CN109994582B - 一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构 - Google Patents
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001591024 Samea Species 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229940095676 wafer product Drugs 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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Abstract
一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，包括：基底以及生长于基底上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层及高折射率材料层构成，该低折射率材料层由AlAs1‑xPx材料制成，该高折射率材料层由Al1‑yGayAs1‑zPz材料制成。通过P元素的掺入可以调节DBR层的晶格常数，使其等于或者接近GaAs基底，形成无应变、低应变或者具有应变补偿的DBR结构，由于没有应变积累，生长过程中不会产生外延片翘曲，获得平整、均匀的外延层。DBR由于没有应变积累，可以生长较多层数，获得较高的反射率。DBR层中P元素的占比很小，几乎不会影响材料的折射率，不会破坏DBR原有的光学性质。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构。
背景技术
分布布拉格反射器(DBR)是采用周期性结构的布拉格反射的反射镜结构，包含了两种光学材料组成的可调节的多层结构。最常用的是四分之一反射镜，其中每一层的厚度都对应四分之一的波长。DBR的工作原理如下，光照射在DBR结构后，在两种材料的每个界面处都发生菲涅尔反射。在工作波长时，两个相邻界面处反射光的光程差为半个波长，另外，界面处的反射系数的符号也会发生改变。因此，在界面处的所有反射光发生相长干涉，得到很强的反射。反射率是由材料的层数和材料之间的折射率差决定的。反射带宽则主要由折射率差决定。
根据材料的组成，DBR结构可以分为电解质DBR、光纤DBR及半导体DBR等。其中半导体材料组成的DBR结构广泛应用于发光二极管及半导体激光器中，比如面发射激光器中，DBR结构是最为重要也是制作难度较大的部分。LED及LD中，主要的DBR材料体系为AlGaAsDBR、AlGaInP DBR、AlOy DBR及AlGaInN DBR等。其中AlGaInN DBR主要用于GaN系列的蓝绿发光器件，AlGaInP DBR折射率差异较小且含有稀有元素In，不适合低成本的批量生产，而AlOy DBR在工艺稳定性及导电性上还有不足。目前，GaAs基底的LED及LD器件大部分使用AlGaAs DBR做为反射镜，提高发光强度。比如在620-680nm的红光波段，采用的是A1As/A1xGa1-xAs基DBR，为了避免光吸收，需x>0.4；对于短程通信用的850nm波段，铝的组分要减少为x＝0.25；红外波段的980nm的LED及VCSEL选用的是GaAs/A1As基DBR。
虽然GaAs与AlAs的晶格常数接近，在室温下分别为
和
但仍会有1.3％的晶格失配，在GaAs/AlAs的DBR结构中每一对就会产生1.3％的应变。要获得较高的反射率，需要增加DBR的层数。对于VCSEL，其增益区较薄，要获得足够高的增益需要后腔面的反射率接近100％，而出光面的反射率也要在99％附近。因此高反射率的DBR总对数一般为数十对，而厚度最大可以达到数个微米。在DBR生长过程中，应变的不断积累使得外延层的应力不断加大，导致外延片不再平整，出现一定弧度的翘曲。翘曲的出现，会降低外延片的温度均匀性，生长的材料质量变差，同时，后续器件制作过程中也容易出现裂片的现象。因此在外延片生长过程中应尽量减小或者避免外延片翘曲的出现。
中国专利CN105679898A公布了一种具有翘曲调节结构层的LED外延结构及其生长方法，在LED的高温GaN层和高温N型GaN层之间插入翘曲调节结构层，结构为SiN/GaN/AlGaN/GaN超晶格层，通过调节各层的生长条件来调节外延片生长过程中的翘曲程度，从而提高LED外延片产品单片参数的均匀性。中国专利CN103296151A公开了一种降低LED外延翘曲应力的方法，在蓝宝石衬底上生长GaN缓冲层，并形成岛状生长。降温后在此表面外延GaN及AlGaN双层薄膜的超晶格，然后完成GaN层的制备。此方法利用超晶格插入层调节释放二维生长的应力，进而改善外延片发光层的翘曲程度。这两种方法都是利用超晶格的插入层来削弱应变，适合于大失配晶格常数及热膨胀系数的蓝宝石衬底的GaN基器件，对于GaAs基外延片，Si只是用来进行掺杂，形成不了砷化物，无法进行应力调节。而且超晶格一般为多层不同组分及折射率的材料，会影响外延层整体的有效折射率，不适合用于高反射率的DBR中。
发明内容
本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种折射率高，不会破坏DBR原有的光学性质的降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构。
本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：
一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，包括：基底以及生长于基底上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层及高折射率材料层构成，该低折射率材料层由AlAs1-xPx材料制成，其中x的取值范围为0.02≤x≤0.06，该高折射率材料层由Al1-yGayAs1- zPz材料制成，其中当y≥0.7时，z＝0，当y＜0.7时，z的取值范围为0.01≤z≤0.03。
优选的，上述基底为GaAs材料制成。
优选的，N为大于等于10，小于等于100的自然数。
优选的，上述DBR层的厚度为1-10μm。
优选的，上述AlAs1-xPx材料中x的取值为0.04。
优选的，上述Al1-yGayAs1-zPz材料中当y＜0.7时，z的取值为0.02。
本发明的有益效果是：通过P元素的掺入可以调节DBR层的晶格常数，使其等于或者接近GaAs基底，形成无应变、低应变或者具有应变补偿的DBR结构，由于没有应变积累，生长过程中不会产生外延片翘曲，获得平整、均匀的外延层。DBR由于没有应变积累，可以生长较多层数，获得较高的反射率。DBR层中P元素的占比很小，几乎不会影响材料的折射率，不会破坏DBR原有的光学性质。
附图说明
图1为本发明的的DBR结构示意图；
图2为本发明的AlAs层与AlAs0.96P0.04层的x射线衍射图谱；
图3为本发明的实施例1中的DBR反射谱与传统DBR反射谱的反射率对比图；
图中，1.基底2.低折射率材料层3.高折射率材料层4.GaAs基底衍射峰5.AlAs层衍射峰6.AlAs0.96P0.04层衍射峰7.DBR反射谱8.传统DBR反射谱。
具体实施方式
下面结合附图1、附图2、附图3对本发明做进一步说明。
如附图1所示，一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，包括：基底1以及生长于基底1上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层2及高折射率材料层3构成，该低折射率材料层2由AlAs1-xPx材料制成，其中x的取值范围为0.02≤x≤0.06，该高折射率材料层3由Al1-yGayAs1-zPz材料制成，其中当y≥0.7时，z＝0，当y＜0.7时，z的取值范围为0.01≤z≤0.03。不同于传统的AlGaAs/AlAs材料DBR，根据AlGaAs中Al组分，只在AlAs层或者同时在AlAs层及AlGaAs层中掺入一定比例的P(磷)元素，形成AlAs1-xPx及Al1-yGayAs1-zPz化合物，调节其晶格常数，在GaAs基底上形成无应变、低应变或者应变补偿的DBR结构。如背景技术所述，GaAs与AlAs的晶格常数分别为
和
而AlP的晶格常数为
当AlAs与AlP形成合金化合物AlAs1-xPx时，根据Vegard定律，当AlP占比为4％时，形成的合金化合物的晶格常数几乎等同于GaAs基底的晶格常数，可以认为它们之间没有应力，自然不会存在应变积累。通过P元素的掺入可以调节DBR层的晶格常数，使其等于或者接近GaAs基底，形成无应变、低应变或者具有应变补偿的DBR结构，由于没有应变积累，生长过程中不会产生外延片翘曲，获得平整、均匀的外延层。DBR由于没有应变积累，可以生长较多层数，获得较高的反射率。DBR层中P元素的占比很小，几乎不会影响材料的折射率，不会破坏DBR原有的光学性质。
进一步的，基底1为GaAs材料制成。
优选的，N为大于等于10，小于等于100的自然数，即DBR层有10-100层。每层DBR层的厚度为1-10μm。
进一步的，AlAs1-xPx材料中x的取值为0.04。此时AlAs0.96P0.04的晶格常数等于GaAs基底的晶格常数，其相对于GaAs基底为无应变层。Al1-yGayAs1-zPz材料中当y＜0.7时，z的取值为0.02。此时高折射率材料层3的材料晶格常数接近GaAs基底的晶格常数，其相对于GaAs基底为无应变层。从而进一步防止应变积累的产生，使DBR层生长过程中不会产生外延片翘曲。
下面结合两个具体实施例来对本发明作出进一步说明：
实施例1:
传统的数据传输用的红外940nm VCSEL，其标准结构从下至上依次为基底、下DBR层、下限制层、有源层、上限制层、上DBR层及接触层。其DBR结构一般选择GaAs/AlAs材料，对数在30-50对，厚度3-5μm。AlAs层在如此厚的情况下势必带来较大的应变积累，使得生长过程中外延片出现翘曲，影响有源区质量。
而使用本发明的DBR结构，基底1为GaAs材料制成，低折射率材料层2为AlAs0.96P0.04，高折射率材料层3为GaAs，即Al1-yGayAs1-zPz中y＝1,z＝0。从附图2的x射线衍射图谱可以看出，与GaAs基底衍射峰4相比，AlAs层衍射峰5在-400弧秒位置，而AlAs0.96P0.04层衍射峰6在-100弧秒位置。由于生长温度一般较高，可认为室温下衍射峰在-100弧秒位置的外延层与基底1是匹配的。因此使用AlAs0.96P0.04与GaAs材料制成的DBR层是无应变的，外延片在生长过程中不会产生翘曲。
同时，如附图3所示，本发明AlAs0.96P0.04与GaAs材料制成的DBR层的DBR反射谱7与原有结构GaAs/AlAs的传统DBR反射谱8在940nm波段附近几乎一样，DBR的光学性质几乎没有发生改变。
实施例2：
对于目前广泛应用于显示的AlGaInP红光630nm LED外延片，其标准结构从下至上依次为基底、DBR层、下限制层、量子阱层、上限制层及窗口层。在尽可能增大DBR两层材料折射率差的情况下，同时保证不吸收量子阱的630nm发光，其DBR一般选择Al0.4Ga0.6As/AlAs，DBR对数一般在10-40对，总体厚度在1-4μm。这两种材料同GaAs的失配度分别是0.5％及1.3％，随着厚度积累，外延片也存在这一定的翘曲度。
与实施例1不同，这里的高折射率材料层3为Al0.4Ga0.6As0.98P0.02。因此本实施例的DBR层材料选择为AlAs0.96P0.04/Al0.4Ga0.6As0.98P0.02，其中Al0.4Ga0.6As0.98P0.02为低应变层，AlAs0.96P0.04为无应变层。由于LED发光特性，反射率不向VCSEL要求这么高，其DBR对数一般20对就满足需求，在此情况下，外延片也不会存在明显的翘曲现象。
Claims (6)
1.一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于，包括：基底(1)以及生长于基底(1)上的N层DBR层，每层DBR层自下而上由低折射率材料层(2)及高折射率材料层(3)构成，该低折射率材料层(2)由AlAs1-xPx材料制成，其中x的取值范围为0.02≤x≤0.06，该高折射率材料层(3)由Al1-yGayAs1-zPz材料制成，其中当y≥0.7时，z＝0，当y＜0.7时，z的取值范围为0.01≤z≤0.03。
2.根据权利要求1所述的降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于：所述基底(1)为GaAs材料制成。
3.根据权利要求1所述的降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于：N为大于等于10，小于等于100的自然数。
4.根据权利要求1所述的降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于：所述DBR层的厚度为1-10μm。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于：所述AlAs1-xPx材料中x的取值为0.04。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构，其特征在于：所述Al1-yGayAs1-zPz材料中当y＜0.7时，z的取值为0.02。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810004268.0A CN109994582B (zh) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | 一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810004268.0A CN109994582B (zh) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | 一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109994582A CN109994582A (zh) | 2019-07-09 |
| CN109994582B true CN109994582B (zh) | 2020-08-25 |
Family
ID=67128963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810004268.0A Active CN109994582B (zh) | 2018-01-02 | 2018-01-02 | 一种降低GaAs基外延片翘曲度的DBR结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109994582B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11721954B2 (en) | 2019-07-19 | 2023-08-08 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | Vertical cavity surface emitting laser diode (VCSEL) having AlGaAsP layer with compressive strain |
| CN115216837A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-21 | 西安唐晶量子科技有限公司 | 一种改善vcsel外延片翘曲度的方法及激光器 |
| CN114883915B (zh) * | 2022-07-12 | 2022-09-13 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种半导体发光器件及其制备方法和测试方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102263181A (zh) * | 2010-05-29 | 2011-11-30 | 比亚迪股份有限公司 | 衬底、具有该衬底的led外延片、芯片及发光装置 |
| CN102468387A (zh) * | 2010-11-18 | 2012-05-23 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管 |
| CN203218312U (zh) * | 2011-09-20 | 2013-09-25 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管 |
| CN103430332A (zh) * | 2011-03-14 | 2013-12-04 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管及其制造方法 |
| CN103840046A (zh) * | 2012-11-26 | 2014-06-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Led外延片及其制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766455A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US6614821B1 (en) * | 1999-08-04 | 2003-09-02 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
| CN1182595C (zh) * | 2001-03-23 | 2004-12-29 | 洲磊科技股份有限公司 | 斜切衬底上的半导体发光二极管 |
| JP4867137B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2012-02-01 | 住友化学株式会社 | 化合物半導体エピタキシャル基板 |
| CN202205805U (zh) * | 2011-09-05 | 2012-04-25 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发光二极管结构 |
| CN103500781B (zh) * | 2013-09-30 | 2016-08-10 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN104576859B (zh) * | 2013-10-18 | 2017-04-26 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管结构 |
-
2018
- 2018-01-02 CN CN201810004268.0A patent/CN109994582B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102263181A (zh) * | 2010-05-29 | 2011-11-30 | 比亚迪股份有限公司 | 衬底、具有该衬底的led外延片、芯片及发光装置 |
| CN102468387A (zh) * | 2010-11-18 | 2012-05-23 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管 |
| CN103430332A (zh) * | 2011-03-14 | 2013-12-04 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管及其制造方法 |
| CN203218312U (zh) * | 2011-09-20 | 2013-09-25 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管 |
| CN103840046A (zh) * | 2012-11-26 | 2014-06-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Led外延片及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109994582A (zh) | 2019-07-09 |
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|---|---|---|---|
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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