CN110007498A - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。其中,该阵列基板,包括:基板,所述基板包括显示区域以及非显示区域;像素结构层,其设置于所述显示区域;GOA驱动层,其包括GOA驱动电路、公共线以及栅极扫描线;透明金属层,其设置于所述GOA驱动层上并位于所述非显示区域上方,所述透明金属层与所述公共线电连接。本申请通过采用透明金属层与彩膜基板上的ITO电极层形成电容,从而大大增加了公共电容的容值,这等效于加宽公共线的设计,最终效果使得公共电极更加稳定,从而提高显示品质。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
Gate Driver On Array,简称GOA,也就是利用现有薄膜晶体管液晶显示器中的阵列基板制程将栅极行扫描驱动信号电路制作在阵列基板上,实现对栅极逐行扫描的驱动方式。
GOA到显示区域之间会有一条公共电极,这条公共电极会与彩膜基板上的ITO电极形成电容,在面板中,希望公共电极越稳越好,通常的做法是将公共电容加大,即将公共电极的M2走线加粗,使得其与上板的电容加大。但是,面板的空间有限,没有足够的空间给公共走线,这就使得公共线不能够画的足够粗,从而会影响公共线的稳定性。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本申请提供一种GOA驱动单元、GOA电路及显示装置,可以提高显示质量。
本申请提供了一种阵列基板,包括:
基板,所述基板包括显示区域以及非显示区域;
像素结构层,其设置于所述显示区域;
GOA驱动层,其包括GOA驱动电路、公共线以及栅极扫描线;所述GOA驱动电路包括一自举电容;
透明金属层,其设置于所述GOA驱动层上并位于所述非显示区域上方,所述透明金属层与所述公共线电连接。
在本申请所述的阵列基板中,所述非显示区域包括位于所述显示区域第一侧的第一侧非显示区域以及位于所述显示区域第二侧的第二侧非显示区域;第一侧与第二侧为相对侧;
所述GOA驱动层包括第一GOA驱动层以及第二GOA驱动层,所述第一GOA驱动层设置于所述第一侧非显示区域,所述第二GOA驱动层设置于所述第二侧非显示区域,所述第一GOA驱动层以及第二GOA驱动层均包括GOA驱动电路、公共线以及栅极扫描线。
在本申请所述的阵列基板中,所述第一侧非显示区域以及所述第二侧非显示区域均包括临近所述显示区域一侧的第一子区域以及远离所述显示区域一侧的第二子区域;
所述第一GOA驱动层以及第二GOA驱动层分别设置于对应的第二子区域,所述公共线以及栅极扫描线位于所述第一子区域。
在本申请所述的阵列基板中,所述透明金属层设置于所述第一子区域上方,并与所述公共线电连接。
在本申请所述的阵列基板中,所述GOA驱动层与所述透明金属层之间设置有绝缘层,所述公共线通过贯穿所述绝缘层的金属化孔与所述透明金属层电连接。
在本申请所述的阵列基板中,所述金属化孔的数量为多个,且多个金属化孔呈均匀阵列分布。
在本申请所述的阵列基板中,所述透明金属层为ITO金属层。
在本申请所述的阵列基板中,所述非显示区域还包括位于所述显示区域的第三侧的第三子区域,所述第三侧分别与所述第一侧以及所述第二侧为相邻侧;所述第三子区域设置有WOA走线。
本申请还提供了一种显示面板,包括上述任一项所述的阵列基板。
本申请还提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本申请通过采用透明金属层与彩膜基板上的ITO电极层形成电容,从而大大增加了公共电容的容值,这等效于加宽公共线的设计,最终效果使得公共电极更加稳定,从而提高显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一些实施例中的一种阵列基板的平面结构图。
图2是本申请一些实施例中的一种阵列基板的层面结构图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
参阅图1以及图2,图1是本申请一些实施例中的一种阵列基板的平面结构图。图2是本申请一些实施例中的一种阵列基板的层面结构图。
在一些实施例中,该阵列基板包括:基板10、像素结构层20、GOA驱动层30以及透明金属层50。
其中,该基板10包括显示区域11以及非显示区域12;该像素结构层20设置于所述显示区域11;该GOA驱动层30设置于非显示区域12。
该GOA驱动层30包括GOA驱动电路311、公共线313以及栅极扫描线312;该栅极扫描线312一端与该GOA驱动电路311电连接,一端延伸到显示区域以给该像素结构层20提供栅极驱动信号。该公共线313与该栅极扫描线312垂直。当然,公共线313与该栅极扫描线312没有位于同一金属层,其间采用了隔离层隔开,公共线313与栅极扫描线312的布局方式属于现有技术,故不多作描述。
其中,该透明金属层50设置于所述GOA驱动层30上并位于所述非显示区域12上方,所述透明金属层50与所述公共线313电连接。透明金属层50用于与彩膜基板上的ITO电极层形成电容。从而大大增加了公共电容的容值,这等效加宽公共线的设计,最终效果使得公共电极更加稳定,从而提高显示品质。
具体地,非显示区域12包括位于所述显示区域11第一侧的第一侧非显示区域121以及位于所述显示区域第二侧的第二侧非显示区域122;第一侧与第二侧为相对侧;该GOA驱动层30包括第一GOA驱动层31以及第二GOA驱动层32,所述第一GOA驱动层31设置于所述第一侧非显示区域121,所述第二GOA驱动层32设置于所述第二侧非显示区域122,所述第一GOA驱动层31以及第二GOA驱动层32均包括GOA驱动电路、公共线以及栅极扫描线。
其中,该公共线313以及栅极扫描线312均采用透明金属制成,采用金属沉积以及光刻工艺形成该纵横交错的公共线以及栅极扫描线。
其中,该第一侧非显示区域121以及所述第二侧非显示区域122均包括临近所述显示区域一侧的第一子区域以及远离所述显示区域一侧的第二子区域;所述第一GOA驱动层31以及第二GOA驱动层32分别设置于对应的第二子区域,所述公共线313以及栅极扫描线312位于所述第一子区域。
该像素结构层20包括多个像素单元,该多个像素单元呈矩形阵列排布,该每一像素单元均与该栅极扫描线电连接,从而接收该栅极扫描线提供栅极驱动信号,实现显示功能。当然,该像素结构层20的具体结构无需过多描述,其为现有技术。
其中,该透明金属层50设置于所述第一子区域上方,并与所述公共线313电连接。具体地,该GOA驱动层30与所述透明金属层50之间设置有绝缘层40,所述公共线通过贯穿所述绝缘层的金属化孔60与所述透明金属层50电连接。其中,在一些实施例中,该透明金属层50为ITO金属层。
其中,该金属化孔60的数量为多个,且多个金属化孔60呈均匀阵列分布,从而提高导电连接的稳定性。该金属化孔60均为圆柱状的通过并在其中填充透明的导电金属形成,具有优良的导电性。
其中,该非显示区域12还包括位于所述显示区域11的第三侧的第三子区域123,所述第三侧分别与所述第一侧以及所述第二侧为相邻侧;所述第三子区域设置有WOA走线70。
本申请还提供了一种显示面板,其包括彩膜基板以及上述实施例中提供的阵列基板。该彩膜基板的下表面设置有ITO电极层,该ITO电极层与该公共线形成电容,并与该透明金属层形成电容,从而大大增加了公共电容的容值,这等效加宽公共线的设计,最终效果使得公共电极更加稳定,从而提高显示品质。
本申请还提供了一种显示装置,其包括上述实施例中的显示面板。
本申请通过采用透明金属层与彩膜基板上的ITO电极层形成电容,从而大大增加了公共电容的容值,这等效加宽公共线的设计,最终效果使得公共电极更加稳定,从而提高显示品质。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括显示区域以及非显示区域;
像素结构层,其设置于所述显示区域;
GOA驱动层,其包括GOA驱动电路、公共线以及栅极扫描线;
透明金属层,其设置于所述GOA驱动层上并位于所述非显示区域上方,所述透明金属层与所述公共线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区域包括位于所述显示区域第一侧的第一侧非显示区域以及位于所述显示区域第二侧的第二侧非显示区域;第一侧与第二侧为相对侧;
所述GOA驱动层包括第一GOA驱动层以及第二GOA驱动层,所述第一GOA驱动层设置于所述第一侧非显示区域,所述第二GOA驱动层设置于所述第二侧非显示区域,所述第一GOA驱动层以及第二GOA驱动层均包括GOA驱动电路、公共线以及栅极扫描线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一侧非显示区域以及所述第二侧非显示区域均包括临近所述显示区域一侧的第一子区域以及远离所述显示区域一侧的第二子区域;
所述第一GOA驱动层以及第二GOA驱动层分别设置于对应的第二子区域,所述公共线以及栅极扫描线位于所述第一子区域。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述透明金属层设置于所述第一子区域上方,并与所述公共线电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述GOA驱动层与所述透明金属层之间设置有绝缘层,所述公共线通过贯穿所述绝缘层的金属化孔与所述透明金属层电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述金属化孔的数量为多个,且多个金属化孔呈均匀阵列分布。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述透明金属层为ITO金属层。
8.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区域还包括位于所述显示区域的第三侧的第三子区域,所述第三侧分别与所述第一侧以及所述第二侧为相邻侧;所述第三子区域设置有WOA走线。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910374952.2A CN110007498A (zh) | 2019-05-07 | 2019-05-07 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
PCT/CN2019/107655 WO2020224168A1 (zh) | 2019-05-07 | 2019-09-25 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910374952.2A CN110007498A (zh) | 2019-05-07 | 2019-05-07 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110007498A true CN110007498A (zh) | 2019-07-12 |
Family
ID=67175946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910374952.2A Pending CN110007498A (zh) | 2019-05-07 | 2019-05-07 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110007498A (zh) |
WO (1) | WO2020224168A1 (zh) |
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