CN110050310A - 修复euv光刻的反射光学元件的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种修复EUV光刻的反射光学元件的经济有效的方法。所述元件具有基板(61)以及在5nm和20nm之间的范围中的工作波长处反射的涂层(62)，并且由于形成氢气泡而被损坏。该方法包括以下步骤：在涂层(62)中定位损坏区域(63、64、65、66)；以及通过将覆盖元件施加到损坏区域用具有低氢渗透率的一个或多个材料来覆盖损坏区域(63、64、65、66)，其中覆盖元件由表面结构、凸表面或凹表面、或与反射光学元件的涂层对应的涂层、或者其组合来形成。该方法特别适合于EUV光刻的集光器反射镜(70)。在修复之后，它们具有覆盖元件(71、72、73)。

Description

修复EUV光刻的反射光学元件的方法

本发明涉及一种修复EUV光刻的反射光学元件的方法，该反射光学元件包括基板以及在5nm和20nm之间的范围中的操作波长处反射的涂层。此外，本发明涉及一种EUV光刻的集光器反射镜，该集光器反射镜包括基板以及在5nm和20nm之间的范围中的操作波长处反射的涂层。

在EUV光刻设备中，对于半导体部件的光刻，使用极紫外(EUV)波长范围(例如在5nm和20nm之间的波长)的反射光学元件，诸如光掩模或基于准法线入射的多层系统的反射镜或具有掠入射的金属表面的反射镜。因为EUV光刻设备通常具有多个反射式光学元件，所以它们必须具有尽可能高的反射率以确保足够高的总反射率。可能通过污染反射光学元件的光学使用涂层来减少反射光学元件的反射率和寿命，该污染由于在操作气氛中短波辐射与残余气体一起而出现。因为多个反射光学元件通常一个在另一个后面地布置在EUV光刻设备中，在每个单独反射光学元件上甚至相对较小的污染物已经在相对较大程度上影响总反射率。

污染可能例如由于水分残余物而发生。在这种情况下，水分子通过EUV辐射来裂解，并且得到的氧自由基使反射光学元件的光学活性表面氧化。其他污染源是碳氢化合物，其可能源自EUV光刻设备中使用的真空泵或源自在要图案化的半导体基板上使用的光刻胶的残余物，并且在操作辐射的影响下导致对反射光学元件的碳污染。在与基于激光的EUV等离子体光源结合所使用的集光器反射镜的情况下，被激发以形成等离子体的材料(例如锡)发生作为附加的污染源。尽管氧化的污染物通常是不可逆的，特别是碳污染物和可能的锡尤其可以用活性氢处理来移除，借助于活性氢与其反应以形成挥发性化合物。活性氢可以是氢自由基或其他电离的氢原子或分子。

然而，已经观察到，在活性氢(其用于清洁或者可以由于EUV辐射与在残余气氛中存在的氢相互作用而出现)的影响下，特别是在多层系统的表面附近，发生反射涂层处的起气泡和甚至层或单独层片的脱离。特别是在集光器反射镜的情况下观察到宏观的起气泡或脱层，与EUV光刻设备的其他反射光学元件相比较尤其将该集光器反射镜暴露于活性氢。起气泡或脱层可特别发生在反射光学元件的涂层中的缺陷处。

特别是机械缺陷处或在涂覆期间发生的缺陷处，由活性氢穿透到反射涂层中引起脱层。未扩散的活性氢可复合以形成分子氢，并且因此导致起气泡以及在最坏情况下使涂层破裂或剥离。这种类型的损坏位置可能具有红外波长范围中的高反射。这特别是在集光器反射镜的情况下是有问题的。这是因为最高的热负载发生在集光器反射镜的情况下，尤其由于可以在辐射源中使用的红外激光器，并且在EUV光刻设备的束路径的方向上反射热辐射时，特别是下游反射光学元件可能被损坏。

迄今为止的方法包括通过完全移除损坏的涂层并且重新涂覆基板，来修复特别是由氢诱导的起气泡而损坏的反射光学元件。

本发明的目的是提出修复由已经被氢损坏的EUV光刻的反射光学元件的替代方式。

该目的通过以下来实现：一种修复EUV光刻的反射光学元件的方法，反射光学元件包括基板以及在5nm和20nm之间的范围中的操作波长处反射的涂层，该方法包括以下步骤：

-在涂层中定位损坏位置；

-通过将覆盖元件施加到损坏位置来用一个或多个材料覆盖损坏位置，其中覆盖元件实施为具有表面结构、凸表面或凹表面、或与反射光学元件的涂层对应的涂层、或者其组合。

涂层应该理解为表示以下两种涂层：基于特别适合于法线和准法线入射及基于布拉格反射的多层系统的涂层，以及适用于掠入射和基于全内反射的只有一个或几个层的涂层。此外，涂层可以包括附加层，诸如尤其作真空密封的保护层系统、基板上的抛光或平滑层、或者例如偏转诸如红外辐射的不期望的辐射波长范围的光谱过滤层。

定位损坏位置(特别是气泡、剥落、划痕和裂缝)的过程可以通过近距离视觉检验来人工地发生，因为它们在许多情况下具有宏观范围。它还可以借助于扫描涂层的表面的检验系统来发生。

已经发现，由于用由特别具有低的氢渗透率的一个或多个材料构成的覆盖元件有目标地覆盖损坏位置，可以以少的时间和金钱支出实现对损坏的反射光学元件的充分永久性修复，以便能够承受EUV光刻设备的操作。此外，覆盖元件已经可以作为库存项目来准备，并且如果损坏位置在检验期间被定位则可以直接施加或者适当地话快速适配于表面形状，以便于实现最佳可能覆盖。这允许非常快速的修复。表面结构可以促成以下事实：诸如来自紫外或红外波长范围的不期望的辐射分量例如被反射至与操作波长范围中的辐射不同的方向上。这还可以用凸表面或凹表面来实现。凸帽盖的形式的覆盖单元是特别优选的。它们附加地具有可以同样良好地覆盖气泡和剥落的优点。与覆盖元件的表面上的反射涂层对应的涂层可以导致在修复的位置处在操作波长范围中的反射率增加，理想上反射率与非损坏位置处的反射率一样高。

有利地，覆盖元件通过粘合剂被固定在反射光学元件的涂层上。覆盖元件可以通过通过施加粘合剂点或部分区域或线来固定在整个区域上。优选例倾向于使用耐热的和/或真空中尽可能少地排气的粘合剂。固定覆盖元件的其他适合的可能性尤其是软焊接、特别是点焊的焊接、或者绞拧。

优选地，覆盖元件实施为薄膜或覆盖单元。覆盖单元具有较大的机械稳定性和可以预先制造的优点。薄膜可以更好地特别适配于要修复的损坏位置，并且适配于在损坏位置的区域中的涂层的表面轮廓。

优选地，覆盖元件实施为具有带角度和/或弯曲的边界。特别地，覆盖元件可以具有圆形、带角度的、多边形或完全自由形状。有利地，在这种情况下，边界适配于损坏位置的形状。特别优选地，覆盖元件具有椭圆或伸长的形状。通过适当选择相对于其中使用反射光学元件的EUV光刻设备的扫描方向的取向，由此可以减少覆盖元件的突然明暗变换的形式的影响，使得通过覆盖元件对反射光学元件的修复，EUV光刻设备的成像性能在较小程度上受到有害影响。

优选地，施加覆盖元件，其包括具有以下的组的一个或多个材料：金属、钢、高级钢、不变钢、铝、钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、钪、钇、镧、铈、铜、银、金、铂、铑、钯、钌、玻璃、陶瓷和铝氧化物。在这些材料的情况下，已经发现特别小的活性氢穿透到它们中。此外，覆盖单元或薄膜可以由这些材料来制造好。此外，存在固定可能性(特别是粘合剂)，以便于将这样的覆盖元件良好固定在要修复的反射光学元件的涂层上。

在优选的实施例中，覆盖涂层被施加到损坏位置。覆盖涂层主要适合于在已经经历剥落的起气泡的事件中尽可能多地降低涂层的进一步脱层。

优选地，通过镀锡、镀金、电镀、氧化、氮化和/或通过大气压等离子体沉积来施加覆盖涂层。镀锡和镀金可以例如通过金属融化或薄膜来发生。所提及的进程已经全部被证实为对以下是有价值的：向反射光学元件的涂层的损坏位置施加覆盖损坏位置的材料。就此而言，损坏位置的扩大可以被抑制。可以将进程相互组合，以便于将不同的层施加到损坏位置。施加覆盖涂层可以手动地实行，或者例如借助于机器人臂以自动的方式来实行。

有利地，通过电镀施加金属层作为覆盖涂层，金属层包括金、铂、铑、钯、钌、钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、铝、钪、钇、镧和/或铈、或者通过大气压等离子体施加覆盖涂层，其包括包含钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、铝、钪、钇、镧、铈、其氧化物、其氮化物、其碳化物、其硼化物、金、铂、铑、钯、钌、碳、硼碳化物和硼氮化物的组中的一个或多个。这些材料首先良好地粘附在反射光学元件的通常的涂层上，并且其次提供对抗活性氢的良好保护。

在优选的实施例中，在覆盖损坏位置的过程之前，在损坏位置的区域中移除涂层材料。特别是在施加薄膜、覆盖单元或覆盖涂层之前，可以通过这个预先处理来较好地避免损坏位置随时间的扩张。因此还可以增加覆盖元件或覆盖涂层的强度和耐用性。

此外，该目的通过EUV光刻的集光器反射镜来实现，该集光器反射镜包括基板以及在5nm和20nm之间的范围中的操作波长处反射的涂层，其中涂层局部地包括覆盖元件，其中覆盖元件包括表面结构、凸表面或凹表面、或与集光器反射镜的涂层相对应的涂层、或其组合。

已经发现，甚至在用活性氢的清洁周期之后或者在与等离子体辐射源一起持续操作期间，已经用覆盖元件修复由于氢诱导的损坏位置的集光器反射镜在修复位置处对其他氢诱导的损坏位置具有良好抗性。此外，修复支出低于在移除涂层并将涂层重新施加到集光器反射镜的情况下的支出。特别地，在其中使用集光器反射镜的EUV光刻设备的停开次数显著地减少。表面结构可以促成以下事实：诸如来自红外波长范围的不期望的辐射分量例如被反射到与操作波长范围中的辐射不同的方向上。这还可以用凸表面或凹表面来实现。凸帽盖的形式的覆盖单元是特别优选的。它们附加地具有以下优点：它们可以同样良好地覆盖气泡和剥落，并且它们特别地将诸如红外辐射的长波辐射反射到非优选的方向上。与覆盖元件的表面上的反射涂层对应的涂层可以导致在修复的位置处在操作波长范围中的反射率增加，理想上反射率与非损坏位置处的反射率一样高。例如，覆盖单元的其他优选配置是层压件或薄的片层。

在优选实施例中，覆盖元件实施为薄膜或覆盖单元。覆盖单元具有较大的机械稳定性和可以预先制造的优点。薄膜可以更好地特别是适配于要修复的损坏位置，并且适配于在损坏位置的区域中的涂层的表面轮廓。

优选地，覆盖元件包括金属、钢、高级钢、不变钢、铝、钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、钪、钇、镧、铈、铜、银、金、铂、铑、钯、钌、玻璃、陶瓷和铝氧化物的组的一个或多个材料。在这些材料的情况下，已经发现特别小的活性氢穿透到它们中。此外，覆盖单元或薄膜可以由这些材料来良好地制造。此外，它们可以被良好地固定在EUV光刻的集光器反射镜的涂层上。

有利地，涂层局部包括特别是密封损坏位置的覆盖涂层。

在优选的实施例中，覆盖涂层包括钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、铝、钪、钇、镧、铈、其氧化物、其氮化物、其碳化物、其硼化物、金、铂、铑、钯、钌、碳、硼碳化物和硼氮化物的组的材料中的一个或多个。这些材料首先良好地粘附在EUV光刻的集光器反射镜的通常的涂层材料上，并且其次提供对抗活性氢的良好保护。

将参考优选的示例性实施例更详细地解释本发明。附图中：

图1示意性示出了具有反射光学元件的EUV光刻设备的一个实施例；

图2示意性示出了实施为集光器反射镜的EUV光刻的示例性反射光学元件的构造；

图3示意性示出了具有各种损坏位置的EUV光刻的反射光学元件；

图4示出了在以不同方式修复了各种损坏位置之后的来自图3的反射光学元件；

图5a示意性示出了借助于覆盖元件修复了的其他反射光学元件；以及

图5b-e示意性示出了来自图5a的覆盖元件的各种实施例。

图1示意性示出了EUV光刻设备10。基本部件是照明系统14、光掩模17和投射系统20。在真空条件下操作EUV光刻设备10，使得在其内部中尽可能少地吸收EUV辐射。

等离子体源或同步加速器可以例如充当辐射源12。在此所示出的示例中，使用等离子体源。首先由集光器反射镜13将近似5nm至20nm的波长范围中的已发射的辐射聚焦。然后将操作束引入到照明系统14中。图1所示的示例中，照明系统14具有两个反射镜15、16。反射镜15、16将束引导到具有结构的光掩模17上，该结构旨在被成像到晶片21上。光掩模17同样是EUV和软X射线波长范围的反射光学元件，取决于制造过程更换该波长范围。借助于投射系统20，将从光掩模17反射的束投射到晶片21上并且由此将光掩模的结构成像到所述晶片上。所示的示例中，投射系统20具有两个反射镜18、19。应该指出的是，投射系统20和照明系统14可以各具有只有一个或者三个、四个、五个或更多个反射镜。

在此所图示的示例中，集光器反射镜13是准法线入射的反射镜50，如图2示意性图示，该反射镜50的涂层52基于多层系统54。这包含操作波长(例如在该操作波长处实行光刻曝光)处具有较高折射率实部的材料(也称为间隔体57)和操作波长处具有较低折射率实部的材料(也称为吸收体56)的交替施加的层，其中吸收体-间隔体对形成了堆叠体55。在某些方面，由此模拟晶体，其晶格面与发生布拉格反射的吸收体层相对应。单独层57、56的厚度以及重复堆叠体55的厚度可以在整个多层系统54之上是恒定的，或者取决于旨在实现的光谱或角度依赖的反射轮廓来变化。反射轮廓还可以由吸收体56和间隔体57构成的基本结构以有目标的方式来影响，该吸收体56和间隔体57由其它或多或少吸收的材料来补充，以便于在相应的操作波长处增加可能最大的反射率。为了该目的，在一些堆叠体中，吸收体和/或间隔体材料可以相互交换，或者堆叠体可以由多于一个吸收体和/或间隔体材料构造。吸收体和间隔体材料可以在所有堆叠体之上具有恒定或变化的厚度，以便于优化反射率。此外，还可以提供附加层作为间隔体和吸收体层57、56之间的扩散阻挡体。例如对于13.4nm的操作波长而言，通常的材料组合是作为吸收体材料的钼和作为间隔体材料的硅。在这种情况下，堆叠体55通常具有6.7nm的厚度，其中间隔体层57通常比吸收体层56更厚。

在此图示的示例中，涂层52还包括保护层53(其还可以由多于一个层构成)和光谱过滤层58，该光谱过滤层58用于从EUV波长范围的操作辐射的束路径中过滤来自不期望的波长范围的辐射，诸如同样由辐射源12发射的紫外辐射或激发辐射源12的等离子体的红外辐射)。为了该目的，光谱过滤层58可以具有例如衍射光栅结构。在许多情况下，它由金属合金构成，特别是由能够容易施加到微米厚度范围中的易于加工的金属(诸如镍磷、铜、银或金)来构成。作为示例，在钼-硅多层系统的情况下，保护层53可以尤其由硅氮化物的层和钌的层构造作为真空密封。涂层52布置在基板51上。EUV光刻的反射光学元件(特别是集光器反射镜)的典型的基板材料是玻璃陶瓷、石英玻璃、掺杂的石英玻璃、硅、碳化硅、硅渗透的碳化硅、铜、铝及其合金。

在此未示出的变型中，集光器反射镜还可以配置为掠入射反射镜。为了该目的，作为示例，由铜或铝合金构成的基板上，所述集光器反射镜可以包含尤其由镍-磷或非晶硅构成的抛光层和其上的钌层作为涂层。可选地，所述集光器反射镜附加地可以包括光谱过滤层。在金属基板的情况下，后者还可以结构化，以便于例如从束路径中过滤出紫外或红外辐射。

在此图示的示例中，辐射源可以是等离子体辐射源，在其中通过CO₂激光器激发锡滴以形成发射EUV波长范围中的辐射的等离子体。在这种情况下，锡可穿透到EUV光刻设备中，并且沉积在特别是集光器反射镜的表面上。在束路径下游设置的反射光学元件的情况下，锡污染物是不可忽略的，并且基于氧或碳的污染物可首先发生。为了在EUV光刻设备的反射光学元件的涂层上减少特别是锡和碳污染物，它们在低分压下以氢气混合物在真空中操作。在EUV辐射的影响下，从分子氢中形成了氢自由基和氢离子形式的活性氢。所述氢离子通过壁碰撞大部分转化为氢自由基。活性氢与污染物一起形成可以通过泵浦提取的挥发性锡和/或碳化合物。

特别地，如果涂层包含操作期间或早在制造期间出现的缺陷(诸如孔隙、夹杂物、位错或者诸如划痕或裂缝的机械损坏)，则可观察到活性氢穿透到涂层中，所述活性氢能够在涂层内或相对于基板的边界处复合。转换成分子氢的导致体积增加。气泡形成在表面下方，这可导致局部剥离部分或整个涂层。脱层位置可能具有红外范围中的高反射率。这特别在集光器反射镜的情况下是有问题的，如果它们用于与激光等离子体辐射源结合的话，由于激光器，从该激光等离子体辐射源不仅出现EUV辐射而且出现红外辐射。如果将太多红外辐射耦合到其他束路径中，则光学系统的下游反射镜和光掩模可能被损坏。

迄今，由于氢的影响而损坏的反射光学元件已经不得不借助于需要移除完整涂层并重新涂覆基板来实质上重新制造。

图3举例并示意性图示了基板61上在EUV光刻的反射光学元件60(例如集光器反射镜)的涂层62中氢诱导的损坏位置63、64、65、66。涂层62可以构造为例如如上文在图2的情况下所解释的，特别是针对法线或准法线的入射角所解释的，或者针对掠入射所解释的。在此图示的示例中，虽然涂层62尚未损坏到基板61，但是这可能发生在所有已损坏位置的情况中。

损坏位置63是由在涂层62中积累分子氢而引起的气泡。损坏位置65图示了已经裂开的气泡。在损坏位置64的情况下，涂层62的经受剥落的部分已经完全脱落，并且涂层62的下面的部分被暴露并可能被污染物或扩散的氢损坏。干扰红外反射可发生在损坏位置63、64、65处。

然后为了修复EUV光刻的包括基板61和涂层62(其在5nm和20nm之间的范围中的操作波长处反射)的反射光学元件60，首先在涂层中定位损坏位置是必要的。将特别是氢诱导的损坏位置(具体是气泡和剥落)定位的过程可以例如通过近距离视觉检验来发生，因为在许多情况下它们具有宏观范围(例如在亚毫米至厘米范围中)。它还可以借助于扫描涂层的表面的检验系统来发生。

在定位的损坏位置然后用优选地具有低氢渗透率的一个或多个材料覆盖之前，在损坏位置的区域中的涂层材料可以在覆盖过程之前被移除。这已经发生在例如图3所图示的损坏位置66的情况下，并且可以例如通过磨削、钻孔、铣削或相似过程来实行。在这种情况下，例如可以穿透到涂层62的未脱层区域中或者仅打开和/或移除气泡。涂层材料的移除具有以下优点：可以更好防止在损坏位置处的进一步脱层，或者可以更好地覆盖损坏位置。

图4中举例且示意性图示了现在修复的反射光学元件70的各种覆盖可能性，修复的反射光学元件70例如可以实施为集光器反射镜。应该指出的是，所有覆盖可能性可以与所有类型的损坏位置任意组合。

作为示例，尤其可以实施为覆盖单元或薄膜的覆盖元件可以被施加到损坏位置。在图4所图示的示例中，气泡形式的损坏位置63已经用帽盖形式的覆盖单元71来覆盖。帽盖71由诸如陶瓷(例如铝氧化物)、玻璃或者金属(特别是铝、钼、高级钢或不变钢)的氢不可渗透的材料构成。帽盖71还可以由以下构成：钽、铌、硅、钛、锆、铪、钪、钇、镧、铈、铜、银、金、铂、铑、钯、钌、或者这些材料或如上所提及的材料中两个或更多个的任何所需组合，或者包括提及材料的一个或多个。帽盖71通过用展示出极少排气的粘合剂(诸如矿物填充的环氧树脂)的粘合接合来固定。帽盖71可以在整个区域或者仅通过点或环来粘合接合。溢出的粘合剂很大程度上是不关键的，因为它在氢存在的情况下、在用EUV辐射辐照的过程中的操作期间被消耗。粘合剂接合中的间隙还应该被认为是不关键的，因为活性氢由于在帽盖71和涂层62之间的间隙中的壁碰撞而复合以形成无害分子氢。

帽盖71具有凸的顶侧。这具有红外辐射在帽盖71处扩散地散射的优点。为了增强该效果，可以通过打磨、喷砂、蚀刻等附加地使帽盖表面粗糙。此外，帽盖71可以由流电的层来钝化。

当选择帽盖材料时，选择与基板61尽可能相似的热膨胀系数是有利的。替代地或附加地，如在所图示的帽盖71的情况下发生，帽盖横截面可以由优选地旋转对称地提供的凹口、凹槽711或薄层来减弱，以便于减少帽盖材料相对于基板材料的热应力。为了避免由于不同热膨胀系数的应力，柔性帽盖材料还可以是有利的。

覆盖元件(特别是覆盖单元)可以在损坏位置63、64、65周围粘合地接合到未损坏的涂层62上。甚至在在集光器反射镜的情况中可以经常出现的凹基底情况下，甚至可以精确地用帽盖类型覆盖单元来覆盖气泡和丘。

特别地，如果涂层在基板上没有粘合得很好或者气泡太大，则可尤其通过磨削、蚀刻、离子束轰击或等离子体蚀刻，在对应损坏位置处部分地移除涂层(例如直到光谱过滤层)，或者完全地移除涂层直到基板。然后可以以良好粘合度将覆盖元件(特别是帽盖类型的覆盖单元)粘性接合在基板或涂层区域上。如果在覆盖元件的边缘区域中存在可以被覆盖元件覆盖的几毫米的未损坏的涂层以便尽可能多地防止活性氢穿透到覆盖元件下方，则是有利的。为了该目的，覆盖元件还可以包括例如作为粘合边缘的悬臂。覆盖单元此外还可以实施为例如层压件或片层。

代替帽盖类型覆盖单元，薄膜72还可以施加到损坏位置，如图4所图示的示例的损坏位置64的情况下发生的。适当的材料可已被证实为铝、铝合金、钛、铜、钢、银、金、以及氢自由基仅穿透至很小的范围的陶瓷和玻璃。其他适当的材料通常是金属、高级钢、不变钢、钼、钽、铌、硅、锆、铪、钪、钇、镧、铈、铂、铑、钯、钌、所提及材料的组合或包括它们的材料或其组合。它们具有的厚度范围可以从几个原子层(如在金箔的情况下)到几百微米。薄膜的一个优点在于它们可以易于切割成任意大小，并且适配于要覆盖的损坏位置的形状。因此，它们特别适合于延长的和不规则形状的损坏位置，例如还适合于划痕。此外，在温度改变的事件中，由于它们相当小的厚度，它们对粘合剂接合以较低程度施加剪切力。因此，还可以降低不同热膨胀系数的对粘合强度的负面影响。总而言之，它们可以使用具有比覆盖单元更低的粘合强度的粘合剂来固定在涂层62上。此外，如果发生重做反射光学元件70，则它们可以相对容易被再次移除。它们能够从粘合剂剥离，并且粘合剂残余物可以由冷冲击来移除。

特别在具有弯曲的表面的集光器反射镜的情况下，以跟随反射光学元件的形状的方式粘性接合薄膜72是有利的。为了该目的，事前，薄膜例如可以是凹形预成形的，或者使用诸如棉签或泡沫材料印模的面状软工具在表面上直接成形。取决于弯曲度，然而还可以施加薄膜或薄的片层的平坦件。借助于具有圆形形状的薄膜，具有略微较高的弯曲度的反射光学元件的涂层中的损坏位置甚至可以用氢密封的方式来修复。已经证实有价值的是，凹形地预成形薄膜并且提供一个圆周环圈部分或至少两个环圈部分作为粘合边缘。

薄膜72的固定可以如上文针对实施为帽盖的覆盖元件71所解释的来实行。优选地，使用填充的粘合剂，并且可以面状地、点状或作为粘合环或其部分来实行粘性接合。例如还可以使用诸如硅酸钠的无机粘合系统。

然而，特别地在薄膜的情况下例如通过电焊、激光焊或软焊固定也是可能的，这还可以在各种情况下在点处实行。例如通过静电吸引，特别是可以暂时地固定薄膜以便于促进通过焊接或软焊的固定。

还可以准备自粘合薄膜件。作为示例，具有基于丙烯酸树脂的粘合剂的自粘合铝薄膜是市售的。可以特别是将可固化的粘合剂施加到薄膜或薄的片层或其他由保护薄膜所保护的覆盖单元，以便于只有在移除保护薄膜之后并施加覆盖元件之后，粘合剂特别地由于与空气湿度、氧气或UV辐射接触而固化。此外，如果特别是作为薄膜的实施例中的覆盖元件不包括粘合剂的所有成分，则可以在施加之前喷涂上化学激活剂，并且必须在施加期间增加缺失的成分。在其他变型中，要施加的薄膜可以从两侧用辅助薄膜来覆盖。在施加薄膜之前，粘合侧的辅助薄膜被移除。之后，将薄膜放置到要修复的损坏位置上，并且通过在另一个辅助薄膜上点处的压力，薄膜的粘合剂涂覆侧被固定在损坏位置周围的涂层上。该进程具有以下优点：实际施加的薄膜的尺寸和形状仅需要在施加的瞬间被限定。

特别是在集光器反射镜的情况下，为了尽可能多地防止在不需要的波长范围中的辐射被反射到EUV光刻设备的束路径中，薄膜可以配备有宏观的表面结构，如在例如图4的覆盖元件72的情况下作为示例指示为表面结构721。例如，它们可以为有折痕的或压印的，以便于减少UV或IR辐射的定向反射。粗糙的压印薄膜是市售的。还可以使用专用的压印裸芯。特别是四面体的压印图案已经被证实为适合于在对应的取向的情况下避免UV或IR反射到EUV光刻的其他束路径中。为了特别是尽可能扩散地反射IR辐射，薄膜或薄的片层可以例如通过如使用酸来阳极氧化、氧化、酸洗或蚀刻来配备有将红外辐射不佳地反射。

特别地，覆盖元件还可以包括与要修复的反射光学元件的涂层对应的涂层，也就是说用于反射EUV辐射。图4指示了覆盖元件73，其实施为具有适合于反射EUV辐射的涂层731的层压件732。在它的曲率方面，它有利地适配于反射光学元件70的表面的曲率。层压件732可以例如由硅、玻璃、蓝宝石、或铝氧化物、或一般而言金属来制造。取决于构成涂覆的层压件73的材料和其上施加所述层压件的基底(也就是说涂层62或基板61的部分)，层压件可以通过粘合剂接合、软焊或绞拧来施加。在优选的变型中，涂覆的层压件73附加地具有表面结构化，以便于将来自不需要的波长范围的辐射(特别是红外辐射)从束路径中转出。

如例如图4指示为74，可以容易地与如上所描述的进程组合的其他修复的可能性在于将覆盖涂层施加到的损坏位置。在本示例中，损坏位置66借助于以下事实来准备：在覆盖损坏位置66的过程之前，其区域中的涂层材料被移除。这尤其可以通过磨削、钻孔或铣削来完成。

施加覆盖涂层的第一可能性在于将损坏位置66处暴露的材料氧化。这可以例如通过使用诸如硝酸的氧化酸的酸处理来完成，特别地，如果镍-酸被暴露，则这是适合的。氧化还可以通过大气压气体和/或氧等离子体来实行。通过大气压惰性气体等离子体(特别包括氩气或氦气)和对应的挥发性化合物，还可以施加包括以下或由以下构成的保护涂层：钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、铝、钪、钇、镧、铈、其氧化物、其氮化物、其碳化物、其硼化物、金、铂、铑、钯、钌、碳、硼碳化物和硼氮化物的组的材料中的一个或多个。通过大气气体等离子体，在损坏位置处暴露的材料还可以被氮化。存在各种各样的市售大气压等离子体装置，尤其其中等离子体单元几乎不大于钉销并且还可以以这种方法来操作的一个。可以手动地或与机器人臂组合自动地实现这样的等离子体单元。如果使用可能对人体有害的气体，则首先优选第二个可能性。大气压等离子体的一个特别优点还在于，非常密集的等离子体可以配备为与很低的加热效应结合，并且甚至因此可以处理特别敏感的涂层。特别是，如果压缩空气可以用作大气压等离子体的过程气体，则操作成本非常低。

损坏位置还可以通过电镀来修复并钝化以对抗活性氢。一个示例是借助于市售的装置来电镀，该装置的电镀单元原则上配置为棉花团的类型，其可以经由电源终端来供电。特别的优选例倾向于流电地施加一个或多个贵金属或半贵金属，特别是金、银、铂或钌。其他适当的材料是铑、钯、钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、铝、钪、钇、镧和铈。可以施加纯金属、其组合或合金或者包含它们的材料。

损坏位置还可以是镀锡的。特别是在反射光学元件旨在通过氢密集地清洁之前，损坏位置可以用具有毫米范围的尺寸的锡滴来密封。为了该目的，可以通过烧蚀来准备诸如损坏位置66的损坏位置。初期还可以钻孔或铣削诸如损坏位置63的气泡，使得锡穿透到打开的气泡中。已经用锡覆盖的损坏位置附加地可以用其他层或覆盖元件来覆盖。对于镀锡的损坏位置还特别有利的是例如通过施加金箔来镀金，并且如果适当的话，通过软焊或焊接、或者通过流电地施加金来固定金箔。一些其他贵金属或半贵金属还可以代替金来施加。

图5示意性图示了实施为集光器反射镜80的其他反射光学元件。集光器反射镜80具有在其基板61上的涂层62中的损坏位置67。损坏位置67通过施加实施为具有凹表面的覆盖单元的覆盖元件75来修复。在不同的变型中，覆盖元件75可以用各种方式来成形。在图5b和5e中示意性图示了示例性变型。来自图5b的覆盖元件75a具有矩形边界；来自图5c的覆盖元件75b具有椭圆边界；来自图5d的覆盖元件75c具有多边形边界；来自图5e的覆盖元件75d具有自由形状的、大多数弯曲的边界。边界的形状可以适配于相应的损坏位置的形状。特别在覆盖元件以伸长方式成形的情况下，考虑到相对于使用反射光学元件的EUV光刻设备的扫描方向的适当的取向，可以减少突然明暗变换的形式的覆盖元件的影响。因此，EUV光刻设备的成像性能在较小程度上受到修复有害的影响。

在使用氢自由基来锡清洁之后或者在用锡等离子体源冗长操作之后，用锡等离子体源操作并且以如上所描述的方式修复的EUV光刻的集光器反射镜没有在修复的损坏位置处展示出氢生成的气泡的增长。

应该指出的是，在此出现的修复方法还可以适合于修复划痕或裂缝的形式的损坏位置。

附图标记

10 EUV光刻设备

12 EUV辐射源

13 集光器反射镜

14 照明系统

15 第一反射镜

16 第二反射镜

17 掩模

18 第三反射镜

19 第四反射镜

20 投射系统

21 晶片

50 反射光学元件

51 基板

52 涂层

53 保护层

54 多层系统

55 层对

56 吸收体

57 间隔体

58 光谱过滤层

60 集光器反射镜

61 基板

62 涂层

63 损坏位置

64 损坏位置

65 损坏位置

66 损坏位置

67 损坏位置

70 集光器反射镜

71 覆盖元件

711 凹槽

72 覆盖元件

721 表面结构

73 覆盖元件

731 涂层

732 层压件

74 覆盖涂层

75 覆盖元件

75a 覆盖元件

75b 覆盖元件

75c 覆盖元件

75d 覆盖元件

80 集光器反射镜

Claims (14)

1.一种修复EUV光刻的反射光学元件的方法，所述反射光学元件包括基板以及在5nm和20nm之间的范围中的操作波长处反射的涂层，所述方法包括以下步骤：

-在所述涂层中定位损坏位置；

-通过将覆盖元件施加到所述损坏位置来用一个或多个材料覆盖所述损坏位置，其中所述覆盖元件实施为具有表面结构、凸表面或凹表面、或与所述反射光学元件的涂层对应的涂层、或者其组合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖元件通过粘合剂固定在所述涂层上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述覆盖元件实施为薄膜或覆盖单元。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述覆盖元件实施为具有角度和/或弯曲的边界。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，施加覆盖元件，所述覆盖元件包括金属、钢、高级钢、不变钢、铝、钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、钪、钇、镧、铈、铜、银、金、铂、铑、钯、钌、玻璃、陶瓷和铝氧化物的组中的一个或多个材料。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述覆盖涂层被施加到所述损坏位置。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过镀锡、镀金、电镀、氧化、氮化和/或通过大气压等离子体的沉积来施加所述覆盖涂层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过电镀施加金属层作为所述覆盖涂层，所述金属层包括金、铂、铑、钯、钌、钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、铝、钪、钇、镧和/或铈、或者通过大气压等离子体施加覆盖涂层、其包括包含钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、铝、钪、钇、镧、铈、其氧化物、其氮化物、其碳化物、其硼化物、金、铂、铑、钯、钌、碳、硼碳化物和硼氮化物的组中的一个或多个。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，在覆盖所述损坏位置的过程之前，在所述损坏位置的区域中移除涂层材料。

10.一种EUV光刻的集光器反射镜，包括基板以及在5nm和20nm之间的范围中的操作波长处反射的涂层，其特征在于，所述涂层(62)局部地包括覆盖元件(71、72、73)，其中所述覆盖元件(71、72、73)包括表面结构(721)、凸表面或凹表面、或与所述集光器反射镜(70)的涂层(62)相对应的涂层(731)、或其组合。

11.根据权利要求10所述的集光器反射镜，其特征在于，所述覆盖元件实施为薄膜(72)或覆盖单元(71、73)。

12.根据权利要求10或11所述的集光器反射镜，其特征在于，所述覆盖元件(71、72、73)包括金属、钢、高级钢、不变钢、铝、钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、钪、钇、镧、铈、铜、银、金、铂、铑、钯、钌、玻璃、陶瓷和铝氧化物的组的材料中的一个或多个。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的集光器反射镜，其特征在于，所述涂层局部地包括覆盖涂层(74)。

14.根据权利要求13所述的集光器反射镜，其特征在于，所述覆盖涂层(74)包括钼、钽、铌、硅、钛、锆、铪、铝、钪、钇、镧、铈、其氧化物、其氮化物、其碳化物、其硼化物、金、铂、铑、钯、钌、碳、硼碳化物和硼氮化物的组的材料中的一个或多个。