CN110047845A - 一种tft阵列基板以及全面屏显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明揭露一种TFT阵列基板以及全面屏显示装置，通过在显示屏幕下方放置光学传感器，在光学传感器对应的TFT阵列基板的沟道层下方设置一层遮光层，遮挡光学传感器所产生的背光源，避免了沟道层电性稳定性受到背光源光照的影响，避免显示画面异常，且显示屏幕上无需给光学传感器预留安置位置，可以极大提高全面屏显示装置的屏占比。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种可以改善全面屏屏下摄像头成像的全面屏显示装置。
背景技术
全面屏(full panel)是显示业界对于超高屏占比显示装置设计的一个比较宽泛的定义。从字面上解释就是显示装置的正面全部都是屏幕，显示区域被屏幕完全覆盖，显示区域周围采用无边框设计，追求接近100％的超高屏占比。
参考图1A，全面屏结构一实施例的示意图。本实施例以全面屏手机为例，手机的正面全部都是屏幕，手机显示区域11被屏幕完全覆盖，显示区域11周围采用无边框设计。
但受限于手机前置摄像头、手机听筒、距离传感器和光线传感器等其他手机不可或缺的基本功能需要，现有手机屏幕上方都需要留有一定缺口来安置上述功能部件，业界宣称的全面屏手机并没有能做到手机正面屏占比100％的手机，即所谓的“刘海屏”。加上超窄的边框设计，其真实屏占比(非官方宣传)可以达到80％～90％左右，离100％全面屏还有一定距离。随着前置摄像头从单摄，到双摄，到四摄等，需求与日俱增，而手机前置摄像头又是开发全面屏技术中无法绕过的限制因素。
参考图1B，现有技术中可伸缩摄像头的全面屏分离状态结构示意图。其通过将摄像头12内置于手机显示区域11的屏幕内，需要时通过可伸缩支撑件(未示于图中)实现摄像头12的伸出和收缩。但此技术不适用于部分防水显示装置，且伸缩摄像头在一定程度上使用起来较为不便，其实用方便性和耐久性仍待进一步验证。
因此，如何有效地的提高全面屏显示装置的屏占比，是目前全面屏技术发展急需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种TFT阵列基板以及全面屏显示装置，可以将前置摄像头等光学传感器放置在显示屏幕下方，不需要可伸缩支撑件即能实现前置拍照等功能，且避免光学传感器对沟道层电性稳定性，以达到真正意义上的全面屏。
为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板，所述TFT阵列基板上包括光学传感器区域，所述光学传感器区域对应于光学传感器，在所述光学传感器区域所述TFT阵列基板包括：沟道层以及设置在所述沟道层下方的遮光层，所述遮光层用于遮挡所述光学传感器所产生的背光源，从而避免对所述沟道层产生光漏电流以及栅偏压。
为实现上述目的，本发明提供了一种全面屏显示装置，所述全面屏显示装置包括显示面板及至少一个光学传感器，所述显示面板包括本发明所述的TFT阵列基板，所述至少一个光学传感器与所述阵列基板的光学传感器区域相对应。
本发明的优点在于：本发明通过在显示屏幕下方放置光学传感器，在光学传感器对应的TFT阵列基板的沟道层下方设置一层遮光层，遮挡光学传感器所产生的背光源，避免了沟道层电性稳定性受到背光源光照的影响，避免显示画面异常。且显示屏幕上无需给光学传感器预留安置位置，并结合无边框等技术，可以极大提高全面屏显示装置的屏占比，可以达到接近100％的屏占比，达到真正意义上的全面屏，显示屏幕上无刘海、外观美观，且不需要可伸缩支撑件即能实现前置拍照等功能，使用方便。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1A，全面屏结构一实施例的示意图；
图1B，现有技术中可伸缩摄像头的全面屏分离状态结构示意图；
图2，本发明TFT阵列基板一实施例的层状结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。本发明所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、侧面等，仅是参考附图的方向。以下通过参考附图描述的实施方式及使用的方向用语是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本发明TFT阵列基板上包括光学传感器区域，所述光学传感器区域对应于光学传感器，在所述光学传感器区域所述TFT阵列基板包括：沟道层以及设置在所述沟道层下方的遮光层，所述遮光层用于遮挡所述光学传感器所产生的背光源，从而避免对所述沟道层产生光漏电流以及栅偏压。本发明通过在显示屏幕下方放置光学传感器(例如前置摄像头)，在光学传感器对应的TFT阵列基板的沟道层下方设置一层遮光层，遮挡光学传感器所产生的背光源，避免了沟道层电性稳定性受到背光源光照的影响(例如，产生光漏电流以及在强光照射下产生栅偏压依赖性)，避免显示画面异常。且显示屏幕上无需给光学传感器预留安置位置，并结合无边框等技术，可以极大提高全面屏显示装置的屏占比，可以达到接近100％的屏占比，达到真正意义上的全面屏，显示屏幕上无刘海、外观美观，且不需要可伸缩支撑件即能实现前置拍照等功能，使用方便。所述光学传感器为摄像头、光学指纹传感器中的一个或多个。
参考图2，本发明TFT阵列基板一实施例的层状结构示意图，图中右侧为现有TFT阵列基板的层状结构示意图作为对比。在本实施例中，本发明TFT阵列基板在对应光学传感器的光学传感器区域包括：衬底基板211，设于衬底基板211上的遮光层(Light Shield)212，设于所述遮光层212及所述衬底基板211上的缓冲层(Buffer)213，设于所述缓冲层213上的沟道层(Poly)214，设于所述沟道层214上的第一栅绝缘层(GI1)215，设于所述第一栅极绝缘层215上的第一栅极(GE1)216，设于所述第一栅极216及所述第一栅极绝缘层215上的第二栅绝缘层(GI2)217，设于所述第二栅极绝缘层217上且与所述第一栅极216宽度相等且两端对齐的第二栅极(GE2)218，设于所述第二栅极218及所述第二栅极绝缘层217上的介电绝缘层(ILD)219，设于所述介电绝缘层219上的源/漏极(S/D)220，设于所述源/漏极220及所述介电绝缘层219上的有机层221，设于所述有机层221上的平坦层222。所述沟道层214包括对应于所述第一栅极216的沟道区2141以及位于所述沟道区2141两侧的源/漏极接触区2142；所述源/漏极接触区2142与所述源/漏极220之间设有通孔2201，所述源/漏极220通过所述通孔2201与所述沟道层214的所述源/漏极接触区2142相接触。所述第一栅极216同时作为所述TFT阵列基板的电容器(Capacitor)的下极板，所述第二栅极218同时作为所述TFT阵列基板的电容器的上极板。
在本实施例中，采用本发明TFT阵列基板的显示面板为OLED显示面板，所述OLED显示面板还包括设于所述TFT阵列基板的平坦层222上的阳极(ANO)223，设于所述阳极223上的OLED224以及像素定义层(Pixel Defined Layer，简称PDL)225。需要说明的是，本发明OLED显示面板还可以包括其它组件，例如，光阻层(Photo Spacer，简称PS)，阴极(Cathode)以及TFE封装层等，在此不再赘述。
作为对比，现有技术中TFT阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板211a、缓冲层213a、沟道层214a、第一栅绝缘层215a、第一栅极216a、第二栅绝缘层217a、第二栅极218a、介电绝缘层219a、源/漏极220a、有机层221a、平坦层222a。采用现有技术中TFT阵列基板的显示面板还包括设于所述平坦层222a上的阳极223a、OLED224a以及像素定义层225a。
也即，本发明TFT阵列基板仅通过在对应光学传感器的光学传感器区域的沟道层下方设置一层遮光层，其它非光学传感器区域无需作此设计。通过遮光层遮挡光学传感器所产生的背光源，避免了背光源对沟道层产生光漏电流以及在强光照射下产生栅偏压依赖性，避免对TFT阵列基板的薄膜晶体管，特别是对驱动薄膜晶体管产生不可逆的影响，从而避免显示画面异常。且本发明TFT阵列基板结构，不影响像素(pixel)电路设计及排布，因此不管像素电路是采用7T1C或者是其它布局，均只需通过在对应光学传感器的光学传感器区域的沟道层下方设置一层遮光层即可，对现有TFT阵列基板改动较小，制程简单，生产成本低，易于实施。
优选的，所述TFT阵列基板采用低温多晶硅技术制作。低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，简称LTPS)技术是通过成膜、曝光、蚀刻叠加不同图形不同材质的膜层以形成低温多晶硅驱动电路，其为发光器件提供点亮信号以及稳定的电源输入。
在本实施例中，在所述光学传感器区域所述TFT阵列基板采用单层源/漏金属层。需要说明的是，作为LTPS的主流技术，采用单层源/漏金属层或双层源/漏金属层都是可以采用改进后的本发明所述TFT阵列基板的结构，即在沟道层下方设置一层遮光层。
具体的，所述衬底基板211可以为氧化硅(SiOx)层与氮化硅(SiNx)层叠加构成的复合层或采用高分子聚合物制备的柔性基板。高分子聚合物可以为聚酰亚胺(PI)，柔性基板可以为黄色PI基板或透明PI基板。其中，黄色PI基板颜色呈现淡黄色，随着工艺制程的温度变化和不同的生产厂家，颜色会存在不同的差异。
具体的，所述遮光层212的材料为具有遮光材质的金属。优选的，所述遮光层212与所述沟道层214宽度相等且两端对齐。这样，在制备工艺过程，可以将遮光层212与沟道层214使用同一张光罩制备，使得TFT阵列基板在制备过程中无需增加光罩数，节省光罩，同时制备出的TFT阵列基板还可以达到遮光效果。
具体的，所述缓冲层213可以为氧化硅(SiOx)层或氮化硅(SiNx)层，或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
具体的，所述沟道层214的材料为多晶硅(Poly-Si)。通过在缓冲层213上沉积多晶硅、刻蚀并图案化形成沟道区2141，对多晶硅进行重离子掺杂，形成源/漏极接触区2142。
具体的，所述第一栅绝缘层215、所述第二栅绝缘层217以及所述介电绝缘层219可以采用相同材料制成。例如可以均为氧化硅(SiOx)层或氮化硅(SiNx)层，或氧化硅(SiOx)层与氮化硅(SiNx)层叠加构成的复合层。
具体的，所述第一栅极216与所述第二栅极218可以采用相同金属材料制成。例如可以均为钼(Mo)。
具体的，所述源/漏极220的材料可以是铝(Al)、钛(Ti)中的一种，或为钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的堆栈组合。
具体的，所述平坦层222可以为采用有机材料制成的有机平坦层(PLN)。
基于同一发明构思，本发明还提供了一种全面屏显示装置，所述全面屏显示装置包括显示面板及至少一个光学传感器，所述显示面板包括本发明上述的TFT阵列基板，所述至少一个光学传感器与所述阵列基板的光学传感器区域相对应。本发明所述全面屏显示装置可以以各种形式来实施，例如，可以包括诸如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、可穿戴设备等移动终端显示装置，以及诸如数字TV、台式计算机等固定终端显示装置。
优选的，所述显示面板为OLED显示面板，采用低温多晶硅OLED顶发光技术制作。由于OLED是自发光结构，不需要背光源，因此体积更轻薄，功耗也较低。而采用顶发光技术，光线不会受到驱动电路的遮挡，相比底发光结构拥有更高的开口率。
所述光学传感器为前置摄像头、光学指纹传感器的其中之一。对应于所述光学传感器区域也可以设置多个光学传感器，例如，同时设置前置摄像头、光学指纹传感器。本发明全面屏显示装置的前置摄像头放置在显示屏幕下方，即采用屏下摄像头(Camera underPanel，简称CUP)技术，显示面板(Panel)的摄像头(Camera)区域既可以显示画面，又可以使外界的光透过整个显示面板传递到摄像头的镜头(Lens)中。由于前置摄像头放置于屏幕下方，在摄像头的使用过程中其曝光系统会感知周围的光强，而且会经常开启闪光灯，闪光灯相当于一个背光源，会对多晶硅沟道层产生光漏电流以及在强光照射下产生栅偏压依赖性。本发明通过在沟道层下方设置一层遮光层，即可避免薄膜晶体管电性稳定性受到光照的影响。且遮光层只在前置摄像头上方的TFT阵列基板位置设置，其它非对应摄像头的显示区域无需作此设计，对现有TFT阵列基板改动较小，制程简单，生产成本低，易于实施。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板上包括光学传感器区域，所述光学传感器区域对应于光学传感器，在所述光学传感器区域所述TFT阵列基板包括：沟道层以及设置在所述沟道层下方的遮光层，所述遮光层用于遮挡所述光学传感器所产生的背光源。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板采用低温多晶硅技术制作。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮光层的材料为具有遮光材质的金属。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮光层与所述沟道层宽度相等且两端对齐。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮光层与所述沟道层使用同一张光罩制备。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述光学传感器区域所述TFT阵列基板还包括单层源/漏金属层或双层源/漏金属层。
7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述光学传感器区域所述TFT阵列基板进一步包括：设于所述遮光层下的衬底基板，设于所述遮光层及所述衬底基板上的缓冲层，所述沟道层设于所述缓冲层上，设于所述沟道层上的第一栅极绝缘层，设于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极，设于所述第一栅极及所述第一栅极绝缘层上的介电绝缘层，设于所述介电绝缘层上的源/漏极，设于所述源/漏极及所述介电绝缘层上的有机层，设于所述有机层上的平坦层；
所述沟道层包括对应于所述第一栅极的沟道区以及位于所述沟道区两侧的源/漏极接触区；
所述源/漏极接触区与所述源/漏极之间设有通孔，所述源/漏极通过所述通孔与所述沟道层的所述源/漏极接触区相接触。
8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述光学传感器区域所述TFT阵列基板进一步包括：设于所述第一栅极及所述第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层，设于所述第二栅极绝缘层上且与所述第一栅极宽度相等且两端对齐的第二栅极，所述介电绝缘层设于所述第二栅极及所述第二栅极绝缘层上；
所述第一栅极同时作为所述TFT阵列基板的电容器的下极板，所述第二栅极同时作为所述TFT阵列基板的电容器的上极板。
9.一种全面屏显示装置，其特征在于，所述全面屏显示装置包括显示面板及至少一个光学传感器，所述显示面板包括如权利要求1-8任意一项所述的TFT阵列基板，所述至少一个光学传感器与所述阵列基板的光学传感器区域相对应。
10.如权利要求9所述的全面屏显示装置，其特征在于，所述光学传感器为前置摄像头、光学指纹传感器的其中之一。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110678983A (zh) * | 2019-08-20 | 2020-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法 |
| CN110690231A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-01-14 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN110928092A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-03-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN110930869A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 维沃移动通信（杭州）有限公司 | 一种电子设备 |
| WO2020191981A1 (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板以及全面屏显示装置 |
| WO2021226787A1 (zh) * | 2020-05-11 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104617104A (zh) * | 2015-01-08 | 2015-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US20160141314A1 (en) * | 2013-02-19 | 2016-05-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, manufacturing method and display device |
| CN106292108A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
| CN106940488A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-07-11 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN107230691A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 三星显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
| CN108269529A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种改善amoled面板显示亮度不均的方法及amoled面板 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4827796B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2011-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | センサ付き表示装置 |
| CN105070720B (zh) * | 2015-07-13 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 集成有传感器的显示面板及其制作方法和显示装置 |
| CN105514119A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-04-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
| CN106775165B (zh) * | 2017-01-06 | 2019-12-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 内嵌式触控显示面板及电子装置 |
| CN110047845A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-07-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板以及全面屏显示装置 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160141314A1 (en) * | 2013-02-19 | 2016-05-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate, manufacturing method and display device |
| CN104617104A (zh) * | 2015-01-08 | 2015-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN107230691A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 三星显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
| CN106292108A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
| CN106940488A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-07-11 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN108269529A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种改善amoled面板显示亮度不均的方法及amoled面板 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020191981A1 (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板以及全面屏显示装置 |
| CN110678983A (zh) * | 2019-08-20 | 2020-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法 |
| WO2021031117A1 (en) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate |
| CN110678983B (zh) * | 2019-08-20 | 2022-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法 |
| US11469261B2 (en) | 2019-08-20 | 2022-10-11 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate |
| CN110690231A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-01-14 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN110930869A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 维沃移动通信（杭州）有限公司 | 一种电子设备 |
| CN110928092A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-03-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| WO2021226787A1 (zh) * | 2020-05-11 | 2021-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| US12048195B2 (en) | 2020-05-11 | 2024-07-23 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
Also Published As
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