气体例如氧气、氮气、氢气、氨气、臭氧、活化气体或类似物。

为了将具有基板10的基板支撑件406传送进出真空腔室402，在真空腔室402之中可以设有辊408。本文所述的“基板”的用语应包含非柔性基板，例如玻璃板、晶片、诸如蓝宝石或类似物的透明晶体的薄片；以及柔性基板，例如卷材(web)或箔。

磁性组件409可布置于电极112的每个中。磁性组件409可以围绕枢轴而枢转，此枢轴可对应在一些实施方式中的各个电极的旋转轴A。

溅射沉积源100的电源供应器布置120可对应至上述的任何电源供应器布置，其叙述一并如上所述。特别地，电源供应器布置120配置为将双极脉冲直流电压提供至每对电极。

电源供应器布置120可包括至少一个直流电源供应器125以及至少一个脉冲单元122，所述脉冲单元122用于将直流电源供应器125的直流电压转换成双极脉冲直流电压。在一些实施方式中，可以具有多个直流电源供应器125以及多个脉冲单元122。特别地，两对或更多对电极中的每对电极可经由各自的脉冲单元而连接至各自的直流电源供应器。

在一些实施方式中，公共控制器(未绘示)可提供用以同步提供至两对或更多对电极的双极脉冲直流电压。

图6是绘示根据本文所述实施方式的一种利用溅射沉积源将层沉积于基板上的方法的流程图。在方块610中，此方法包括：提供布置在真空腔室中的可旋转电极阵列，其中此可旋转电极阵列的每个电极包括由待沉积的靶材材料所制成的靶材。

在方块620中，分别提供双极脉冲直流电压至此可旋转电极阵列的两对或更多对电极。

在一些实施方式中，分别将矩形波电压、方波电压和对称双极脉冲直流电压的至少一种提供至此两对或更多对电极。特别地，可提供对称双极方波电压。

举例而言，双极脉冲直流电压的波形包括负电压部分和正电压部分，其中负电压部分在形状和/或振幅上实质上对应于正电压部分。

在一些实施方式中，提供的双极脉冲直流电压具有1kHz至100kHz的频率，特别地具有10kHz至80kHz的频率。电弧可降低。更进一步，在上述频率范围内的双极直流电压可以利用可管理的努力而产生。

在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，可将双极脉冲直流电压提供至四对或更多对电极，更特别是六对或更多对电极。将均匀的层沉积在大面积的基板上，特别是具有0.5平方米或更大的面积的基板，成为可行的。在一些实施方式中，电极可布置成实质上线性设置。

双极脉冲直流电压可以同步提供至多对电极。特别地。两对或更多对电极中的每对电极中的电压极性可以在相同频率实质上同步切换。特别地，电源供应器布置可包括多个脉冲单元，所述脉冲单元可利用公共控制器而同步。

两对或更多对电极中的每对电极可以具有1kW或更大且200kW或更小的功率，特别地为10kW或更大且100kW或更小，更特别地为30kW或更大且60kW或更小。另一方面或者更进一步，每个电极可以具有电压，此电压交替地为介于+100V至+1000V的第一数值和介于-100V至-1000V的第二数值。因而可以确保低电弧率，同时可以具有高沉积速度。

在可与本文所述的其他实施方式结合一些实施方式中，可以将透明导电氧化物层(TCO-layer)、氧化铟锡层(ITO-layer)、氧化铟镓锌层(IGZO-layer)、氧化铟锌层(IZO-layer)、氧化铝层(AlO_x-layer)、二氧化硅层(SiO₂-layer)或金属层的至少一种或多种涂布于基板上。本文所述的沉积方法特别有利于沉积氧化铟镓锌层(IGZO-layer；In-Ga-Zn-Olayer)于基板上。

尽管上文涉及本公开内容的特定实施方式，但可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计出本公开内容的其他和进一步的实施方式，本公开内容的保护范围如随附的权利要求书所确定。

Claims (15)

1.一种溅射沉积源(100、200)，包括：

电极阵列(110)，包括两对或更多对电极，其中所述电极阵列(110)的每个电极(112)围绕各自旋转轴(A)可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和

电源供应器布置(120)，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至所述两对或更多对电极。

2.如权利要求1所述的溅射沉积源(200)，其中所述电极阵列(110)包括以实质上线性布置提供的四对、六对或更多对电极，特别地，其中所述电源供应器布置(120)配置为将所述双极脉冲直流电压同步提供至电极对。

3.如权利要求1或2所述的溅射沉积源，其中所述电源供应器布置(120)配置为将矩形或方波电压提供至所述两对或更多对电极的每对，特别地，其中所述矩形或方波电压具有1kHz至100kHz的频率，特别地，10kHz至80kHz的频率。

4.如权利要求1至3的任一项所述的溅射沉积源，其中所述电源供应器布置(120)配置为分别将对称双极脉冲直流电压提供至所述两对或更多对电极。

5.如权利要求1至4的任一项所述的溅射沉积源，其中每个电极(112)设置有柱状靶材，所述柱状靶材包括待沉积的靶材材料，特别地，所述待沉积的靶材材料为金属、金属合金、半导体、金属-非金属化合物、氧化铟锡、氧化铟镓锌和铝的至少一种。

6.如权利要求1至5的任一项所述的溅射沉积源，其中所述两对或更多对电极的每对经由脉冲单元(122)连接至所述电源供应器布置(120)的直流电源供应器(125)。

7.如权利要求6所述的溅射沉积源，其中所述直流电源供应器(125)配置为提供1kW或更大且200kW或更小的功率，和/或100V或更大且1000V或更小的最大电压。

8.一种溅射沉积设备(400)，包括：

真空腔室(402)；

根据权利要求1至7的任一项所述的溅射沉积源(100、200)，其中所述溅射沉积源的所述电极阵列(110)布置于所述真空腔室(402)中；和

基板支撑件(406)，布置于所述真空腔室(402)中，且配置为于沉积期间支撑基板(10)。

9.一种利用包括可旋转电极阵列的溅射沉积源将层沉积于基板(10)上的方法，特别是利用根据权利要求1-7任一项所述的溅射沉积源(100、200)将层沉积于基板(10)上的方法，包括：

分别将双极脉冲直流电压提供至所述可旋转电极阵列的两对或更多对电极。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述两对或更多对电极分别被提供矩形波电压、方波电压和对称双极脉冲直流电压的至少一种。

11.如权利要求9或10所述的方法，其中所述双极脉冲直流电压的波形包括负电压部分和正电压部分，其中所述负电压部分在形状和/或振幅上实质上对应于所述正电压部分。

12.如权利要求9至11的任一项所述的方法，其中提供的所述双极脉冲直流电压具有1kHz至100kHz的频率，特别地，10kHz至80kHz的频率。

13.如权利要求9至12的任一项所述的方法，其中以实质上线性布置提供的四对或更多对电极被同步提供双极脉冲直流电压。

14.如权利要求9至13的任一项所述的方法，其中所述两对或更多对电极的每对被提供1kW或更大且200kW或更小的功率，特别地所述两对或更多对电极的每对被提供10kW或更大且100kW或更小的功率。

15.如权利要求9至14的任一项所述的方法，其中透明导电氧化物层、氧化铟锡层、氧化铟镓锌层、氧化铟锌层、氧化铝层、二氧化硅层或金属层的至少一种被沉积于所述基板上。