CN109962173A - 一种柔性显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种柔性显示面板及其制造方法,用于解决现有技术中需要在导体层上形成线路膜,导致成本较大的问题。该方法包括:在柔性衬底层上形成导体层;图形化所述导体层,在所述导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图;在形成所述线路图的所述导体层上邦定芯片。因此,无需在导体层上形成有机线路膜,再在有机线路膜上邦定芯片,减少了有机线路膜的使用,降低了成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性显示面板及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED),其发光原理是在阳极和阴极之间插入各种功能层,包括电荷注入层、电荷传输层以及发光层,在电极之间施加适当的电压,器件就能发光。其中,OLED按照驱动方式的不同,分为主动式OLED(简称AMOLED)和被动式OLED(简称PMOLED);按发光方式不同,可分为顶发射OLED和底发射OLED。此外,OLED还有很多新颖的用途,例如,透明OLED、柔性OLED等。
柔性OLED的形成是用可弯曲的衬底代替了传统的OLED的玻璃作为基板,该衬底材料通常为PI/PET/PEN等有机材料,通过采用COF(Chip On Flex,or,Chip On Film,常称覆晶薄膜)封装工艺,在PI/PET/PEN上形成Cu层,在Cu层上形成有机材料层,在该机材料层上邦定IC。现有技术中采用COF封装工艺,需要在Cu层上形成有机线路膜,成本较高。
发明内容
本发明提供一种柔性显示面板及其制造方法,用于解决现有技术中需要在导体层上形成有机线路膜,导致成本较大的问题。
本发明采用下述技术方案:
第一方面,提供了一种柔性显示面板的制造方法,包括:
在柔性衬底层上形成导体层;
图形化所述导体层,在所述导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图;
在形成所述线路图的所述导体层上邦定芯片。
进一步的,所述图形化所述导体层,形成所述线路图,包括如下步骤:
在所述导体层上形成光刻胶层;
采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影处理;
使用第一溶液对所述导体层进行刻蚀,去除所述导体层中的所述光刻胶层未覆盖部分。
进一步的,所述第一溶液为:
双氧水与硫酸的混合液;或,
氯化铜溶液;或,
三氯化铁溶液。
进一步的,在所述柔性衬底层上形成导体层,具体包括:
采用原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺,在所述柔性衬底层上形成导体层。
进一步的,在使用第一溶液对所述导体层进行刻蚀,去除所述导体层中的所述光刻胶未覆盖部分之后,还包括:
去除所述导体层上的光刻胶层。
进一步的,所述去除所述导体层上的光刻胶层,具体包括:
使用第二溶液在预定温度下对所述导体层上的光刻胶层进行剥离;
或者,采用灰化工艺去除所述导体层上的光刻胶层。
进一步的,所述第二溶液为二甲基亚砜溶液和乙醇胺溶液;所述预定温度为55±2.5℃;
所述二甲基亚砜溶液用于将所述光刻胶层彭润,所述乙醇胺溶液用于将所述光刻胶层从所述导体层上剥离并溶解。
进一步的,在所述柔性衬底层上形成导体层之前,还包括:
在硬质载体基板上形成所述柔性衬底层;
进一步的,在所述导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图之后,还包括:
采用剥离方式剥离所述硬质载体基板。
第二方面,提供了一种柔性显示面板,包括:
柔性衬底层;
导体层,形成于所述柔性衬底层上,在所述导体层的邦定区域形成用于芯片驱动所需的线路图;
芯片,邦定在所述导体层的邦定区域对应的线路图中。
进一步的,所述柔性衬底层由PI材料制成,所述柔性衬底层的厚度为2~3μm;
进一步的,所述柔性衬底层由PET和/或PEN材料制成,所述柔性衬底层的厚度为9~10μm。
本发明的技术方案能够达到以下有益效果:
本发明通过在柔性衬底层上形成导体层,图形化该导体层,在该导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图,在形成线路图的导体层上邦定芯片,较现有技术,无需在导体层上形成有机线路膜,再在有机线路膜上邦定芯片,减少了有机线路膜的使用,降低了成本。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例提供的一种柔性显示面板的制造方法的流程示意图;
图2为本发明实施例提供的一种柔性显示面板的制造方法的具体过程示意图;
图3为使用本发明实施例提供的一种柔性显示面板的制造方法中曝光显影处理的结构示意图;
图4为使用本发明实施例提供的一种柔性显示面板的制造方法制造的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
以下结合附图,详细说明本发明各实施例提供的技术方案。
本发明提供一种柔性显示面板的制造方法,如图1所示,为该方法的实施流程示意图,包括:
步骤101、在柔性衬底层上形成导体层。
该导体层3可以为铜层或银层。当然,该导体层3也可以为其他导电金属层,本发明实施例不做具体限定,具体实施时需要根据实际需求选取。
该柔性衬底层2可以由PI材料制成,所述柔性衬底层的厚度为2~3μm。或者,所述柔性衬底层由PET和/或PEN材料制成,所述柔性衬底层的厚度为9~10μm。当然,该柔性衬底层2也可以为PI、PET、PEN、PES、PU、PMMA、PC、金属箔,或含此类材料的复合柔性衬底层2。
本发明采用该PI材料制成的柔性衬底层,较现有技术中采用COF封装工艺所需的衬底材料层更薄,柔性弯折力更强。
本步骤中,在柔性衬底层2上形成导体层3,具体实现方式可以包括以下几种:
第一种,采用原子层沉积工艺,在所述柔性衬底层2上形成导体层3。
本发明实施例中采用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)工艺,在柔性衬底层2上形成导体层3的具体工作原理为:通过将气相含铜元素的前驱体脉冲交替地通入反应器并在柔性衬底层2上化学吸附并反应而形成导体层3。
本发明实施例中采用原子层沉积工艺,具有自限制性和互补性致使该工艺对导体层3的厚度具有出色的控制能力,所制备的导体层3保形性好、纯度高且均匀。
第二种,采用物理气相沉积工艺,在所述柔性衬底层2上形成导体层3。
本发明实施例中采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)工艺,在柔性衬底层2上形成导体层3的具体工作原理为:将铜(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在柔性衬底层2表面沉积导体层3。
本发明实施例中采用物理气相沉积工艺,过程简单,无污染,耗材少,制成的导体层3均匀致密,与柔性衬底层2的结合力强。
第三种,采用化学气相沉积工艺,在所述柔性衬底层2上形成导体层3。
本发明实施例中采用化学气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)工艺,在柔性衬底层2上形成导体层3的具体工作原理为:利用含有铜元素的一种或几种气相化合物或单质、在柔性衬底层2表面上进行化学反应生成导体层3。
本发明实施例中采用化学气相沉积工艺,制成导体层3的速度快,导体层3的绕射性好。
为了使得在柔性衬底层2上形成的导体层3平整性较好,在执行步骤101,在所述柔性衬底层2上形成导体层3之前,还可以包括:在硬质载体基板1上形成所述柔性衬底层2。该硬质载体基板1可以为玻璃板,当然,本发明实施例并不局限于玻璃板,还可以为其他基板1,本发明实施例不做具体限定。具体实施时,硬质载体基板1优选玻璃板。
步骤102、图形化所述导体层,在所述导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图。
在本步骤中,如图2所示,图形化导体层3的具体实现方式可以为:
步骤S1、在所述导体层3上形成光刻胶层4。
具体实施可以为,将涂布光刻胶层4的涂头充分排泡,再设置涂头与导体层3的距离可以为64μm~86μm,优选为80μm,涂布速度可以为24mm/s~36mm/s,优选为30mm/s,涂头突出流量可以为80ml/min~120ml/min,优选为100ml/min。
需要补充的是,为了减少污染,在执行步骤S1之前执行步骤S11、将导体层3表面进行清洗,该清洗方式可以为兆声清洗、刷洗、漂洗、风刀或聚乙烯醇清洗等。
需要补充的是,为了促进光刻胶层4内溶剂充分挥发,以增加光刻胶层4与导体层3表面的粘附性和均匀性,在执行步骤S1之后执行步骤S12,对光刻胶层4进行真空干燥,去除光阻胶水分,以固定光阻,增强胶膜与玻璃的黏附性,防止刻蚀时出现异常。
步骤S2、采用掩模板55对所述光刻胶层4进行曝光显影处理;所述掩模板5的非透射区域对应线路所在区域,所述掩模板5的透射区域对应线路非所在区域。
在本步骤中,如图3所示,具体实现可以为:在涂布好光刻胶层4的导体层3上表面覆盖掩模板5,通过紫外光进行选择性照射,使受光照部位的光刻胶发生化学反应,改变这部分胶膜在显影液中的溶解度。显影后,光刻胶显现出与掩模板相对应的图形。其中,显影液可以为四甲基氢铵(2.38%TMAH)等,显影液的选取依据光刻胶确定。
这里需要补充的是,为了去掉光阻胶上水分,以固定光阻,增强光刻胶层4与导体层3的黏附性,防止刻蚀时出现异常。在执行步骤S2之后执行步骤S21、对光刻胶层4进行烘烤。
步骤S3、使用第一溶液对所述导体层3进行刻蚀,去除所述导体层3中的所述光刻胶层4未覆盖部分。
该第一溶液可以为双氧水与硫酸的混合液,氯化铜溶液或三氯化铁溶液。其中,双氧水与硫酸比例根据刻蚀曲线确定。
本步骤具体为,采用一定比例的第一溶液把基板1上未受光刻胶层4保护的导体层3除去,最终形成受光刻胶保护的图形,即线路图。
为了显现导体层3上形成的线路图,执行步骤S3、在使用第一溶液对所述导体层3进行刻蚀,去除所述导体层3中的所述光刻胶未覆盖部分之后,还包括:
步骤S31、去除所述导体层3上的光刻胶层4。
去除导体层3上的光刻胶层4的具体实现方式可以包括以下几种:
第一种,使用第二溶液在预定温度下对所述导体层3上的光刻胶层4进行剥离。
其中,所述第二溶液可以为二甲基亚砜溶液和乙醇胺溶液,所述预定温度可以为55±2.5℃。当然,第二溶液不限于二甲基亚砜溶液和乙醇胺溶液,本发明实施例中不做具体限定。
具体实施时,第二溶液优选二甲基亚砜溶液和乙醇胺溶液。所述二甲基亚砜溶液将所述光刻胶层4彭润,所述乙醇胺溶液将所述光刻胶层4从所述导体层3上剥离并溶解。
第二种,采用灰化工艺完全去除导体层3上的光刻胶层4。具体实现可以为,将导体层3上的光刻胶层4通过等离子体活性基反应,将光刻胶层4的有机物破坏并去除。
该方法中,将导体层3上的光刻胶层4置于气体成分为SF6+O2的环境下进行等离子体去除多余光刻胶层4。
第三种,采用紫外线照射法完全去除导体层3上的光刻胶层4。具体实现可以为,通过对导体层3上的光刻胶层4进行紫外线照射。
由于上述实施例中为了使得形成的导体层3平整性较好,在硬质载体基板1上形成柔性衬底层2。为了获得最终的柔性显示面板,在执行步骤102、在所述导体层3上形成用于芯片驱动所需的线路图之后,还可以包括:采用剥离方式剥离所述硬质载体基板1。如图4所示,剥离硬质载体基板1之后的柔性衬底层2和形成线路图的导体层3。
其中,剥离硬质载体基板1的剥离方式可以为激光剥离或机械剥离。本发明实施例不做具体限定。
步骤103、在形成所述线路图的所述导体层上邦定芯片。
在本步骤中,具体实现可以为,在芯片的电连接端通过各向异性导电胶与导体层3上的线路图连接,从而实现在形成线路图的导体层3上邦定芯片。
其中,各向异性导电胶是一种只在一个方向导电,而在另一方向电阻很大或几乎不导电的特殊导电胶。
本发明实施例通过在柔性衬底层上形成导体层,图形化该导体层,在该导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图,在形成线路图的导体层上邦定芯片,较现有技术,无需在导体层上形成有机线路膜,再在有机线路膜上邦定芯片,减少了有机线路膜的使用,降低了成本。
以上为本发明提供的一种柔性显示面板的制造方法,基于该柔性显示面板的制造方法,本发明的实施例还提供一种柔性显示面板,包括通过上述方法制成的柔性显示面板。
其中,该柔性显示面板例如可以是有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED),其发光原理是在阳极和阴极之间插入各种功能层,包括电荷注入层、电荷传输层以及发光层,在电极之间施加适当的电压,器件就能发光。其中,OLED按照驱动方式的不同,分为主动式OLED(简称AMOLED)和被动式OLED(简称PMOLED);按发光方式不同,可分为顶发射OLED和底发射OLED,但不限于此;只要是柔性显示面板中的导体层上是通过上述方法刻蚀而形成的线路图,均应在本发明的保护范围之内。
该柔性显示面板可以包括柔性衬底层、导体层和芯片。导体层形成于所述柔性衬底层上,在所述导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图。芯片邦定在所述导体层的邦定区域对应的线路图中。
该柔性衬底层可以由PI材料制成,所述柔性衬底层的厚度为2~3μm。或者,所述柔性衬底层由PET和/或PEN材料制成,所述柔性衬底层的厚度为9~10μm。当然,该柔性衬底层也可以为PI、PET、PEN、PES、PU、PMMA、PC、金属箔,或含此类材料的复合柔性衬底层。
本发明采用该PI材料制成的柔性衬底层,较现有技术中采用COF封装工艺所需的衬底材料层更薄,柔性弯折力更强。
以上所述仅为本发明的实施例而已,并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的权利要求范围之内。
需要说明的是,除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“第一”、“第二”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
Claims (12)
1.一种柔性显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
在柔性衬底层上形成导体层;
图形化所述导体层,在所述导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图;
在形成所述线路图的所述导体层上邦定芯片。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述线路图,包括如下步骤:
在所述导体层上形成光刻胶层;
采用预定图案的掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影处理;
使用第一溶液对所述导体层进行刻蚀,去除所述导体层中的所述光刻胶层未覆盖部分。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一溶液为:
双氧水与硫酸的混合液;或,
氯化铜溶液;或,
三氯化铁溶液。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
采用原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺,在所述柔性衬底层上形成导体层。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在使用第一溶液对所述导体层进行刻蚀,去除所述导体层中的所述光刻胶未覆盖部分之后,还包括:
去除所述导体层上的光刻胶层。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述去除所述导体层上的光刻胶层,具体包括:
使用第二溶液在预定温度下对所述导体层上的光刻胶层进行剥离。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第二溶液为二甲基亚砜溶液和乙醇胺溶液;所述预定温度为55±2.5℃。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述柔性衬底层上形成导体层之前,还包括:
在硬质载体基板上形成所述柔性衬底层。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图之后,还包括:
采用剥离方式剥离所述硬质载体基板。
10.一种柔性显示面板,其特征在于,包括:
柔性衬底层;
导体层,形成于所述柔性衬底层上,在所述导体层上形成用于芯片驱动所需的线路图;
芯片,邦定在所述导体层的邦定区域对应的线路图中。
11.根据权利要求10所述的柔性显示面板,其特征在于,所述柔性衬底层由PI材料制成,所述柔性衬底层的厚度为2~3μm。
12.根据权利要求10所述的柔性显示面板,其特征在于,所述柔性衬底层由PET和/或PEN材料制成,所述柔性衬底层的厚度为9~10μm。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: No. 188, CHENFENG Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant after: Suzhou Qingyue Photoelectric Technology Co., Ltd Address before: 215300 No. 188 Feng Feng Road, Kunshan hi tech Zone, Jiangsu, Kunshan Applicant before: Kunshan Visionox Technology Co.,Ltd. |
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CB02 | Change of applicant information | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190702 |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |