CN110012615B - 触控薄膜元件穿孔导电结构及方法 - Google Patents

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Abstract

一种触控薄膜元件穿孔导电之结构，包括有：一薄膜触控元件及一柔性电路板；其中，该薄膜触控元件上设复数导电线路层，该薄膜触控元件上设一轴向穿孔，该轴向穿孔中以点胶之方式设置一导电胶，该导电胶填充该轴向穿孔之孔径，令该薄膜触控元件之各导电线路层通过该导电胶之接触而相互导通；该柔性电路板相接于该薄膜触控元件之该复数导电线路层其中之一上，而经由该导电胶与各导电线路层相互串接。本发明更揭露一种触控薄膜元件穿孔导电之方法。藉由上述结构及方法，本发明之触控薄膜元件穿孔导电之结构在点导电胶时，可有效地控制导电胶之形状，令各导电线路层能通过该导电胶之接触而相互导通。

Description

触控薄膜元件穿孔导电结构及方法
技术领域
本发明系一种触控薄膜元件穿孔导电结构及方法，尤指一种通过导电穿孔技术，减少柔性电路板体积，达到极窄边框之需求。
背景技术
按，现行手机边框中导电线路层连接设计方式，请参阅图1所示，系以一柔性电路板10作为一薄膜触控元件20之导电线路层21与层22之连接，但柔性电路板10占有一定之体积，又近年来由于触控面板2的极窄边框需求增加，使可视区范围变大，柔性电路板10的现行设计可能无法满足极窄边框之外观设计之需求。
因此，可通过薄膜触控元件20穿孔导电填充技术，将薄膜触控元件20各导电线路层21、22与柔性电路板10作有效串连，可减少柔性电路板10所需之空间，除了达到电路讯号传输之作用，也可大幅减少边框的范围，达到窄边框之效果。
目前传统之方法，请参阅图2、图3所示，系先于该薄膜触控元件20上进行穿孔，使薄膜触控元件20穿孔后再点导电胶23填充孔径24，令薄膜触控元件20各导电线路层21、22通过该导电胶23之接触而相互导通，接着再将柔性电路板10相接于该薄膜触控元件20之导电线路层21上，即完成各导电线路层21、22与柔性电路板10之相互串接，并减少柔性电路板10所需之空间，达到极窄边框之效果。
然而，该导电胶23需经过加热固化反应进而产生导电性与接着性，而热固化时间通常需要30分钟以上，而热固化期间该导电胶23之胶黏度会因为高温下有先变稀再变黏之状况，造成导电胶23形状无法有效控制，使得该导电胶23不一定能有效地与薄膜触控元件20之各导电线路层21、22相接触，而令各导电线路层21、22相互导通，而使得制程参数不易管控(如第3图所示)。
由此可见，上述习用物品仍有诸多缺失，实非一良善之设计者，而亟待加以改良。
发明内容
有鉴于此，本案发明人本于多年从事相关产品之制造开发与设计经验，针对上述之目标，详加设计与审慎评估后，终得一确具实用性之本发明。
本发明之目的，在提供一种触控薄膜元件穿孔导电结构及方法，系通过导电穿孔技术，减少柔性电路板体积，达到极窄边框之需求。
根据上述之目的，本发明之触控薄膜元件穿孔导电之结构，其主要系包括有：一薄膜触控元件及一柔性电路板；其中，该薄膜触控元件上设有复数导电线路层，该薄膜触控元件上设有一轴向穿孔，该轴向穿孔中以点胶之方式设置有一导电胶，该导电胶填充该轴向穿孔之孔径，令该薄膜触控元件之各导电线路层通过该导电胶之接触而相互导通；该柔性电路板相接于该薄膜触控元件之该复数导电线路层其中之一上，而经由该导电胶与各导电线路层相互串接；藉此，通过上述各导电线路层与柔性电路板作有效串连之设计，令可减少该柔性电路板所需之空间，除了达到电路讯号传输之作用，也可大幅减少边框的范围，达到极窄边框之效能。
根据上述之目的，本发明之触控薄膜元件穿孔导电之方法，该方法系包括步骤：
步骤A：于一薄膜触控元件上进行穿孔；
步骤B：将穿孔后之该薄膜触控元件固定；
步骤C：利用一底盘真空吸附装置对该薄膜触控元件进行底盘真空吸附，使真空吸附该轴向穿孔底部；
步骤D：于该轴向穿孔中进行点一导电胶，使该导电胶因底盘真空吸附产生表面张力而于该轴向穿孔底部上形成一下盖，并使该下盖接触该薄膜触控元件底层之导电线路层；
步骤E：利用一雷射光侦测装置，以雷射光侦测该下盖导电胶形状，侦测包括此形状之直径与高度；
步骤F：以UV光照射固化该下盖导电胶形状；
步骤G：持续点导电胶直到该轴向穿孔顶部上形成一上盖雏形；
步骤H：再利用该底盘真空吸附装置对该轴向穿孔顶部进行底盘真空吸附，使该上盖成型并接触该薄膜触控元件上层之导电线路层；
步骤I：再利用该雷射光侦测装置，以雷射光侦测该上盖导电胶形状，侦测包括此形状之直径与高度；
步骤J：以UV光照射固化该上盖导电胶形状；
步骤K：以高温固化方式对该导电胶进行第二段固化，使该导电胶达到完全固化；
步骤L：将该柔性电路板相接于该薄膜触控元件之该复数导电线路层其中之一上。如此一来，该导电胶填充该轴向穿孔之孔径，令该薄膜触控元件之各导电线路层通过该导电胶之接触而相互导通，且该柔性电路板相接于该薄膜触控元件之该复数导电线路层其中之一上，而能经由该导电胶与各导电线路层相互串接。藉此，通过上述各导电线路层与柔性电路板作有效串连之设计，可减少该柔性电路板所需之空间，除了达到电路讯号传输之作用，也可大幅减少边框的范围，达到极窄边框之效能。
为便贵审查委员能对本发明之目的、形状、构造装置特征及其功效，做更进一步之认识与了解，兹举实施例配合图式，详细说明如下：
附图说明
图1为现行手机边框中导电线路层连接设计之示意图。
图2为现行改善手机边框中导电线路层连接设计之示意图。
图3为现行改善手机边框中导电线路层连接设计之流程图。
图4为本发明触控薄膜元件穿孔导电结构之外观示意图。
图5为本发明触控薄膜元件穿孔导电结构及方法之流程方块图。
图6为本发明触控薄膜元件穿孔导电结构及方法之流程示意图。
符号说明
薄膜触控元件30
导电线路层31、32
轴向穿孔33
导电胶34
上盖341
下盖342
柔性电路板40
步骤A至步骤L
底盘真空吸附51
雷射光侦测装置52
具体实施方式
本发明乃有关一种「触控薄膜元件穿孔导电结构及方法」，请参阅图4所示，本发明之触控薄膜元件穿孔导电之结构，其主要系包括有：一薄膜触控元件30及一柔性电路板40。
其中，该薄膜触控元件30上设有复数导电线路层31，该薄膜触控元件30上设有一轴向穿孔33，该轴向穿孔33中以点胶之方式设置有一导电胶34，该导电胶34填充该轴向穿孔33之孔径，并于该轴向穿孔33之顶部及底部形成一上盖341及一下盖342，令该薄膜触控元件30之各导电线路层31、32通过该导电胶34之接触而相互导通。
该柔性电路板40相接于该薄膜触控元件30之该复数导电线路层32其中之一上，而经由该导电胶34与各导电线路层31、32相互串接。
藉上述构件之组成，复请参阅图4所示，通过上述各导电线路层31、32与柔性电路板40作有效串连之设计，可减少该柔性电路板40所需之空间，除了达到电路讯号传输之作用，也可大幅减少边框的范围，达到极窄边框之效能。
复请参阅图4所示，该导电胶34之上盖341、下盖342直径可为150～350μm，高度可为20～70μm，藉以能完全接触该薄膜触控元件30之各导电线路层31、32。
复请参阅图4所示，该薄膜触控元件30之材料可为一光学玻璃、一塑料PC、一透明热塑式玻璃(PMMA)、一透明导电膜(ITO film)或一光学胶(OCA)。
复请参阅图4所示，该薄膜触控元件30之轴向穿孔33直径范围可为100～300μm，穿孔深度可为100～300μm。
复请参阅图4所示，该导电胶34之导电粒子可为一金粉、一银粉、一铜粉、一铜包镍粉、一银包镍粉、一导电碳黑粉或一石墨粉等，而为了使胶水完全填满孔径，其黏度范围1000～40000cps，摇变系数2.0～4.0。
请再参阅图4、图5、图6所示，本发明之触控薄膜元件穿孔导电之方法，该方法系包括步骤：
步骤A：准备一薄膜触控元件30，该薄膜触控元件30上设有复数导电线路层31、32，再于该薄膜触控元件30上进行穿孔，而形成一轴向穿孔33；
步骤B：将穿孔后之该薄膜触控元件30固定；
步骤C：利用一底盘真空吸附装置(图中未示)对该薄膜触控元件30进行底盘真空吸附51，使真空吸附该轴向穿孔33底部；
步骤D：于该轴向穿孔33中进行点一导电胶34，使该导电胶34因底盘真空吸附51产生表面张力而于该轴向穿孔33底部上形成一下盖342，并使该下盖342接触该薄膜触控元件30底层之导电线路层32；
步骤E：利用一雷射光侦测装置52，以雷射光侦测该下盖342导电胶形状，侦测包括此形状之直径与高度；
步骤F：以UV光照射固化该下盖342导电胶形状；
步骤G：持续点导电胶34直到该轴向穿孔33顶部上形成一上盖341雏形；
步骤H：再利用该底盘真空吸附装置对该轴向穿孔33顶部进行底盘真空吸附51，使该上盖341成型并接触该薄膜触控元件30上层之导电线路层31；
步骤I：再利用该雷射光侦测装置52，以雷射光侦测该上盖341导电胶形状，侦测包括此形状之直径与高度；
步骤J：以UV光照射固定该上盖341导电胶形状；
步骤K：以高温固化方式对该导电胶34进行第二段固化，使该导电胶34达到完全固化；
步骤L：将一柔性电路板40相接于该薄膜触控元件30之该复数导电线路层32其中之一上。
如此一来，该导电胶34填充该轴向穿孔33之孔径，令该薄膜触控元件30之各导电线路层31、32通过该导电胶34之接触而相互导通，且该柔性电路板40相接于该薄膜触控元件30之该复数导电线路层32其中之一上，而能经由该导电胶34与各导电线路层31、32相互串接。
藉此，通过上述各导电线路层31、32与柔性电路板40作有效串连之设计，可减少该柔性电路板40所需之空间，除了达到电路讯号传输之作用，也可大幅减少边框的范围，达到极窄边框之效能及目的。
复请参阅图4、图5、图6所示，该底盘真空吸附装置之真空吸力范围约为0.01～0.1MPa。
复请参阅图4、图5、图6所示，该导电胶34之上盖341、下盖342直径可为150～350μm，高度可为20～70μm，藉以能完全接触该薄膜触控元件30之各导电线路层31、32。
复请参阅图4、图5、图6所示，该薄膜触控元件30之轴向穿孔33直径范围可为100～300μm，穿孔深度可为100～300μm。
复请参阅图4、图5、图6所示，该导电胶34之导电粒子可为一金粉、一银粉、一铜粉、一铜包镍粉、一银包镍粉、一导电碳黑粉或一石墨粉等，而为了使胶水完全填满孔径，其黏度范围1000～40000cps，摇变系数2.0～4.0。
综合上所述，本发明之触控薄膜元件穿孔导电结构及方法，确实具有前所未有之创新构造，其既未见于任何刊物，且市面上亦未见有任何类似的产品，是以，其具有新颖性应无疑虑。另外，本发明所具有之独特特征以及功能远非习用所可比拟，所以其确实比习用更具有其进步性，而符合我国专利法有关发明专利之申请要件之规定，乃依法提起专利申请。
以上所述，仅为本发明最佳具体实施例，惟本发明之构造特征并不局限于此，任何熟悉该项技艺者在本发明领域内，可轻易思及之变化或修饰，皆可涵盖在以下本案之专利范围。

Claims (5)

1.一种触控薄膜元件穿孔导电之方法，其特征在于，该方法系包括步骤：
步骤A：于一薄膜触控元件上进行穿孔，而形成一轴向穿孔；
步骤B：将穿孔后之该薄膜触控元件固定；
步骤C：利用一底盘真空吸附装置对该薄膜触控元件进行底盘真空吸附，使真空吸附该薄膜触控元件之轴向穿孔底部；
步骤D：于该轴向穿孔中进行点一导电胶，使该导电胶因底盘真空吸附产生表面张力而于该轴向穿孔底部上形成一下盖，并使该下盖接触该薄膜触控元件底层之导电线路层；
步骤E：利用一雷射光侦测装置，以雷射光侦测该下盖导电胶形状，侦测包括此形状之直径与高度；
步骤F：以UV光照射固化该下盖导电胶形状；
步骤G：持续点导电胶直到该轴向穿孔顶部上形成一上盖雏形；
步骤H：再利用该底盘真空吸附装置对该轴向穿孔顶部进行底盘真空吸附，使该上盖成型并接触该薄膜触控元件上层之导电线路层；
步骤I：再利用该雷射光侦测装置，以雷射光侦测该上盖导电胶形状，侦测包括此形状之直径与高度；
步骤J：以UV光照射固化该上盖导电胶形状；
步骤K：对该导电胶进行第二段固化，使该导电胶达到完全固化；
步骤L：将一柔性电路板相接于该薄膜触控元件之导电线路层其中之一上。
2.如权利要求1所述之触控薄膜元件穿孔导电之方法，其中该导电胶进行第二段固化方式系为高温固化。
3.如权利要求1所述之触控薄膜元件穿孔导电之方法，其中该底盘真空吸附装置之真空吸力范围为0.01～0.1MPa。
4.如权利要求1所述之触控薄膜元件穿孔导电之方法，其中该导电胶之上盖、下盖直径为150～350μm，高度为20～70μm。
5.如权利要求1所述之触控薄膜元件穿孔导电之方法，其中该薄膜触控元件之轴向穿孔直径范围为100～300μm，穿孔深度为100～300μm。
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