CN110002742B - 一种电子设备面板及包含其的电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种电子设备面板，所述电子设备面板为硅酸锂微晶玻璃。本发明提供的电子设备面板采用硅酸锂微晶玻璃，获得了比普通玻璃更高的强度和断裂韧性，并兼具优异的透光性能，能够防止电子设备在受到外力冲击的情况下产生裂纹，并阻止已产生的裂纹进一步扩展，保证电子设备具有良好的图像显示功能。

Description

一种电子设备面板及包含其的电子设备

技术领域

本发明属于显示科技领域，涉及硅酸锂微晶玻璃及其制备方法及用途，尤其涉及高强度、高断裂韧性及高透光率的硅酸锂微晶玻璃及其作为面板玻璃的用途。

背景技术

具有触摸屏的电子器件如液晶电视和智能手机等电子设备，在人们的日常生活中已越来越普及，其中，玻璃是这些电子器件中不可或缺的部件之一。电子设备面板玻璃不仅对强度和韧性有较高要求，其透光率也要相当优异才能保证其实际应用的需求。

以智能手机为例，在手机正面的是面板玻璃，其作用是保护手机触摸屏。但是，由于玻璃是一种脆性材料，其强度一般为90MPa左右，断裂韧性一般为0.7MPa·m^1/2左右。而电子设备会有跌落的可能性，因此，玻璃作为面板材料使用时，对于其强度、韧性以及透光率均有较高的要求。

为了提高玻璃材料的强度，目前普遍的做法是采用化学强化的方法使玻璃表面形成压应力层，从而增加玻璃的抗弯强度。化学强化法是通过对玻璃表面的离子进行替换从而增大玻璃的抗弯强度，例如在熔盐中利用K离子置换玻璃表层的Na离子从而实现玻璃表面强化，从而大幅度提高玻璃的抗弯强度。现有技术公开的用于电子设备面板的玻璃材料经过上述化学强化后，其抗弯强度能达到700MPa左右，这种高强度能有效地降低因电子设备跌落造成的裂纹产生的概率。但是，由于化学强化后的压应力层深度往往只有75μm左右，一旦玻璃表面的微裂纹突破这一压应力层深度，裂纹就会迅速在玻璃内扩展，造成玻璃碎裂。而进一步的研究表明，造成裂纹迅速扩展的根本原因是玻璃的断裂韧性太低，现有电子设备面板玻璃的断裂韧性仅为0.69MPa·m^1/2左右，这也是一个常规玻璃的断裂韧性数值，这种断裂韧性不能有效阻止裂纹在玻璃内的扩展。因此，本领域需要一种提高玻璃材料断裂韧性的方法。

目前公开的文献大多数都着重于研究化学强化法对玻璃表面压应力大小以及表面压应力层深度的影响，而忽略了玻璃的断裂韧性，仅有少数公开专利提及作为电子设备面板的玻璃的断裂韧性。

CN105601116A公开了一种高硬度透明微晶玻璃及其制备方法，其重量百分比组成含有：SiO₂55.0-70.0％；Al₂O₃15.0-20.0％；MgO0-10.0％；ZnO0-12.5％，且其必须含有MgO或ZnO中的一种，其晶化后的微晶玻璃中含有尖晶石晶体。该方案制备出高透明高硬度微晶玻璃，莫氏硬度＞7，玻璃的厚度为1mm时可见光透过率大于80％；克服了普通光学玻璃容易划伤的问题，可用作电子设备保护面板等。但是目前电子设备面板玻璃面临的主要问题是“碎屏”的问题，这需要提高玻璃的强度和韧性才能解决，CN105601116A只是提高了玻璃的硬度，并没有提及玻璃的强度和断裂韧性，因此无法解决“碎屏”的问题。

综上所述，现有技术公开的电子设备玻璃面板无法兼具优异的抗弯强度、断裂韧性以及高透光性，因此有必要提供一种新型的玻璃面板以满足实际应用对避免碎屏、提高玻璃面板使用寿命以及良好图像显示功能的需求。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种电子设备面板，所述电子设备面板为硅酸锂微晶玻璃。

硅酸锂微晶玻璃为在玻璃母相中分散有硅酸锂微晶颗粒，是通过对Li₂O-SiO₂玻璃进行受控析晶而获得，其析出的主要晶相为硅酸锂晶体。由于玻璃母相中存在硅酸锂微晶，因此玻璃的强度和断裂韧性得以提高，使其能够承受更大的破坏力而不产生裂纹，并且即使在微晶玻璃内产生裂纹后，裂纹的扩展也会因为硅酸锂晶体的存在而变慢，从而降低了微晶玻璃“碎屏”的概率，而且，本发明的硅酸锂微晶玻璃具有非常好的透光性，其高透光率满足了电子设备面板的图像显示功能要求。

此外，本发明提供的玻璃组成中含有大量的Li离子，由于Li离子的半径小于同为碱金属的Na离子和K离子的半径，因此本发明的玻璃也非常适合现在普遍采用的化学强化法，即可以通过熔盐中的K离子置换玻璃表层的Li离子从而实现玻璃表面强化，最终大幅度提高玻璃的抗弯强度。本发明提供的玻璃不仅可以通过化学强化法提高玻璃的抗弯强度，而且可以通过析出目标晶体来提高玻璃的断裂韧性，这两种强化手段都会大幅度降低面板玻璃的“碎屏”概率。

本发明中，对电子设备的具体种类不作限定，例如可以是手机、平板、电脑或电视等。

优选地，所述硅酸锂微晶玻璃的断裂韧性为1.27～1.76MPa·m^1/2，例如1.27MPa·m^1/2、1.30MPa·m^1/2、1.35MPa·m^1/2、1.40MPa·m^1/2、1.42MPa·m^1/2、1.46MPa·m^1/2、1.48MPa·m^1/2、1.53MPa·m^1/2、1.55MPa·m^1/2、1.60MPa·m^1/2、1.65MPa·m^1/2、1.70MPa·m^{1 /2}、1.74MPa·m^1/2或1.76MPa·m^1/2等。

优选地，所述硅酸锂微晶玻璃包括玻璃母相，以及分散在所述玻璃母相中的硅酸锂晶体。

优选地，所述硅酸锂微晶玻璃中，硅酸锂晶体的粒径小于30nm，例如28μm、27μm、26μm、25μm、24μm、23μm、22μm、21μm、18nm、16nm、10nm或5nm等，优选小于20nm，在此优选条件下硅酸锂微晶玻璃具有更高的透光率。

本发明对硅酸锂微晶玻璃中硅酸锂晶体的形貌不做限定，例如可以包括梭形形貌和球形形貌，当硅酸锂晶体的形貌为梭形时，此时所述硅酸锂晶体的粒径指梭形的硅酸锂晶体的长轴的长度；当硅酸锂晶体的形貌为球形时，此时所述硅酸锂晶体的粒径指球形的硅酸锂晶体的直径。

优选地，所述硅酸锂微晶玻璃包括玻璃母相，以及分散在所述玻璃母相中的硅酸锂晶体，所述硅酸锂晶体由SiO₂和Li₂O组成。

优选地，在本发明中，所述硅酸锂微晶玻璃是通过对基础玻璃进行一次热处理后得到；所述基础玻璃的制备原料中包括SiO₂和Li₂O组分，SiO₂和Li₂O的质量比为(4～5):1，所述一次热处理的温度为500～750℃。

本发明对基础玻璃进行一次热处理能够使玻璃母相中析出硅酸锂晶体，使硅酸锂微晶玻璃具有更高的强度和断裂韧性，并兼具非常优异的透光性。

本发明提供的硅酸锂微晶玻璃的制备方法中，SiO₂和Li₂O的质量比示例性的可以为4.1:1、4.2:1、4.3:1、4.4:1、4.5:1、4.6:1、4.7:1、4.8:1或4.9:1等。

本发明提供的硅酸锂微晶玻璃的制备方法中，一次热处理的温度示例性的为500℃、550℃、560℃、580℃、590℃、600℃、620℃、635℃、660℃、680℃、700℃、720℃、730℃、740℃或750℃等。过高的一次热处理温度会导致硅酸锂晶体的再次熔化，而过低的一次热处理温度则无法形成硅酸锂晶体。

本发明提供的硅酸锂微晶玻璃的制备方法中，一次热处理的时间在1min以上，示例性的为1min、2min、4min、5min、9min、10min、20min、30min、40min、50min、55min、60min、80min或120min等，优选为1～60min，进一步优选5～30min。

作为可选技术方案，所述一次热处理的温度为550～700℃，例如500℃、550℃、575℃、600℃、625℃、650℃或700℃等；时间为10～30min，例如10min、15min、18min、20min、25min或30min等。

对于本发明所述的一次热处理，在500～750℃的范围内，热处理温度越高，则面板玻璃的强度和韧性越高，透光率越低；而热处理温度越低，则面板玻璃的强度和韧性越低，透光率越高。本领域技术人员可以根据上述规律，根据实际的生产需求调整所述一次热处理温度。

此外，本发明提供的一次热处理是指在500～750℃的范围内进行的一次热处理，在所述硅酸锂微晶玻璃制备过程中，可以进行多次所述一次热处理温度(500～750℃)以下的热处理过程，对最后硅酸锂微晶玻璃的性能不产生影响。

本发明通过大量试验发现，通过调整基础玻璃的SiO₂、Li₂O、K₂O、Al₂O₃、成核剂和着色剂等组分的含量配合关系，控制SiO₂与Li₂O的质量比在(4～5):1，经过一次热处理可以得到高断裂韧性、高透性的硅酸锂微晶玻璃。

以下作为本发明优选的技术方案，但不作为对本发明提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好地达到和实现本发明的技术目的和有益效果。

优选地，所述基础玻璃的组分及相应的重量百分比包括：

所述基础玻璃各组分的重量百分含量之和为100％，并且SiO₂与Li₂O的质量比为(4～5):1；

本发明提供的基础玻璃的配方中，SiO₂的重量百分含量示例性的为51％、52％、55％、58％、60％、63％、65％、67％、70％、72％、75％、77％、79％等。

本发明提供的基础玻璃的配方中，Li₂O的重量百分含量示例性的为11％、12％、14％、16％、18％、19％等。

本发明提供的基础玻璃的配方中，K₂O的重量百分含量示例性的为0.7％、1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、9.5％等。

本发明提供的基础玻璃的配方中，Al₂O₃的重量百分含量示例性的为0.7％、1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％、6％、6.5％、7％、7.5％、8％、8.5％、9％、9.5％、10％、10.5％、11％、11.5％、12％、12.5％、13％、13.5％、14％、14.5％、14.7％等。

本发明提供的基础玻璃的配方中，成核剂的重量百分含量示例性的为0.2％、0.5％、1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％、6％、6.5％、7％、7.5％、8％、8.5％、9％、9.5％、10％等。

本发明提供的基础玻璃的配方中，着色剂的重量百分含量示例性的为0.2％、0.5％、1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、4.7％等，所述着色剂的质量百分含量为0表示不添加着色剂。

本发明限定的0意指不加入相应组分。

本发明限定的着色剂可以根据玻璃的设计颜色进行添加和选择，本发明不做具体限定。

如上述优选技术方案所示，本发明通过对基础玻璃进行一次热处理，可以析出单一晶相硅酸锂，制备得到含有单一晶相硅酸锂晶体的硅酸锂微晶玻璃。

作为进一步优选的技术方案，本发明所述基础玻璃按重量百分比包括如下组分：

所述基础玻璃各组分的重量百分含量之和为100％，其中，SiO₂与Li₂O组分的质量比为(4～5):1。

作为更进一步优选的技术方案，所述基础玻璃以重量百分含量计包括以下组分：

所述基础玻璃中各组分的重量百分含量之和为100％，其中，SiO₂与Li₂O组分的质量比为(4～5):1。

优选地，所述成核剂选自五氧化二磷、二氧化锆或二氧化钛中的任意1种或至少2种的组合。

此外，需要说明的是，本发明加入的二氧化锆是以成核剂的形式加入的，其作用是为硅酸锂晶体提供成核中心，并不用于提高硅酸锂微晶玻璃的强度和断裂韧性，且其含量符合成核剂的含量要求。

优选地，所述着色剂为氧化物和/或颜料；所述氧化物优选自氧化铁、氧化钛、氧化铈、氧化铜、氧化铬、氧化镍、氧化锰、氧化硒、氧化银、氧化铟、氧化金或稀土氧化物中的任意1种或至少2种的组合；所述稀土氧化物优选为氧化钕、氧化镨或氧化钐中的任意1种或至少2种的组合。

作为优选技术方案，本发明所述硅酸锂微晶玻璃的制备方法包括如下步骤：

(1)将制备基础玻璃的原料混合，进行球磨，然后熔融后，经过成型、退火得到基础玻璃；

(2)将步骤(1)得到的基础玻璃升温至500～750℃进行一次热处理，得到硅酸锂微晶玻璃。

优选地，本发明所述制备基础玻璃的原料中，成核剂以成核剂前驱体的形式加入，着色剂以着色剂前驱体的形式加入。

本发明所述成核剂意指能够稳定存在于基础玻璃中，在一次加热过程中能够促进硅酸锂晶体析出的成核物质。在所述基础玻璃的制备过程中，成核剂可以通过将成核剂以化合物的形式加入，也可以以成核剂前驱体的形式加入，所述成核剂前驱体是指能够在基础玻璃的制备过程(如熔融、成型等)中形成成核剂的物质。示例性地，当所述成核剂为P₂O₅时，成核剂前驱体为磷酸二氢铵和/或磷酸氢二铵，在基础玻璃制备过程中磷酸二氢铵和/或磷酸氢二铵分解为P₂O₅并稳定存在于玻璃中，并在一次加热过程中，以五氧化二磷为成核剂，促进硅酸锂晶体的析出。

在所述制备基础玻璃的原料中，着色剂是指能够稳定存在于基础玻璃中，起到着色的物质。本发明所述着色剂可以以着色剂本身加入，也可以以着色剂前驱体的形式加入，所述着色剂前驱体指在基础玻璃制备过程中能够转化为着色剂，并稳定存在于玻璃中的物质。

在本发明所述基础玻璃中，SiO₂与Li₂O组分的质量比为(4～5):1，若SiO₂与Li₂O的质量比比值大于5:1，基础玻璃中会析出热膨胀系数大的石英相，导致得到的硅酸锂微晶玻璃体内产生热应力，降低其透光性和力学性能，若SiO₂与Li₂O的比值小于4:1，会导致硅酸锂晶体的尺寸超过10μm，降低硅酸锂微晶玻璃的力学性能。

优选地，步骤(1)中所述球磨包括行星式球磨。

优选地，步骤(1)中所述球磨的时间为1～60min，例如1min、2min、4min、5min、9min、10min、20min、30min、40min、50min、55min、60min等。

优选地，步骤(1)中所述熔融的温度为1200℃～1600℃，例如1200℃、1250℃、1300℃、1350℃、1400℃、1450℃、1500℃、1550℃、1600℃等，熔融的时间为1h～5h，例如1h、2h、3h、4h、5h等。

优选地，步骤(1)中所述成型包括浇铸成型，例如可以浇铸成玻璃薄板。

本发明通过选用硅酸锂微晶玻璃作为电子设备面板，利用其中含有的硅酸锂微晶颗粒明显提高了电子设备面板的强度和断裂韧性，尤其是当其中的硅酸锂晶体粒径小于20nm时，其强度、断裂韧性和透光性都具有优异的表现。此外，对于本发明所提供的电子设备面板，本领域技术人员可以根据需要配合本领域公知的后处理技术(例如化学强化法)来提高相应的性能，例如通过化学强化法提高玻璃面板的抗弯强度等，本发明不做具体限定。

本发明的目的之二在于提供一种手机，所述手机的面板为目的之一所述的硅酸锂微晶玻璃；

优选地，所述手机的背板为二硅酸锂微晶玻璃。

现有技术中未公开以硅酸锂微晶玻璃为面板的手机。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

(1)本发明提供的电子设备面板采用硅酸锂微晶玻璃，能防止电子设备在受到冲击的过程中产生裂纹，并阻止裂纹进一步扩展，而且由于本发明的硅酸锂微晶玻璃具有非常优异的透光性，可以满足电子设备对图像显示功能的要求。

(2)本发明通过提供特定的组成制备基础玻璃，控制SiO₂、Li₂O及其他组分的配合关系，特别是控制了SiO₂与Li₂O的比例关系，使基础玻璃在500℃～750℃经过一次热处理后，可析出合适晶体尺寸、形貌以及晶体数量的硅酸锂微晶，从而在不降低基础玻璃透光率的情况下提高了基础玻璃的断裂韧性，采用该硅酸锂微晶玻璃的电子设备面板具有优异的强度、断裂韧性以及透光性，相较于现有技术(铝硅酸盐玻璃电子设备面板的断裂韧性仅为0.69MPa·m^1/2)，本发明提供的电子设备面板玻璃的断裂韧性提高80％以上。

(3)本发明提供的电子设备面板能够进一步采用现有技术进行后处理，以获得性能的进一步提高。

(4)当采用本发明提供的硅酸锂微晶玻璃作为电子设备面板且同时采用二硅酸锂微晶玻璃作为电子设备背板时，可以大幅提高面板和背板的生产效率，因为硅酸锂微晶玻璃和二硅酸锂微晶玻璃均由同一种基础玻璃热处理而成，它们只是经历的热处理温度不同而已。

附图说明

图1是实施例1所得硅酸锂微晶玻璃的微观结构图；

图2是实施例1所得硅酸锂微晶玻璃的XRD图；

图3是实施例1所得硅酸锂微晶玻璃对380nm～780nm范围可见光的透光率曲线图。

具体实施方式

为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。

实施例1～5

一种硅酸锂微晶玻璃板，其制备方法包括如下步骤：

(1)根据表1列出的各组分的量，分别称取分析纯的SiO₂、Li₂CO₃、K₂CO₃、Al₂O₃、TiO₂和CeO₂，用行星式球磨机充分混磨后，取出烘干；将烘干后得到的粉料放在铂合金坩锅中，置于箱式电阻炉中，空气气氛下升温至1550℃，恒温3h，然后在1400℃下取出浇铸成基础玻璃板；浇铸所得的基础玻璃薄板的重量约80克左右；

(2)将步骤(1)得到的基础玻璃板在500～750℃热处理1～60min后，析出单一的硅酸锂晶相，得到硅酸锂微晶玻璃。

表1给出了实施例1～5提供的基础玻璃的配方和工艺条件：

表1

性能测试方法：

(1)断裂韧性：采用压痕－强度法(indentation strength technique-IS)进行断裂韧性的测定。试样的尺寸是2mm×4mm×20mm，每组10个样品，每个试样的四个面都经过倒角、磨平和抛光。试样制备完成后，用维氏硬度压头在试样上加49N的力并维持30s的时间，打出压痕后，用三点弯曲的方法测定其断裂强度，最后通过断裂强度计算出断裂韧性。

(2)弯曲强度：试样的抗弯曲强度在万能试验机上通过三点弯曲法测定，试样的尺寸为2mm×4mm×20mm，跨距为18mm，测试压头的移动速率为05mm/min。每个试样的四个面都经过倒角、磨平和抛光。每组试验结果为15个试样所测结果的平均值。

(3)透光率：采用分光光度计对微晶玻璃测试样品在380nm～780nm波长范围内的透光率进行测试，本发明的测试样品的厚度为1mm。

图1是实施例1制备的硅酸锂微晶玻璃的微观结构图，可以看出，由图只能看到均匀的玻璃母相，这是由于该微晶玻璃中硅酸锂晶体的尺寸极为细小以至于在扫描电镜下难以辨认。

图2是实施例1所得硅酸锂微晶玻璃的XRD图，由图可以看出，该微晶玻璃中的晶体种类为硅酸锂晶体。

图3是实施例1所得硅酸锂微晶玻璃对可见光的透光率，由图可知，该硅酸锂微晶玻璃在可见光波长范围内的透光率大于90％。

通过本发明所述的硅酸锂微晶玻璃的制备方法制备得到的硅酸锂微晶玻璃中的硅酸锂晶体非常细小且分散在玻璃母相中，尺寸小于30nm，以至于在扫描电镜下无法分辨(参见图1)，虽然从SEM图中无法分辨出硅酸锂晶体的尺寸，但是通过对其进行XRD(参见图2)分析可知，硅酸锂微晶玻璃中确实存在硅酸锂晶体，说明硅酸锂微晶玻璃中存在非常细小的硅酸锂晶体，硅酸锂晶体的析出明显提高了微晶玻璃的断裂韧性，且基本没有降低透光率。

实施例6～8

与实施例5的区别仅在于一次热处理温度和时间不同：

实施例6：一次热处理温度为550℃，时间为20min；

实施例7：一次热处理温度为700℃，时间为20min；

实施例8：一次热处理温度为750℃，时间为20min；

热处理后形成的硅酸锂微晶玻璃的断裂韧性分别为：1.40±0.12MPa·m^1/2(实施例6)、1.52±0.15MPa·m^1/2(实施例7)、1.58±0.16MPa·m^1/2(实施例8)。

对比例1

与实施例2的区别仅在于：SiO₂的含量为81.6wt％，Li₂O的含量为6.4wt％。

对比例1中，SiO₂/Li₂O＝12.75。

本对比例1浇铸制备的玻璃薄板在600℃热处理30min后，除了析出硅酸锂主晶相外，还析出了明显的石英晶相。由于石英晶相的析出引起了巨大的热应力，因此制得的硅酸锂微晶玻璃的断裂韧性降低很多，断裂韧性仅为1.06±0.15MPa·m^1/2。

对比例2

与实施例4的区别仅在于：SiO₂的含量为48.6wt％，Li₂O的含量为12.7wt％。

对比例2中，SiO₂/Li₂O＝3.83。

本对比例2浇铸制备的玻璃薄板在600℃热处理30min后，析出的硅酸锂晶体的尺寸超过15μm，导致硅酸锂微晶玻璃的断裂韧性大幅降低，仅为1.08±0.21MPa·m^1/2。

对比例3

与实施例3的区别仅在于：SiO₂的含量为77.5wt％，Li₂O的含量为21.3wt％。

对比例3中，SiO₂/Li₂O＝3.64。

本对比例3浇铸制备的玻璃薄板在600℃热处理30min后，析出的硅酸锂晶体的尺寸超过2μm，导致硅酸锂微晶玻璃的透光率低于90％，无法用作面板玻璃。

对比例4

与实施例5的区别仅在于：SiO₂的含量为66.2wt％，Li₂O的含量为9.2wt％。

对比例4中，SiO₂/Li₂O＝7.20。

本对比例4浇铸制备的玻璃薄板在600℃热处理45min后，除了析出硅酸锂主晶相外，还析出了明显的石英晶相。由于石英晶相的析出引起了巨大的热应力，因此制得的硅酸锂微晶玻璃的断裂韧性降低很多，断裂韧性仅为0.92±0.13MPa·m^1/2。而且石英晶相的析出导致透光率也大幅降低，制得的硅酸锂微晶玻璃在可见光波长范围内的透光率低于90％，使其无法应用在电子设备面板上。

从实施例和对比例可以看出，根据本发明提供的组成制备的基础玻璃，由于控制了SiO₂、Li₂O及其他组分的配合关系，特别是控制了SiO₂与Li₂O的比例关系，再配合特定的热处理制度，使得制备得到的硅酸锂微晶玻璃中硅酸锂晶体的尺寸小于30nm，不仅在可见光波长范围内具有90％以上的透光率，而且具有1.27～1.76MPa·m^1/2的断裂韧性，将其做为面板玻璃使用时，可以大幅降低现有面板玻璃的“碎屏”概率。

申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (20)

1.一种电子设备面板，其特征在于，所述电子设备面板为硅酸锂微晶玻璃；

所述硅酸锂微晶玻璃由玻璃母相，以及分散在所述玻璃母相中的硅酸锂晶体组成；

所述硅酸锂微晶玻璃的断裂韧性为1.27～1.76MPa·m^1/2；

所述硅酸锂微晶玻璃在380nm～780nm波长范围的透光率在90％以上；

所述硅酸锂微晶玻璃中，硅酸锂晶体的粒径小于30nm；

所述硅酸锂微晶玻璃是通过对基础玻璃进行一次热处理后得到；所述一次热处理的温度为500～750℃；

所述基础玻璃按重量百分比由如下组分组成：

所述基础玻璃各组分的重量百分含量之和为100％，并且SiO₂与Li₂O的质量比为(4～5):1。

2.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述电子设备为手机、平板、电脑或电视中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃中，硅酸锂晶体的粒径小于20nm。

4.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃的制备过程中，对基础玻璃的热处理的时间为1min以上。

5.如权利要求4所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃的制备过程中，对基础玻璃的热处理的时间为1～60min。

6.如权利要求5所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃的制备过程中，对基础玻璃的热处理的时间为5～30min。

7.如权利要求6所述的电子设备面板，其特征在于，所述一次热处理的温度为550～700℃，时间为10～30min。

8.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述基础玻璃按重量百分比由如下组分组成：

所述基础玻璃各组分的重量百分含量之和为100％，并且SiO₂与Li₂O的质量比为(4～5):1。

9.如权利要求8所述的电子设备面板，其特征在于，所述基础玻璃以重量百分含量计包括以下组分：

所述基础玻璃中各组分的重量百分含量之和为100％，并且SiO₂与Li₂O的质量比为(4～5):1。

10.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述成核剂选自五氧化二磷、二氧化锆或二氧化钛中的任意1种或至少2种的组合。

11.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述着色剂为氧化物和/或颜料；所述氧化物选自氧化铁、氧化钛、氧化铈、氧化铜、氧化铬、氧化镍、氧化锰、氧化硒、氧化银、氧化铟、氧化金或稀土氧化物中的任意1种或至少2种的组合；所述稀土氧化物为氧化钕、氧化镨或氧化钐中的任意1种或至少2种的组合。

12.如权利要求1所述的电子设备面板，其特征在于，所述硅酸锂微晶玻璃的制备方法包括如下步骤：

(1)将制备基础玻璃的原料混合，进行球磨，然后熔融后，经过成型、退火得到基础玻璃；

(2)将步骤(1)得到的基础玻璃升温至500～750℃进行一次热处理，得到硅酸锂微晶玻璃。

13.如权利要求12所述的电子设备面板，其特征在于，所述制备基础玻璃的原料中，成核剂以成核剂前驱体的形式加入，着色剂以着色剂前驱体的形式加入。

14.如权利要求13所述的电子设备面板，其特征在于，当成核剂为P₂O₅时，成核剂原料为磷酸二氢铵和/或磷酸氢二铵。

15.如权利要求12所述的电子设备面板，其特征在于，所述球磨包括行星式球磨。

16.如权利要求12所述的电子设备面板，其特征在于，所述球磨的时间为1～60min。

17.如权利要求12所述的电子设备面板，其特征在于，所述熔融的温度为1200℃～1600℃，熔融的时间为1h～5h。

18.如权利要求12所述的电子设备面板，其特征在于，所述成型包括浇铸成型。

19.一种手机，其特征在于，所述手机的面板为权利要求1～18之一所述的电子设备面板。

20.如权利要求19所述的手机，其特征在于，所述手机的背板为二硅酸锂微晶玻璃。

Images