CN109980066B - 荧光胶、白光芯片及其制备方法 - Google Patents
荧光胶、白光芯片及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109980066B CN109980066B CN201711441494.7A CN201711441494A CN109980066B CN 109980066 B CN109980066 B CN 109980066B CN 201711441494 A CN201711441494 A CN 201711441494A CN 109980066 B CN109980066 B CN 109980066B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- fluorescent
- glue
- white light
- fluorescent glue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003292 glue Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供了种荧光胶、白光芯片及其制备方法，在白光芯片中包括：金属电极、倒装蓝光芯片、高反胶以及荧光胶层；其中，荧光胶层设于LED芯片的发光侧表面，荧光胶层由均匀分布有SiO2的荧光胶制备而成；金属电极设于LED芯片的另一侧表面；高反胶围在倒装蓝光芯片的四周。其在荧光粉中添加一定量的SiO2，大大降低了白光芯片表面荧光胶层的黏性，以此在贴片过程中，不再会出现因荧光胶层黏住贴片机吸嘴导致灯珠无法脱离吸嘴的现象，提高了贴片效率的同时保障了不会影响白光芯片的亮度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种荧光胶、白光芯片及其制备方法。
背景技术
LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，其发光原理是电激发光，即在PN结上加正向电流后，自由电子与空穴复合而发光，从而直接把电能转化为光能。LED，尤其是白光LED，作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。
为了得到出光均匀的倒装白光LED芯片，在制备过程中，需要在倒装蓝光LED芯片的发光侧表面贴装荧光胶层或喷涂荧光胶。但是，由该封装形式得到的灯珠尺寸小，一般大小为1.3mm*1.3mm，厚度在0.5mm以内，在应用端贴片过程中，会出现因荧光胶层黏住贴片机吸嘴导致灯珠无法脱离吸嘴，进而出现反带现象，影响贴装效率。
发明内容
针对上述问题，本发明旨在提供一种荧光胶、白光芯片及其制备方法，有效解决现有技术中由荧光胶层的黏性较大影响贴装效率的技术问题。
为达到上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种荧光胶，包括预设比例的SiO2，所述SiO2均匀分布在所述荧光胶中。
进一步优选地，在所述荧光胶中，荧光粉和SiO2的质量比为1:1~1:2。
本发明还提供了一种白光芯片，包括：金属电极、倒装蓝光LED芯片、高反胶以及荧光胶层；其中，
所述荧光胶层设于所述LED芯片的发光侧表面，所述荧光胶层由上述荧光胶制备而成；
所述金属电极设于所述LED芯片的另一侧表面；
所述高反胶围在所述倒装蓝光LED芯片的四周。
本发明还提供了一种白光芯片制备方法，包括：
将倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上；
在相邻倒装蓝光LED芯片之间填充高反胶并固化；
去除支撑基板，将荧光胶层设置在倒装蓝光LED芯片的发光侧表面，所述荧光胶层中包括预设比例均匀分布的SiO2；
沿切割道切割荧光胶层和高反胶，得到白光芯片。
进一步优选地，
在所述荧光胶层中，荧光粉和SiO2的质量比为1:1~1:2。
为了降低现有白光芯片表面荧光胶层黏性多大的技术问题，在本发明中，在荧光粉中添加一定量的SiO2，大大降低了白光芯片表面荧光胶层的黏性，以此在贴片过程中，不再会出现因荧光胶层黏住贴片机吸嘴导致灯珠无法脱离吸嘴的现象，提高了贴片效率的同时保障了不会影响白光芯片的亮度。
附图说明
图1为本发明中白光芯片结构示意图。
图中标识说明：
1-倒装蓝光LED芯片，2-荧光胶层，3-高反胶，4-电极。
具体实施方式
本发明中提供了一种荧光胶，具体在该荧光胶中包括预设比例的SiO2，且添加的SiO2均匀分布在荧光胶中，具体，荧光粉和SiO2的质量比为1:1~1:2。在制备过程中，将需要配制的不同硅胶称重后，在配胶筒中进行混合，进一步放入搅拌机中进行离心脱泡搅拌均匀。之后，将需要添加的荧光粉和SiO2粉末分别称重，重量比为1:1~1:2之间的任意值；接着，将称好重的荧光粉和SiO2粉末同时倒入混合好的硅胶中并进行离心脱泡搅拌均匀得到荧光胶。在该荧光胶中，添加的荧光粉的量由色度需求决定。
基于此，如图1所示，本发明提供了一种白光芯片，从图中可以看出，在该白光芯片中包括：金属电极、倒装蓝光LED芯片、高反胶以及荧光胶层；其中，荧光胶层设于LED芯片的发光侧表面，荧光胶层由上述荧光胶制备而成；金属电极设于LED芯片的另一侧表面；高反胶围在倒装蓝光LED芯片的四周。
在制备过程中，首先，将倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上；之后，在相邻倒装蓝光LED芯片之间填充高反胶并固化；之后，去除支撑基板，将荧光胶层设置在倒装蓝光LED芯片的发光侧表面，荧光胶层中包括预设比例均匀分布的SiO2；最后，沿切割道切割荧光胶层和高反胶，得到白光芯片。
Claims (2)
1.一种白光芯片，其特征在于，所述白光芯片厚度在0.5mm以内，包括：金属电极、倒装蓝光LED芯片、高反胶以及荧光胶层；其中，
所述高反胶围在所述倒装蓝光LED芯片的四周；荧光胶层覆盖LED芯片的发光侧表面及高反胶表面；
所述荧光胶层中包括预设比例的SiO2，所述SiO2均匀分布在所述荧光胶层中，荧光粉和SiO2的质量比大于1:1小于等于1:2；
所述金属电极设于所述LED芯片的另一侧表面。
2.一种白光芯片制备方法，其特征在于，制备得到的白光芯片厚度在0.5mm以内，所述白光芯片制备方法中包括：
将倒装蓝光LED芯片排列在支撑基板上；
在相邻倒装蓝光LED芯片之间填充高反胶并固化；
去除支撑基板，将荧光胶层设置在倒装蓝光LED芯片的发光侧表面，所述荧光胶层中包括预设比例均匀分布的SiO2；荧光胶层覆盖LED芯片的发光侧表面及高反胶表面；
沿切割道切割荧光胶层和高反胶，得到白光芯片；
在所述荧光胶层中，荧光粉和SiO2的质量比大于1:1小于等于1:2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711441494.7A CN109980066B (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 荧光胶、白光芯片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711441494.7A CN109980066B (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 荧光胶、白光芯片及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109980066A CN109980066A (zh) | 2019-07-05 |
| CN109980066B true CN109980066B (zh) | 2021-04-09 |
Family
ID=67071519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711441494.7A Active CN109980066B (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 荧光胶、白光芯片及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109980066B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1618925A (zh) * | 2004-10-12 | 2005-05-25 | 罗维鸿 | 生产光色均一的白光led的方法 |
| CN105720166A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-29 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种白光led芯片的制备方法 |
| CN106505134A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-03-15 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种量子点白光led器件及其制备方法 |
| CN206364062U (zh) * | 2016-12-29 | 2017-07-28 | 浙江瑞丰光电有限公司 | 一种正面高光通量的led器件 |
-
2017
- 2017-12-27 CN CN201711441494.7A patent/CN109980066B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1618925A (zh) * | 2004-10-12 | 2005-05-25 | 罗维鸿 | 生产光色均一的白光led的方法 |
| CN105720166A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-29 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种白光led芯片的制备方法 |
| CN106505134A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-03-15 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种量子点白光led器件及其制备方法 |
| CN206364062U (zh) * | 2016-12-29 | 2017-07-28 | 浙江瑞丰光电有限公司 | 一种正面高光通量的led器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109980066A (zh) | 2019-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105895785B (zh) | 倒装led芯片集成封装的光源组件结构及其制作方法 | |
| CN107665940A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| CN108987549A (zh) | 一种白光芯片制备方法 | |
| CN105720166A (zh) | 一种白光led芯片的制备方法 | |
| CN105280781B (zh) | 一种倒装白光led器件及其制作方法 | |
| CN100565000C (zh) | 利用yag透明陶瓷制备白光led的方法 | |
| CN103872034A (zh) | 基于透光基板的全角度发光led光源及其封装方法 | |
| CN107591468A (zh) | 一种基于csp封装结构的一面发光led的封装方法 | |
| CN102683555A (zh) | 发光二极管封装结构及封装方法 | |
| CN204348759U (zh) | 集成阵列封装式植物生长灯单元、器件及其植物生长灯 | |
| CN105810780A (zh) | 一种白光led芯片的制备方法 | |
| CN107785476B (zh) | 一种白光led用荧光玻璃薄膜及其制备方法 | |
| CN102931328A (zh) | 一种led封装体的制作方法 | |
| CN209471995U (zh) | 高光效白光led芯片 | |
| CN109980066B (zh) | 荧光胶、白光芯片及其制备方法 | |
| CN108987556A (zh) | 一种白光芯片 | |
| CN208142212U (zh) | 白光led芯片 | |
| CN204348751U (zh) | 表贴器件形式的植物生长灯单元、器件及其植物生长灯 | |
| CN111261623A (zh) | 一种新型led光源 | |
| CN210197038U (zh) | 一种大功率色温变化led灯珠 | |
| CN107591469A (zh) | 一种基于csp封装结构的五面发光led的封装方法 | |
| CN104659187A (zh) | 一种垂直结构的白光led芯片及其制造方法 | |
| CN206194789U (zh) | 一种芯片级封装led | |
| CN207165565U (zh) | 一种cob光源结构 | |
| CN201167098Y (zh) | 一种低光衰小功率白光led |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 330096 No. 699, Aixi Hubei Road, Nanchang High-tech Development Zone, Jiangxi Province Patentee after: Jingneng optoelectronics Co.,Ltd. Address before: 330096 No. 699, Aixi Hubei Road, Nanchang High-tech Development Zone, Jiangxi Province Patentee before: LATTICE POWER (JIANGXI) Corp. |