CN109996925A - 高阻尼rc格构梁和具有高阻尼rc格构梁的底部结构 - Google Patents

Abstract

本发明具体涉及一种可极大地抑制振动传递的钢筋混凝土格构梁。由于该钢筋混凝土格构梁中包含的混凝土为含有聚合物的聚合物混凝土，因此可有效抑制能另外影响曝光装置的精细级振动，而传统的格构梁的深度可保持不变。因此，提供了一种高阻尼钢筋混凝土格构梁，通过降低缺陷率并提高生产力，使精密曝光装置的性能得以最大化。

Description

高阻尼RC格构梁和具有高阻尼RC格构梁的底部结构

技术领域

本发明涉及一种使用高阻尼混凝土的钢筋混凝土(RC)格构梁。

背景技术

近来，在半导体行业，半导体存储设备朝着更高集成度和更高精度的方向快速发展，因此，与空气清洁度和微振控制相关的技术的重要性也被强调。

曝光装置是高科技半导体工艺的重要部件，特别地，它是用于通过将射线照射到圆形半导体板上的方式来绘制电路图案的装置，该圆形半导体板被称为晶圆。半导体曝光过程需要使射线穿过在其中提供电路图案的掩膜(mask)，这样射线将电路图案绘制到其上附有感光液薄膜的晶圆的表面上。由于射线在将掩膜放置到晶圆上后被照射出，因此穿过电路图案的射线将电路图案转录到晶圆上。

这里，曝光过程是通过被称为步进式曝光机(stepper)的曝光装置来执行的。当掩膜被放置到该步进式曝光机上并且光线通过时，在涂有感光液的晶圆上形成电子电路的精细级(fine scale)制图。

为了以更为精细的等级形成电路图案，需要提高曝光装置的分辨率，也称为分辨能力。分辨能力或分辨率是指将两个相邻的物体识别为彼此分离的能力。它主要用于表示光学设备的性能，并且在用于在晶圆上刻电路图案的曝光装置的环境中，该能力评估“能以何种精细等级形成电路图案”。试图绘制超出分辨率限制的精细图案，会因射线的衍射及产生的散射而产生干扰，致使在晶圆上将形成与原始掩膜图案不同的失真图案。具有失真图案的芯片将不能正常工作。

到目前为止，半导体曝光装置通过使用具有较高数值的孔径(NA)的透镜或使用较短频率的光源来提高分辨率。直到130nm的半导体，使用了具有248纳米(nm)波长的氟化氪(KrF)准分子激光器，以及，从90nm级起，利用了具有193nm波长的氟化氩(ArF)准分子激光器。伴随这些进程，用于减少因射线衍射和散射造成的干扰的各种分辨率提高技术被引入。这些技术的一些示例包括相移掩膜(PSM)和光学邻近校正(OPC)掩膜，该相移掩膜调整射线的强度和相位以消除衍射光，该光学邻近校正掩膜人为地调整在其位置处预期发生失真的图案，从而获得正确的图案。

目前被应用在最新的半导体生产线上的ArF曝光装置利用湿浸式(immersion)技术，该湿浸式技术通过使用具有高于空气折射率的折射率(1.44)的液体介质来提高分辨率。然而，如果栅极线宽度减小到30nm或更低，用于实现电路图案的湿浸式ArF曝光装置的物理能力也达到了其极限。

作为一种新的替代物而获得关注的是极紫外(EUV)射线，这是一种在介于紫外(UV)线和X射线之间的中程内的电磁波。意图用于半导体工艺的EUV射线被设计为具有13.5nm波长。通过利用具有短波长的EUV射线，使得通过单次曝光而不是通过多重曝光(multi-patterning)来生产低于10nm的半导体成为可能。目前，唯一开发EUV设备的制造商是荷兰的ASML公司，该公司在半导体曝光市场中排名第一。

韩国公司也已经开始采用使用这种EUV射线的曝光装置，并且在使用EUV曝光装置时，仅需要执行一次图案化操作，这与使用ArF的现有装置需要多重曝光操作不同，从而大大降低了图案化成本。当使用15mJ剂量的感光液(其中，毫焦耳剂量是表示光敏反应需要多少辐射量的单位，其中，该值越高表示需要越多的辐射量)时，通过EUV射线进行图案化的成本小于300％(对于湿浸式ArF，其成本视为100％)。

然而，在过去，由于现有的氟化氩(ArF)曝光装置中的ArF的波长为193nm，因此，用于半导体工厂的格构梁被设计为提供亚微米级的微振控制，最新的利用EUV射线的曝光装置的引入意味着小于10纳米的逻辑芯片可以被生产，由此，目前存在对几纳米级的振动控制的需求。

与半导体工厂中的微振控制相关的技术主要可分为关于如下几项的方法：低振动建筑结构的设计、半导体制造设备的布置和分离、振动源的振动防护、对振动敏感的机器的振动控制等。此外，对振动影响的整体评价必须从最初设计阶段进行到生产原型的最后阶段。

与半导体工厂中的振动控制密切相关的独特结构是格构梁，它用于空气净化。在此格构梁结构上，安装独立振动控制台，并在该独立振动控制台上放置精密半导体生产设施。

一般来说，针对通路地板(access floor)和振动控制台的不同频率，还在三个维度上提供了关于半导体工厂中允许的振动水平的规定，该振动控制台是其上安装有高精密曝光装置(例如，步进式曝光机、对准器等)的独立的隔离基座(isolated foundation)。

当设计传统的格构梁时，结构的阻尼比被固定为一预先确定的、适合于该结构的特性的值，而刚度和质量则被设置为变量。换句话说，为了有效地控制格构梁的动态响应，格构梁结构的刚度需要被提高以减少振动位移，并且格构梁的固有频率必须被设计为高于外部振动源的频率。由于满足这些要求需要高刚度，所以大尺寸是不可避免的。

在这样的情况下，为了使振动控制性能的水平达到上文所述的为了引入最新的曝光装置所需的几纳米级，需要增加格构梁的深度。也就是说，该深度需要按照至少两倍于当前格构梁的深度增加。

然而，增加格构梁的深度会影响建筑的高度，并由于设施尺寸增加、固化时间增加、移除混凝土模具的难度增加、起重和运输设备的尺寸增加等问题将降低可制造性。此外，起重重量的限制使结构需要被划分成更小的模块，导致增加起重步骤的次数，并降低和易性(workability)。

特别的，虽然预计韩国将成为最新的EUV曝光装置的最大使用者，但在半导体设施工厂不可避免地面临建设方面的问题，除非实现超细振动控制的技术问题被解决。

因此，即使最新的曝光装置的引入将使得能够生产几纳米级的超精密的高集成半导体，并且与现有的装置相比，能够使生产力有两倍的提高，使其在全球半导体市场中处于相当大的竞争优势的位置，然而，目前缺乏对可以实现纳米级的振动抑制的格构梁技术的研究，这形成一种技术上的障碍。因此，迫切需要能够克服这一障碍并实现超细微振抑制的格构梁技术。

[相关技术文档]

韩国专利号10-0392188(2003年7月8日注册)

发明内容

技术问题

因此，为了解决相关技术中发现的问题，本发明的目的是提供一种钢筋混凝土格构梁，该钢筋混凝土格构梁能够在保持传统格构梁的尺寸的同时抑制超细振动，从而有效地控制到达曝光装置的精细级振动。

技术方案

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种高阻尼钢筋混凝土格构梁，用于形成半导体工厂的地板的板坯(slab)，其中，包括在该格构梁中的混凝土被设计为具有大于15％的阻尼比。

优选地，包括在该格构梁中的混凝土为聚合物混凝土，该聚合物混凝土包含混合在其中的聚合物。

此处，优选地，该聚合物混凝土为以下之一：具有在混凝土组分混合过程期间被额外混合的水溶性的或分散的聚合物的混凝土；具有混入其中作为唯一的粘结剂的聚合物的混凝土；或者，通过借由加压、减压或重力辅助的渗透方法，浸渍硬化的混凝土中的孔隙的方式制造的混凝土。

根据本发明的实施例的具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构包括：

安装在半导体工厂内的柱体(stud)，其中，该柱体是沿纵向和横向方向按照预定间隔安装的垂直柱；

单向梁，放置并附着到两个相邻的柱体的上部，以横跨(traverse)并连接该两个相邻的柱体的上部；以及

格构梁，具有矩形形状，并且被安装以填充在由单向梁包围的矩形水平区域中，其中该格构梁含有聚合物混凝土，该聚合物混凝土包含添加至其中的聚合物。

此处，优选地，该聚合物混凝土为以下之一：具有在混凝土组分混合过程期间被额外混合的水溶性的或分散的聚合物的混凝土；具有混入其中作为唯一的粘结剂的聚合物的混凝土；或者，通过借由加压、减压或重力辅助的渗透方法，浸渍硬化的混凝土中的孔隙的方式制造的混凝土。

优选地，该单向梁具有在沿宽度方向的每个侧面上向外突出以形成台阶(curb)的上部，该格构梁具有在周面上向外突出以形成台阶的下部，并且该格构梁被安装以使该格构梁的周面台阶的底面被置于该单向梁的侧面台阶的上表面之上。

此处，多个垂直杆沿柱体的纵向方向被插入到柱体中，该垂直杆具有突出以超出柱体的上表面的上端，单向梁具有杆插入孔，该杆插入孔沿着该单向梁的底面的长度方向的两侧形成在该单向梁的底面上，用于容纳插入其中的垂直杆的突出的上端，并且柱体通过将垂直杆插入杆插入孔的方式与单向梁连接。

优选地，在柱体的上部接触的两个单向梁中的每个具有上边缘，该上边缘在单向梁的端部被切断以形成台阶，当两个单向梁的端部以对齐的方式在柱体的上部连接时，因台阶的接触形成上杆暴露空间，并且单向梁和格构梁通过将混凝土注入到该上杆暴露空间中、单向梁之间、以及单向梁和格构梁之间的方式被连接。

此处，优选地，注入到上杆暴露空间中、单向梁之间、以及单向梁和格构梁之间的混凝土为聚合物混凝土。

有益效果

根据本发明的实施例的钢筋混凝土格构梁可以提供到达最新的最先进的曝光装置的精细级振动的阻尼，甚至是针对几纳米级的极细振动的阻尼，同时能保持传统的格构梁的厚度。因此，本发明提供了如下有益效果：通过降低生产的半导体的缺陷率并提高生产力，使精密的最先进的曝光装置的性能得以最大化。

附图说明

图1是表示输入频率与固有频率之比与结构的响应之间的关系的曲线图；

图2是根据本发明的实施例的格构梁结构的爆炸透视图；

图3是根据本发明的实施例的格构梁结构中的格构梁的局部透视图；

图4是根据本发明的实施例的格构梁结构中的单向梁的局部透视图；

图5是根据本发明的实施例的格构梁结构中的柱体的局部透视图；

图6示出了根据本发明的实施例的格构梁结构的平面图和横截面图；

图7是图6中标为“A”的区域的放大图；

图8示出了单向梁的正横截面图；

图9示出了单向梁的侧横截面图。

附图标记说明

d1：单向梁与格构梁之间的间隙

d2：单向梁的端部之间的间隙

10：柱体 12：垂直杆

20：格构梁 22：空腔

23：回缩式台阶的底面

30：单向梁

32：上杆暴露空间

33：突出式台阶的上表面

35：上杆 36：垂直杆插入孔

37：上杆紧固件 40：混凝土

具体实施方式

结合本发明的实施例具体说明的结构和功能描述被提供仅作为示例，通过该示例以举例说明根据本发明的精神的实施方式，并且该实施方式可以根据本发明的精神以各种形式来实施。这里描述的实施方式不应被解释为限制本发明，其应当被理解为包括不背离本发明的精神和技术范围的所有修改、等同以及替代。

下文将参考附图提供本发明的具体实施方式。

本发明的实施例的一特征是提供一种用作半导体工厂中的曝光装置的基座的格构梁，其中，由于该格构梁是由添加了聚合物或橡胶的混凝土制成的，该格构梁提供的振动阻尼比，相比于传统的格构梁，增加了15％或更多。

在确定混凝土的振动特性的参数中，即质量、刚度和阻尼，传统型的混凝土考虑到的参数是质量和刚度。其原因在于很难改变形成格构梁的钢筋混凝土本身的阻尼比。因此，为了有效地控制格构梁的动态响应，需要提高结构的刚度以使振动位移减少，并且需要将固有频率设计为高于外部振动源的频率，以尽可能避免共振的发生。

另外，图1示出了其中阻尼比被固定为特定值的曲线图，其中，该曲线图示出了在没有阻尼的情况下，当固有频率变得更接近于输入频率时，响应被无限放大的要点。

另外，固有频率(f)是指每单位时间振动的次数，它是一种最典型用来表示结构的动态特性的概念。通常，使用单位[Hz]表示每秒(周期/sec)振动的次数。结构的固有频率与刚度(k)成正比，并与质量(m)成反比。

共振是指当结构的固有频率接近于施加在结构上的振动/负载的工作频率时，在该结构中产生的振动的现象。然而，不能说固有频率和工作频率具有相似的值必然引起共振；共振现象只发生在工作频率和固有频率在一定持续时间内持续保持相似，并且两个频率的方向相互影响的情况下。其中容易发生共振态的结构应当被设计为避免这种共振态。例如，汽车轮胎的胎面(突出的图案)由凹槽构成，以防止由于轮胎和路面之间的接触面潮湿造成的滑动，并且当胎面撞击路面产生振动时，共振可能发生在具有与该振动一致的固有频率的汽车部件上。为了防止这种共振，即，为了防止胎面和路面之间的接触产生预定频率的重复出现的振动，胎面图案被设计为非常不规则的形状。如上文所述，由于固有频率与刚度成正比，并与结构的质量成反比，因此改变结构的固有频率需要提高结构的刚度，减小质量，并在结构内部重新分配质量。

另外，单自由度运动系统的运动方程可以表示为：

Mx”(t)+Cx’(t)+Kx(t)＝F(t)，其中，左侧第一项表示惯性力，M表示质量。

图1是表示输入频率与固有频率之比与结构的响应之间的关系的曲线图。如图1所示，可以看出，当没有阻尼时，如果固有频率接近于输入频率，则响应会被无限放大。

从上面的方程可以看出，为了在提高惯性力的同时提高结构的刚度，增加格构梁的厚度是不可避免的。为了抑制纳米级共振的发生，格构梁的深度至少要增加两倍。

然而，因格构梁厚度的增加而导致质量盲目增加，不仅会导致和易性显著下降，并且由于在固化、分离、起重及运输混凝土方面花费额外的时间和精力并使用增加尺寸的设备，导致成本显著增加，还会导致结构的整体安全性存在问题，致使这种方法是不可行的。

此外，即使传统建筑和各种电气面板中使用的减振设备可以针对大级别的振动(例如，地震)提供阻尼以保护结构，但是其是不可能抑制几纳米级的振动以为要引入的最先进的曝光装置保证精度的。

换句话说，任何基于相关技术的方法还不能提供减振以确保新的超精密曝光装置的精度，这样，即使最新的曝光装置可以显著提高韩国半导体行业的竞争力，但还没有确保装置精度的手段。

因此，本发明提出了将高阻尼聚合物混凝土应用于格构梁的方法，以使表示阻尼力的参数项Cx’(t)可以作为实际变量使用。

用作典型建筑材料的硅酸盐水泥混凝土具有经济和结构上的优点，但也具有抗拉强度低、干缩大、以及耐化学性低的缺陷。通过用具有聚合化学结构的聚合物来取代粘结剂的一部分或全部，以解决上述缺陷的方式制造的混凝土品种，被统称为聚合物混凝土或混凝土聚合物复合材料。根据制造方法，聚合物混凝土可分为聚合物水泥混凝土(PCC)、聚合物混凝土(PC)或聚合物浸渍混凝土(PIC)。

聚合物水泥混凝土(PCC)是具有在普通混凝土的混合过程中被额外混入的水溶性的或分散的聚合物的混凝土。聚合反应发生在混凝土的硬化过程中，并且根据所使用的聚合物，可以从外部加热来促进硬化。在需要高附着力和耐久性的情况下通常使用PCC，如桥面铺装、地板抹灰、混凝土修补等。

聚合物混凝土(PC)是不使用水泥、而只使用聚合物作为用于绑定聚集体(aggregate)的粘结剂来制造的混凝土。它在弯曲强度、抗压强度以及抗拉强度方面显著改善，从早期开始便提供高强度以允许减少横截面并减轻重量，并提供与强度和耐久性相关联的优良特性，例如，耐磨性、耐冲击性、耐化学性、耐冻融性、耐腐蚀性等等方面，使得它被广泛应用于各种类型的结构。聚合物水泥砂浆的耐久性优于传统的水泥基灰浆抹面(plaster finishing)，而且由于聚合物水泥砂浆的性能和成本足够平衡，其需求量越来越大，特别是作为修复材料。

此外，对出厂(预制)产品，如检修孔(manhole)、纤维增强塑料(FRP)复合管及复合板、高强度桩、人造大理石等，以及现场浇筑作业，如修复坝渠、修复水电站溢流池、在温泉区浇筑建筑地基等，都具有良好的特性。

聚合物浸渍混凝土(PIC)是通过用聚合物浸渍混凝土材料，以达到提高硬化混凝土的品质的目的的方式来制造的混凝土。

PIC通过以下方式获得：对将被浸渍的材料进行干燥，以形成聚合物可以渗入的空间，以及，通过加压、减压或重力辅助方法将聚合物浸渍到水泥混凝土孔隙中。根据浸渍的程度，可将PIC的类型分为完全浸渍型和部分浸渍型。PIC在耐磨性、改善铺砌材料的性能、提高预应力混凝土的耐久性等等方面提供了优势，并且以提高现有的混凝土结构的表面的硬度、强度、防水性、耐化学性、中和阻力、耐磨性等等为目的，可被用在高速公路铺砌面和大坝的修复作业，屋面板的防水作业等等。

聚合物混凝土的弹性系数略低于普通水泥混凝土的弹性系数，并且其蠕变特性差不多与普通水泥相同，根据聚合物粘结剂的类型和用量以及根据温度可能发生变化。

由于聚合物混凝土在水密性和密封性方面具有近乎完美的结构，因此它对水分的吸收和渗透以及对空气渗透具有很高的抵抗性。

此外，由于聚合物粘结剂的高粘品质，聚合物混凝土容易粘附各种建筑材料，如水泥混凝土、瓷砖、金属、木材、砖等，并提供足够的耐化学性、耐磨性、耐冲击性和电气绝缘性，但不提供足够的阻燃和耐受(endurance)特性，因为其中的聚合物粘结剂是可燃的。

本发明的实施例是制造具有上述聚合物混凝土的格构梁以通过提高阻尼比，尽可能地抑制超细振动。另外，图2和图3示出了由聚合物混凝土制造的格构梁的透视图和主视图。

当采用聚合物混凝土时，不仅将刚度和质量作为设计变量使用，而且也将阻尼作为设计变量使用，可以获得优化设计，使得大大提高可制造性、和易性和经济可行性成为可能。

接下来，参考附图对具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构进行描述，其中，用聚合物混凝土制造的格构梁被应用于该底部结构。

如图2-5所示，根据本发明的实施例的具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构包括在垂直方向安装的柱体、单向梁和格构梁，其中，该格构梁是由上述的聚合物混凝土制成的。

此处，如图4所示，在单向梁30的侧面上形成突出式的台阶，如图3所示，在格构梁20的侧面上形成下沉式或者回缩式的台阶，并且，格构梁20被安装以使格构梁20的侧面台阶的底面置于单向梁30的侧面台阶的上表面之上。

如图4所示的单向梁30的侧面台阶的上表面将被称为“突出式台阶的上表面33”，而如图3所示的格构梁20的侧面上的台阶的底面将被称为“回缩式台阶的底面23”。

在本发明的实施例中，为了连接上文布置的柱体10、格构梁20和单向梁30，准备了混凝土40。混凝土40被注入到在每个柱体10的上部接触的两个单向梁30的端部之间的间隙中，以及在单向梁30的侧表面与格构梁20的侧表面之间的间隙中，以使单向梁30的端部可以相互附着并相互保护，以及单向梁30和格构梁20可以相互附着并相互保护。

未被显示在图2的爆炸透视图中的柱体10仍然安装在两个单向梁30对齐并且连接的各个位置点的下方，如图6所示，并且，柱体10还安装在四个格构梁20连接在一起的各个角落，从而支撑整体结构。

如图5所示，多个垂直杆12沿柱体10的纵向方向被插入到柱体10中，其中，垂直杆12的上端进一步突出以超出柱体10的上表面。如图8和图9所示，用于垂直杆12的上端插入的垂直杆插入孔36形成于单向梁30的底面上、邻近单向梁30的端部的部位处，并且垂直杆12被插入到垂直杆插入孔36，直到该位于单向梁30的端部附近的部位的底面停留在柱体10的上表面为止。

这样，柱体10和单向梁30可以稳固连接，即使在振动发生时也不分离。

此外，在柱体10的上部接触的两个单向梁30中的每个单向梁具有上边缘，该上边缘在单向梁的端部被切断以形成台阶，当两个单向梁30的端部在柱体10的上部，以预定间距被相邻放置成一行时，上杆暴露空间32形成。当混凝土40被注入到如图8中所示的、形成为容器形状的空间中时，混凝土40填充上杆暴露空间32、两个单向梁30的端部之间的间隙(d2)、以及单向梁30和格构梁20之间的间隙(d1)，并且在硬化后连接这些组件。

具体来说，本发明的实施例可以利用聚合物混凝土作为上述的混凝土40，以抑制可能在单向梁30和格构梁20之间传输的超细振动。

此外，如图4所示，本发明的实施例包括在单向梁30的端部处的上杆暴露空间32，在该上杆暴露空间32处，两个单向梁30以对齐的方式接合，并且连接到两个单向梁30的侧面的四个格构梁20接触到一起以形成形状为容器的空间，如图9所示，这样，当注入混凝土40时，不仅阻止混凝土40从单向梁30的上部溢出，而且填充在形成为容器形状的空间中的混凝土40的载荷使得混凝土40更容易流进单向梁30的端部之间的间隙(d2)、以及单向梁30和格构梁20之间的间隙(d1)。此处，“形成为容器形状的空间”对应于上杆暴露空间32。

单向梁30被制造为具有上述的垂直杆插入孔36，该垂直插入孔36从上杆暴露空间32的上表面完全贯穿至单向梁30的底面，如图8和图9所示，所注入的流过上杆暴露空间32的混凝土40也可以被注入到垂直杆插入孔36内，以使垂直杆12稳固附着在垂直杆插入孔36内，这样，可阻止单向梁30从柱体10的上表面分离，即使是在振动发生时。

根据本发明的实施例的用聚合物混凝土制造的格构梁不局限于图2和图3中所示的格构梁的形状，并且，例如如图7所示，在格构梁中形成的晶格形状可以是正方形，或具有不同纵横比的矩形。如图8所示，晶格形状并不局限于四边形形状，也可以是圆形的，在这种情况下，圆的直径也可以不同。

本发明不受上述实施例及附图所限。对于本发明所属技术领域内的普通技术人员而言显而易见的是，在不背离本发明的技术构思的范围内的各种替代、变更和修改是可能的。

Claims (10)

1.一种高阻尼钢筋混凝土格构梁，用于形成半导体工厂的地板的板坯，其中，包括在所述格构梁中的混凝土被设计为具有大于15％的阻尼比。

2.根据权利要求1所述的高阻尼钢筋混凝土格构梁，其中，包括在所述格构梁中的所述混凝土为聚合物混凝土，在该聚合物混凝土中混合有聚合物。

3.根据权利要求2所述的高阻尼钢筋混凝土格构梁，其中，所述聚合物混凝土为以下之一：

具有在混凝土组分混合过程期间被额外混合的水溶性的或分散的聚合物的混凝土；

具有混入其中作为唯一的粘结剂的聚合物的混凝土；或者，

通过借由加压、减压或重力辅助的渗透方法，使用聚合物浸渍硬化的混凝土中的孔隙的方式制造的混凝土。

4.一种具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，所述底部结构包括：

安装在半导体工厂内的柱体，所述柱体为沿纵向和横向方向按照预定间隔安装的垂直柱；

单向梁，放置并附着到两个相邻的柱体的上部，以横跨并连接所述两个相邻的柱体的上部；以及，

矩形形状的格构梁，该格构梁被安装以填充在由单向梁包围的矩形水平区域中，其中所述格构梁含有聚合物混凝土，该聚合物混凝土具有添加到其中的聚合物。

5.一种具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，所述底部结构包括：

安装在半导体工厂内的柱体，所述柱体为沿纵向和横向方向按照预定间隔安装的垂直柱；以及，

具有矩形形状的格构梁，该格构梁被制造为具有沿着纵向和横向方向形成的通孔，以形成晶格网格，所述通孔穿透所述格构梁的上表面和下表面，所述格构梁安装在四个柱体的上部，以使所述矩形形状的四个角在所述下表面被所述柱体支撑，其中所述格构梁含有聚合物混凝土，该聚合物混凝土具有添加到其中的聚合物。

6.根据权利要求4或5所述的具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，其中，所述聚合物混凝土为以下之一：

具有在混凝土组分混合过程期间被额外混合的水溶性的或分散的聚合物的混凝土；

具有混入其中作为唯一的粘结剂的聚合物的混凝土；或者，

通过借由加压、减压或重力辅助的渗透方法，使用聚合物浸渍硬化的混凝土中的孔隙的方式制造的混凝土。

7.根据权利要求4所述的具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，其中，所述单向梁具有在沿宽度方向的每个侧面上向外突出以形成台阶的上部，所述格构梁具有在该格构梁的周面上向外突出以形成台阶的下部，并且，所述格构梁被安装以使所述格构梁的周面台阶的底面被置于所述单向梁的侧面台阶的上表面之上。

8.根据权利要求7所述的具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，其中，多个垂直杆沿所述柱体的纵向方向被插入到所述柱体中；

所述垂直杆具有突出以超出所述柱体的上表面的上端，所述单向梁具有杆插入孔，所述杆插入孔沿着所述单向梁的底面的长度方向的两侧形成在所述单向梁的底面上，所述杆插入孔用于容纳插入到所述杆插入孔中的所述垂直杆的突出的上端，并且所述柱体通过将垂直杆插入杆插入孔的方式与所述单向梁连接。

9.根据权利要求7所述的具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，其中，在所述柱体的上部接触的两个单向梁中的每个具有上边缘，该上边缘在所述单向梁的端部被切断以形成台阶，当所述两个单向梁的端部以对齐的方式在所述柱体的上部连接时，因所述台阶的接触形成上杆暴露空间，并且所述单向梁和所述格构梁通过将混凝土注入到所述上杆暴露空间中、所述单向梁之间、以及所述单向梁和所述格构梁之间的方式被连接。

10.根据权利要求9所述的具有高阻尼钢筋混凝土格构梁的底部结构，其中，注入到所述上杆暴露空间中、所述单向梁之间、以及所述单向梁和所述格构梁之间的所述混凝土为聚合物混凝土。