CN109987600A - 一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法 - Google Patents

一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109987600A
CN109987600A CN201910173495.0A CN201910173495A CN109987600A CN 109987600 A CN109987600 A CN 109987600A CN 201910173495 A CN201910173495 A CN 201910173495A CN 109987600 A CN109987600 A CN 109987600A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
metal oxide
copper
metallic substrates
metallic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910173495.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109987600B (zh
Inventor
胡悦
王赢
钱金杰
黄少铭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wenzhou University
Original Assignee
Wenzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wenzhou University filed Critical Wenzhou University
Priority to CN201910173495.0A priority Critical patent/CN109987600B/zh
Publication of CN109987600A publication Critical patent/CN109987600A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109987600B publication Critical patent/CN109987600B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00—Compounds of copper
    • C01G3/02—Oxides; Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/22—Electronic properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties

Abstract

本发明公开了一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，金属基底包括铜基或镍基，具体操作步骤如下：(1)金属基底预处理分小块并除去表面的氧化层。(2)在金属基底上生长大面积连续的均匀石墨烯。(3)将金属基底涂胶烤干并刻蚀掉部分金属使石墨烯与金属基底脱离，加以电解、浓碱液浸泡后使其转化为金属氧化物纳米颗粒，除去石墨烯上面的胶后形成石墨烯包裹氧化铜颗粒的结构。(4)最后在电压下脉冲，再于浓碱中浸泡后使得金属氧化物颗粒转变成金属氧化物纳米花，最终形成石墨烯包裹金属氧化物纳米花的结构。

Description

一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结 构的方法
技术领域
本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法。
背景技术
CuO是一种重要的p型过渡金属氧化物半导体，具有(Eg)1.2eV的窄带隙，在电气、光学和光伏器件的制造，电极材料制造等多种领域具有广泛的应用。此外，由于其具有过渡金属氧化物所拥有的高电催化活性，从而在电催化领域也受到了广泛关注。这些应用主要依赖于CuO的形貌。迄今为止，已经使用各种制造技术合成了各种CuO纳米结构，包括纳米棒，纳米线，纳米管，纳米片，纳米带等各种形貌的CuO纳米结构。此外，还有一些复杂的CuO纳米结构，如花状，蒲公英状，树枝状等，这些分层纳米结构具有更多的暴露的活性位点，有利于气质传输等优点受到了人们的广泛关注。但CuO的导电性较差，阻碍了它的催化活性，因此，提高CuO的导电性是本领域内的难题。
近些年来，在铜基底上生长石墨烯的技术已相当成熟。用此种高质量的石墨烯与导电性较差的CuO结合起来制备一种石墨烯与CuO的复合材料在催化等领域应具有很大的潜力。但是如何将这种在基底上生长的石墨烯与导电性较差的CuO相结合仍然具有挑战性。
发明内容
本发明提供了一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，不仅操作过程简单、反应温和，且产物重复性好。
一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法。所述纳米花的尺寸为500nm-1μm。所述金属基底包括铜基，对应的金属氧化物为CuO。述铜基包括有泡沫铜、铜箔。该方法包括以下步骤：
S1、在金属基底上制备大面积单层连续石墨烯，得到生长着石墨烯的金属基底，具体包含以下步骤。
S1-1：将金属基底置于管式炉中，炉温以40℃min-1的升温速率升至300℃，使金属基底在300℃条件下氧化15min。
S1-2：氧化后的金属基底于流量为10sccm的氢气氛中以78.5℃min-1的升温速率升温至1040℃并在此温度下退火3h。
S1-3：退火后再将炉内氢气流量升至40sccm，并在炉中通入1.5sccm的CH4用以生长石墨烯3h，反应完成后得到表面覆盖单层、均匀、连续石墨烯的金属基底。
S2：在所述生长着石墨烯的金属基底上制备金属氧化物纳米花，形成石墨烯包裹金属氧化物纳米花的结构，具体包含以下步骤：
S2-1：在长有石墨烯的金属基底上涂PMMA胶且使部分石墨烯脱离所述金属基底，并以脱离处为电解处理时的阳极，给金属基底加上3-25V的电压用以生长金属基MOFs，所述金属基为铜基，配体为均苯三甲酸或间苯二甲酸，所述电解质的配体溶液为NH4F。
S2-2：以浓碱浸泡金属基MOFs使之转化为金属氧化物纳米颗粒，再在300℃下Ar氛中退火2h除去石墨烯上的PMMA胶，形成石墨烯包裹金属氧化物纳米颗粒的结构。
S2-3：用脉冲电压扫描后再于1M KOH浸泡24h使金属氧化物纳米颗粒转化为金属氧化物纳米花，最终形成石墨烯包裹金属氧化物纳米花的结构。
本发明进一步设置为，所述金属基底为泡沫铜。
本发明进一步设置为，所述金属基底为泡沫铜，对应的金属氧化物为CuO，步骤S1-1还包括：在将泡沫铜置于炉中反应前，先将泡沫铜剪成1mm2大小的泡沫铜方块，并用10％的醋酸浸泡10min以除去所述泡沫铜方块表面的氧化层，并将该泡沫铜方块用纯水洗净后再以氮气吹干。
本发明进一步设置为，步骤S2-1进行电解前还包括：将长有石墨烯的泡沫铜涂上PMMA胶并于170℃条件下烤干，用浓度为2M的FeCl3浸泡1min刻蚀掉部分铜使石墨烯与铜脱离。
本发明进一步设置为，步骤S2-1中，生长金属基的电压为15V。
本发明进一步设置为，步骤S2-2中，使用2-5M的KOH处理铜基MOFs：HKUST-1，从而将HKUST-1转变为CuO纳米颗粒。
本发明进一步设置为，步骤S2-2中，使用2M的KOH浸泡HKUST-1达20min而将HKUST-1转变为CuO纳米颗粒。
本发明进一步设置为，步骤S2-3中，金属氧化物纳米颗粒在0.1-0.7V电压下脉冲8次。
采用这样的结构以后：本发明提供了一种制备高质量石墨烯而并非氧化石墨烯包裹金属铜化合物的新颖方法。该方法所需材料廉价、操作简便，制得的产品，比表面加大，稳定性和重复性好，具有很强的可操作性和实用性，其中在电催化及光催化领域具有潜在应用价值，材料在基底上原位生长，稳定性好，有利于产业化。
以下结合附图对本发明进行更进一步详细的说明。
附图说明
图1为所制备的石墨烯的SEM图、TEM图以及Raman光谱，其中，(a)和(b)为同一样品不同放大倍数下的SEM图，对应的标尺分别为20μm和10μm，(c)为石墨烯的TEM图，插图为石墨烯的选区电子衍射，(d)为石墨烯的Raman光谱。
图2为使用电化学方法在泡沫铜上生长的HKUST-1的SEM图，其中(a)和(b)分别为同一个样品低倍以及高倍下的SEM图，对应的标尺分别为200μm和5μm。
图3为HKUST-1的粉末X射线衍射(PXRD)图。
图4为HKUST-1经由2M KOH浸泡后转变为CuO纳米颗粒的SEM图。
图5为石墨烯包裹的CuO纳米颗粒的SEM图，其中(a)和(b)分别为低倍以及高倍下的SEM图，对应的标尺分别为5μm和500nm。
图6为石墨烯包裹的CuO纳米颗粒的粉末X射线衍射(PXRD)图。
图7为电压脉冲碱液浸泡法得到的CuO纳米花的SEM图，(a)和(b)分别为低倍以及高倍下的SEM图，对应的标尺分别为5μm和1μm。
图8为石墨烯包裹CuO纳米花的SEM图，其中(a)和(b)分别为低倍以及高倍下的sem图，对应的标尺分别为5μm和1μm。
图9为石墨烯包裹的CuO纳米花的TEM图、高分辨率的TEM图及其EDX元素mapping，其中(a)为高角度环形暗场TEM图，对应的标尺为100nm，(b)图为CuO纳米花的高分辨的TEM图，图中显示了CuO的(11-1)面对应的晶格条纹，(c)图显示了其Cu、C、O元素的分布。
图10为石墨烯包裹的CuO纳米花的粉末X射线衍射(PXRD)图。
图11为石墨烯CuO复合材料的OER性能测试图，其中，(a)为线性扫描曲线，(b)为其塔菲尔斜率。
图12为该制备方法的步骤示意图。
具体实施方式
下面，通过示例性的实施方式对本发明具体描述。然而应当理解，在没有进一步叙述的情况下，一个实施方式中的特征也可以有益地结合到其他实施方式中。以下，均苯三甲酸称为H3BTC，间苯二甲酸称为IPA
实施例：
一种泡沫铜上生长CuO纳米花的制备方法，方法采用化学气相沉积法(CVD)生长石墨烯，再用电化学的方法生长HKUST-1，使用碱液浸泡的方法将HKUST-1转化为CuO纳米颗粒，最后使用电压脉冲碱液浸泡的方法得到目标产物石墨烯包裹CuO纳米花，对本发明制备的材料进行电化学OER性能测试，目标产物在10mA cm-1的电流密度下的过电位可达323mv,即材料具有优异的OER催化活性。的制备方法包括下述步骤：
①泡沫铜基底预处理。将泡沫铜剪成1mm2，用10％的醋酸浸泡10min以除去表面的氧化层，用纯水洗净，氮气吹干备用。炉温以40℃min-1的升温速率升至300℃，在300℃下氧化15min。在流量为10sccm的氢气氛中以78.5℃min-1的升温速率升温至1040℃，在此温度下退火3h。氢气流量升至40sccm，通入1.5sccm的CH4生长石墨烯3h，直至泡沫铜上生长大面积连续的高质量、均匀石墨烯。
反应结束后，首先用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观察其形态。从SEM下检测到其表面是均匀连续的。通过拉曼光谱确定其为石墨烯，并且保证是单层石墨烯。
②在泡沫铜上生长HKUST-1。将长有石墨烯的泡沫铜涂上PMMA胶170℃下烤干，用浓度为2M的FeCl3浸泡1min刻蚀掉部分铜使石墨烯与铜脱离，用纯水洗干净后以其作为阳极，石墨电极作为阴极，NH4F为电解质的配体溶液，加上电压以生长Cu基MOFs：HKUST-1。HKUST-1的尺寸为2-5μm。生长HKUST-1的电压范围为3-25V，但优选15V电压。生长Cu基MOFs的配体可以为H3BTC，也可以是IPA。但优选为H3BTC。
HKUST-1在2M KOH浸泡20min得到CuO纳米颗粒。其中，CuO颗粒的尺寸在300nm-500nm之间，形貌不规则。
之后，再在300℃下Ar氛中退火2h以除去石墨烯上面的PMMA胶，形成石墨烯包裹氧化铜颗粒的结构。
③在泡沫铜上生长CuO纳米花。使用0.1-0.7V的电压脉冲8次，浸泡1MKOH达24h后，CuO纳米颗粒转变为CuO纳米花。
通过FE-SEM，TEM，EDX和PXRD对中间产物以及最终产物进行了表征。SEM图像显示，HKUST-1的形貌基本上为八面体及截角八面体，其尺寸在2-5μm；CuO颗粒的形貌是不规则的，其尺寸为300-500nm；CuO纳米花是由层状花瓣构成，其尺寸为500nm-1μm。
通过PXRD分析，HKUST-1为长程有序的配位聚合物，同时PXRD证实了HKUST-1经由浓碱液处理后转化为CuO晶型，并且在电压脉冲碱液浸泡后，其保持CuO晶型。通过TEM、EDX元素Mapping可以看出CuO纳米花中铜元素和氧元素是均匀分布的。
图5中可以看出：石墨烯是均匀连续的，根据TEM图可知石墨烯是单层的，并且选区电子衍射显示了石墨烯非常对称的六个点，同时通过拉曼分析，2D峰的强度大于G峰强度，即石墨烯为单层石墨烯，且D峰强度非常弱，说明为缺陷较少的高质量石墨烯。图6中可以看出：石墨烯成功的包裹住CuO纳米颗粒。图7中可以看出，有来自于泡沫铜中的铜，并且可以看出HKUST-1经由浓碱液浸泡后转化为CuO晶型。图8中可以看出：石墨烯成功的包裹住CuO纳米花。图9图中可以看出：其晶面间距为0.252nm,对应于CuO的(11-1)面，并且通过元素mapping，可以看出Cu，C，O元素是均匀分布的。图10中可以看出：CuO纳米颗粒经由电压脉冲碱液浸泡后得到的花状物仍为CuO晶型。图11中可以看出：目标产物在10mA cm-1的电流密度下的过电位可达323mv,具有优异的OER催化活性。
对比例：在泡沫铜上生长CuO纳米花
同时，我们使用类似的生长方法生长了无石墨烯包裹的CuO纳米花作为对比，即直接使用电化学的方法生长HUKUST-1，用2M KOH浸泡将其转变为CuO纳米颗粒，最后使用电压脉冲碱液浸泡的方法将其转化为CuO纳米花。对其进行电化学OER性能测试，在10mA cm-1的电流密度下的过电位可达378mv，具有良好的OER催化活性。但是与石墨烯包裹的CuO纳米花相比，由于石墨烯的添加增加了CuO的导电性，并且由于石墨烯的包裹使材料不易从基底脱落从而保证了材料的稳定性，因此有石墨烯包裹的CuO纳米花的OER催化性能要远远高于CuO纳米花。
该制备方法包括下述步骤
①泡沫铜基底预处理。将泡沫铜剪成1mm2，用10％的醋酸浸泡10min以除去表面的氧化层，用纯水洗净，氮气吹干备用。
②在泡沫铜上生长HKUST-1。以预处理过后的泡沫铜作为阳极，石墨电极作为阴极，以H3BTC为配体，NH4F为电解质的配体溶液，加上15V的电压生长Cu基MOFs HKUST-1。
③在泡沫铜上生长CuO纳米花。使用2M的KOH浸泡上述制备好的HKUST-1将其转化为CuO纳米颗粒。使用0.1-0.7V的电压脉冲8次，浸泡24h后转变为CuO纳米花。
图1是的SEM图，从图中可以看出：HKUST-1形貌为八面体，其尺寸大约为2-5μm。图2为泡沫铜上超声下来的HKUST-1的粉末X射线衍射(PXRD)图，从图中可以看出：HKUST-1为长程有序的配位聚合物。图3中可以看出：将HKUST-1浸泡碱液后转变为CuO纳米颗粒形貌不规则，尺寸大约为300nm-500nm。图4可见CuO纳米花的尺寸为500nm-1μm左右。
本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。

Claims (8)

1.一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，其特征在于，所述纳米花的尺寸为500nm-1μm，所述金属基底包括铜基，对应的金属氧化物为CuO，所述金属基底还包括镍基，对应的金属氧化物为NiO，所述铜基包括有泡沫铜、铜箔，所述镍基包括有泡沫镍、镍箔，的该方法包括以下步骤：
S1、在金属基底上制备大面积单层连续石墨烯，得到生长着石墨烯的金属基底，具体包含以下步骤，
S1-1：将金属基底置于管式炉中，炉温以40℃ min-1的升温速率升至300℃，使金属基底在300℃条件下氧化15min，
S1-2：氧化后的金属基底于流量为10sccm的氢气氛中以78.5℃ min-1的升温速率升温至1040℃并在此温度下退火3h，
S1-3：退火后再将炉内氢气流量升至40sccm，并在炉中通入1.5sccm的CH4用以生长石墨烯3h，反应完成后得到表面覆盖单层、均匀、连续石墨烯的金属基底；
S2：在所述生长着石墨烯的金属基底上制备金属氧化物纳米花，形成石墨烯包裹金属氧化物纳米花的结构，具体包含以下步骤，
S2-1：在长有石墨烯的金属基底上涂PMMA胶且使部分石墨烯脱离所述金属基底，并以脱离处为电解处理时的阳极，给金属基底加上3-25V的电压用以生长金属基MOFs，所述金属基为铜基，则配体为均苯三甲酸或间苯二甲酸，所述金属基为镍基，则配体为2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧膦或2-羟基对苯二甲酸，电解质的配体溶液为NH4F，
S2-2：以浓碱浸泡金属基MOFs使之转化为金属氧化物纳米颗粒，再在300℃下Ar氛中退火2h除去石墨烯上的PMMA胶，形成石墨烯包裹金属氧化物纳米颗粒的结构，
S2-3：用脉冲电压扫描后再于1M KOH浸泡24h使金属氧化物纳米颗粒转化为金属氧化物纳米花，最终形成石墨烯包裹金属氧化物纳米花的结构。
2.根据权利要求1所述的一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，其特征在于，所述金属基底为泡沫铜或泡沫镍。
3.根据权利要求1所述的一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，其特征在于，所述金属基底为泡沫铜，对应的金属氧化物为CuO，步骤S1-1还包括：在将泡沫铜置于炉中反应前，先将泡沫铜剪成1mm2大小的泡沫铜方块，并用10％的醋酸浸泡10min以除去所述泡沫铜方块表面的氧化层，并将该泡沫铜方块用纯水洗净后再以氮气吹干。
4.根据权利要求3所述的一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，其特征在于，步骤S2-1进行电解前还包括：将长有石墨烯的泡沫铜涂上PMMA胶并于170℃条件下烤干，用浓度为2M的FeCl3浸泡1min刻蚀掉部分铜使石墨烯与铜脱离。
5.根据权利要求4所述的一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，其特征在于，步骤S2-1中，生长金属基的电压为15V。
6.根据权利要求5所述的一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，其特征在于，步骤S2-2中，使用2-5M的KOH处理铜基MOFs：HKUST-1，从而将HKUST-1转变为CuO纳米颗粒。
7.根据权利要求6所述的一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，其特征在于，步骤S2-2中，使用2M的KOH浸泡HKUST-1达20min而将HKUST-1转变为CuO纳米颗粒。
8.根据权利要求1至7中任一所述的一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法，其特征在于，步骤S2-3中，金属氧化物纳米颗粒在0.1-0.7V电压下脉冲8次。
CN201910173495.0A 2019-03-07 2019-03-07 一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法 Active CN109987600B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910173495.0A CN109987600B (zh) 2019-03-07 2019-03-07 一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910173495.0A CN109987600B (zh) 2019-03-07 2019-03-07 一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109987600A true CN109987600A (zh) 2019-07-09
CN109987600B CN109987600B (zh) 2022-07-29

Family

ID=67130206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910173495.0A Active CN109987600B (zh) 2019-03-07 2019-03-07 一种在金属基底上制备原位石墨烯包裹金属氧化物纳米花结构的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109987600B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110790264A (zh) * 2019-12-10 2020-02-14 中国科学院金属研究所 一种形态可控的石墨烯粉体及其制备方法
CN112892535A (zh) * 2021-03-05 2021-06-04 内蒙古大学 用于VOC净化的CuxO/Cu反式光催化材料的制备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140255803A1 (en) * 2011-10-14 2014-09-11 Wayne State University Graphene supported bifunctional catalysts
CN106207118A (zh) * 2016-07-26 2016-12-07 中南大学 一种调控石墨烯包覆的纳米二氧化钛形貌的方法及其制备的产品和应用
GB201710816D0 (en) * 2017-07-05 2017-08-16 Zewail City Of Science And Tech Composite
CN107442125A (zh) * 2017-09-05 2017-12-08 济南大学 一种碳基铜钴氧化物纳米片催化剂的制备方法和应用
WO2018101887A1 (en) * 2016-11-29 2018-06-07 Nanyang Technological University Multi-layered metal-carbon materials-based nanoarchitectures
EP3403994A1 (en) * 2017-05-18 2018-11-21 Centre National De La Recherche Scientifique Graphene-supported metal and/or metal oxide nanoparticle composites, method for making same and uses thereof
CN108982622A (zh) * 2018-04-23 2018-12-11 中山大学 基于金属有机框架-垂直石墨烯复合结构的电化学传感器及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140255803A1 (en) * 2011-10-14 2014-09-11 Wayne State University Graphene supported bifunctional catalysts
CN106207118A (zh) * 2016-07-26 2016-12-07 中南大学 一种调控石墨烯包覆的纳米二氧化钛形貌的方法及其制备的产品和应用
WO2018101887A1 (en) * 2016-11-29 2018-06-07 Nanyang Technological University Multi-layered metal-carbon materials-based nanoarchitectures
EP3403994A1 (en) * 2017-05-18 2018-11-21 Centre National De La Recherche Scientifique Graphene-supported metal and/or metal oxide nanoparticle composites, method for making same and uses thereof
GB201710816D0 (en) * 2017-07-05 2017-08-16 Zewail City Of Science And Tech Composite
CN107442125A (zh) * 2017-09-05 2017-12-08 济南大学 一种碳基铜钴氧化物纳米片催化剂的制备方法和应用
CN108982622A (zh) * 2018-04-23 2018-12-11 中山大学 基于金属有机框架-垂直石墨烯复合结构的电化学传感器及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
宋国强等: "MOF(Fe)的制备及其氧气还原催化性能", 《催化学报》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110790264A (zh) * 2019-12-10 2020-02-14 中国科学院金属研究所 一种形态可控的石墨烯粉体及其制备方法
CN110790264B (zh) * 2019-12-10 2022-05-06 中国科学院金属研究所 一种形态可控的石墨烯粉体及其制备方法
CN112892535A (zh) * 2021-03-05 2021-06-04 内蒙古大学 用于VOC净化的CuxO/Cu反式光催化材料的制备

Also Published As

Publication number Publication date
CN109987600B (zh) 2022-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. Recent progress in cobalt‐based heterogeneous catalysts for electrochemical water splitting
Zou et al. An Fe-doped nickel selenide nanorod/nanosheet hierarchical array for efficient overall water splitting
Ryu et al. In situ transformation of hydrogen-evolving CoP nanoparticles: toward efficient oxygen evolution catalysts bearing dispersed morphologies with Co-oxo/hydroxo molecular units
Feng et al. Electron density modulation of Fe1-xCoxP nanosheet arrays by iron incorporation for highly efficient water splitting
Han et al. Carbon fibers supported NiSe nanowire arrays as efficient and flexible electrocatalysts for the oxygen evolution reaction
Zhao et al. Transition metal–phosphorus-based materials for electrocatalytic energy conversion reactions
Xu et al. Co3O4–x-Carbon@ Fe2–y Co y O3 Heterostructural Hollow Polyhedrons for the Oxygen Evolution Reaction
Zou et al. Noble metal-free hydrogen evolution catalysts for water splitting
Hu et al. Recent developments of Co 3 O 4-based materials as catalysts for the oxygen evolution reaction
Zhou et al. Iron-substituted Co-Ni phosphides immobilized on Ni foam as efficient self-supported 3D hierarchical electrocatalysts for oxygen evolution reaction
Xu et al. Au/Ni 12 P 5 core/shell single-crystal nanoparticles as oxygen evolution reaction catalyst
Peng et al. Polydopamine coated prussian blue analogue derived hollow carbon nanoboxes with FeP encapsulated for hydrogen evolution
Xia et al. Hierarchical 0D− 2D Co/Mo selenides as superior bifunctional electrocatalysts for overall water splitting
Wang et al. Preparation of nanostructured Cu (OH) 2 and CuO electrocatalysts for water oxidation by electrophoresis deposition
Dong et al. Graphene as an intermediary for enhancing the electron transfer rate: A free-standing Ni 3 S 2@ graphene@ Co 9 S 8 electrocatalytic electrode for oxygen evolution reaction
Malara et al. A flexible electrode based on Al-doped nickel hydroxide wrapped around a carbon nanotube forest for efficient oxygen evolution
Zhou et al. Investigation of anion doping effect to boost overall water splitting
Rong et al. Paintbrush-like Co doped Cu3P grown on Cu foam as an efficient janus electrode for overall water splitting
Xue et al. Spatially-controlled NiCo2O4@ MnO2 core–shell nanoarray with hollow NiCo2O4 cores and MnO2 flake shells: an efficient catalyst for oxygen evolution reaction
Jin et al. Ultrathin carbon coated CoO nanosheet arrays as efficient electrocatalysts for the hydrogen evolution reaction
Gao et al. Free-standing Ni-Co alloy nanowire arrays: Efficient and robust catalysts toward urea electro-oxidation
Li et al. P-Ni4Mo catalyst for seawater electrolysis with high current density and durability
Loni et al. Cobalt-based electrocatalysts for water splitting: an overview
Chen et al. Operando identification of hydrangea-like and amorphous cobalt oxyhydroxide supported by thin-layer copper for oxygen evolution reaction
Kang et al. Controllable atomic-ratio of CVD-grown MoS2-MoO2 hybrid catalyst by soft annealing for enhancing hydrogen evolution reaction

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant