CN104425538A

CN104425538A - 具有多个发光结构的发光元件

Info

Publication number: CN104425538A
Application number: CN201310395336.8A
Authority: CN
Inventors: 欧震; 张峻玮; 吴致纬; 王圣智; 蔡欣玫; 蔡佳珍; 张全成
Original assignee: Epistar Corp
Current assignee: Epistar Corp
Priority date: 2013-09-03
Filing date: 2013-09-03
Publication date: 2015-03-18
Anticipated expiration: 2033-09-03
Also published as: CN104425538B; CN110047865B; CN110047865A

Abstract

本发明公开一种具有多个发光结构的发光元件，其包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上；一第一电极，位于第一半导体层之上；一第二电极，位于第一发光结构之上；以及一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层，其中第一电极与第二电极不位于第一沟槽之中。

Description

具有多个发光结构的发光元件

技术领域

本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有多个发光结构的发光元件。

背景技术

如图1A所示，光电元件，例如发光二极管1(Light-emitting Diode；LED)，目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。此外，上述的LED1可与其他元件组合连接以形成一发光装置。图1B为现有的发光装置结构示意图，如图1B所示，一发光装置10包含一具有一电路120的次载体(submount)12；一焊料14(solder)位于上述次载体12上，通过此焊料14将LED1固定于次载体12上并使LED1与次载体12上的电路120形成电连接；以及一电连接结构16，以电连接LED1的电极11/13与次载体12上的电路120；其中，上述的次载体12可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一发光元件，其包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上；一第一电极，位于第一半导体层之上；一第二电极，位于第一发光结构之上；以及一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层，其中第一电极与该第二电极不位于第一沟槽之中。

本发明还提供一发光元件，包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上；多个第一电极，位于第一半导体层之上；多个第二电极，位于第一半导体层之上；多个电绝缘部，位于多个第二电极与第一半导体层之间；以及一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层，其中第一电极与第二电极不位于第一沟槽之中。

本发明又提供一发光元件，包含一第一半导体层；一第一发光结构与一第二发光结构，位于第一半导体层之上，其中第一发光结构及第二发光结构通过一第一桥接部连接；一第一沟槽，位于第一发光结构与第二发光结构之间，曝露第一半导体层；一第二沟槽，不平行于第一沟槽，曝露第一半导体层，其中第二沟槽包含一第一区及一第二区；一第二桥接部位于第一区及第二区之间；一第一电极，位于第一沟槽之中；以及一第二电极，包含一打线部与多个延伸部自打线部延伸，其中多个延伸部之一位于第二桥接部之上。

附图说明

图1A绘示现有LED的上视示意图；

图1B绘示现有的发光装置结构示意图；

图2A绘示本申请案一实施例的发光元件的上视示意图；

图2B绘示图2A绘示的发光元件的剖面示意图；

图2C～图2D绘示本申请案另一实施例的发光元件的制造流程图；

图2E标示本申请案实施例的发光元件与现有LED的效率；

图3A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；

图3B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；

图4A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；

图4B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；

图4C绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；

图5A绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；

图5B绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；

图6绘示本申请案另一实施例的发光元件的上视示意图；

图7本申请案一实施例的灯泡分解示意图。

符号说明

1 LED

10 发光装置

11、13 电极

12 次载体

120 电路

14 焊料

16 电连接结构

2、2’、3、3’、4、4’、5、5’、6 发光元件

20 基板

200 图案化上表面

21 第一电极

21A 第一打线区

21B 第一延伸部

22 发光叠层

220 第一半导体层

221 第一上表面

222 主动层

223 第一侧边

224 第二半导体层

225 第二侧边

23 第二电极

23A 第二打线区

23B 第二延伸部

24 透明导电层

25、41、50、60 第一沟槽

27、43、62 第二沟槽

30、40、54 第一桥接部

31、45、52 第三沟槽

32 电绝缘层

33 第四沟槽

42 第二桥接部

431 第一区

432 第二区

451 第三区

452 第四区

47、64 曝露部

51 第一连接线

53 第二连接线

7 灯泡

71 灯罩

72 透镜

73 载体

74 照明模块

75 灯座

76 散热槽

77 连结部

78 电连结器

具体实施方式

本发明的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。

图2A绘示本申请案一实施例的发光元件的上视示意图，图2B绘示沿图2A的AA剖面线所视的发光元件的剖面示意图。如图2B所示，一发光元件2具有一基板20；一发光叠层22，位于基板20之上；以及一透明导电层24位于发光叠层22之上，其中发光叠层22具有一第一半导体层220、一主动层222与一第二半导体层224依序形成于基板20之上。一第一沟槽25形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一半导体层220的一第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24分离形成一第一发光结构X与一第二发光结构Y。换言之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有共同的第一半导体层220，但在第一半导体层220不同的区域之上具有各自的主动层222、第二半导体层224与透明导电层24。如图2A所示，第二沟槽27分别形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之中，曝露第一上表面221。第一电极21位于第二沟槽27之中的第一上表面221之上，第二电极23位于透明导电层24之上。第一沟槽25位于第一发光结构X与第二发光结构Y之间，第一电极21与第二电极23皆位于第一沟槽25之外，即无电极位于第一沟槽25之中，使电流可以分别均匀地于第一发光结构X与第二发光结构Y扩散，提升发光元件2的发光效率，如图2E所示。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。

第一电极21及/或第二电极23用以接受外部电压，可由透明导电材料或金属材料所构成。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟钨(IWO)、氧化锌(ZnO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、氧化铟锌(IZO)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)、铅(Pb)、锌(Zn)、镉(Cd)、锑(Sb)、钴(Co)或上述材料的合金等。第一电极21具有一第一打线部21A与自第一打线部21A延伸的多个第一延伸部21B，第二电极23具有一第二打线部23A与自第二打线部23A延伸的多个第二延伸部23B，其中第一打线部21A与第二打线部23A用以作为后续打线制作工艺的打线位置，多个第一延伸部21B与多个第二延伸部23B用以传导电流，增进电流扩散，提升发光元件2的发光效率。其中，至少一第一延伸部21B位于二第二延伸部23B之间，使电流均匀地扩散，避免电流聚集部分区域，减少发光的面积。第二半导体层224具有一第一侧边223与远离第一侧边223的第二侧边225，其中第一打线部21A靠近第一侧边223，第二打线部23A靠近第二侧边225。第一打线部21A与第一侧边223之间具有一间距D，间距D约等于为第一打线部21A的尺寸。第一打线部21A的尺寸以圆形为例，D则为圆形的直径大小，以长方型为例，间距D则约为长方形的长边大小。因此，电流自第一打线部21A注入后可有效地扩散，提升发光元件2的发光效率。另一实施例中，间距D约为60微米至100微米。此外，至少一第一延伸部21B与其他第一延伸部21B延伸方向相异。以本实施例为例，一第一延伸部21B向第一侧边223延伸，其他第一延伸部21B则向第二侧边225延伸，增进电流扩散，提升发光元件2的发光效率。

透明导电层24用以增加发光叠层22与第二电极23之间的欧姆接触以及帮助电流扩散，以提升发光元件2的发光效率。透明导电层24对于发光叠层22所发的光为透明，其材料可为导电材料，包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)或氧化铟锌(IZO)。发光叠层22的材料可为半导体材料，包含一种以上的元素，此元素可选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组。第一半导体层220与第二半导体层224的电性相异，用以产生电子或空穴。另一实施例中，第二半导体层224具有一粗糙上表面，用以降低全反射，提升发光元件2的发光效率。主动层222可发出一种或多种色光，可为可见光或不可见光，其结构可为单异质结构、双异质结构、双侧双异质结构、多层量子井或量子点。

基板20可用以支持位于其上的发光叠层22与其它层或结构，其材料可为透明材料或导电材料。透明材料包含但不限于蓝宝石（Sapphire）、钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、环氧树脂（Epoxy）、石英(Quartz)、压克力(Acryl)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化锌(ZnO)或氮化铝(AlN)等。导电材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镍(Ni)、钴(Co)、类钻碳薄膜(Diamond Like Carbon；DLC)、石墨(Graphite)、碳纤维(Carbon fiber)、金属基复合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基复合材料(CeramicMatrix Composite；CMC)、硅(Si)、磷化碘(IP)、硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、硒化锌(ZnSe)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO₂)或铝酸锂(LiAlO₂)。其中可用以成长发光叠层的材料例如为蓝宝石、砷化镓、碳化硅(SiC)或硅。基板20具有一图案化上表面200，用以改善自基板20生长的外延的品质与散射发光叠层22所发之光，提升发光元件2的发光效率。

图2C～图2D绘示另一实施例的发光元件2’的制造流程图。如图2C所示，基板20之上形成发光叠层22，移除部分第二半导体层224与主动层222，形成第一沟槽25与第二沟槽27，曝露第一半导体层220的第一上表面221，其中第一沟槽25将第二半导体层224与主动层222分隔为第一发光结构X与第二发光结构Y，二第二沟槽27分别位于第一发光结构X与第二发光结构Y之中。如图2D所示，形成透明导电层24于第二半导体层224之上，再形成第一电极21于第二沟槽27之中，以及第二电极23于透明导电层24之上，以形成发光元件2’。

图3A与图3B绘示另一实施例的发光元件3与3’的上视示意图。如图3A所示，发光元件3具有发光元件2的类似结构，且更具有一第三沟槽31与一第四沟槽33，曝露第一上表面221，其中第三沟槽31与第四沟槽33不平行于第一沟槽25与第二沟槽27，所以第三沟槽31与第四沟槽33和第一沟槽25与第二沟槽27交错，使得第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域。多个第一桥接部30分别位于第一发光结构X与第二发光结构Y被分隔的多个发光区域之间，且位于第三沟槽31与第四沟槽33之中，用以连接多个发光区域，使得多个第二延伸部23B可通过多个第一桥接部30之上以延伸至多个发光区域，将电流传导至多个发光区域。由于第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域，电流经由多个第二延伸部23B传导于每个发光区域，可于多个面积较小的发光区域均匀地扩散，提升发光元件3的发光效率。如图3B所示，发光元件3’具有发光元件2的类似结构，其中第二沟槽27将第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域，电绝缘层32形成于第二沟槽27之中与发光区域之上，远离第一打线区21A，第二打线部23A形成于电绝缘层32之上，第二延伸部23B位于电绝缘层32之上且延伸至多个发光区域。由于第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域，电流经由多个第二延伸部23B传导于每个发光区域，可于多个面积较小的发光区域均匀地扩散，提升发光元件3’的发光效率。上述实施例中，第一桥接部30及/或电绝缘层32可电绝缘第二电极23与第一半导体层220，其材料可为电绝缘材料，例如为聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯（BCB）、过氟环丁烷（PFCB）、氧化镁(MgO)、Su8、环氧树脂（Epoxy）、丙烯酸树脂（Acrylic Resin）、环烯烃聚合物（COC）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚醚酰亚胺（Polyetherimide）、氟碳聚合物（Fluorocarbon Polymer）、玻璃(Glass)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氮化硅(SiN_x)、氟化镁(MgF₂)、旋涂玻璃(SOG)或四乙氧基硅烷(TEOS)。

图4A与图4B绘示另一实施例的发光元件4与4’的上视示意图。一发光元件4的结构类似发光元件2，具有基板20；发光叠层22，位于基板20之上；以及透明导电层24位于发光叠层22之上，其中发光叠层22具有第一半导体层220、主动层222与第二半导体层224依序形成于基板20之上。如图4A所示，一第一沟槽41形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24大致分离形成第一发光结构X与第二发光结构Y。本实施例中，形成第一沟槽41时未完全移除发光叠层22与透明导电层24，保留部分发光叠层22与透明导电层24以形成一第一桥接部40，用以连接第一发光结构X与第二发光结构Y。第一电极21形成于第一沟槽41之中；第二电极23形成于第一桥接部40之上，将电流传导至第一发光结构X与第二发光结构Y，因为第一发光结构X与第二发光结构Y之间具有较小的发光叠层面积，电流可分别均匀地扩散第一发光结构X与第二发光结构Y，提升发光元件4的发光效率。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。

如图4B所示，发光元件4’具有发光元件4的类似结构，且更具有一第二沟槽43与一第三沟槽45，曝露第一上表面221，其中第二沟槽43与第三沟槽45不平行于第一沟槽41，所以第二沟槽43与第三沟槽45和第一沟槽41交错，使得第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域。多个第二桥接部42位于第一发光结构X与第二发光结构Y被分隔的多个发光区域之间，且分别位于第二沟槽43与第三沟槽45之中，用以连接多个发光区域。第二沟槽43被多个第二桥接部42分成一第一区431与一第二区432，第二桥接部42位于第一区431与第二区432之间。第三沟槽45被多个第二桥接部42分成一第三区451与一第四区452，第二桥接部42位于第三区451与第四区452之间。本实施例中，形成第二沟槽43与第三沟槽45时未完全移除发光叠层22与透明导电层24，保留部分发光叠层22与透明导电层24以形成多个第二桥接部42。多个第二延伸部23B可通过多个第二桥接部42之上以延伸至多个发光区域，将电流传导至多个发光区域。由于第一发光结构X与第二发光结构Y分别被分隔成多个面积较小的发光区域，电流经由多个第二延伸部23B传导于每个发光区域，可于多个面积较小的发光区域均匀地扩散，提升发光元件4’的发光效率。如图4C所示，发光元件4”，具有发光元件4的类似结构，更具有一曝露部47围绕第一发光结构X与第二发光结构Y而形成，曝露第一上表面221，其中部分曝露部47不平行于第一沟槽41，另一部分曝露部47平行于第一沟槽41。第二电极23形成于第一桥接部40、第一发光结构X与第二发光结构Y之上，第一电极21形成于曝露部47之中，多个第一延伸部21B沿曝露部47延伸，电流可分别均匀地扩散第一发光结构X与第二发光结构Y，提升发光元件4”的发光效率。

图5A与图5B绘示另一实施例的发光元件5与5’的上视示意图。如图5A所示，发光元件5具有发光元件2的类似结构，一第一沟槽50形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24大致分离形成第一发光结构X与第二发光结构Y。本实施例中，形成第一沟槽50时未完全移除发光叠层22与透明导电层24，保留部分发光叠层22与透明导电层24以形成一第一桥接部54，用以连接第一发光结构X与第二发光结构Y。第二沟槽27分别形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之中，曝露第一上表面221。第一电极21位于第二沟槽27之中的第一上表面221之上，第二电极23位于透明导电层24之上。一第三沟槽52形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一上表面221，其中第三沟槽52不平行于第一沟槽50，所以第三沟槽52和第一沟槽50交错。一第一连接线51形成于第三沟槽52之中，电连接分别位于第一发光结构X与第二发光结构Y的第一打线部21A。一第二连接线53形成于第一桥接部54、第一发光结构X与第二发光结构Y之上，电连接分别位于第一发光结构X与第二发光结构Y的第二打线部23A。第一连接线51与第二连接线53分别电连接位于第一发光结构X与第二发光结构Y的第一打线部21A与第二打线部23A，导致电流均匀地分布于第一发光结构X与第二发光结构Y，提升发光元件5的发光效率。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。如图5B所示，发光元件5’具有发光元件5的类似结构，第三沟槽52形成于第一发光结构X与第二发光结构Y，且靠近第一侧边223，减少形成第三沟槽52所需移除的发光叠层22，避免减少发光区域的面积。

图6绘示另一实施例的发光元件6的上视示意图。如图6所示，发光元件6具有发光元件2的类似结构，一第一沟槽60形成于透明导电层24与发光叠层22之中，曝露第一上表面221，使得第一半导体层220以上的发光叠层22与透明导电层24大致分离形成第一发光结构X与第二发光结构Y。第二沟槽62分别形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之中，曝露第一上表面221。一曝露部64围绕第一发光结构X与第二发光结构Y而形成，曝露第一上表面221，其中部分曝露部64不平行于第一沟槽60，另一部分曝露部64平行于第一沟槽60。第二电极23形成于第一发光结构X与第二发光结构Y之上，第一打线部21A形成于曝露部64之上，多个第一延伸部21B沿曝露部64与第一沟槽60延伸，电流可分别均匀地扩散第一发光结构X与第二发光结构Y，提升发光元件6整体的发光效率。由上视图观之，第一发光结构X与第二发光结构Y具有相同的外观图案。以本实施例为例，相同的外观图案具有相同尺寸的长方形结构，以及相同的电极设计与对称的电极放置位置，有利于电流平均分布以及后续打线制作工艺的对位辨识。

图7是绘示出一灯泡分解示意图，一灯泡7具有一灯罩71；一透镜72，置于灯罩71之中；一照明模块74，位于透镜72之下；一灯座75，具有一散热槽76，用以承载照明模块74；一连结部77；以及一电连结器78，其中连结部77连结灯座75与电连接78。照明模块74具有一载体73；以及多个前述任一实施例的发光元件70，位于载体73之上。

上述实施例仅为例示性说明本申请案的原理及其功效，而非用于限制本申请案。任何本申请案所属技术领域中具有通常知识者均可在不违背本申请案的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。因此本申请案的权利保护范围如所附的权利要求所列。

Claims

1.一发光元件，包含︰

第一半导体层；

第一发光结构与第二发光结构，位于该第一半导体层之上；

第一电极，位于该第一半导体层之上；

第二电极，位于该第一发光结构之上；以及

第一沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之间，曝露该第一半导体层，其中该第一电极与该第二电极不位于该第一沟槽之中。

2.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二沟槽，位于该第一发光结构之中，曝露该第一半导体层，其中该第一电极位于该第二沟槽之中。

3.如权利要求1所述的发光元件，还包含：

另一第二电极，位于该第二发光结构之上；

第二沟槽，位于该第二发光结构之中；以及

另一第一电极，位于该第二沟槽之中。

4.如权利要求3所述的发光元件，其中该第一发光结构与该第二发光结构以俯视观之包含相同的图案。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二半导体层包含一侧边，其中该侧边距离该第一电极约60微米至100微米。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一沟槽空间上分隔该第一发光结构与该第二发光结构。

7.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一发光结构与该第二发光结构各包含：

主动层，位于该第一半导体层之上；

第二半导体层，位于该主动层之上；以及

透明导电层，位于该第二半导体层之上。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极包含多个第一延伸部，该第二电极包含多个第二延伸部，其中一该第一延伸部位于二该第二延伸部之间。

9.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极包含第一打线部，该第二电极包含第二打线部，该第二半导体层包含第一侧边与远离该第一侧边的第二侧边；其中该第一打线部邻近该第一侧边，该第二打线部邻近该第二侧边。

10.如权利要求9所述的发光元件，其中该第一打线部与第一侧边包含一间距，该间距为该第一打线部的尺寸。

11.如权利要求3所述的发光元件，还包含一电连接线，连接二该第一电极。

12.如权利要求1所述的发光元件，还包含：

第二沟槽，不平行于该第一沟槽，曝露该第一半导体层；以及

第一桥接部，位于该第二沟槽之中。

13.一发光元件，包含︰

第一半导体层；

第一发光结构与第二发光结构，位于该第一半导体层之上；

多个第一电极，位于该第一半导体层之上；

多个第二电极，位于该第一半导体层之上；

多个电绝缘部，位于该多个第二电极与该第一半导体层之间；以及

14.如权利要求13所述的发光元件，还包含第二沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之中，其中该第一电极位于该第二沟槽之中。

15.如权利要求14所述的发光元件，其中该第二电极位于该第二沟槽之中。

16.如权利要求13所述的发光元件，其中该第一发光结构与该第二发光结构以俯视观之包含相同的图案。

17.一发光元件，包含︰

第一半导体层；

第一发光结构与第二发光结构，位于该第一半导体层之上，其中该第一发光结构及该第二发光结构通过一第一桥接部连接；

第一沟槽，位于该第一发光结构与该第二发光结构之间，曝露该第一半导体层；

第二沟槽，不平行于该第一沟槽，曝露该第一半导体层，其中该第二沟槽包含第一区及第二区；

第二桥接部位于该第一区及该第二区之间；

第一电极，位于该第一沟槽之中；以及

第二电极，包含一打线部，与多个延伸部自该打线部延伸，其中一该多个延伸部位于该第二桥接部之上。

18.如权利要求17所述的发光元件，其中该打线部位于该第一桥接部之上。

19.如权利要求17所述的发光元件，还包含第三沟槽，不平行于该第一沟槽，其中该第三沟槽包含第三区及第四区，该第二桥接部位于该第三区及第四区之间。

20.如权利要求17所述的发光元件，其中该第一发光结构与该第二发光结构以俯视观之包含相同的图案。