CN110047865A - 具有多个发光结构的发光元件 - Google Patents
具有多个发光结构的发光元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110047865A CN110047865A CN201910265078.9A CN201910265078A CN110047865A CN 110047865 A CN110047865 A CN 110047865A CN 201910265078 A CN201910265078 A CN 201910265078A CN 110047865 A CN110047865 A CN 110047865A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- groove
- semiconductor layer
- emitting structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims description 9
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANVRDUDUNKHRMI-UHFFFAOYSA-N C1CCC1.[F] Chemical compound C1CCC1.[F] ANVRDUDUNKHRMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTPKWWJYDWYXOT-UHFFFAOYSA-N [W+4].[O-2].[In+3] Chemical compound [W+4].[O-2].[In+3] QTPKWWJYDWYXOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 1
- HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N chromafenozide Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C(=O)N(NC(=O)C=2C(=C3CCCOC3=CC=2)C)C(C)(C)C)=C1 HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- OVXQHPWHMXOFRD-UHFFFAOYSA-M ecothiopate iodide Chemical compound [I-].CCOP(=O)(OCC)SCC[N+](C)(C)C OVXQHPWHMXOFRD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开一种具有多个发光结构的发光元件，其包含一第一半导体层；第一发光结构与第二发光结构，位于第一半导体层之上，其中第一半导体层为连续的；多个第一电极，位于第一半导体层之上；多个第二电极，位于第一半导体层之上；多个电绝缘部，位于多个第二电极与第一半导体层之间；以及第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层的一上表面，其中第一电极与第二电极不位于第一沟槽之中。
Description
本申请是中国发明专利申请(申请号：201310395336.8，申请日：2013年09月03日，发明名称：具有多个发光结构的发光元件)的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有多个发光结构的发光元件。
背景技术
如图1A所示，光电元件，例如发光二极管1(Light-emitting Diode；LED)，目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。此外，上述的LED1可与其他元件组合连接以形成一发光装置。图1B为现有的发光装置结构示意图，如图1B所示，一发光装置10包含一具有一电路120的次载体(submount)12；一焊料14(solder)位于上述次载体12上，通过此焊料14将LED1固定于次载体12上并使LED 1与次载体12上的电路120形成电连接；以及一电连接结构16，以电连接LED 1的电极11/13与次载体12上的电路120；其中，上述的次载体12可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一发光元件，其包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上；多个第一电极，位于第一半导体层之上；多个第二电极，位于第一半导体层之上；多个电绝缘部，位于多个第二电极与第一半导体层之间；以及一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层，其中第一电极与第二电极不位于第一沟槽之中。
本发明还提供一发光元件，包含一第一半导体层；第一发光结构与第二发光结构，位于第一半导体层之上，其中第一半导体层为连续的且其中第一发光结构及第二发光结构通过一第一桥接部连接；第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层的上表面；第二沟槽，不平行于第一沟槽，其中第二沟槽包含第一区及第二区；第二桥接部位于第一区及第二区之间；第一电极，位于第一沟槽之中；以及第二电极，包含一打线部，与多个延伸部自打线部延伸，多个延伸部的其中一个位于第二桥接部之上，且打线部位于第一桥接部之上。
本发明又提供一发光元件，包含一第一半导体层；第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构，位于第一半导体层之上，其中第一半导体层为连续的；第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层之上表面；第二沟槽，位于第二发光结构与第三发光结构之间，曝露第一半导体层之上表面；第三沟槽，位于该些发光结构其中之一之中，曝露第一半导体层，其中第三沟槽随着第一延伸方向延伸，第一延伸方向平行于第一半导体层；绝缘桥接部，位于第一沟槽及第二沟槽中，连接该些发光结构；第一电极，位于第三沟槽中，且电性连接第一半导体层；以及第二电极，包含一第二打线部，位于该些发光结构其中之一之上，以及第二延伸部，延伸自第二打线部；其中第二延伸部位于绝缘桥接部上，且延伸至该些发光结构；其中该些发光结构各包含主动层，位于第一半导体层上；以及第二半导体层，位于主动层上；第一沟槽及第二沟槽使该些发光结构之该些主动层彼此互相分离。
附图说明
图1A绘示现有LED的上视示意图；
图1B绘示现有的发光装置结构示意图；
图2A绘示本申请案一实施例的发光元件的上视示意图；
图2B绘示图2A绘示的发光元件的剖面示意图；
图2C～图2D绘示本申请案另一实施例的发光元件的制造流程图；
图2E标示本申请案实施例的发光元件与现有LED的效率；
图3A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；
图3B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；
图4A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；
图4B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；图4C绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；图5A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；图5B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；图6绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；图7是本申请案一实施例的灯泡分解示意图。
符号说明
1 LED
10 发光装置
11、13 电极
12 次载体
120 电路
14 焊料
16 电连接结构
2、2’、3、3’、4、4’、5、5’、6 发光元件
20 基板
200 图案化上表面
21 第一电极
21A 第一打线区
21B 第一延伸部
22 发光叠层
220 第一半导体层
221 第一上表面
222 主动层
223 第一侧边
224 第二半导体层
225 第二侧边
23 第二电极
23A 第二打线区
23B 第二延伸部
24 透明导电层
25、41、50、60 第一沟槽
27、43、62 第二沟槽
30、40、54 第一桥接部
31、45、52 第三沟槽
32 电绝缘层
33 第四沟槽
42 第二桥接部
431 第一区
432 第二区
451 第三区
452 第四区
47、64 曝露部
51 第一连接线
53 第二连接线
7 灯泡
71 灯罩
72 透镜
73 载体
74 照明模块
75 灯座
76 散热槽
77 连结部
78 电连结器
具体实施方式
本发明的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。
图2A绘示本申请案一实施例的发光元件的上视示意图，图2B绘示沿图2A的AA剖面线所视的发光元件的剖面示意图。如图2B所示，一发光元件2具有一基板20；一发光叠层22，位于基板20之上；以及一透明导电层24位于发光叠层22之上，其中发光叠层22具有一第一半导体层220、一主动层222与一第二半导体层224依序形成于基板20之上。一第一沟槽25形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一半导体层220的一第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24分离形成一第一发光结构X与一第二发光结构Y。换言之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有共同的第一半导体层220，但在第一半导体层220不同的区域之上具有各自的主动层222、第二半导体层224与透明导电层24。如图2A所示，第二沟槽27分别形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之中，曝露第一上表面221。第一电极21位于第二沟槽27之中的第一上表面221之上，第二电极23位于透明导电层24之上。第一沟槽25位于第一发光结构X与第二发光结构Y之间，第一电极21与第二电极23皆位于第一沟槽25之外，即无电极位于第一沟槽25之中，使电流可以分别均匀地于第一发光结构X与第二发光结构Y扩散，提升发光元件2的发光效率，如图2E所示。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。
第一电极21及/或第二电极23用以接受外部电压，可由透明导电材料或金属材料所构成。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟钨(IWO)、氧化锌(ZnO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、氧化铟锌(IZO)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)、铅(Pb)、锌(Zn)、镉(Cd)、锑(Sb)、钴(Co)或上述材料的合金等。第一电极21具有一第一打线部21A与自第一打线部21A延伸的多个第一延伸部21B，第二电极23具有一第二打线部23A与自第二打线部23A延伸的多个第二延伸部23B，其中第一打线部21A与第二打线部23A用以作为后续打线制作工艺的打线位置，多个第一延伸部21B与多个第二延伸部23B用以传导电流，增进电流扩散，提升发光元件2的发光效率。其中，至少一第一延伸部21B位于二第二延伸部23B之间，使电流均匀地扩散，避免电流聚集部分区域，减少发光的面积。第二半导体层224具有一第一侧边223与远离第一侧边223的第二侧边225，其中第一打线部21A靠近第一侧边223，第二打线部23A靠近第二侧边225。第一打线部21A与第一侧边223之间具有一间距D，间距D约等于为第一打线部21A的尺寸。第一打线部21A的尺寸以圆形为例，D则为圆形的直径大小，以长方型为例，间距D则约为长方形的长边大小。因此，电流自第一打线部21A注入后可有效地扩散，提升发光元件2的发光效率。另一实施例中，间距D约为60微米至100微米。此外，至少一第一延伸部21B与其他第一延伸部21B延伸方向相异。以本实施例为例，一第一延伸部21B向第一侧边223延伸，其他第一延伸部21B则向第二侧边225延伸，增进电流扩散，提升发光元件2的发光效率。
透明导电层24用以增加发光叠层22与第二电极23之间的欧姆接触以及帮助电流扩散，以提升发光元件2的发光效率。透明导电层24对于发光叠层22所发的光为透明，其材料可为导电材料，包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)或氧化铟锌(IZO)。发光叠层22的材料可为半导体材料，包含一种以上的元素，此元素可选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组。第一半导体层220与第二半导体层224的电性相异，用以产生电子或空穴。另一实施例中，第二半导体层224具有一粗糙上表面，用以降低全反射，提升发光元件2的发光效率。主动层222可发出一种或多种色光，可为可见光或不可见光，其结构可为单异质结构、双异质结构、双侧双异质结构、多层量子井或量子点。
基板20可用以支持位于其上的发光叠层22与其它层或结构，其材料可为透明材料或导电材料。透明材料包含但不限于蓝宝石(Sapphire)、钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、环氧树脂(Epoxy)、石英(Quartz)、压克力(Acryl)、氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)或氮化铝(AlN)等。导电材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镍(Ni)、钴(Co)、类钻碳薄膜(Diamond Like Carbon；DLC)、石墨(Graphite)、碳纤维(Carbonfiber)、金属基复合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基复合材料(CeramicMatrix Composite；CMC)、硅(Si)、磷化碘(IP)、硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、硒化锌(ZnSe)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO2)或铝酸锂(LiAlO2)。其中可用以成长发光叠层的材料例如为蓝宝石、砷化镓、碳化硅(SiC)或硅。基板20具有一图案化上表面200，用以改善自基板20生长的外延的品质与散射发光叠层22所发之光，提升发光元件2的发光效率。
图2C～图2D绘示另一实施例的发光元件2’的制造流程图。如图2C所示，基板20之上形成发光叠层22，移除部分第二半导体层224与主动层222，形成第一沟槽25与第二沟槽27，曝露第一半导体层220的第一上表面221，其中第一沟槽25将第二半导体层224与主动层222分隔为第一发光结构X与第二发光结构Y，二第二沟槽27分别位于第一发光结构X与第二发光结构Y之中。如图2D所示，形成透明导电层24于第二半导体层224之上，再形成第一电极21于第二沟槽27之中，以及第二电极23于透明导电层24之上，以形成发光元件2’。
图3A与图3B绘示另一实施例的发光元件3与3’的上视示意图。如图3A所示，发光元件3具有发光元件2的类似结构，且更具有一第三沟槽31与一第四沟槽33，曝露第一上表面221，其中第三沟槽31与第四沟槽33不平行于第一沟槽25与第二沟槽27，所以第三沟槽31与第四沟槽33和第一沟槽25与第二沟槽27交错，使得第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域。多个第一桥接部30分别位于第一发光结构X与第二发光结构Y被分隔的多个发光区域之间，且位于第三沟槽31与第四沟槽33之中，用以连接多个发光区域，使得多个第二延伸部23B可通过多个第一桥接部30之上以延伸至多个发光区域，将电流传导至多个发光区域。由于第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域，电流经由多个第二延伸部23B传导于每个发光区域，可于多个面积较小的发光区域均匀地扩散，提升发光元件3的发光效率。如图3B所示，发光元件3’具有发光元件2的类似结构，其中第二沟槽27将第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域，电绝缘层32形成于第二沟槽27之中与发光区域之上，远离第一打线区21A，第二打线部23A形成于电绝缘层32之上，第二延伸部23B位于电绝缘层32之上且延伸至多个发光区域。由于第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域，电流经由多个第二延伸部23B传导于每个发光区域，可于多个面积较小的发光区域均匀地扩散，提升发光元件3’的发光效率。上述实施例中，第一桥接部30及/或电绝缘层32可电绝缘第二电极23与第一半导体层220，其材料可为电绝缘材料，例如为聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、Su8、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(AcrylicResin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氮化硅(SiNx)、氟化镁(MgF2)、旋涂玻璃(SOG)或四乙氧基硅烷(TEOS)。
图4A与图4B绘示另一实施例的发光元件4与4’的上视示意图。一发光元件4的结构类似发光元件2，具有基板20；发光叠层22，位于基板20之上；以及透明导电层24位于发光叠层22之上，其中发光叠层22具有第一半导体层220、主动层222与第二半导体层224依序形成于基板20之上。如图4A所示，一第一沟槽41形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24大致分离形成第一发光结构X与第二发光结构Y。本实施例中，形成第一沟槽41时未完全移除发光叠层22与透明导电层24，保留部分发光叠层22与透明导电层24以形成一第一桥接部40，用以连接第一发光结构X与第二发光结构Y。第一电极21形成于第一沟槽41之中；第二电极23形成于第一桥接部40之上，将电流传导至第一发光结构X与第二发光结构Y，因为第一发光结构X与第二发光结构Y之间具有较小的发光叠层面积，电流可分别均匀地扩散第一发光结构X与第二发光结构Y，提升发光元件4的发光效率。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。
如图4B所示，发光元件4’具有发光元件4的类似结构，且更具有一第二沟槽43与一第三沟槽45，曝露第一上表面221，其中第二沟槽43与第三沟槽45不平行于第一沟槽41，所以第二沟槽43与第三沟槽45和第一沟槽41交错，使得第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域。多个第二桥接部42位于第一发光结构X与第二发光结构Y被分隔的多个发光区域之间，且分别位于第二沟槽43与第三沟槽45之中，用以连接多个发光区域。第二沟槽43被多个第二桥接部42分成一第一区431与一第二区432，第二桥接部42位于第一区431与第二区432之间。第三沟槽45被多个第二桥接部42分成一第三区451与一第四区452，第二桥接部42位于第三区451与第四区452之间。本实施例中，形成第二沟槽43与第三沟槽45时未完全移除发光叠层22与透明导电层24，保留部分发光叠层22与透明导电层24以形成多个第二桥接部42。多个第二延伸部23B可通过多个第二桥接部42之上以延伸至多个发光区域，将电流传导至多个发光区域。由于第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域，电流经由多个第二延伸部23B传导于每个发光区域，可于多个面积较小的发光区域均匀地扩散，提升发光元件4’的发光效率。如图4C所示，发光元件4”，具有发光元件4的类似结构，更具有一曝露部47围绕第一发光结构X与第二发光结构Y而形成，曝露第一上表面221，其中部分曝露部47不平行于第一沟槽41，另一部分曝露部47平行于第一沟槽41。第二电极23形成于第一桥接部40、第一发光结构X与第二发光结构Y之上，第一电极21形成于曝露部47之中，多个第一延伸部21B沿曝露部47延伸，电流可分别均匀地扩散第一发光结构X与第二发光结构Y，提升发光元件4”的发光效率。
图5A与图5B绘示另一实施例的发光元件5与5’的上视示意图。如图5A所示，发光元件5具有发光元件2的类似结构，一第一沟槽50形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24大致分离形成第一发光结构X与第二发光结构Y。本实施例中，形成第一沟槽50时未完全移除发光叠层22与透明导电层24，保留部分发光叠层22与透明导电层24以形成一第一桥接部54，用以连接第一发光结构X与第二发光结构Y。第二沟槽27分别形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之中，曝露第一上表面221。第一电极21位于第二沟槽27之中的第一上表面221之上，第二电极23位于透明导电层24之上。一第三沟槽52形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一上表面221，其中第三沟槽52不平行于第一沟槽50，所以第三沟槽52和第一沟槽50交错。一第一连接线51形成于第三沟槽52之中，电连接分别位于第一发光结构X与第二发光结构Y的第一打线部21A。一第二连接线53形成于第一桥接部54、第一发光结构X与第二发光结构Y之上，电连接分别位于第一发光结构X与第二发光结构Y的第二打线部23A。第一连接线51与第二连接线53分别电连接位于第一发光结构X与第二发光结构Y的第一打线部21A与第二打线部23A，导致电流均匀地分布于第一发光结构X与第二发光结构Y，提升发光元件5的发光效率。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。如图5B所示，发光元件5’具有发光元件5的类似结构，第三沟槽52形成于第一发光结构X与第二发光结构Y，且靠近第一侧边223，减少形成第三沟槽52所需移除的发光叠层22，避免减少发光区域的面积。
图6绘示另一实施例的发光元件6的上视示意图。如图6所示，发光元件6具有发光元件2的类似结构，一第一沟槽60形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24大致分离形成第一发光结构X与第二发光结构Y。第二沟槽62分别形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之中，曝露第一上表面221。一曝露部64围绕第一发光结构X与第二发光结构Y而形成，曝露第一上表面221，其中部分曝露部64不平行于第一沟槽60，另一部分曝露部64平行于第一沟槽60。第二电极23形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之上，第一打线部21A形成于曝露部64之上，多个第一延伸部21B沿曝露部64与第一沟槽60延伸，电流可分别均匀地扩散第一发光结构X与第二发光结构Y，提升发光元件6整体的发光效率。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。
图7是绘示出一灯泡分解示意图，一灯泡7具有一灯罩71；一透镜72，置于灯罩71之中；一照明模块74，位于透镜72之下；一灯座75，具有一散热槽76，用以承载照明模块74；一连结部77；以及一电连结器78，其中连结部77连结灯座75与电连接78。照明模块74具有一载体73；以及多个前述任一实施例的发光元件70，位于载体73之上。
上述实施例仅为例示性说明本申请案的原理及其功效，而非用于限制本申请案。任何本申请案所属技术领域中具有通常知识者均可在不违背本申请案的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。因此本申请案的权利保护范围如所附的权利要求所列。
Claims (15)
1.一种发光元件，其特征在于，该发光元件包含︰
第一半导体层；
第一发光结构与第二发光结构，位于该第一半导体层之上，其中该第一半导体层为连续的；
多个第一电极，位于该第一半导体层之上；
多个第二电极，位于该第一半导体层之上；
多个电绝缘部，位于该多个第二电极与该第一半导体层之间；以及
第一沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之间，曝露该第一半导体层的上表面，其中该第一电极与该第二电极不位于该第一沟槽之中。
2.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之中，其中该第一电极位于该第二沟槽之中。
3.如权利要求2所述的发光元件，其中该第二电极位于该第二沟槽之中。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一发光结构与该第二发光结构以俯视观之包含相同的图案。
5.一种发光元件，其特征在于，该发光元件包含︰
第一半导体层；
第一发光结构与第二发光结构，位于该第一半导体层之上，其中该第一半导体层为连续的且其中该第一发光结构及该第二发光结构通过一第一桥接部连接；
第一沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之间，曝露该第一半导体层的上表面；
第二沟槽，不平行于该第一沟槽，其中该第二沟槽包含第一区及第二区；
第二桥接部位于该第一区及该第二区之间；
第一电极，位于该第一沟槽之中；以及
第二电极，包含打线部，与多个延伸部自该打线部延伸，该多个延伸部的其中一个位于该第二桥接部之上，且该打线部位于该第一桥接部之上。
6.一种发光元件，其特征在于，该发光元件包含︰
第一半导体层；
第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构，位于该第一半导体层之上，其中该第一半导体层为连续的；
第一沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之间，曝露该第一半导体层的上表面；
第二沟槽，位于该第二发光结构与该第三发光结构之间，曝露该第一半导体层的该上表面；
第三沟槽，位于该些发光结构其中之一之中，曝露该第一半导体层，其中该第三沟槽随着第一延伸方向延伸，该第一延伸方向平行于该第一半导体层；
绝缘桥接部，位于该第一沟槽及该第二沟槽中，连接该些发光结构；
第一电极，位于该第三沟槽中，且电性连接该第一半导体层；以及
第二电极，包含一第二打线部，位于该些发光结构其中之一之上，以及第二延伸部，延伸自该第二打线部；
其中该第二延伸部位于该绝缘桥接部上，且延伸至该些发光结构；
其中该些发光结构各包含主动层，位于该第一半导体层上；以及第二半导体层，位于该主动层上；该第一沟槽及该第二沟槽使该些发光结构的该些主动层彼此互相分离。
7.如权利要求5或6所述的发光元件，其中该第一发光结构及该第二发光结构还包含：
透明导电层，位于该第二半导体层上。
8.如权利要求5或6所述的发光元件，其中该第一电极包含第一打线部以及以及第一延伸部，延伸自该第一打线部。
9.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一电极包含一延伸方向，该延伸方向平行于该第一沟槽。
10.如权利要求8所述的发光元件，还包含第一侧边、第二侧边、第三侧边以及第四侧边，其中第一侧边相对于第三侧边，且第二侧边相对于第四侧边；其中该第一打线部邻近该第一侧边，以及该第二打线部邻近该第三侧边。
11.如权利要求5或6所述的发光元件，其中该第二电极包含多个第二延伸部，其中该第一电极位于该些第二延伸部之间。
12.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一发光结构及该第二发光结构以俯视观之包含相同外观图案。
13.如权利要求5或6所述的发光元件，其中该第一沟槽由上视观之具有一等宽的宽度。
14.如权利要求6所述的发光元件，其中该第一沟槽及/或该第二沟槽内不具有该第一电极。
15.如权利要求5或6所述的发光元件，还包含曝露部围绕该第一发光结构、该第二发光结构以及该第三发光结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910265078.9A CN110047865B (zh) | 2013-09-03 | 2013-09-03 | 具有多个发光结构的发光元件 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910265078.9A CN110047865B (zh) | 2013-09-03 | 2013-09-03 | 具有多个发光结构的发光元件 |
| CN201310395336.8A CN104425538B (zh) | 2013-09-03 | 2013-09-03 | 具有多个发光结构的发光元件 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310395336.8A Division CN104425538B (zh) | 2013-09-03 | 2013-09-03 | 具有多个发光结构的发光元件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110047865A true CN110047865A (zh) | 2019-07-23 |
| CN110047865B CN110047865B (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=52974062
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910265078.9A Active CN110047865B (zh) | 2013-09-03 | 2013-09-03 | 具有多个发光结构的发光元件 |
| CN201310395336.8A Active CN104425538B (zh) | 2013-09-03 | 2013-09-03 | 具有多个发光结构的发光元件 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310395336.8A Active CN104425538B (zh) | 2013-09-03 | 2013-09-03 | 具有多个发光结构的发光元件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN110047865B (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199395A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| CN102097566A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 具有电极焊盘的发光二极管 |
| KR20110084591A (ko) * | 2010-01-18 | 2011-07-26 | 서울옵토디바이스주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| US20110210345A1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-09-01 | Lim Woo Sik | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system |
| CN102315239A (zh) * | 2010-07-02 | 2012-01-11 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件 |
| US20120049234A1 (en) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Huga Optotech Inc. | High-brightness light emitting diode |
| CN102386201A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-03-21 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN102468390A (zh) * | 2010-11-01 | 2012-05-23 | 三星Led株式会社 | 半导体发光器件 |
| CN102916102A (zh) * | 2011-08-04 | 2013-02-06 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件 |
| CN103094435A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及发光器件封装 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7777240B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-08-17 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
| KR101667815B1 (ko) * | 2010-02-18 | 2016-10-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
-
2013
- 2013-09-03 CN CN201910265078.9A patent/CN110047865B/zh active Active
- 2013-09-03 CN CN201310395336.8A patent/CN104425538B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010199395A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| CN102097566A (zh) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 具有电极焊盘的发光二极管 |
| KR20110084591A (ko) * | 2010-01-18 | 2011-07-26 | 서울옵토디바이스주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
| US20110210345A1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-09-01 | Lim Woo Sik | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system |
| CN102315239A (zh) * | 2010-07-02 | 2012-01-11 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件 |
| US20120049234A1 (en) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Huga Optotech Inc. | High-brightness light emitting diode |
| CN102386201A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-03-21 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN102468390A (zh) * | 2010-11-01 | 2012-05-23 | 三星Led株式会社 | 半导体发光器件 |
| CN102916102A (zh) * | 2011-08-04 | 2013-02-06 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件 |
| CN103094435A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及发光器件封装 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104425538B (zh) | 2019-05-03 |
| CN104425538A (zh) | 2015-03-18 |
| CN110047865B (zh) | 2024-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI597864B (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
| US11699776B2 (en) | Light-emitting element having conductive contact layer | |
| TWI604633B (zh) | 發光元件 | |
| CN104300055B (zh) | 发光元件 | |
| TWI635772B (zh) | 發光元件 | |
| CN104638084B (zh) | 发光元件 | |
| TWI575776B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
| CN104425538B (zh) | 具有多个发光结构的发光元件 | |
| CN104576870B (zh) | 发光元件 | |
| TWI678001B (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
| CN105914281A (zh) | 具有高效率反射结构的发光元件 | |
| TWI633683B (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
| CN104218128B (zh) | 具有高效率反射结构的发光元件 | |
| CN104282813A (zh) | 发光元件 | |
| CN104681686A (zh) | 半导体发光元件 | |
| TWI611602B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
| JP6400281B2 (ja) | 複数の発光構造を有する発光素子 | |
| TWI632700B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
| TWI622191B (zh) | 發光二極體元件 | |
| TWI790912B (zh) | 光電元件 | |
| TW202327127A (zh) | 光電元件 | |
| CN112510131A (zh) | 光电元件及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |