CN110011633A - 一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法 - Google Patents
一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110011633A CN110011633A CN201910342916.8A CN201910342916A CN110011633A CN 110011633 A CN110011633 A CN 110011633A CN 201910342916 A CN201910342916 A CN 201910342916A CN 110011633 A CN110011633 A CN 110011633A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- positive photoresist
- saw filter
- high adhesion
- adhesion force
- mask layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 51
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 17
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical group CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 231100000025 genetic toxicology Toxicity 0.000 description 1
- 230000001738 genotoxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，包括：在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料；在非光敏材料上旋涂正性光刻胶；利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。该方法可以提高正性光刻胶附着力，进而降低剥离工艺的难度，提高成品率。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法。
背景技术
对于声表面波滤波器来说，基片材料的机电耦合系数和频率温度系数决定了其应用。石英压电材料由于具有0.14％的机电耦合系数以及一阶温度系数为0的特性，在极窄带领域具有广泛的应用。但是，由于光刻胶和石英晶圆之间的附着性不理想，经光刻显影后容易出现“漂胶”现象，导致其工艺难度增加。
目前，对于石英基底声表面波滤波器的制造主要采用以下几种方式：一是在石英晶圆表面沉积层铝、铬等金属作为打底层，再利用牺牲层工艺实现声表面波滤波器性能指标；二是在石英晶圆上喷涂增凝剂，提高光刻胶的附着性，再利用剥离工艺实现声表面波滤波器性能指标。然而，利用铝、铬等金属作为牺牲层的方式，在后续工序中需要用酸对打底层进行腐蚀，容易破坏功能层的性质，且工艺稳定性较差；喷涂增凝剂的方式多数使用的是六甲基二硅胺(HMDS)，而HMDS具有生殖毒性，工艺危险度较大。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，可以提高正性光刻胶附着力，进而降低剥离工艺的难度，提高成品率。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，包括：
在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料；
在非光敏材料上旋涂正性光刻胶；
利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，通过在基片材料和光刻胶之间旋涂非光敏弄材料，提高光刻胶附着力，防止光刻胶在显影时发生不必要的脱落；同时非光敏材料的厚度具有可调节性，能够和光刻胶形成多层胶结构，降低剥离工艺的难度，提高成品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
图1为本发明实施例提供的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的匀胶后掩膜层结构示意图；
图3是本发明实施例提供的显影后掩膜层结构示意图；
图4是采用本发明实施例提供的方法的显影后效果图；
图5是本发明实施例提供的镀膜后掩膜层结构示意图；
图6是本发明实施例提供的声表面波滤波器基本结构示意图；
图7是采用本发明实施例提供的方法的剥离后效果图。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
本发明实施例提供一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，如图1所示，其主要包括如下步骤：
1、在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料。
本步骤可以采用如下方式操作：在选定的基片材料上以2300r/20s的匀胶转速旋涂非光敏材料，对非光敏材料进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂，温度180℃，时间40min。
示例性的，基片材料可以选择34°石英压电基片，非光敏材料可以为LOR5A光阻。
2、在非光敏材料上旋涂正性光刻胶。
本步骤可以采用如下方式操作：在非光敏材料上以3000r/20s的匀胶转速旋涂正性光刻胶，对正性光刻胶进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂，温度90℃，时间40min。
示例性的，所述正性光刻胶可以为AZ系列或SPR系列正性光刻胶。
本发明实施例中，所述非光敏材料与正性光刻胶形成的双层胶结构为掩膜层；其中，非光敏材料的厚度为掩膜层总厚度的1/5～1/3，正性光刻胶的厚度为掩膜层总厚度的2/3～4/5。此外，非光敏材料溶解于显影液中的速率大于光刻胶的溶解速率。
如图2所示，为匀胶后掩膜层结构，其中，1-基片材料，2-非光敏材料，3-正性光刻胶。
3、利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。
还参见图1，主要实现过程如下：
1)对掩膜层进行曝光，并进行烘焙处理。
示例性的，对掩膜层曝光时间为120ms～280ms，曝光能量密度为600mJ/cm2～700mJ/cm2。掩膜层进行曝光后烘焙处理的温度可以为90℃，时间可以为5min。
2)利用显影液对烘焙后的掩膜层进行显影，并进行烘焙处理。
示例性的，显影液可以为质量浓度2.38％的TMAH正性光刻胶显影液，显影时间可以为5s-20s。对掩膜层进行显影后烘焙处理的温度可以为90℃，时间可以为10min。
如图3所示，为显影后掩膜层结构，如图4所示，为显影后的效果。
3)在显影后的掩膜层上沉积金属材料。
本发明实施例中，在显影后的掩膜层上沉积金属材料时可以使用真空蒸镀技术实现，方式如下：在掩膜层上镀一层过渡层，后在所述过渡层上镀一层金属材料。
如图5所示，镀膜后掩膜层结构，其中，1-基片材料，2-非光敏材料，3-正性光刻胶，4-过渡层，5-金属材料。
示例性的，所述过渡层可以采用铬金属材料，所述金属材料可以采用铝金属材料。
4)利用有机溶剂去除正性光刻胶以及附着在正性光刻胶上的金属材料。
示例性的，有机溶剂可以为丙酮和乙醇。
5)利用显影液浸泡剥离后的基片，去除非光敏材料，得到声表面波滤波器基本结构。
如图6所示，为基于上述方式得到的声表面波滤波器基本结构，基片材料1上的过渡层4与功能层5(即，金属材料)具有相同的形状，其中过渡层4的厚度可以为0.5nm～2nm，用于提高金属材料的附着力。功能层5主要用以激励和接收声表面波，其形貌和厚度由电性能指标而定，其相对厚度(即，膜层厚度与波长的比值)为2％～10％。
如图7所示，为通过上述方案剥离后的效果图。
本发明实施例上述方案，通过在基片材料和光刻胶之间旋涂非光敏材料，提高附着力，防止光刻胶在显影时发生不必要的脱落。非光敏材料可溶解于使用的显影液之中，可避免对后续功能层性能的影响；同时非光敏材料的厚度具有可调节性，能够和光刻胶形成多层胶结构，降低剥离工艺的难度，提高成品率。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，包括：
在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料；
在非光敏材料上旋涂正性光刻胶；
利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。
2.根据权利要求1所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，所述非光敏材料与正性光刻胶形成的双层胶结构为掩膜层。
3.根据权利要求1或2所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，非光敏材料的厚度为掩膜层总厚度的1/5～1/3，正性光刻胶的厚度为掩膜层总厚度的2/3～4/5。
4.根据权利要求1或2所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，所述非光敏材料为LOR5A光阻，所述正性光刻胶为AZ系列或SPR系列正性光刻胶。
5.根据权利要求1或2所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，所述利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器包括：
对掩膜层进行曝光，并进行烘焙处理；
利用显影液对烘焙后的掩膜层进行显影，并进行烘焙处理；
在显影后的掩膜层上沉积金属材料；
利用有机溶剂去除正性光刻胶以及附着在正性光刻胶上的金属材料；
利用显影液浸泡剥离后的基片，去除非光敏材料。
6.根据权利要求5所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，对掩膜层曝光时间为120ms～280ms，曝光能量密度为600mJ/cm2～700mJ/cm2。
7.根据权利要求5所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，显影液为质量浓度2.38％的TMAH正性光刻胶显影液。
8.根据权利要求5所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，在显影后的掩膜层上沉积金属材料时使用真空蒸镀技术实现，方式如下：在所述掩膜层上镀一层过渡层，之后在所述过渡层上镀一层金属材料。
9.根据权利要求7所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，所述过渡层采用铬金属材料，其厚度为0.5nm～2nm；所述金属材料采用铝金属材料，其相对厚度为2％～10％。
10.根据权利要求5所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，有机溶剂为丙酮和乙醇。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910342916.8A CN110011633A (zh) | 2019-04-25 | 2019-04-25 | 一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910342916.8A CN110011633A (zh) | 2019-04-25 | 2019-04-25 | 一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110011633A true CN110011633A (zh) | 2019-07-12 |
Family
ID=67174393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910342916.8A Pending CN110011633A (zh) | 2019-04-25 | 2019-04-25 | 一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110011633A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146330A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-12 | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 | 一种铜膜声表面波滤波器钝化层的制备方法 |
| CN116288160A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-06-23 | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 | 增加石英晶体表面与光刻胶附着力的方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1365187A (zh) * | 2000-12-26 | 2002-08-21 | 株式会社村田制作所 | 声表面波器件及其制造方法 |
| US20030090173A1 (en) * | 2001-09-19 | 2003-05-15 | Kenji Sakaguchi | Method of forming electrode pattern of surface acoustic wave device |
| CN101192818A (zh) * | 2006-12-01 | 2008-06-04 | 北京中科飞鸿科技有限公司 | 声表面波传感器芯片及其制作方法 |
| CN101599749A (zh) * | 2009-04-21 | 2009-12-09 | 中国科学院微电子研究所 | 一种声表面波换能器的制作方法 |
| CN101677231A (zh) * | 2008-09-17 | 2010-03-24 | 中国科学院微电子研究所 | 一种采用x射线曝光制作声表面波器件的方法 |
| RU2428766C1 (ru) * | 2010-05-24 | 2011-09-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия |
| CN102680572A (zh) * | 2011-03-16 | 2012-09-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作声表面波传感器敏感膜的方法 |
| CN102868013A (zh) * | 2012-10-11 | 2013-01-09 | 南京大学 | 一种新型太赫兹超宽通带滤波器的制造方法 |
| US20130237055A1 (en) * | 2010-06-11 | 2013-09-12 | Imec | Method of redistributing functional element |
| CN105372735A (zh) * | 2014-08-25 | 2016-03-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 三维金属光栅的制作方法 |
| CN107331601A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-11-07 | 苏州苏纳光电有限公司 | 两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法 |
| CN108389784A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-10 | 清华大学 | 图案化的金属层的制备方法 |
| CN108398860A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-14 | 福建中科光芯光电科技有限公司 | 一种半导体激光器芯片金属的剥离方法 |
-
2019
- 2019-04-25 CN CN201910342916.8A patent/CN110011633A/zh active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1365187A (zh) * | 2000-12-26 | 2002-08-21 | 株式会社村田制作所 | 声表面波器件及其制造方法 |
| US20030090173A1 (en) * | 2001-09-19 | 2003-05-15 | Kenji Sakaguchi | Method of forming electrode pattern of surface acoustic wave device |
| CN101192818A (zh) * | 2006-12-01 | 2008-06-04 | 北京中科飞鸿科技有限公司 | 声表面波传感器芯片及其制作方法 |
| CN101677231A (zh) * | 2008-09-17 | 2010-03-24 | 中国科学院微电子研究所 | 一种采用x射线曝光制作声表面波器件的方法 |
| CN101599749A (zh) * | 2009-04-21 | 2009-12-09 | 中国科学院微电子研究所 | 一种声表面波换能器的制作方法 |
| RU2428766C1 (ru) * | 2010-05-24 | 2011-09-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия |
| US20130237055A1 (en) * | 2010-06-11 | 2013-09-12 | Imec | Method of redistributing functional element |
| CN102680572A (zh) * | 2011-03-16 | 2012-09-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作声表面波传感器敏感膜的方法 |
| CN102868013A (zh) * | 2012-10-11 | 2013-01-09 | 南京大学 | 一种新型太赫兹超宽通带滤波器的制造方法 |
| CN105372735A (zh) * | 2014-08-25 | 2016-03-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 三维金属光栅的制作方法 |
| CN107331601A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-11-07 | 苏州苏纳光电有限公司 | 两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法 |
| CN108389784A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-10 | 清华大学 | 图案化的金属层的制备方法 |
| CN108398860A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-14 | 福建中科光芯光电科技有限公司 | 一种半导体激光器芯片金属的剥离方法 |
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| HONGFEI ZU: "Surface acoustic wave mass sensor based on 128° YX-cut Lithium Niobate for thermogravimetric analysis", 《SURFACE ACOUSTIC WAVE MASS SENSOR BASED ON 128° YX-CUT LITHIUM NIOBATE FOR THERMOGRAVIMETRIC ANALYSIS》 * |
| HONGFEI ZU: "Surface acoustic wave mass sensor based on 128° YX-cut Lithium Niobate for thermogravimetric analysis", 《SURFACE ACOUSTIC WAVE MASS SENSOR BASED ON 128° YX-CUT LITHIUM NIOBATE FOR THERMOGRAVIMETRIC ANALYSIS》, 23 December 2014 (2014-12-23), pages 1 - 4 * |
| 李敬: "Parylene增强型声表面波传感器及其温度响应", 《光学精密工程》 * |
| 李敬: "Parylene增强型声表面波传感器及其温度响应", 《光学精密工程》, vol. 25, no. 12, 31 December 2017 (2017-12-31), pages 3049 - 3051 * |
| 杨丽萍: "四硼酸锂在高频窄带滤波器上的应用探讨", 《压电与声光》 * |
| 杨丽萍: "四硼酸锂在高频窄带滤波器上的应用探讨", 《压电与声光》, vol. 36, no. 1, 31 January 2014 (2014-01-31), pages 27 - 31 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146330A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-12 | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 | 一种铜膜声表面波滤波器钝化层的制备方法 |
| CN116288160A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-06-23 | 北京中科飞鸿科技股份有限公司 | 增加石英晶体表面与光刻胶附着力的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9633899B2 (en) | Method for patterning a graphene layer and method for manufacturing a display substrate | |
| CN109760378B (zh) | 一种渐变色玻璃的制备方法及渐变色玻璃 | |
| CN110011633A (zh) | 一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法 | |
| CN102556950A (zh) | 一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法 | |
| CN103094096A (zh) | 一种用于形成半导体器件金属图形的剥离工艺方法 | |
| CN104980117A (zh) | 一种耐高温的柔性声表面波器件及其制造方法 | |
| CN101192818A (zh) | 声表面波传感器芯片及其制作方法 | |
| CN111146330A (zh) | 一种铜膜声表面波滤波器钝化层的制备方法 | |
| CN115079447A (zh) | 一种集成芯片上制备电极的方法 | |
| CN102608203A (zh) | 用于气体检测的声表面波传感器芯片敏感膜的制备方法 | |
| JPH11231161A (ja) | 単一チャンバ内で平面光導波路を製作する方法 | |
| CN107452600A (zh) | 一种复合抗电镀掩模的制备方法 | |
| CN106444293A (zh) | 一种金属图形的制备方法 | |
| CN101132034A (zh) | 一种制备铟柱的方法 | |
| CN102621601A (zh) | 一种平面像场超分辨成像透镜的制备方法 | |
| JP5936438B2 (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法 | |
| CN104333341B (zh) | 声表面波器件抗300℃高温剥离方法 | |
| CN103809804A (zh) | 触控面板的制造方法 | |
| CN113816335A (zh) | 一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法 | |
| CN100349047C (zh) | 硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法 | |
| JP4664700B2 (ja) | 振動体デバイスの製造方法 | |
| US9383647B2 (en) | Resist film and method of forming pattern | |
| JP5769557B2 (ja) | 水晶振動子片の製造方法 | |
| JP2010028517A (ja) | 弾性波装置の製造方法及び弾性波装置 | |
| JP2005269561A (ja) | 弾性波装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190712 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |