CN107230691A - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示设备及其制造方法。一种显示设备，包括：第一像素、第二像素、光传感器及遮光部。第一像素具有第一发光器件，第一发光器件包括在第一方向上发射第一波长带的光的第一发射层。第二像素具有第二发光器件，第二发光器件包括在不同于第一方向的第二方向上发射第二波长带的光的第二发射层。第二发射层在第一发光器件的第一发射层下方。光传感器感测从第二像素发射的并且由对象反射的第二波长带的光。遮光部沿着入射至光传感器的光的路径布置。

Description

显示设备及其制造方法
相关申请的引证
于2016年3月25日提交的、且题为“显示设备及其制造方法”的韩国专利申请第10-2016-0036130号通过引用将其全部合并于本文中。
技术领域
本文中描述的一个或多个实施方式涉及显示设备以及制造显示设备的方法。
背景技术
测量或者感测生物信息的需求正在增加。生物信息可以使用分开的装置(一个用于将光照射到人体上的装置和另一个用于收集从人体反射或在人体中传输的光的装置)来测量或感测。
发明内容
根据一个或多个实施方式，一种显示设备包括：基板；在基板上的第一像素，第一像素包括在第一方向上发射第一波长带的光的第一发光器件，第一发光器件包括第一发射层；在基板上的第二像素，第二像素包括在不同于第一方向的第二方向上发射第二波长带的光的第二发光器件，第二发光器件包括在第一发光器件的第一发射层下方的第二发射层；在基板上的光传感器，感测从第二像素发射的并且由对象反射的第二波长带的光；以及在基板上与光传感器相邻的遮光部。
光传感器可包括薄膜晶体管并且薄膜晶体管可包括第三半导体层。第三半导体层可包括非晶硅锗。显示设备可包括在遮光部与第三半导体层之间的绝缘层。绝缘层可包括氮化硅和氧化硅中的至少一个。
遮光部可以具有包括包含非晶锗的第一遮光层和包含非晶硅锗的第二遮光层的堆叠结构。
第一发光器件可包括在第一电极与第二电极之间的第一发射层，第一发射层发射第一波长带的光，并且第二发光器件包括在第一电极与第二电极之间的第二发射层，第二发射层发射第二波长带的光。第一发光器件的第一电极可包括反射电极并且第一发光器件的第二电极包括透明电极，并且第二发光器件的第一电极可包括透明电极并且第二发光器件的第二电极包括反射电极。第二发光器件的第二电极可以在与第一发光器件的第一电极相同的层上。
显示设备可包括在第二发光器件的第二电极与第一发光器件的第一电极之间的绝缘层。第一像素可包括电连接至第一发光器件并且包括第一半导体层的第一薄膜晶体管，并且第二像素可包括电连接至第二发光器件并且包括第二半导体层的第二薄膜晶体管。
第一半导体层和第二半导体层中的每一个可包括多晶硅。第二像素的分辨率可以低于第一像素的分辨率。第一波长带可包括可见光范围并且第二波长带可包括红外线范围。
根据一个或多个其他实施方式，一种制造显示设备的方法包括：制备基板；在基板上形成感测由对象反射的第二波长带的光的光传感器；在光传感器上形成在与基板相对的方向上发射第二波长带的光的第二发光器件；在第二发光器件上形成在基板的方向上发射第一波长带的光的第一发光器件；以及在入射至光传感器的光的路径中形成遮光部。第一发光器件的第一电极和第二发光器件的第二电极同时形成。
形成遮光部可包括，在形成光传感器之前，在基板上堆叠第一遮光层和第二遮光层并且图案化第一遮光层和第二遮光层。可以在形成光传感器期间形成遮光部，并且形成光传感器可包括在基板上堆叠第一遮光层、第二遮光层、绝缘层及半导体层并且图案化第一遮光层、第二遮光层、绝缘层及半导体层。第一遮光层和第二遮光层可以包括在遮光部中，并且半导体层可以包括在光传感器中。
该方法可包括，在形成第一发光器件和第二发光器件之前，形成电连接至第一发光器件的第一薄膜晶体管和电连接至第二发光器件的第二薄膜晶体管。在形成第一发光器件之前，该方法可包括在第二发光器件上形成绝缘层。第一波长带可包括可见光范围且第二波长带可包括IR范围。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：
图1示出显示设备的一实施方式；
图2示出显示面板的一实施方式；
图3示出显示面板的电路实施方式；
图4示出了显示面板的局部截面图；
图5A至图5C示出感测薄膜晶体管的栅-源电压和光电流之间的关系的实例；
图6示出基于波长的遮光构件的透射率的实例；
图7A至图7J示出制造显示面板的方法的一实施方式；
图8示出显示面板的另一实施方式；
图9示出显示面板的另一实施方式；
图10A至图10I示出用于制造显示面板的方法的另一实施方式；
图11示出显示面板的另一实施方式；以及
图12至图15示出显示面板的另外的实施方式。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述示例实施方式；然而，示例性实施方式可以以不同的形式体现并且不被解释为限于本文所阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开内容将全面并完整，并且将向本领域中的技术人员充分传达示例性实施方式。这些实施方式可以被组合以形成另外的实施方式。
在附图中，为了示出清楚起见，可夸大区域和层的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称为在另一个层或基板上时，其可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为在另一层下面时，其可直接在另一层下面，并且也可存在一个或多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称为在两个层之间时，其可以是两个层之间的唯一层，或还可存在一个或多个中间层。相同参考标号始终指代相同元件。
当元件被称为“连接至”或者“耦接至”另一元件时，其可直接连接或者耦接至另一元件，或者间接地连接或者耦接至另一元件，使得一个或多个中间元件插入在其间。另外，当元件被称为“包括”组件时，这表示元件可以进一步包括另一组件而不是排除另一组件，除非存在不同的公开内容。
图1示出显示设备1的一实施方式，并且图2示出显示面板100的一实施方式，例如，显示面板100可以包括在显示设备1中以用于感测生物信息。
参考图1和图2，显示设备1可包括显示面板100、扫描驱动器200、数据驱动器300、感测信号处理器400及控制器500。显示面板100可包括显示单元A、光源单元B、感测单元C及在基板101上用于封装基板101的封装构件110。例如，封装构件110可以是经由封装材料耦接至基板101的封装基板，或者可以是具有其中无机材料和有机材料交替沉积在基板101上的结构的封装薄膜。
显示单元A、光源单元B及感测单元C可以在基板101的显示区域中。显示单元A可包括多个第一像素PX1。感测单元C可包括多个传感器单元SU。光源单元B可包括多个第二像素PX2。光源单元B可以布置在显示单元A与感测单元C之间，如从截面视点看到的。
在显示模式中，显示设备1可以经由通过显示单元A的第一像素PX1发射的光L1显示图像。光L1在与基板101的方向相对的方向D2上发射。在感测模式中，显示设备1可以使用光源单元B的第二像素PX2和感测单元C的传感器单元SU感测生物信息。显示设备1可以仅以感测模式操作或者同时以感测模式和显示模式操作。例如，当感测特定事件(例如，上电、对象触摸等)时，显示设备1可以以感测模式操作。
在感测模式下，当对象600接触或者接近基板101时，在基板101的方向D1上从光源单元B的第二像素PX2发射的光L2可以被对象600反射(L3)并且由传感器单元SU感测。例如，对象600可以是人体的一部分，例如，手、手指、虹膜等。显示设备1可以基于来自传感器单元SU的感测信号获得生物信息。显示设备1可以使用第一像素PX1显示生物信息作为图像。
基板101具有显示区域，该显示区域包括在第一方向上延伸的多条扫描线SL和在第二方向上延伸的多条数据线DL和多条读出线RL。这些线可以彼此隔开布置。另外，可以在显示区域中布置用于将电源电压施加至第一像素PX1和第二像素PX2的多条电力线。
第一像素PX1可以连接至扫描线SL和数据线DL并且可以在与基板101相对的方向D2上(例如，远离基板101的方向上)发射第一波长带的光L1。例如，第一波长带可以在约380至约750nm的可见光范围内。第一像素PX1可包括发射第一颜色的可见光线的第一颜色像素，发射第二颜色的可见光线的第二颜色像素和发射第三颜色的可见光线的第三颜色像素。例如，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，以及第三颜色可以是蓝色。在另一个实施方式中，第一像素PX1可以发射不同的颜色组合的可见光线。
第二像素PX2可以连接至扫描线SL和数据线DL并且可以在基板101的方向D1上发射第二波长带的光L2。例如，第二波长带可以在包括约750至约1000nm的近红外(NIR)范围的红外(IR)范围内。第二像素PX2可包括发射红外光的IR像素或者NIR像素。如图2所示，第二像素PX2可以布置在第一像素PX1下方，如从截面视点看到的。
传感器单元SU可以连接至扫描线SL和读出线RL并且可以在从第二像素PX2发射的光L2从接触或者接近基板101的对象600反射时接收反射光L3。反射光L3可以是第二波长带的光。
第一像素PX1、第二像素PX2及传感器单元SU可以具有互相不同的感测分辨率。例如，第二像素PX2的数目和传感器单元SU的数目可以基于相对于第一像素PX1的数目的感测分辨率来确定。在一个实施方式中，第二像素PX2和传感器单元SU可以具有低于第一像素PX1的分辨率。
遮光构件170可以布置在传感器单元SU与基板101之间。遮光构件170可以遮挡可以从外部环境入射至传感器单元SU的第一波长带的光。
扫描驱动器200经由多个扫描线SL输出扫描信号。在一个实施方式中，扫描驱动器200可以顺次驱动扫描线SL。
数据驱动器300经由多个数据线DL输出数据信号。
感测信号处理器400可以从多个读出线RL接收感测信号并且处理所接收的感测信号。感测信号处理器400可包括连接至读出线RL的积分器(例如，图3的420)。
控制器500可以产生用于控制扫描驱动器200、数据驱动器300及感测信号处理器400的控制信号。控制器500可以根据从感测信号处理器400输出的信号产生生物信息，并且可以产生对应于生物信息的图像数据并且经由数据驱动器300输出所产生的图像数据。
扫描驱动器200、数据驱动器300、感测信号处理器400及控制器500可以被形成为单独的集成电路(IC)芯片或者整体IC芯片，并且可以直接安装在围绕基板101的显示区域的非显示区域中，安装在柔性印刷电路膜上，作为带载封装(TCP)耦接至基板101，或者直接形成在基板101上。
在本实施方式中，显示单元A仅包括发射可见光线的第一像素PX1。在另一个实施方式中，显示单元A可包括布置在与第一像素PX1相同的层中并且发射白光的第三像素PX3。在该情况下，可以包括分别对应于从第一像素PX1和第三像素PX3发射的光的光学路径的滤色器。
图3示出显示面板100的电路实施方式，在该局部示图中，该电路实施方式包括传感器单元SU、第一像素PX1、及第二像素PX2的代表性样品。
参考图3，第一像素PX1中的每一个包括第一像素电路，第一像素电路包括第一晶体管TR11、第二晶体管TR21及第一电容器C1。第一发光器件OLED1连接至第一像素电路。第一晶体管TR11可包括连接至对应的扫描线SL的栅电极、连接至对应的数据线DL的第一电极、及第二电极。第一电极和第二电极可以是源电极和漏电极。
第二晶体管TR21可包括连接至第一晶体管TR11的第二电极的栅电极、连接至用于施加第一电源电压VDD的电源线的第一电极、及连接至第一发光器件OLED1的第二电极。第一电极和第二电极可以是源电极和漏电极。
第一电容器C1可包括第一电极和第二电极。第一电容器C1的第一电极可以连接至第一晶体管TR11的第二电极和第二晶体管TR21的栅电极。第一电容器C1的第二电极可以连接至用于施加第一电源电压VDD的电源线。
第一发光器件OLED1可以是有机发光二极管，该有机发光二极管包括连接至第二晶体管TR21的第二电极的第一电极、面对第一电极的第二电极、及在第一电极与第二电极之间的第一发射层。例如，第一发射层可以发射在约380至约750nm的可见光范围内的光。
第一像素PX1的第一晶体管TR11响应于来自对应的扫描线SL的扫描信号而导通。第一晶体管TR11将来自对应数据线的数据信号传输至第一电容器C1，并且第一电容器C1被充有对应于数据信号的电压。对应于充在第一电容器C1中的电压的驱动电流经由第二晶体管TR21传输至第一发光器件OLED1，使得第一发光器件OLED1发光。
第二像素PX2包括第二像素电路，第二像素电路包括第三晶体管TR12、第四晶体管TR22及第二电容器C2。第二发光器件OLED2连接至第二像素电路。第三晶体管TR12可包括连接至对应的扫描线SL的栅电极、连接至对应的数据线DL的第一电极、及第二电极。第一电极和第二电极可以是源电极和漏电极。
第四晶体管TR22可包括连接至第三晶体管TR12的第二电极的栅电极、连接至施加第一电源电压VDD的电源线的第一电极、及连接至第二发光器件OLED2的第二电极。第一电极和第二电极可以是源电极和漏电极。
第二电容器C2可包括第一电极和第二电极。第二电容器C2的第一电极可以连接至第三晶体管TR12的第二电极和第四晶体管TR22的栅电极。第二电容器C2的第二电极可以连接至用于施加第一电源电压VDD的电源线。
第二发光器件OLED2可以是有机发光二极管，该有机发光二极管包括连接至第四晶体管TR22的第二电极的第一电极，面对第一电极的第二电极，及在第一电极与第二电极之间的第二发射层。例如，第二发射层可以发射在约750至约1000nm的IR范围内的光。
第二像素PX2的第三晶体管TR12响应于来自对应的扫描线SL的扫描信号而导通。第三晶体管TR12将来自对应数据线的数据信号传输至第二电容器C2，并且第二电容器C2被充有对应于数据信号的电压。对应于充在第二电容器C2中的电压的驱动电流经由第四晶体管TR22传输至第二发光器件OLED2，使得第二发光器件OLED2发光。
传感器单元SU可包括开关晶体管TRsw、感测晶体管TRps、及第三电容器C3。开关晶体管TRsw可包括连接至对应的扫描线SL的栅电极、连接至对应的读出线RL的第一电极、及第二电极。
感测晶体管TRps是光感测装置并且感测IR光。感测晶体管TRps可包括连接至施加第一偏压Vb1的第一偏置线的栅电极、连接至开关晶体管TRsw的第二电极的第一电极、及连接至施加第二偏压Vb2的第二偏置线的第二电极。第一偏压Vb1可以是充分低或高的电压，使得当IR光没有照射至感测晶体管TRps时，感测晶体管TRps可以保持截止状态。
第三电容器C3可包括第一电极和第二电极。第三电容器C3的第一电极连接至感测晶体管TRps的第一电极和开关晶体管TRsw的第二电极。第三电容器C3的第二电极连接至第二偏置线。
开关晶体管TRsw响应于来自对应的扫描线SL的扫描信号而导通，并且第三电容器C3对应于来自对应的读出线RL的电压与来自第二偏置线的第二偏压Vb2之间的差被充电。当开关晶体管TRsw截止，并且IR光从外部入射在感测晶体管TRps上时，感测晶体管TRps产生对应于光的量的光(泄漏)电流。由于该光电流，第三电容器C3的充电电压改变。当开关晶体管TRsw因为再次从扫描线SL供给扫描信号而导通时，对应于第三电容器C3的改变的充电电压的感测信号经由开关晶体管TRsw，经由读出线RL而输出。经由读出线RL输出的感测信号被输入到积分器420中。
积分器420可包括具有反相端(-)、非反相端(+)、及输出端的放大器AP和电容器Cf。反相端(-)连接至读出线RL。电容器Cf连接在反相端(-)与输出端之间。非反相端(+)连接至参考电压Vf的电源。放大器AP和电容器Cf可以在一定的时间对来自读出线RL的感测信号进行积分并且产生输出信号Vout。
在本实施方式中，第一像素PX1和第二像素PX2中的每一个具有两个晶体管和一个电容器。在另一个实施方式中，第一像素PX1和第二像素PX2中的一个或者两个可以具有不同的元件数目和/或结构，例如，像素中的一个可以具有多于两个的晶体管和/或多于一个的电容器。
图4是显示面板100的局部截面图。参考图4，第一像素PX1、第二像素PX2及传感器单元SU可以布置在基板101的显示区域中。第一像素PX1包括第一像素电路和连接至第一像素电路的第一发光器件OLED1。图4示出对应于第一像素电路的第二晶体管TR21的薄膜晶体管。该结构同样可以应用于第一晶体管TR11。因此，在下文中，为了便于说明，将晶体管共同描述为第一薄膜晶体管TFT1。
第一薄膜晶体管TFT1包括第一半导体层121、第一源电极122、第一漏电极123及第一栅电极125。第一半导体层121可包括多晶硅(poly-Si)。第一绝缘层103可以作为栅绝缘层在第一半导体层121与第一栅电极125之间。第二绝缘层104可以作为层间绝缘层在第一源电极122和第一漏电极123与第一栅电极125之间。第一源电极122和第一漏电极123可以分别经由第一绝缘层103和第二绝缘层104中的接触孔电连接至第一半导体层121。包括第一薄膜晶体管TFT1的第一像素电路可以在垂直方向上与第一发光器件OLED1至少部分重叠或者可不与第一发光器件OLED1重叠。
第一发光器件OLED1包括第一电极131、第二电极135、及在第一电极131与第二电极135之间的第一中间层133。第一中间层133可包括第一发射层，例如，第一发射层在与基板101相对(远离)的方向发射可见波长带的光。第一发光器件OLED1可以经由第三绝缘层105和第四绝缘层106中的第一通孔VIA1电连接至第一薄膜晶体管TFT1。第一电极131可以是反射电极，并且第二电极135可以是透明电极。
第二像素PX2包括第二像素电路和连接至第二像素电路的第二发光器件OLED2。图4示出对应于第二像素电路的第四晶体管TR22的薄膜晶体管。该结构同样可以应用于第三晶体管TR12。因此，在下文中，为便于说明，将晶体管共同描述为第二薄膜晶体管TFT2。
第二薄膜晶体管TFT2包括第二半导体层141、第二源电极142、第二漏电极143、及第二栅电极145。第二半导体层141可包括多晶硅。第一绝缘层103可以作为栅绝缘层在第二半导体层141与第二栅电极145之间。第二绝缘层104可以作为层间绝缘层在第二源电极142和第二漏电极143与第二栅电极145之间。第二源电极142和第二漏电极143可以分别经由第一绝缘层103和第二绝缘层104中的接触孔电连接至第二半导体层141。包括第二薄膜晶体管TFT2的第二像素电路可以不与第二发光器件OLED2重叠。
第二发光器件OLED2包括第一电极151、第二电极155、及在第一电极151与第二电极155之间的第二中间层153。例如，第二中间层153可包括第二发射层，第二发射层在朝向基板101的方向上发射IR波长带的光。第二发光器件OLED2可以经由第三绝缘层105中的第二通孔VIA2电连接至第二薄膜晶体管TFT2。第一电极151可以是透明电极，并且第二电极155可以是反射电极。
第二发光器件OLED2可以布置在第一发光器件OLED1的下方(或者在第一发光器件OLED1下方的层处)。例如，至少第二发光器件OLED2的第二发射层153可以在第一发光器件OLED1的第一发射层133下方。
在第一发光器件OLED1下方的第二发光器件OLED2可以与第一发光器件OLED1在水平方向上隔开特定距离，如从截面视点看到的。因此，第二发光器件OLED2可以不与第一发光器件OLED1重叠。因此，可以减小或者最小化第一发光器件OLED1与第二发光器件OLED2之间的信号干扰和/或颜色干扰。
传感器单元SU可包括开关晶体管TRsw和感测晶体管TRps。在图4中，对应于感测晶体管TRps的薄膜晶体管被示出并且因此可被称为感测薄膜晶体管TFTps。开关晶体管TRsw可以具有与第一像素PX1的第一薄膜晶体管TFT1或者第二像素PX2的第二薄膜晶体管TFT2相同的结构。
感测薄膜晶体管TFTps包括第三半导体层161、第三源电极162、第三漏电极163及第三栅电极165。
第三半导体层161是光接收层，该光接收层可包括对IR光敏感的半导体材料。例如，第三半导体层161可包括非晶硅锗(a-SiGe)。第三半导体层161的对IR光的灵敏度可以基于第三半导体层161中的SiH4与GeH4的组成比率来调节。
图5A至图5C是示出了基于第三半导体层161的组成的感测薄膜晶体管TFTps的栅-源电压Vgs和光电流Ids之间的关系的实例的曲线图。在图5A至图5C中，I_IR是在第三半导体层161暴露于IR光的状态下基于栅-源电压Vgs的光电流。I_dark是在第三半导体层161被阻挡外部光的状态下基于栅-源电压Vgs的光电流。
参考图5A至图5C，感测薄膜晶体管TFTps的光电流Ids的大小和灵敏度可以基于包括a-SiGe的第三半导体层161中的SiH4与GeH4的组成比率在截止区域变化。IR灵敏度可以通过I_IR曲线与I_dark曲线的比率计算。当图5C中的SiH4与GeH4的组成比率(SiH4：GeH4)是1：2时，IR灵敏度可以被认为相对高。
在一个实施方式中，第三半导体层161可包括对IR光敏感的任何材料。第一绝缘层103可以作为栅绝缘层在第三半导体层161与第三栅电极165之间。第二绝缘层104可以作为层间绝缘层在第三源电极162和第三漏电极163与第三栅电极165之间。第三源电极162和第三漏电极163可以分别经由第一绝缘层103和第二绝缘层104中的接触孔电连接至第三半导体层161。
遮光构件170可以在第三半导体层161下方。绝缘层可以在第三半导体层161与遮光构件170之间，并且绝缘层可以是缓冲层102的一部分。
遮光构件170是用于防止可见光线入射在第三半导体层161上的层。遮光构件170可包括包含黑色颜料的有机材料、非晶硅、a-SiGe和a-Ge中的至少一种。在图4的实施方式中，示出了包含a-Ge的第一遮光层172和包含a-SiGe的第二遮光层174(其在第一遮光层172上方)的堆叠的实例。
图6是示出了根据遮光构件170的波长的遮光构件170的透射率的实例的曲线图。参考图6，例如，包含a-Ge的第一遮光层172和包含a-SiGe的第二遮光层174可以具有约400至约750nm的波长带的可见光范围的低透射率，并且例如可以具有约750至约1000nm的波长带的IR范围的高透射率。因此，由于包括包含a-Ge的第一遮光层172和包含a-SiGe的第二遮光层174的双层结构，可以减小可见光线的透射率并且可以增加IR光线的透射率。
在一个实施方式中，遮光构件170可包括IR范围的光容易穿透而可见光范围的光不容易穿透的任何材料。在一个实施方式中，遮光构件170可以大于第三半导体层161以覆盖整个第三半导体层161。
例如，图7A至图7J示出用于制造如图4中所示的显示面板的方法的实施方式。参考图7A，遮光构件170可以形成在基板101上。基板101可包括各种材料，例如，玻璃、金属、塑料等。根据一实施方式，基板101可包括包含柔性材料的基板。基板101可包括包含第一像素PX1的第一区域111、包含第二像素PX2的第二区域113、及包含传感器单元SU的第三区域115。
在第一遮光材料层和第二遮光材料层堆叠在基板101的第三区域115上之后，第一遮光材料层和第二遮光材料层可以通过光掩模处理被图案化以形成包括第一遮光层172和第二遮光层174的遮光构件170。第一遮光层172可包括a-Ge并且第二遮光层174可包括a-SiGe。
参考图7B，第一半导体层121和第二半导体层141可以形成在其上形成有遮光构件170的基板101上。缓冲层102可以形成在整个基板101上以覆盖遮光构件170。例如，缓冲层102可以形成为包括无机材料(例如，SiNx和/或SiOx)的单层或者多层。
第一半导体层121可以形成在第一区域111中并且第二半导体层141可以形成在第二区域113中。例如，这些层可以通过使用半导体材料在缓冲层102上形成半导体层并通过光掩模处理对半导体层进行图案化来形成。第一半导体层121和第二半导体层141可包括相同的材料。在一个实施方式中，第一半导体层121和第二半导体层141可包括无机半导体材料，例如，a-Si或者多晶硅。多晶硅可以通过使a-Si结晶形成。可以使用使a-Si结晶的各种方法。实例包括快速热退火(RTA)，固相结晶(SPC)，准分子激光退火(excimer laserannealing，ELA)，金属诱导结晶(MIC)，金属诱导横向结晶(MILC)，顺序横向凝固(SLS)等。
在执行干刻蚀处理以图案化第一半导体层121和第二半导体层141之后，可以省去剥离处理。因此，光敏层121'和141'可以保持在第一半导体层121和第二半导体层141的图案上。光敏层121'和141'可以保护第一半导体层121和第二半导体层141免于用于形成第三半导体层161的干蚀刻处理。
参考图7C，例如，通过使用半导体材料在缓冲层102上形成半导体层并且通过光掩模处理图案化半导体层，可以在第三区域115中形成第三半导体层161。第三半导体层161可包括a-SiGe。如从截面视点看到的，第三半导体层161可以与遮光构件170垂直重叠。
在用于图案化第三半导体层161的干蚀刻处理之后，可以通过剥离处理去除第一半导体层121和第二半导体层141上的光敏层121'和141'以及第三半导体层161上的光敏层。
参考图7D，第一至第三栅电极125、145及165可以形成在其上形成有第一至第三半导体层121、141及161的基板101上。第一绝缘层103可以形成在整个基板101上以覆盖第一至第三半导体层121、141及161。第一绝缘层103可以形成为包括无机材料(例如，SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、和/或ZrO2)的单层或者多层。
第一区域111的第一栅电极125、第二区域113的第二栅电极145、及第三区域115的第三栅电极165可以通过在第一绝缘层103上形成导电层并且图案化导电层而形成。第一至第三栅电极125、145及165可以连接至扫描线。第一至第三栅电极125、145及165中的每一个可包括单层或者多层，该单层或者多层包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种。如从截面视点看到的，第一至第三栅电极125、145及165可以分别与第一至第三半导体层121、141及161的至少部分垂直重叠。
参考图7E，第一源电极至第三源电极122、142及162，及第一漏电极至第三漏电极123、143及163可以形成在第一栅电极至第三栅电极125、145及165形成其上的基板101上。第二绝缘层104可以形成在整个基板101上以覆盖第一栅电极至第三栅电极125、145及165。第二绝缘层104可以形成为包括有机材料(例如，聚酰亚胺、聚酯、压克力等)的单层或者多层或者可以形成为包括类似第一绝缘层103的无机材料的单层或者多层。替换地，第二绝缘层104可以通过使有机材料和无机材料交替而形成。
接下来，第一半导体层至第三半导体层121、141、及161的接触孔暴露部分可以形成在第一绝缘层103和第二绝缘层104中。
此后，导电层可以形成在第二绝缘层104上。导电层可以被图案化以形成第一区域111的第一源电极122和第一漏电极123、第二区域113的第二源电极142和第二漏电极143、及第三区域115的第三源电极162和第三漏电极163。第一源电极至第三源电极122、142及162和第一漏电极至第三漏电极123、143及163可包括与第一栅电极至第三栅电极125、145及165基本上相同的材料。第一源电极至第三源电极122、142及162和第一漏电极至第三漏电极123、143及163可以分别经由接触孔电连接至其下方的第一至第三半导体层121、141及161。
参考图7F，第二发光器件OLED2的第一电极151可以形成在其上形成有薄膜晶体管的基板101上。第三绝缘层105可以形成在整个基板101上以覆盖薄膜晶体管。如同第二绝缘层104，第三绝缘层105可以形成为包括有机材料或者无机材料的单层或者多层。替换地，第三绝缘层105可以通过使有机材料和无机材料交替而形成。
接下来，可以在第三绝缘层105中形成暴露第二区域113的第二源电极142或者第二漏电极143(在图7F的情况下，第二漏电极)的一部分的第一通孔VIA1。
然后，导电层可以形成在第二区域113的第三绝缘层105上并且可以被图案化以在第二区域113中形成第二发光器件OLED2的第一电极151。第二发光器件OLED2的第一电极151可以经由第一通孔VIA1电连接至第二漏电极143。第二发光器件OLED2的第一电极151可包括透明导电材料。例如，透明导电材料可包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化锌铝(AZO)中的至少一种。
参考图7G，第四绝缘层106可以形成在其上形成有第二发光器件OLED2的第一电极151的基板101上。如同第二绝缘层104，第四绝缘层106可以形成为包括有机材料或者无机材料的单层或者多层。替换地，第四绝缘层106可以通过使有机材料和无机材料交替而形成。
接下来，可以在第四绝缘层106中形成暴露第二发光器件OLED2的第一电极151的一部分的第一开口OP1和暴露第一区域111的第一源电极122或者第一漏电极123(在图7G情况下，第一漏电极)的一部分的第二通孔VIA2。第四绝缘层106可以覆盖第二发光器件OLED2的第一电极151的边缘。
此后，包括第二发射层的第二中间层153可以形成在第二区域113的第一开口OP1中的第一电极151上。第二发射层可以发射IR范围的光。
参考图7H，第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155可以形成在其上形成有第四绝缘层106和第二中间层153的基板101上。
导电层可以形成在整个基板101上并且可以被图案化以形成第一区域111中的第一电极131和第二区域113中的第二电极155。第一发光器件OLED1的第一电极131可以经由第二通孔VIA2电连接至第一漏电极123。第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155可包括相同的反射导电材料。例如，反射导电材料可包括选自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及其合金的组中的至少一种金属。
在图7H的实施方式中，描述了第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155包括相同的材料。在一个实施方式中，第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155可以由通过单独处理使用不同材料来制造。
参考图7I，第五绝缘层107可以形成在其上形成有第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的基板101上。如同第二绝缘层104，第五绝缘层107可以形成为包括有机材料或者无机材料的单层或者多层。替换地，第五绝缘层107可以通过使有机材料和无机材料交替而形成。
接下来，可以在第五绝缘层107中形成暴露第一发光器件OLED1的第一电极131的一部分的第二开口OP2。第五绝缘层107可以覆盖第一发光器件OLED1的第一电极131的边缘。
参考图7J，包括第一发射层的第一中间层133和第二电极135可以形成在第一区域111的第二开口OP2中的第一电极131上。第一发光器件OLED1的第二电极135可以形成在整个基板101上。第一发射层可以发射可见光线范围的光。
图8示出显示面板的另一实施方式。该实施方式与图4中的实施方式的不同之处在于在第一像素PX1的第一发光器件OLED1与第二像素PX2的第二发光器件OLED2之间还包括第六绝缘层108。
第二像素PX2的第二发光器件OLED2可以布置在第一像素PX1的第一发光器件OLED1的下方(或者在其下方的层处)。例如，至少第二发光器件OLED2的第二中间层153可以在第一发光器件OLED1的第一中间层133的下方。
如从截面视点看到的，第一像素PX1的第一发光器件OLED1和第二像素PX2的第二发光器件OLED2可以在垂直方向上至少部分地彼此重叠。在第一发光器件OLED1下方的第二发光器件OLED2可以在垂直方向上与第一发光器件OLED1至少部分重叠。当第一像素PX1的第一发光器件OLED1与第二像素PX2的第二发光器件OLED2至少部分彼此重叠时，第一像素PX1与第二像素PX2的开口率可以增加。在一个实施方式中，第一像素PX1可以大于第二像素PX2。
为了减小或者最小化第一发光器件OLED1与第二发光器件OLED2之间的信号干扰和/或颜色干扰，在第一发光器件OLED1与第二发光器件OLED2之间可以进一步包括第六绝缘层108。如同第二绝缘层104，第六绝缘层108可以形成为包括有机材料或者无机材料的单层或者多层。替换地，第六绝缘层108可以通过使有机材料和无机材料交替而形成。
在一个实施方式中，第六绝缘层108下方的第二发光器件OLED2可以与第一发光器件OLED1的侧面隔开。因为第二发光器件OLED2在第一发光器件OLED1的下方，所以如截面视点看到的，第二发光器件OLED2没有与第一发光器件OLED1重叠。
图9示出显示面板的另一实施方式。除遮光构件170的位置之外，该实施方式与图4中的实施方式相同。参考图9，第一像素PX1、第二像素PX2及传感器单元SU可以布置在基板101的显示区域上。第一像素PX1包括第一像素电路和连接至第一像素电路的第一发光器件OLED1。第一像素电路可包括第一薄膜晶体管TFT1。
第一薄膜晶体管TFT1包括第一半导体层121、第一源电极122、第一漏电极123及第一栅电极125。第一发光器件OLED1包括第一电极131、第二电极135、及在第一电极131与第二电极135之间的第一中间层133。第一中间层133包括第一发射层。第一发射层可以在与基板101相对的方向上发射可见光波长带的光。
第二像素PX2包括第二像素电路和连接至第二像素电路的第二发光器件OLED2。第二像素电路可包括第二薄膜晶体管TFT2。第二薄膜晶体管TFT2包括第二半导体层141、第二源电极142、第二漏电极143及第二栅电极145。第二发光器件OLED2包括第一电极151、第二电极155、及在第一电极151与第二电极155之间的第二中间层153。第二中间层153包括第二发射层。第二发射层可以在基板101的方向上发射IR波长带的光。
第二发光器件OLED2可以布置在第一发光器件OLED1下方(或者在其下方的层处)。例如，至少第二发光器件OLED2的第二中间层153可以在第一发光器件OLED1的第一中间层133的下方。
布置在第一发光器件OLED1下方的第二发光器件OLED2可以在水平方向上与第一发光器件OLED1隔开一定距离。因此，第二发光器件OLED2与第一发光器件OLED1彼此不重叠。因此，可以减小或者最小化第一发光器件OLED1与第二发光器件OLED2之间的信号干扰和/或颜色干扰。
传感器单元SU可包括感测薄膜晶体管TFTps。传感器单元SU可包括开关晶体管TRsw。例如，开关晶体管TRsw可以具有与第一像素PX1的第一薄膜晶体管TFT1或者第二像素PX2的第二薄膜晶体管TFT2相同的结构。
感测薄膜晶体管TFTps包括第三半导体层161、第三源电极162、第三漏电极163及第三栅电极165。第三半导体层161是光接收层，该光接收层包括对IR光敏感的半导体材料。例如，第三半导体层161可包括a-SiGe。
在第三半导体层161下方，绝缘层109和遮光构件170可以在垂直方向上彼此重叠。绝缘层109可包括无机材料，例如，SiNx或者SiOx。绝缘层109可以是第一绝缘层103的一部分。缓冲层102可以在绝缘层109和遮光构件170的下方。例如，第三半导体层161和遮光构件170两者可以布置在缓冲层102上。
例如，遮光构件170可包括包含黑色颜料的有机材料，a-Si、a-SiGe及a-Ge中的至少一种。例如，遮光构件170可包括包含a-Ge的第一遮光层172和第一遮光层172上的包含a-SiGe的第二遮光层174的堆叠。
第三半导体层161、绝缘层109及遮光构件170可以同时形成。因此，它们的侧蚀刻面可以彼此对应。遮光构件170可以具有与第三半导体层161相同的尺寸。
在图9的实施方式中，第三半导体层161和遮光构件170可以通过执行一次掩模处理形成。因此，与图4的第三半导体层161通过执行两次掩模处理形成的实施方式相比，可以减少制造显示器面板的处理的数目以及费用。
图10A至图10I示出用于制造显示面板(例如，其可以是图9中的显示面板)的方法的另一实施方式。参考图10A，第一半导体层121和第二半导体层141可以形成在基板101上。基板101可包括各种材料，例如，玻璃、金属、或者塑料。根据一实施方式，基板101可包括包含柔性材料的基板。基板101可包括其中形成第一像素PX1的第一区域111、其中形成第二像素PX2的第二区域113、及其中形成传感器单元SU的第三区域115。
缓冲层102可以形成在整个基板101上。缓冲层102可以形成为包括无机材料(例如，SiNx和/或SiOx)的单层或者多层。
可以使用半导体材料在缓冲层102上形成半导体层，并通过光掩模处理将其图案化，以形成第一区域111的第一半导体层121和第二区域113的第二半导体层141。例如，第一半导体层121和第二半导体层141可包括相同的材料，诸如a-Si或者多晶硅的无机半导体材料。多晶硅通过使a-Si结晶而形成。
在用于图案化第一半导体层121和第二半导体层141的干刻蚀处理之后，可以省去剥离处理。因此，光敏层121'和141'可以保持在第一半导体层121和第二半导体层141的图案上。光敏层121'和141'可以保护第一半导体层121和第二半导体层141免于用于图案化第三半导体层161的干蚀刻处理。
参考图10B，第三区域115的第三半导体层161和遮光构件170可以形成在缓冲层102上。在第一遮光材料层、第二遮光材料层、绝缘材料层及半导体层堆叠在缓冲层102上之后，通过光掩模处理同时蚀刻并且图案化第一遮光材料层、第二遮光材料层、绝缘材料层及半导体层。
因此，可以形成包括第一遮光层172、第二遮光层174、绝缘层109及第三半导体层161的图案SP。这样，第一遮光层172、第二遮光层174、绝缘层109及第三半导体层161的蚀刻面可以彼此对应。
第一遮光层172可包括a-Ge并且第二遮光层174可包括a-SiGe。第三半导体层161可包括a-SiGe并且绝缘层109可包括无机材料，例如，SiNx或者SiOx。
在用于形成图案SP的干蚀刻处理之后，可以通过剥离处理去除在第一半导体层121和第二半导体层141上的光敏层121'和141'以及在第三半导体层161上的光敏层。(除非另有说明，在下文中描述的处理可以与参考图7D至7J示出的那些相同)。
参考图10C，第一绝缘层103可以形成在其上形成有第一至第三半导体层121、141及161的基板101上。第一至第三栅电极125、145及165可以形成在第一绝缘层103上。
参考图10D，第二绝缘层104可以形成在其上形成有第一至第三栅电极125、145及165的基板101上。另外，第一半导体层至第三半导体层121、141及161的接触孔暴露部分可以形成在第一绝缘层103和第二绝缘层104中。接下来，第一至第三源电极122、142及162和第一至第三漏电极123、143及163可以形成在第二绝缘层104上。
参考图10E，第三绝缘层105可以形成在其上形成有薄膜晶体管的基板101上。暴露第二源电极142或者第二漏电极143(在图10E的情况下，第二漏电极)的一部分的第一通孔VIA1可以形成在第三绝缘层105中。然后，第二发光器件OLED2的第一电极151可以形成在第三绝缘层105上。第二发光器件OLED2的第一电极151可以经由第一通孔VIA1电连接至第二漏电极143。
参考图10F，第四绝缘层106可以形成在其上形成有第二发光器件OLED2的第一电极151的基板101上。暴露第一电极151的一部分的第一开口OP1、和暴露第一区域111的第一源电极122或者第一漏电极123(在图10F情况下，第一漏电极)的一部分的第二通孔VIA2可以形成在第四绝缘层106中。
并且，包括第二发射层的第二中间层153可以形成在第二发光器件OLED2的第一开口OP1中的第一电极151上。第二发射层可以发射IR范围的光。
参考图10G，第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155可以形成在其上形成有第四绝缘层106和第二中间层153的基板101上。第一发光器件OLED1的第一电极131可以经由第二通孔VIA2电连接至第一漏电极123。
在图10G的实施方式中，第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155包括相同的材料。在一个实施方式中，第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155可以使用不同材料通过单独的处理制造。
参考图10H，第五绝缘层107可以形成在其上形成有第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的基板101上。暴露第一发光器件OLED1的第一电极131的一部分的第二开口OP2可以形成在第五绝缘层107中。
参考图10I，包括第一发射层的第一中间层133和第二电极135可以形成在第一发光器件OLED1的第二开口OP2中的第一电极131上。第一发光器件OLED1的第二电极135可以形成在整个基板101上。第一发射层可以发射可见光范围的光。
图11示出显示面板的另一实施方式，其与图9中的实施方式的不同之处在于在第一像素PX1的第一发光器件OLED1与第二像素PX2的第二发光器件OLED2之间包括第六绝缘层108。
第二像素PX2的第二发光器件OLED2可以布置在第一像素PX1的第一发光器件OLED1的下方(或者在其下方的层处)。例如，至少第二发光器件OLED2的第二中间层153可以在第一发光器件OLED1的第一中间层133下方。
如从截面视点看到的，第一像素PX1的第一发光器件OLED1和第二像素PX2的第二发光器件OLED2可以在垂直方向上至少部分地彼此重叠。布置在第一发光器件OLED1下方的第二发光器件OLED2可以在垂直方向上与第一发光器件OLED1至少部分重叠。当第一像素PX1的第一发光器件OLED1与第二像素PX2的第二发光器件OLED2至少部分彼此重叠时，第一像素PX1与第二像素PX2的开口率可以增加。第一像素PX1可以大于第二像素PX2。
为了减小或者最小化第一发光器件OLED1与第二发光器件OLED2之间的信号干扰和/或颜色干扰，在第一发光器件OLED1与第二发光器件OLED2之间可以包括第六绝缘层108。如同第二绝缘层104，第六绝缘层108可以形成为包括有机材料或者无机材料的单层或者多层。替换地，第六绝缘层108可以通过使有机材料和无机材料交替而形成。
在一个实施方式中，在第六绝缘层108下方的第二发光器件OLED2可以与第一发光器件OLED1的侧面隔开。因此，第二发光器件OLED2在第一发光器件OLED1下方，并且第二发光器件OLED2没有与第一发光器件OLED1重叠。
图12至图15示出用于制造显示面板的方法的另外的实施方式。图12中的实施方式可以与图4中的实施方式相似，除了不包括第一像素PX1的第一像素电路和第二像素PX2的第二像素电路并且仅包括第一像素PX1的第一发光器件OLED1和第二像素PX2的第二发光器件OLED2。
图13中的实施方式可以与图8中的实施方式相似，除了不包括第一像素PX1的第一像素电路和第二像素PX2的第二像素电路并且仅包括第一像素PX1的第一发光器件OLED1和第二像素PX2的第二发光器件OLED2。
图14中的实施方式可以与图9中的实施方式相似，除了不包括第一像素PX1的第一像素电路和第二像素PX2的第二像素电路并且仅包括第一像素PX1的第一发光器件OLED1和第二像素PX2的第二发光器件OLED2。
图15中的实施方式可以与图11中的实施方式相似，除了不包括第一像素PX1的第一像素电路和第二像素PX2的第二像素电路并且仅包括第一像素PX1的第一发光器件OLED1和第二像素PX2的第二发光器件OLED2。
在图12至图15的实施方式中，第一像素PX1的第一发光器件OLED1包括第一电极131、第二电极135及在第一电极131与第二电极135之间的第一中间层133。第一中间层133包括第一发射层。第一发射层可以基于施加至第一电极131和第二电极135的电压在与基板101相对的方向上发射可见波长带的光。
第二像素PX2的第二发光器件OLED2包括第一电极151、第二电极155、及在第一电极151与第二电极155之间的第二中间层153。第二中间层153包括第二发射层。第二发射层可以基于施加至第一电极151和第二电极155的电压在基板101的方向上发射IR波长带的光。
在图12至图15的实施方式中，如从截面视点看到的，第二像素PX2的第二发光器件OLED2位于第一像素PX1的第一发光器件OLED1的下方。例如，第二发光器件OLED2的第二中间层153至少在第一发光器件OLED1的第一中间层133的下方。因此，可以减小发射不同频带的光的发光装置之间的信号和/或光干扰。
在图12和图14的实施方式中，第二像素PX2的第二发光器件OLED2可以位于第一像素PX1的第一发光器件OLED1的下方并且与第一发光器件OLED1的侧面隔开。第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155可以在相同的绝缘层(例如，第四绝缘层106)上。
在图13和图15的实施方式中，第二像素PX2的第二发光器件OLED2可以位于第一像素PX1的第一发光器件OLED1的下方并且可以与第一发光器件OLED1至少部分重叠。第一发光器件OLED1的第一电极131和第二发光器件OLED2的第二电极155可以在它们之间设置有绝缘层(例如，第六绝缘层108)。
在图13和图15的实施方式中，第一发光器件OLED1和第二发光器件OLED2彼此重叠。在另一个实施方式中，第一发光器件OLED1和第二发光器件OLED2彼此可以不重叠。例如，第二发光器件OLED2可以在第一发光器件OLED1的下方，并且与第一发光器件OLED1的侧面隔开一定距离。因此，第二发光器件OLED2不与第一发光器件OLED1重叠。
根据显示设备的上述实施方式中的一个或多个，显示器件、发光器件及感测器件被适当地布置在基板上。因此，发光器件和生物信息感测器件不需与显示器件分开地物理上耦接至基板的后表面。因此，显示设备可以形成为薄的。另外，可以同时或者分开执行图像显示和生物信息感测(例如，指纹提取、静脉图案提取、虹膜图案提取等)。
其中布置有一个或多个静脉的图案可称为静脉图案。个体的静脉图案会不同。因此，可以感测静脉图案作为生物信息以用来识别个体。静脉图案作为新的认证形式引起关注。这是因为静脉图案组成唯一的身体信息并且因此不存在被盗取的危险。另外，静脉图案不会像指纹那样留下痕迹。静脉的厚度和尺寸可以根据人的生长(或者年龄)而变化，但是图案不会改变。
包括氧的氧化血红蛋白在动脉中流动，而其中氧减少的血红蛋白在静脉中流动。减少的血红蛋白吸收波长为约760nm的光，即NIR光。因此，与其他位置相比，传感器单元SU可以在静脉存在的位置中感测较少量的NIR光。使用该特征，上述实施方式的显示设备可以提取静脉图案。
上述实施方式的显示设备可以实现为便携式终端、柔性可佩带装置等。当用户接触显示设备时，显示设备可以提取接触显示设备或者显示设备附近的身体中的静脉图案。在一个实施方式中，显示设备可以预存储经认证的用户的静脉图案并且可以基于提取的静脉图案与预存储的静脉图案的比较检查接触显示设备的用户是否是经认证的用户。
因此，根据上述实施方式中的一个或多个，显示设备可以是薄的并且具有大面积，同时集成地包括光源和光感测器件。
本文中已经公开了示例性实施方式，并且尽管采用了特定术语，然而，这些术语仅用于并且仅被解释为通用和描述性含义且并不旨在用于限制。在某些情况下，如对提交本发明的领域的技术人员显而易见的，结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独地使用或者与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件相组合，除非另外指出。因此，本领域技术人员应当理解的是，在不背离权利要求中阐述的实施方式的精神和范围内，可以在形式和细节上做出各种改变。

Claims (25)

1.一种显示设备，包括：
基板；
在所述基板上的第一像素，所述第一像素包括在第一方向上发射第一波长带的光的第一发光器件，所述第一发光器件包括第一发射层；
在所述基板上的第二像素，所述第二像素包括在不同于所述第一方向的第二方向上发射第二波长带的光的第二发光器件，所述第二发光器件包括在所述第一发光器件的所述第一发射层下方的第二发射层；
所述基板上的光传感器，感测从所述第二像素发射的并且由对象反射的所述第二波长带的光；以及
遮光部，在所述基板上与所述光传感器相邻。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述光传感器包括薄膜晶体管，并且
所述薄膜晶体管包括第三半导体层。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第三半导体层包括非晶硅锗。
4.根据权利要求2所述的显示设备，进一步包括：
绝缘层，在所述遮光部与所述第三半导体层之间。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述绝缘层包括氮化硅和氧化硅中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述遮光部具有堆叠结构，所述堆叠结构包括：
第一遮光层，包括非晶锗，以及
第二遮光层，包括非晶硅锗。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一发光器件包括在第一电极与第二电极之间的所述第一发射层，所述第一发射层发射所述第一波长带的光，并且
所述第二发光器件包括在第一电极与第二电极之间的所述第二发射层，所述第二发射层发射所述第二波长带的光。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中：
所述第一发光器件的所述第一电极包括反射电极并且所述第一发光器件的所述第二电极包括透明电极，并且
所述第二发光器件的所述第一电极包括透明电极并且所述第二发光器件的所述第二电极包括反射电极。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第二发光器件的所述第二电极在与所述第一发光器件的所述第一电极相同的层上。
10.根据权利要求7所述的显示设备，进一步包括：
绝缘层，在所述第二发光器件的所述第二电极与所述第一发光器件的所述第一电极之间。
11.根据权利要求7所述的显示设备，其中：
所述第一像素包括电连接至所述第一发光器件并且包括第一半导体层的第一薄膜晶体管，并且
所述第二像素包括电连接至所述第二发光器件并且包括第二半导体层的第二薄膜晶体管。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每一个包括多晶硅。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二像素的分辨率低于所述第一像素的分辨率。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一波长带包括可见光范围，并且
所述第二波长带包括红外线范围。
15.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
制备基板；
在所述基板上形成感测由对象反射的第二波长带的光的光传感器；
邻近所述光传感器形成第二发光器件，所述第二发光器件在与所述基板相对的方向上发射所述第二波长带的光；
邻近所述第二发光器件形成第一发光器件，所述第一发光器件在所述基板的方向上发射第一波长带的光；并且
在入射至所述光传感器的光的路径中形成遮光部，其中，所述第一发光器件的第一电极和所述第二发光器件的第二电极同时形成。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一发光器件的所述第一电极和所述第二发光器件的所述第二电极共面。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述遮光部包括：
在形成所述光传感器之前，在所述基板上堆叠第一遮光层和第二遮光层并且图案化所述第一遮光层和所述第二遮光层。
18.根据权利要求15所述的方法，其中：
在形成所述光传感器期间执行所述遮光部的形成，并且
形成所述光传感器包括在所述基板上堆叠第一遮光层、第二遮光层、绝缘层及半导体层并且图案化所述第一遮光层、所述第二遮光层、所述绝缘层及所述半导体层，
所述第一遮光层和所述第二遮光层包括在所述遮光部中，并且
所述半导体层包括在所述光传感器中。
19.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：
在形成所述第一发光器件和所述第二发光器件之前，形成电连接至所述第一发光器件的第一薄膜晶体管和电连接至所述第二发光器件的第二薄膜晶体管。
20.根据权利要求15所述的方法，其中：
所述第一波长带包括可见光范围，并且
所述第二波长带包括IR范围。
21.一种显示设备，包括：
第一像素，发射第一波长带的光以显示图像；以及
传感器，感测不同于所述第一波长带的第二波长带的光，其中，所述第二波长带的光指示生物信息并且所述图像对应于所述生物信息，并且其中，所述第一像素和所述传感器在不同的方向上定向。
22.根据权利要求21所述的显示设备，进一步包括：
第二像素，发射所述第二波长带的光，
其中，所述传感器接收从对象反射的指示所述生物信息的所述第二波长带的光。
23.根据权利要求22所述的显示设备，其中：
所述对象是身体部分，并且
所述生物信息包括所述身体部分中的静脉图案。
24.根据权利要求22所述的显示设备，进一步包括：
基板，
其中，所述第一像素从所述基板的第一表面发射所述第一波长带的光，并且所述第二像素从所述基板的与所述第一表面相对的第二表面发射所述第二波长带的光。
25.根据权利要求24所述的显示设备，其中，所述第二像素在所述第一像素与所述传感器之间。
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