TWI746964B - 觸控薄膜元件穿孔導電結構及方法 - Google Patents

Abstract

一種觸控薄膜元件穿孔導電之結構，包括有：一薄膜觸控元件及一軟性電路板；其中，該薄膜觸控元件上設複數導電線路層，該薄膜觸控元件上設一軸向穿孔，該軸向穿孔中以點膠之方式設置一導電膠，該導電膠填充該軸向穿孔之孔徑，令該薄膜觸控元件之各導電線路層透過該導電膠之接觸而相互導通；該軟性電路板相接於該薄膜觸控元件之該複數導電線路層其中之一上，而經由該導電膠與各導電線路層相互串接。本發明更揭露一種觸控薄膜元件穿孔導電之方法。藉由上述結構及方法，本發明之觸控薄膜元件穿孔導電之結構在點導電膠時，可有效地控制導電膠之形狀，令各導電線路層能透過該導電膠之接觸而相互導通。

Description

觸控薄膜元件穿孔導電結構及方法

本發明係一種觸控薄膜元件穿孔導電結構及方法，尤指一種透過導電穿孔技術，減少軟性電路板體積，達到極窄邊框之需求。

按，現行手機邊框中導電線路層連接設計方式，請參閱第1圖所示，係以一軟性電路板10作為一薄膜觸控元件20之導電線路層21與層22之連接，但軟性電路板10佔有一定之體積，又近年來由於觸控面板2的極窄邊框需求增加，使可視區範圍變大，軟性電路板10的現行設計可能無法滿足極窄邊框之外觀設計之需求。

因此，可透過薄膜觸控元件20穿孔導電填充技術，將薄膜觸控元件20各導電線路層21、22與軟性電路板10作有效串連，可減少軟性電路板10所需之空間，除了達到電路訊號傳輸之作用，也可大幅減少邊框的範圍，達到窄邊框之效果。

目前傳統之方法，請參閱第2、3圖所示，係先於該薄膜觸控元件20上進行穿孔，使薄膜觸控元件20穿孔後再點導電膠23填充孔徑24，令薄膜觸控元件20各導電線路層21、22透過該導電膠23之接觸而相互導通，接著再將軟性電路板10相接於該薄膜觸控元件20之導電線 路層21上，即完成各導電線路層21、22與軟性電路板10之相互串接，並減少軟性電路板10所需之空間，達到極窄邊框之效果。

然而，該導電膠23需經過加熱固化反應進而產生導電性與接著性，而熱固化時間通常需要30分鐘以上，而熱固化期間該導電膠23之膠黏度會因為高溫下有先變稀再變黏之狀況，造成導電膠23形狀無法有效控制，使得該導電膠23不一定能有效地與薄膜觸控元件20之各導電線路層21、22相接觸，而令各導電線路層21、22相互導通，而使得製程參數不易管控(如第3圖所示)。

由此可見，上述習用物品仍有諸多缺失，實非一良善之設計者，而亟待加以改良。

有鑑於此，本案發明人本於多年從事相關產品之製造開發與設計經驗，針對上述之目標，詳加設計與審慎評估後，終得一確具實用性之本發明。

本發明之目的，在提供一種觸控薄膜元件穿孔導電結構及方法，係透過導電穿孔技術，減少軟性電路板體積，達到極窄邊框之需求。

根據上述之目的，本發明之觸控薄膜元件穿孔導電之結構，其主要係包括有：一薄膜觸控元件及一軟性電路板；其中，該薄膜觸控元件上設有複數導電線路層，該薄膜觸控元件上設有一軸向穿孔，該軸向穿孔中以點膠之方式設置有一導電膠，該導電膠填充該軸向穿孔之孔徑， 令該薄膜觸控元件之各導電線路層透過該導電膠之接觸而相互導通；該軟性電路板相接於該薄膜觸控元件之該複數導電線路層其中之一上，而經由該導電膠與各導電線路層相互串接；藉此，透過上述各導電線路層與軟性電路板作有效串連之設計，令可減少該軟性電路板所需之空間，除了達到電路訊號傳輸之作用，也可大幅減少邊框的範圍，達到極窄邊框之效能。

根據上述之目的，本發明之觸控薄膜元件穿孔導電之方法，該方法係包括步驟：步驟A：於一薄膜觸控元件上進行穿孔；步驟B：將穿孔後之該薄膜觸控元件固定；步驟C：利用一底盤真空吸附裝置對該薄膜觸控元件進行底盤真空吸附，使真空吸附該軸向穿孔底部；步驟D：於該軸向穿孔中進行點一導電膠，使該導電膠因底盤真空吸附產生表面張力而於該軸向穿孔底部上形成一下蓋，並使該下蓋接觸該薄膜觸控元件底層之導電線路層；步驟E：利用一雷射光偵測裝置，以雷射光偵測該下蓋導電膠形狀，偵測包括此形狀之直徑與高度；步驟F：以UV光照射固化該下蓋導電膠形狀；步驟G：持續點導電膠直到該軸向穿孔頂部上形成一上蓋雛形；步驟H：再利用該底盤真空吸附裝置對該軸向穿孔頂部進行底盤真空吸附，使該上蓋成型並接觸該薄膜觸控元件上層之導電線路層； 步驟I：再利用該雷射光偵測裝置，以雷射光偵測該上蓋導電膠形狀，偵測包括此形狀之直徑與高度；步驟J：以UV光照射固化該上蓋導電膠形狀；步驟K：以高溫固化方式對該導電膠進行第二段固化，使該導電膠達到完全固化；步驟L：將該軟性電路板相接於該薄膜觸控元件之該複數導電線路層其中之一上。如此一來，該導電膠填充該軸向穿孔之孔徑，令該薄膜觸控元件之各導電線路層透過該導電膠之接觸而相互導通，且該軟性電路板相接於該薄膜觸控元件之該複數導電線路層其中之一上，而能經由該導電膠與各導電線路層相互串接。藉此，透過上述各導電線路層與軟性電路板作有效串連之設計，令可減少該軟性電路板所需之空間，除了達到電路訊號傳輸之作用，也可大幅減少邊框的範圍，達到極窄邊框之效能。

為便 貴審查委員能對本發明之目的、形狀、構造裝置特徵及其功效，做更進一步之認識與瞭解，茲舉實施例配合圖式，詳細說明如下：

30:薄膜觸控元件

31、32:導電線路層

33:軸向穿孔

34:導電膠

341:上蓋

342:下蓋

40:軟性電路板

步驟A至步驟L

51:底盤真空吸附

52:雷射光偵測裝置

第1圖為現行手機邊框中導電線路層連接設計之示意圖。

第2圖為現行改善手機邊框中導電線路層連接設計之示意圖。

第3圖為現行改善手機邊框中導電線路層連接設計之流程圖。

第4圖為本發明觸控薄膜元件穿孔導電結構之外觀示意圖。

第5圖為本發明觸控薄膜元件穿孔導電結構及方法之流程方塊圖。

第6圖為本發明觸控薄膜元件穿孔導電結構及方法之流程示意圖。

本發明乃有關一種「觸控薄膜元件穿孔導電結構及方法」，請參閱第4圖所示，本發明之觸控薄膜元件穿孔導電之結構，其主要係包括有：一薄膜觸控元件30及一軟性電路板40。

其中，該薄膜觸控元件30上設有複數導電線路層31、32，該薄膜觸控元件30上設有一軸向穿孔33，該軸向穿孔33中以點膠之方式設置有一導電膠34，該導電膠34填充該軸向穿孔33之孔徑，並於該軸向穿孔33之頂部及底部形成一上蓋341及一下蓋342，令該薄膜觸控元件30之各導電線路層31、32透過該導電膠34之接觸而相互導通。

該軟性電路板40相接於該薄膜觸控元件30之該複數導電線路層32其中之一上，而經由該導電膠34與各導電線路層31、32相互串接。

藉上述構件之組成，復請參閱第4圖所示，透過上述各導電線路層31、32與軟性電路板40作有效串連之設計，令可減少該軟性電路板40所需之空間，除了達到電路訊號傳輸之作用，也可大幅減少邊框的範圍，達到極窄邊框之效能。

復請參閱第4圖所示，該導電膠34之上蓋341、下蓋342直徑可為150~350um，高度可為20~70um，藉以能完全接觸該薄膜觸控元件30之各導電線路層31、32。

復請參閱第4圖所示，該薄膜觸控元件30之材料可為一光學玻璃、一塑膠PC、一透明熱塑式玻璃(PMMA)、一透明導電膜(ITO film)、或一光學膠(OCA)。

復請參閱第4圖所示，該薄膜觸控元件30之軸向穿孔33直徑範圍可為100~300um，穿孔深度可為100~300um。

復請參閱第4圖所示，該導電膠34之導電粒子可為一金粉、一銀粉、一銅粉、一銅包鎳粉、一銀包鎳粉、一導電碳黑粉、或一石墨粉等，而為了使膠水完全填滿孔徑，其黏度範圍1000~40000cps，搖變係數2.0~4.0。

請再參閱第4、5、6圖所示，本發明之觸控薄膜元件穿孔導電之方法，該方法係包括步驟：步驟A：準備一薄膜觸控元件30，該薄膜觸控元件30上設有複數導電線路層31、32，再於該薄膜觸控元件30上進行穿孔，而形成一軸向穿孔33；步驟B：將穿孔後之該薄膜觸控元件30固定； 步驟C：利用一底盤真空吸附裝置(圖中未示)對該薄膜觸控元件30進行底盤真空吸附51，使真空吸附該軸向穿孔33底部；步驟D：於該軸向穿孔33中進行點一導電膠34，使該導電膠34因底盤真空吸附51產生表面張力而於該軸向穿孔33底部上形成一下蓋342，並使該下蓋342接觸該薄膜觸控元件30底層之導電線路層32；步驟E：利用一雷射光偵測裝置52，以雷射光偵測該下蓋342導電膠形狀，偵測包括此形狀之直徑與高度；步驟F：以UV光照射固化該下蓋342導電膠形狀；步驟G：持續點導電膠34直到該軸向穿孔33頂部上形成一上蓋341雛形；步驟H：再利用該底盤真空吸附裝置對該軸向穿孔33頂部進行底盤真空吸附51，使該上蓋341成型並接觸該薄膜觸控元件30上層之導電線路層31；步驟I：再利用該雷射光偵測裝置52，以雷射光偵測該上蓋341導電膠形狀，偵測包括此形狀之直徑與高度；步驟J：以UV光照射固定該上蓋341導電膠形狀；步驟K：以高溫固化方式對該導電膠34進行第二段固化，使該導電膠34達到完全固化；步驟L：將一軟性電路板40相接於該薄膜觸控元件30之該複數導電線路層32其中之一上。

如此一來，該導電膠34填充該軸向穿孔33之孔徑，令該薄膜觸控元件30之各導電線路層31、32透過該導電膠34之接觸而相互 導通，且該軟性電路板40相接於該薄膜觸控元件30之該複數導電線路層32其中之一上，而能經由該導電膠34與各導電線路層31、32相互串接。

藉此，透過上述各導電線路層31、32與軟性電路板40作有效串連之設計，令可減少該軟性電路板40所需之空間，除了達到電路訊號傳輸之作用，也可大幅減少邊框的範圍，達到極窄邊框之效能及目的。

復請參閱第4、5、6圖所示，該底盤真空吸附裝置之真空吸力範圍約為0.01~0.1MPa。

復請參閱第4、5、6圖所示，該導電膠34之上蓋341、下蓋342直徑可為150~350um，高度可為20~70um，藉以能完全接觸該薄膜觸控元件30之各導電線路層31、32。

復請參閱第4、5、6圖所示，該薄膜觸控元件30之軸向穿孔33直徑範圍可為100~300um，穿孔深度可為100~300um。

復請參閱第4、5、6圖所示，該導電膠34之導電粒子可為一金粉、一銀粉、一銅粉、一銅包鎳粉、一銀包鎳粉、一導電碳黑粉、或一石墨粉等，而為了使膠水完全填滿孔徑，其黏度範圍1000~40000cps，搖變係數2.0~4.0。

綜合上所述，本發明之觸控薄膜元件穿孔導電結構及方法，確實具有前所未有之創新構造，其既未見於任何刊物，且市面上亦未見有任何類似的產品，是以，其具有新穎性應無疑慮。另外，本發明所具有之獨特特徵以及功能遠非習用所可比擬，所以其確實比習用更具有其進 步性，而符合我國專利法有關發明專利之申請要件之規定，乃依法提起專利申請。

以上所述，僅為本發明最佳具體實施例，惟本發明之構造特徵並不侷限於此，任何熟悉該項技藝者在本發明領域內，可輕易思及之變化或修飾，皆可涵蓋在以下本案之專利範圍。

30:薄膜觸控元件

31、32:導電線路層

33:軸向穿孔

34:導電膠

341:上蓋

342:下蓋

40:軟性電路板

Claims (5)

1. 一種觸控薄膜元件穿孔導電之方法，該方法係包括步驟：步驟A：於一薄膜觸控元件上進行穿孔，而形成一軸向穿孔；步驟B：將穿孔後之該薄膜觸控元件固定；步驟C：利用一底盤真空吸附裝置對該薄膜觸控元件進行底盤真空吸附，使真空吸附該薄膜觸控元件之軸向穿孔底部；步驟D：於該軸向穿孔中進行點一導電膠，使該導電膠因底盤真空吸附產生表面張力而於該軸向穿孔底部上形成一下蓋，並使該下蓋接觸該薄膜觸控元件底層之導電線路層；步驟E：利用一雷射光偵測裝置，以雷射光偵測該下蓋導電膠形狀，偵測包括此形狀之直徑與高度；步驟F：以UV光照射固化該下蓋導電膠形狀；步驟G：持續點導電膠直到該軸向穿孔頂部上形成一上蓋雛形；步驟H：再利用該底盤真空吸附裝置對該軸向穿孔頂部進行底盤真空吸附，使該上蓋成型並接觸該薄膜觸控元件上層之導電線路層；步驟I：再利用該雷射光偵測裝置，以雷射光偵測該上蓋導電膠形狀，偵測包括此形狀之直徑與高度；步驟J：以UV光照射固化該上蓋導電膠形狀；步驟K：對該導電膠進行第二段固化，使該導電膠達到完全固化；步驟L：將一軟性電路板相接於該薄膜觸控元件之該複數導電線路層其中之一上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控薄膜元件穿孔導電之方法，其中該導電膠進行第二段固化方式係為一高溫固化。
3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控薄膜元件穿孔導電之方法，其中該底盤真空吸附裝置之真空吸力範圍為0.01~0.1MPa。
4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控薄膜元件穿孔導電之方法，其中該導電膠之上蓋、下蓋直徑為150~350um，高度為20~70um。
5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控薄膜元件穿孔導電之方法，其中該薄膜觸控元件之軸向穿孔直徑範圍為100~300μm，穿孔深度為100~300μm。

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