CN109962078B - 一种显示基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，改善第二图案断线的问题。该显示基板包括衬底、依次层叠设置于衬底上的包括多个第一图案的第一功能层、绝缘层、辅助层、以及包括多个第二图案的第二功能层；辅助层包括第一过孔，绝缘层包括与第一过孔一一对应的第二过孔，第二图案通过第一过孔和第二过孔与第一图案接触；沿辅助层指向衬底的方向，第一过孔的横截面和第二过孔的横截面均逐渐减小，且第一过孔的底面在衬底上的正投影覆盖第二过孔的顶面在衬底上的正投影；第一过孔的侧壁与水平方向的夹角、第二过孔的侧壁与水平方向的夹角均小于60°。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示面板的更新迭代，消费者对显示面板的分辨率要求越来越高(例如8K)。
目前，显示面板常采用顶栅型(Top Gate)薄膜晶体管。为了提高显示面板的分辨率，可减小导电层的线宽，但同时还需增加导电层的厚度，以满足导电层的导电性能，进一步的，用于覆盖导电层的绝缘层的厚度也随之增加，从而增加了间隔的两层之间通过过孔搭接时的工艺难度。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板，可改善第二图案断线的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种显示基板，具有显示区，所述显示区包括非透光区；所述显示基板包括衬底、沿所述衬底的厚度方向依次层叠设置于所述衬底上的包括多个第一图案的第一功能层、绝缘层、辅助层、以及包括多个第二图案的第二功能层；所述第一功能层、所述绝缘层、以及所述第二功能层位于所述显示区；所述辅助层包括第一过孔，所述绝缘层包括与所述第一过孔一一对应的第二过孔，所述第二图案通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一图案接触；沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第一过孔的横截面和所述第二过孔的横截面均逐渐减小，且所述第一过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第二过孔的顶面在所述衬底上的正投影；所述第一过孔的侧壁与水平方向的夹角、所述第二过孔的侧壁与水平方向的夹角均小于60°；在所述辅助层的材料包括导电材料的情况下，所述辅助层包括多个间隔设置、且与所述第二图案一一对应的导电图案，所述导电图案位于所述非透光区，所述第一过孔与所述导电图案一一对应、且位于所述导电图案中；在所述辅助层的材料包括绝缘材料的情况下，所述辅助层平铺于所述显示区，且所述辅助层的厚度小于所述绝缘层的厚度。
可选的，所述第一过孔中靠近所述衬底一侧的边沿与所述第二过孔中背离所述衬底一侧的边沿重合。
可选的，所述辅助层的材料包括导电材料；所述辅助层的厚度范围为
Figure BDA0002011013160000021
所述绝缘层的厚度范围为
Figure BDA0002011013160000022
和/或，所述导电图案的侧壁与设置于该导电图案中的所述第一过孔的侧壁之间的间距范围为5～20μm。
可选的，所述第一图案为有源图案，所述第二图案包括源极图案和漏极图案；所述显示基板还包括设置于所述衬底与所述第一功能层之间金属遮光层和缓冲层，所述金属遮光层位于所述非透光区；所述金属遮光层包括与所述有源图案一一对应的多个金属遮光图案，且所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖与其对应的所述有源图案在所述衬底上的正投影，所述第一过孔和所述第二过孔还设置于所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影超出所述有源图案在所述衬底上的正投影的区域；所述缓冲层包括第三过孔，所述漏极图案通过所述第一过孔、所述第二过孔、以及所述第三过孔和与其对应的所述金属遮光图案电连接；沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第三过孔的横截面逐渐减小，且所述第二过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第三过孔的顶面在所述衬底上的正投影，所述第三过孔的侧壁与水平方向的夹角小于60°。
进一步可选的，还包括设置于所述第一功能层与所述绝缘层之间的栅极导电层，所述栅极导电层包括与所述有源图案一一对应的多个栅极图案；在所述辅助层的材料包括导电材料的情况下，所述导电图案在所述衬底上的正投影与所述栅极图案在所述衬底上的正投影无重叠。
可选的，所述第一图案为漏极图案；所述第二图案为透明电极。
第二方面，提供一种显示面板，包括第一方面所述的显示基板。
第三方面，提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板具有显示区，所述显示区包括非透光区；所述显示基板的制备方法包括：在衬底上形成第一功能层，所述第一功能层包括多个第一图案；在所述第一功能层背离所述衬底一侧形成绝缘层和辅助层，所述辅助层包括第一过孔，所述绝缘层包括与所述第一过孔一一对应的第二过孔；沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第一过孔的横截面和所述第二过孔的横截面均逐渐减小，且所述第一过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第二过孔的顶面在所述衬底上的正投影；所述第一过孔的侧壁与水平方向的夹角、所述第二过孔的侧壁与水平方向的夹角均小于60°；在所述辅助层背离所述衬底一侧形成第二功能层，所述第二功能层包括多个第二图案，所述第二图案通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一图案接触；其中，所述第一功能层、所述绝缘层、以及所述第二功能层位于所述显示区；在所述辅助层的材料包括导电材料的情况下，所述辅助层包括多个间隔设置、且与所述第二图案一一对应的导电图案，所述导电图案位于所述非透光区，所述第一过孔与所述导电图案一一对应、且位于所述导电图案中；在所述辅助层的材料包括绝缘材料的情况下，所述辅助层平铺于所述显示区，且所述辅助层的厚度小于所述绝缘层的厚度。
可选的，所述辅助层的材料包括导电材料，形成绝缘层和辅助层，包括：在所述第一功能层背离所述衬底一侧依次形成第一绝缘薄膜和导电薄膜，并在所述导电薄膜背离所述衬底一侧形成第一光刻胶图案；采用湿法刻蚀对所述导电薄膜进行刻蚀，形成辅助图案，所述辅助图案位于所述非透光区；所述辅助图案在所述衬底上的正投影覆盖待形成的所述第一过孔在所述衬底上的正投影，且其面积大于待形成的所述第一过孔的顶面的面积；剥离所述第一光刻胶图案，并在所述辅助图案背离所述衬底一侧形成第二光刻胶图案；采用湿法刻蚀对所述辅助图案进行刻蚀，形成包括多个所述导电图案的所述辅助层；所述第二光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第一过孔的侧壁，向与其对应的所述第一过孔的中心缩进；采用干法刻蚀对露出的所述第一绝缘薄膜进行刻蚀，形成所述绝缘层；剥离所述第二光刻胶图案。
可选的，所述辅助层的材料包括导电材料，形成绝缘层和辅助层，包括：在所述第一功能层背离所述衬底一侧形成第一绝缘薄膜和导电薄膜，并在所述导电薄膜背离所述衬底一侧形成第三光刻胶图案；采用湿法刻蚀对所述导电薄膜进行刻蚀，形成包括多个所述导电图案的所述辅助层；剥离所述第三光刻胶图案，并在所述辅助层背离所述衬底一侧形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第一过孔的侧壁，向与其对应的所述第一过孔的中心缩进；采用干法刻蚀对露出的所述第一绝缘薄膜进行刻蚀，形成所述绝缘层；剥离所述第二光刻胶图案。
可选的，所述辅助层的材料包括绝缘材料，形成绝缘层和辅助层，包括：在所述第一功能层背离所述衬底一侧形成第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜，并在所述第二绝缘薄膜背离所述衬底一侧形成第二光刻胶图案；采用湿法刻蚀对所述第二绝缘薄膜进行刻蚀，形成平铺于所述显示区的所述辅助层，所述第二光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第一过孔的侧壁，向与其对应的所述第一过孔的中心缩进；采用干法刻蚀对所述第一绝缘薄膜进行刻蚀，形成所述绝缘层；剥离所述第二光刻胶图案。
可选的，第一图案为有源图案，所述第二图案包括源极图案和漏极图案；在形成所述第一功能层之前，所述显示基板的制备方法还包括：在所述衬底上依次形成金属遮光层和缓冲薄膜，所述金属遮光层包括与所述有源图案一一对应的多个金属遮光图案，且所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖与其对应的所述有源图案在所述衬底上的正投影，其中所述金属遮光层位于所述非透光区；所述第一过孔和所述第二过孔还设置于所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影超出所述有源图案在所述衬底上的正投影的区域；在剥离所述第二光刻胶图案之后，形成所述第二功能层之前，所述显示基板的制备方法还包括：在所述辅助层背离所述衬底一侧形成第四光刻胶图案，所述第四光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第二过孔的侧壁，向与其对应的所述第二过孔的中心缩进；采用干法刻蚀对所述缓冲薄膜进行刻蚀，以形成缓冲层，缓冲层包括第三过孔，所述漏极图案通过所述第一过孔、所述第二过孔、以及所述第三过孔和与其对应的所述金属遮光图案电连接；沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第三过孔的横截面逐渐减小，且所述第二过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第三过孔的顶面在所述衬底上的正投影，所述第三过孔的侧壁与水平方向的夹角小于60°；剥离所述第四光刻胶图案。
可选的，在形成辅助层和绝缘层之后，形成第二功能层之前，所述显示基板的制备方法还包括：去除所述辅助层。
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板，包括依次层叠设置于衬底上的第一功能层、绝缘层、辅助层、以及第二功能层，第一功能层包括多个相互绝缘的第一图案，第二功能层包括多个相互绝缘的第二图案，第二图案通过辅助层上的第一过孔和绝缘层上的第二过孔与第一图案接触，且第一过孔与水平方向的锐角夹角、第二过孔与水平方向的锐角夹角均小于60°，这样一来，即使第二功能层的线宽减小、第二功能层和绝缘层的厚度增加，本发明实施例也可以改善第二功能层容易断线的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术提供的一种显示装置的结构示意图；
图2为相关技术提供的一种显示装置的结构示意图；
图3为相关技术提供的一种显示装置的结构示意图；
图4为相关技术提供的一种显示装置的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示基板的俯视示意图；
图6为本发明实施例提供的一种基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种基板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种辅助层的俯视示意图；
图9为本发明实施例提供的一种辅助层的俯视示意图；
图10为相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种第二光刻胶图案的变化过程图；
图12为本发明实施例提供的一种制备基板的过程示意图；
图13为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的一种制备显示基板的流程示意图；
图15为本发明实施例提供的一种制备显示基板的过程示意图；
图16为本发明实施例提供的一种制备显示基板的过程示意图；
图17为本发明实施例提供的一种制备显示基板的过程示意图；
图18为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的流程示意图；
图19为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的过程示意图；
图20为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的过程示意图；
图21为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的过程示意图；
图22为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的流程示意图；
图23为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的过程示意图；
图24为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的过程示意图；
图25为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的流程示意图；
图26为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的过程示意图；
图27为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的过程示意图；
图28为本发明实施例提供的一种制备绝缘层和辅助层的过程示意图；
图29为本发明实施例提供的一种制备显示基板的过程示意图；
图30为本发明实施例提供的一种制备显示基板的流程示意图；
图31为本发明实施例提供的一种制备显示基板的过程示意图；
图32为本发明实施例提供的一种制备显示基板的过程示意图；
图33为本发明实施例提供的一种制备显示基板的过程示意图。
附图标记：
1-框架；2-盖板玻璃；3-液晶显示面板；31-阵列基板；32-对盒基板；33-液晶层；4-背光模组；41-光学膜片；42-扩散板；43-光源；44-反射片；45-胶框；46-背板；47-黑黑胶；48-导光板；5-电路板；6-OLED显示面板；61-阵列基板；62-封装层；10-衬底；11-第一图案；12-绝缘层；121-第二过孔；13-辅助层；131-第一过孔；132-导电图案；134-导电薄膜；135-辅助图案；136-第二绝缘薄膜；14-第二图案；141-源极图案；142-漏极图案；151-第一光刻胶图案；152-第二光刻胶图案；153-第三光刻胶图案；154-第四光刻胶图案；16-金属遮光图案；17-缓冲层；171-第三过孔；172-缓冲薄膜；18-栅绝缘层；19-栅极图案；201-有源层；202-栅绝缘层；203-栅极；204-层间绝缘层；2041-过孔；205-源极；206-漏极；101-子像素区域；102-非子像素区域；301-下偏光片；302-上偏光片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的一些实施例提供一种显示装置，显示装置包括手机、平板电脑、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、车载电脑等，本发明实施例对上述显示装置的具体用途不做特殊限制。
上述显示装置例如可以是液晶显示装置或有机发光二极管(organic lightemitting diode，简称OLED)显示装置。
如图1-3所示，以液晶显示装置为例，液晶显示装置包括框架1、盖板玻璃2、液晶显示面板3、下偏光片301、上偏光片302、背光模组4、电路板5以及包括摄像头等的其他电子配件。
其中，框架1的纵截面呈U型，液晶显示面板3、下偏光片301、上偏光片302、背光模组4、电路板5以及其他电子配件设置于框架1内。背光模组4设置于液晶显示面板3的下方，下偏光片301设置于液晶显示面板3与背光模组4之间，电路板5设置于背光模组4下方，盖板玻璃2位于液晶显示面板3远离背光模组4的一侧，上偏光片302设置于液晶显示面板3与玻璃盖板2之间。
如图1所示，液晶显示面板3包括阵列基板31、对盒基板32以及设置于阵列基板31和对盒基板32之间的液晶层33，阵列基板31和对盒基板31通过封框胶对合在一起，从而将液晶层33限定在封框胶围成的区域内。
背光模组4可以是直下式背光模组，也可以是侧入式背光模组。
示例的，如图2所示，直下式背光模组包括背板46、胶框45、设置在背板46上的光源43、设置在光源43上的扩散板42、以及设置在扩散板42出光侧的光学膜片41。此外，还可以包括设置在背板46与光源43之间的反射片44。
示例的，如图3所示，侧入式背光模组包括背板46、胶框45、设置在背板46上的导光板48、设置在导光板48出光侧的光学膜片41、以及设置在导光板48一侧的光源43。此外，还可以包括设置在背板46与导光板48之间的反射片44。
其中，液晶显示面板3可以与胶框45可以通过黑黑胶47固定。光源例如可以是发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)。导光板48的断面形状有楔形和平板型两种。图2和图3中的背光模组4的结构仅为示意，不做任何限定。
如图4所示，以OLED显示装置为例，OLED显示装置例如可以包括框架1、盖板玻璃2、OLED显示面板6、电路板5以及包括摄像头等的其他电子配件。
其中，OLED显示面板6、电路板5以及其他电子配件设置于框架1内，电路板5设置于OLED显示面板6下方，盖板玻璃2位于OLED显示面板6的出光侧。
OLED显示面板6包括阵列基板61和封装层62，封装层62用于封装阵列基板61上的OLED器件。OLED器件包括层叠设置在衬底上的第一电极、发光功能层、第二电极。第一电极为阳极，第二电极为阴极；或者，第一电极为阴极，第二电极为阳极。
基于此，本发明实施例提供一种显示基板，该显示基板可以用作上述液晶显示面板3的阵列基板31或上述OLED显示面板6的阵列基板61。
如图5所示，该显示基板具有显示区101，显示区101包括非透光区102；如图6和图7所示，该显示基板包括衬底10、沿衬底10的厚度方向依次层叠设置于衬底10上的包括多个第一图案11的第一功能层、绝缘层12、辅助层13、以及包括多个第二图案14的第二功能层；第一功能层、绝缘层12、以及第二功能层位于显示区101；辅助层13包括第一过孔131，绝缘层12包括与第一过孔131一一对应的第二过孔121，第二图案14通过第一过孔131和第二过孔121与第一图案11接触；沿辅助层13指向衬底10的方向，第一过孔131的横截面和第二过孔121的横截面均逐渐减小，且第一过孔131的底面在衬底10上的正投影覆盖第二过孔121的顶面在衬底10上的正投影；第一过孔131的侧壁与水平方向的夹角、第二过孔121的侧壁与水平方向的夹角均小于60°；在辅助层13的材料包括导电材料的情况下，辅助层13包括多个间隔设置、且与第二图案14一一对应的导电图案132，导电图案132位于非透光区102，第一过孔131与导电图案132一一对应、且位于导电图案132中；在辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，辅助层13平铺于显示区101，且辅助层13的厚度小于绝缘层12的厚度。
此处，多个第一图案11之间相互绝缘，多个第二图案14之间相互绝缘，多个导电图案之间相互绝缘。
需要说明的是，第一，不对第一图案11和第二图案14的具体结构进行限定，具体的，与第一功能层和第二功能层的作用有关。
示例的，显示基板包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。第一图案11为顶栅型薄膜晶体管的有源图案，第二图案14为顶栅型薄膜晶体管的源极图案或漏极图案。
或者，第一图案11为漏极图案，第二图案14为透明电极。当显示基板为液晶显示基板时，透明电极为像素电极；当显示基板为OLED显示基板时，透明电极为OLED器件中的第一电极。
第二，不对辅助层13的材料进行限定。
示例的，辅助层13可以包括钼(Mo)、铜(Cu)、钼铌合金(MoNb)、铝(Al)等金属材料；或者，辅助层13也可以包括氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)等等透明导电材料；或者，辅助层13也可以包括氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化硅(SiOx)、树脂等绝缘材料。
第三，不对第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状进行限定，具体的，与形成第一过孔131和第二过孔121的工艺、以及用户需求有关。
示例的，第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状为圆形、矩形、椭圆形等。
其中，衬底10通常具有平行的上下表面，第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影，是指：第一过孔131和第二过孔121沿垂直于衬底10上下表面的方向，投到衬底10上下表面上的投影。
第四，不对第一过孔131和第二过孔121的尺寸进行限定，具体的，与形成第一过孔131和第二过孔121的工艺、以及第二功能层的厚度有关。
示例的，若第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状为圆形，则圆的直径范围为2～20μm；若第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状为矩形，则矩形的对角线长度为2～20μm；若第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状为椭圆形，则椭圆长轴的长度为2～20μm。
第五，第一过孔131和第二过孔121的个数可以是一个，也可以是多个。
在第一过孔131和第二过孔121的个数为多个的情况下，只要在第二功能层通过第一过孔131和第二过孔121与第一功能层接触处，第一过孔131与第二过孔121一一对应即可。
第六，如图6所示，第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角，等于第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角；或者，如图7所示，第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角，不等于第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角。
示例的，第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角为30°，第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角也为30°；或者，第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角为25°，第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角为40°。
第七，第一过孔131的底面，即，第一过孔131中靠近衬底10一侧的边沿围成的区域；第二过孔121的顶面，即，第二过孔121中背离衬底10一侧的边沿围成的区域。
第八，如图6所示，第一过孔131的底面恰好与第二过孔121的顶面完全重合，即，第一过孔131中靠近衬底10一侧的边沿与第二过孔121中背离衬底10一侧的边沿重合；或者，如图7所示，第一过孔131的底面在衬底10上的正投影，覆盖第二过孔121的顶面在衬底10上的正投影，且第一过孔131的底面的面积，大于第二过孔121的顶面的面积。
第九，如图8所示，在辅助层13的材料包括导电材料、第二功能层的材料也包括导电图案的情况下，由于导电图案132与第二图案一一对应，因此，多个第二图案14之间不会通过辅助图案132短路。
第十，导电图案132在衬底10上的正投影的形状，和与该导电图案132对应的第一过孔131在衬底10上的正投影的形状相同或不同。
第十一，如图9所示，在辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，辅助层13位于显示区101，即，辅助层至少平铺于显示区，并包括多个第一过孔131。
当然，在辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，辅助层13也可以如导电图案132一样，仅设置在非透光区102，具体说明可参考导电图案132的说明。
本发明实施例提供一种显示基板，包括依次层叠设置于衬底10上的第一功能层、绝缘层12、辅助层13、以及第二功能层，第一功能层包括多个相互绝缘的第一图案11，第二功能层包括多个相互绝缘的第二图案14，第二图案14通过辅助层13上的第一过孔131和绝缘层12上的第二过孔121与第一图案11接触，且第一过孔131与水平方向的锐角夹角、第二过孔121与水平方向的锐角夹角均小于60°，这样一来，即使第二功能层14的线宽减小、第二功能层14和绝缘层12的厚度增加，本发明实施例也可以改善第二功能层14容易断线的问题。
相关技术中，液晶显示面板3中的阵列基板31和OLED显示面板6中的阵列基板61在其每个子像素的区域均包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，薄膜晶体管可以是顶栅型、底栅型、以及双栅型。
如图10所示，为一种顶栅型薄膜晶体管，顶栅型薄膜晶体管包括依次设置在衬底10上的有源层201、栅绝缘层202、栅极203、层间绝缘层204、源极205和漏极206。其中，源极205和漏极206通过层间绝缘层204上的过孔2041与有源层201接触。
然而，若采用湿法刻蚀形成过孔2041，虽然过孔2041的侧壁与水平方向的锐角夹角，相较于干法刻蚀形成的过孔204的侧壁与水平方向的锐角夹角小很多，但需强酸作为刻蚀液。而强酸容易对操作人员造成伤害。因此，通常采用干法刻蚀对无机材料进行刻蚀，以形成层间绝缘层204中的过孔2041，但采用干法刻蚀形成的过孔2041的侧壁与水平方向的锐角夹角较大，通常为60°～85°。
若为了提高液晶显示面板3或OLED显示面板6的分辨率，将顶栅薄膜晶体管的栅极203、源极205和漏极206的线宽减小，同时增加栅极203、源极205和漏极206的厚度来保持薄膜晶体管的功能，则用于覆盖栅极203的层间绝缘层204的厚度也随之增加。这样一来，一方面，采用干法刻蚀过孔2041的侧壁与水平方向的锐角夹角较大；另一方面，层间绝缘层204的厚度较大，延长了源极205和漏极206与有源层201接触所需的路径，从而导致源极205和漏极206在过孔2041中断线，最终导致顶栅型薄膜晶体管失效。
基于此，本发明实施例采用湿法刻蚀形成辅助层13中的第一过孔131，由于刻蚀液具有各向同性、且仅与辅助层13的材料发生化学反应，因此，如图11所示，第一过孔131的开口大于第二光刻胶图案152的开口(即，第二光刻胶图案的开口相对于与其对应的第一过孔的侧壁，向与其对应的第一过孔的中心缩进)，其中，第一过孔131中靠近绝缘层12的边沿在衬底10上的正投影围成的区域中，与第二光刻胶图案152的开口在衬底10上的正投影未重叠的区域为CD Bias(Critical Dimension Bias)区域；进一步的，采用干法刻蚀形成绝缘层12上的第二过孔121，由于干法刻蚀具有各向异性，沿第一功能层11指向衬底10的方向进行离子轰击，在此过程中，干法刻蚀之前绝缘层12中露出的部分被刻蚀的时间最长，最终对应的部分为第二过孔121中深度最大的部分；随着刻蚀时间的增加，如图11和图12所示，第二光刻胶图案152逐渐外飘，即，第二光刻胶图案152中位于CD Bias区域的部分也逐渐被刻蚀掉，进而绝缘层12中位于CD Bias区域的部分也逐渐被刻蚀，形成第二过孔121中深度较小(相较于第二过孔中深度最大的部分)的部分，且沿垂直于衬底10的厚度方向，第二过孔121中越靠近辅助层13的部分，被刻蚀的时间越短，深度也越小，这样一来，即可使得第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角，小于直接采用干法刻蚀所形成的过孔的侧壁与水平方向的锐角夹角。
此处，第二光刻胶图案152的开口仅露出辅助层13中的第一过孔131，且第二光刻胶图案152的开口小于第一过孔131的开口，第二光刻胶图案152的开口的中心与第一过孔131的开口的中心在同一竖直线上。
其中，当辅助层13的材料包括导电材料的情况下，一方面，由于弱酸刻蚀液即可与导电材料发生化学反应，因此，在采用湿法刻蚀形成辅助层13中的第一过孔131时，可以利用弱酸刻蚀液刻蚀形成辅助层13，以形成第一过孔131，相较于利用强酸刻蚀液，可避免刻蚀过程中对操作人员造成伤害；另一方面，相较于绝缘材料，导电材料的硬度较大，在采用干法刻蚀形成绝缘层12中的第二过孔121时，干法刻蚀不易影响辅助层13的形状。
当辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，若辅助层13仅位于非透光区102，如图26所示，先在衬底10上形成第二绝缘薄膜136，由于第二绝缘薄膜136中用于形成第一过孔131的部分必须采用湿法刻蚀，才能使得第一过孔101的侧壁与水平方向的锐角夹角较小；而对于第二绝缘薄膜136中除第一过孔131以外需被刻蚀掉的部分，由于面积比较大，需采用大量强酸才能完全刻蚀，为了避免造成人员伤害，该部分第二绝缘薄膜136通常采用干法刻蚀进行刻蚀，这样一来，则需采用两道掩模板(mask)才能形成辅助层13。
基于此，通过将辅助层13平铺于显示区101，可节省一道掩模板，从而节省制备成本；同时，由于在辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，辅助层13的厚度小于绝缘层12的厚度，因此，可以减少利用强酸刻蚀的时间，以降低操作人员受到强酸刻蚀的几率；在上述基础上，由于绝缘材料不会与显示基板上的其他导电层产生电容，因此，也不会影响显示基板的功能。
可选的，如图6所示，第一过孔131中靠近衬底10一侧的边沿与第二过孔121中背离衬底10一侧的边沿重合。
本发明实施例中，第二图案14可以直接沿第一过孔131的侧壁和第二过孔121的侧壁与第一图案11接触，以减少第二图案14在第一过孔131和第二过孔121中的路径，从而降到第二图案14断线的几率。
在此基础上，在第一过孔131的尺寸、绝缘层12的厚度一定的情况下，若第一过孔131中靠近绝缘层12的边沿在衬底10上的正投影围成的区域，与第二过孔121中靠近辅助层13的边沿在衬底10上的正投影围成的区域完全重叠，则说明第二光刻胶图案152和绝缘层12中位于CD Bias区域的部分被完全刻蚀，第二过孔121中深度较小(相较于第二过孔中深度最大的部分)的部分的尺寸最大，进而第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角也越小。
可选的，在辅助层13的材料包括导电材料的情况下，辅助层13的厚度范围为
Figure BDA0002011013160000141
绝缘层12的厚度范围为
Figure BDA0002011013160000142
和/或，导电图案132的侧壁与设置于该导电图案132中的第一过孔131的侧壁之间的间距范围为5～20μm。
例如，辅助层13的厚度为
Figure BDA0002011013160000143
绝缘层12的厚度为
Figure BDA0002011013160000144
此处，在绝缘层12的厚度一定的情况下，CD Bias区域的尺寸大于等于绝缘层12的厚度，即可使第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角小于等于45°。
示例的，CD Bias区域的尺寸为
Figure BDA0002011013160000151
绝缘层12的厚度也为
Figure BDA0002011013160000152
第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角等于45°。
此外，在CD Bias区域的尺寸一定的情况下，通常在辅助层13的厚度为
Figure BDA0002011013160000153
左右、绝缘层12的厚度为
Figure BDA0002011013160000154
左右时，可以使第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角小于30°；在辅助层13的厚度为
Figure BDA0002011013160000155
左右、绝缘层12的厚度为
Figure BDA0002011013160000156
左右时，可以使第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角小于45°。
需要说明的是，若导电图案132在衬底10上的正投影的形状和与该导电图案132对应的第一过孔131在衬底10上的正投影的形状相同，则该导电图案132的侧壁与和该导电图案132对应的第一过孔131之间的间距处处相等，且二者之间的间距为5～20μm。
示例的，导电图案132的侧壁与和该导电图案132对应的第一过孔131之间的间距等于5μm。
若导电图案132在衬底10上的正投影的形状和与该导电图案132对应的第一过孔131的形状不相同，则只要该导电图案132的侧壁和与该导电图案132对应的第一过孔131之间的间距为5～20μm即可。
示例的，在部分位置，导电图案132的侧壁与和该导电图案132对应的第一过孔131之间的间距等于5μm；在一部分位置，导电图案132的侧壁与和该导电图案132对应的第一过孔131之间的间距等于10μm。
本发明实施例中，在辅助层13的材料包括导电材料的情况下，通过使辅助层13的厚度范围为
Figure BDA0002011013160000157
绝缘层12的厚度范围为
Figure BDA0002011013160000158
以使得第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角小于60°；在此基础上，在第二功能层的材料也包括导电材料的情况下，第二图案14与辅助层13电连接，可以减小第二图案14的电阻，从而节约电能。同时，通过将导电图案132的侧壁和与该导电图案132对应的第一过孔131的侧壁之间的间距控制在5～20μm范围内，当显示基板应用于显示装置时，可避免辅助层13与非透光区102的其他导电层之间形成电容，从而影响显示装置的显示画面。
可选的，如图13所示，第一图案11为有源图案，第二图案14包括源极图案141和漏极图案142；显示基板还包括设置于衬底10与第一功能层之间金属遮光层和缓冲层17，金属遮光层位于非透光区102；金属遮光层包括与有源图案一一对应的多个金属遮光图案16，且所述金属遮光图案16在衬底10上的正投影覆盖与其对应的有源图案在衬底10上的正投影，第一过孔131和第二过孔121还设置于金属遮光图案16在衬底10上的正投影超出有源图案在衬底10上的正投影的区域；缓冲层17包括第三过孔171，漏极图案通过第一过孔131、第二过孔121、以及第三过孔171和与其对应的金属遮光图案16电连接；沿辅助层13指向衬底10的方向，第三过孔171的横截面逐渐减小，且第二过孔121的底面在衬底10上的正投影覆盖第三过孔171的顶面在衬底10上的正投影，第三过孔171的侧壁与水平方向的夹角小于60°。
显示基板包括顶栅型薄膜晶体管，顶栅型薄膜晶体管包括依次层叠设置的有源图案、栅绝缘层18、栅极图案19、层间绝缘层、以及源极图案141和漏极图案142。其中，绝缘层12为层间绝缘层。需要说明的是，第一，金属遮光图案16在衬底10上的正投影至少覆盖与其对应的有源图案在衬底10上的正投影。
在此基础上，当显示基板应用于显示装置时，可将金属遮光图案16仅设置在非透光区102，以避免金属遮光图案16影响显示装置的开口率。
第二，一个第二图案14仅包括一个源极图案或一个漏极图案。
本发明实施例中，通过在有源图案靠近衬底10一侧设置金属遮光图案16，可避免光线由衬底10一侧照射到有源图案上，导致阈值电压漂移；同时，通过将漏极图案142与金属遮光图案16电连接，可以避免金属遮光图案16与栅极图案19之间产生寄生电容，从而影响显示基板的工作效率；在上述基础上，由于第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角、第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角、以及第三过孔171的侧壁与水平方向的锐角夹角均小于60°，因此，在漏极图案142通过第一过孔131、第二过孔121、以及第三过孔171与金属遮光图案16电连接时，还可避免漏极图案142断线。
进一步可选的，如图13所示，所述显示基板还包括设置于第一功能层与绝缘层12之间的栅极导电层，栅极导电层包括与有源图案一一对应的多个栅极图案19；在辅助层13的材料包括导电材料的情况下，导电图案132在衬底10上的正投影与栅极图案19在衬底10上的正投影无重叠。
本发明实施例中，通过使辅助层13在衬底10上的正投影和栅极图案19在衬底10上的正投影无重叠，可避免辅助层13与栅极图案19之间产生寄生电容，影响显示基板的工作效率。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括前述任一实施例所述的显示基板。
此处，所述显示面板的用途及具体结构可参见前文，所述显示面板的解释说明和技术效果可参见所述显示基板的解释说明和技术效果，在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板具有显示区101，显示区101包括非透光区102，如图14所示，具体可以通过如下步骤制备得到所述显示基板：
S11、如图15所示，在衬底10上形成第一功能层，第一功能层包括多个第一图案11。
其中，多个第一图案11之间相互绝缘。
需要说明的是，不对第一功能层的形成方式进行限定，具体的，与第一功能层的材料有关。
S12、如图16所示，在第一功能层背离衬底10一侧形成绝缘层12和辅助层13，辅助层13包括第一过孔131，绝缘层12包括与第一过孔131一一对应的第二过孔121；沿辅助层13指向衬底10的方向，第一过孔131的横截面和第二过孔121的横截面均逐渐减小，且第一过孔131的底面在衬底10上的正投影覆盖第二过孔121的顶面在衬底10上的正投影；第一过孔131的侧壁与水平方向的夹角、第二过孔121的侧壁与水平方向的夹角均小于60°。
需要说明的是，第一，不对辅助层13的材料进行限定。
示例的，辅助层13可以包括钼、铜、钼铌合金、铝等金属材料；或者，辅助层13也可以包括氧化铟锡等等透明导电材料；或者，辅助层13也可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、树脂等绝缘材料。
第二，不对第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状进行限定，具体的，与形成第一过孔131和第二过孔121的工艺、以及用户需求有关。
示例的，第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状为圆形、矩形、椭圆形等。
第三，不对第一过孔131和第二过孔121的尺寸进行限定，具体的，与形成第一过孔131和第二过孔121的工艺、以及第二功能层的厚度有关。
示例的，若第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状为圆形，则圆的直径范围为2～20μm；若第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状为矩形，则矩形的对角线长度为2～20μm；若第一过孔131和第二过孔121在衬底10上的正投影的形状为椭圆形，则椭圆长轴的长度为2～20μm。
第四，第一过孔131和第二过孔121的个数可以是一个，也可以是多个。
在第一过孔131和第二过孔121的个数为多个的情况下，第一过孔131的个数可以相等，也可以不相等，只要在第二功能层通过第一过孔131和第二过孔121与第一功能层接触处，第一过孔131与第二过孔121一一对应即可。
第五，如图6所示，第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角，等于第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角；或者，如图7所示，第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角，不等于第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角。
示例的，第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角为30°，第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角也为30°；或者，第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角为25°，第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角为40°。
第六，第一过孔131的底面，即，第一过孔131中靠近衬底10一侧的边沿围成的区域；第二过孔121的顶面，即，第二过孔121中背离衬底10一侧的边沿围成的区域。
第七，如图6所示，第一过孔131的底面恰好与第二过孔121的顶面完全重合，即，第一过孔131中靠近衬底10一侧的边沿与第二过孔121中背离衬底10一侧的边沿重合；或者，如图7所示，第一过孔131的底面在衬底10上的正投影，覆盖第二过孔121的顶面在衬底10上的正投影，且第一过孔131的底面的面积，大于第二过孔121的顶面的面积。
S13、如图17所示，在辅助层13背离衬底10一侧形成第二功能层，第二功能层包括多个第二图案14，第二图案14通过第一过孔131和第二过孔121与第一图案11接触。
其中，多个第二图案14之间相互绝缘。
需要说明的是，不对第二功能层的形成方式进行限定，具体的，与第二功能层的材料有关。
其中，第一功能层、绝缘层12、以及第二功能层位于显示区101；在辅助层13的材料包括导电材料的情况下，辅助层13包括多个间隔设置、且与第二图案14一一对应的导电图案132，导电图案132位于非透光区102，第一过孔131与导电图案132一一对应、且位于导电图案132中；在辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，辅助层13平铺于显示区101，且辅助层13的厚度小于绝缘层12的厚度。
需要说明的是，第一，如图8所示，在辅助层13的材料包括导电材料、第二功能层的材料也包括导电图案的情况下，由于导电图案132与第二图案一一对应，因此，多个第二图案14之间不会通过辅助图案132短路。
第二，导电图案132在衬底10上的正投影的形状，和与该导电图案132对应的第一过孔131在衬底10上的正投影的形状相同或不同。
第三，如图9所示，在辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，辅助层13位于显示区101，即，辅助层至少平铺于显示区，并包括多个第一过孔131。
当然，在辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，辅助层13也可以如导电图案132一样，仅设置在非透光区102，具体说明可参考导电图案132的说明。
本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，具有与前述显示基板相同的技术效果，在此不再赘述。
可选的，辅助层13的材料包括导电材料，如图18所示，形成绝缘层12和辅助层13，具体可通过如下步骤实现：
S121、如图19所示，在第一功能层背离衬底10一侧依次形成第一绝缘薄膜123和导电薄膜134，并在导电薄膜134背离衬底10一侧形成第一光刻胶图案151。其中，第一绝缘薄膜123和导电薄膜134至少位于显示区101。
此处，形成第一绝缘薄膜123和导电薄膜134之后，先在导电薄膜134背离衬底10一侧形成光刻胶，再对光刻胶进行曝光、显影，以形成第一光刻胶图案151。
其中，用于形成第一光刻胶图案151的光刻胶可以是正胶，也可以是负胶。
S122、如图20所示，采用湿法刻蚀对导电薄膜134进行刻蚀，辅助图案135，辅助图案135位于非透光区102；辅助图案135在衬底10上的正投影覆盖待形成的第一过孔131在衬底10上的正投影，且其面积大于待形成的第一过孔131的顶面的面积。
S123、剥离第一光刻胶图案151，并在辅助图案135背离衬底10一侧形成第二光刻胶图案152。
此处，例如可以采用激光剥离的方式剥离第一光刻胶图案151。剥离第一光刻胶图案151之后，在辅助图案135背离衬底10一侧形成光刻胶，再对光刻胶进行曝光、显影，以形成第二光刻胶图案152。
其中，用于形成第二光刻胶图案152的光刻胶可以是正胶，也可以是负胶。
S124、如图9所示，采用湿法刻蚀对所述辅助图案进行刻蚀，形成包括多个所述导电图案的所述辅助层；所述第二光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第一过孔的侧壁，向与其对应的所述第一过孔的中心缩进。
此处，由于采用湿法刻蚀具有各向同性、且仅与辅助图案135的材料发生化学反应，因此，如图11所示，第一过孔131的开口大于第二光刻胶图案152的开口，且第一过孔131的中心与第二光刻胶图案152的开口的中心在同一竖直线上。
需要说明的是，第二光刻胶图案152的开口相对于与其对应的第一过孔131的侧壁，向与其对应的第一过孔131的中心缩进，即，第二光刻胶图案152的开口小于第一过孔131的开口，且第二光刻胶图案152的开口的中心与第一过孔131的中心在同一竖直线上。
S125、参考图6和图7所示，采用干法刻蚀对露出的第一绝缘薄膜123进行刻蚀，形成绝缘层12。
S126、剥离第二光刻胶图案152。
例如，可以采用激光剥离或机械剥离的方式剥离第二光刻胶图案152。
本发明实施例中，在辅助层13的材料包括导电材料的情况下，为了避免大面积的导电薄膜134与显示基板中的其他导电层产生电容，因此，先对导电薄膜134进行刻蚀形成辅助图案135，辅助图案135位于非透光区102，而若采用干法刻蚀形成辅助图案135，由于导电薄膜134中被刻蚀的部分的面积较大，在离子轰击时，可能造成显示基板电荷聚集，以影响显示基板的性能或将衬底10及衬底10上的各层击碎，因此，本发明实施例采用湿法刻蚀形成辅助图案135，以避免产生上述问题。
在对辅助图案135进行湿法刻蚀形成辅助层13时，一方面，由于辅助层13的材料包括导电材料，采用弱酸刻蚀液即可对导电材料进行刻蚀，因此，在采用湿法刻蚀形成辅助层13的过程中，不会对操作人员造成伤害；另一方面，湿法刻蚀具有各向同性，相较于干法刻蚀，对辅助图案135进行湿法刻蚀得到的辅助层13的侧壁与水平方向的锐角夹角更小，且可满足辅助层13的侧壁与水平方向的锐角夹角小于60°。
由于需采用强酸刻蚀液才能对第一绝缘薄膜123进行刻蚀，而强酸容易对操作人员造成伤害，因此，在形成辅助层13之后，本发明实施例采用干法刻蚀对第一绝缘薄膜123进行刻蚀，由于干法刻蚀具有各向异性，沿第一功能层指向衬底10的方向进行离子轰击，在此过程中，干法刻蚀之前绝缘层12中露出的部分被刻蚀的时间最长，最终对应的部分为第二过孔121中深度最大的部分；随着刻蚀时间的增加，如图11和图12所示，第二光刻胶图案152逐渐外飘，即，第二光刻胶图案152中位于CD Bias区域的部分也逐渐被刻蚀掉，进而绝缘层12中位于CD Bias区域的部分也逐渐被刻蚀，形成第二过孔121中深度较小(相较于第二过孔中深度最大的部分)的部分，且沿垂直于衬底10的厚度方向，第二过孔121中越靠近辅助层13的部分，被刻蚀的时间越短，深度也越小，这样一来，即可使得第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角，小于直接对第一绝缘薄膜123进行干法刻蚀所形成的过孔的侧壁与水平方向的锐角夹角；同时，由于相较于绝缘材料，导电材料的硬度更大，在采用干法刻蚀形成绝缘层12中的第二过孔121时，干法刻蚀不易影响辅助层13的形状；在第二功能层也包括导电材料的情况下，第二图案14与辅助层13电连接，还可以减小第二图案14的电阻，从而节约电能。
在上述基础上，由辅助图案135形成辅助层13的过程中所采用的光刻胶图案为第二光刻胶图案152，由第一绝缘薄膜123形成绝缘层12的过程中所采用的光刻胶图案也为第二光刻胶图案152，可减少一道掩模板。
可选的，辅助层13的材料包括导电材料，如图22所示，形成绝缘层12和辅助层13，具体可通过如下步骤实现：
S221、如图23所示，在第一功能层背离衬底10一侧形成第一绝缘薄膜123和导电薄膜134，并在导电薄膜134背离衬底10一侧形成第三光刻胶图案153。其中，第一绝缘薄膜123和导电薄膜134至少位于显示区101。
此处，形成第一绝缘薄膜123和导电薄膜134之后，先在导电薄膜134背离衬底10一侧形成光刻胶，再对光刻胶进行曝光、显影，以形成第三光刻胶图案153。
其中，用于形成第三光刻胶图案153的光刻胶可以是正胶，也可以是负胶。
S222、如图24所示，采用湿法刻蚀对导电薄膜134进行刻蚀，形成包括多个导电图案132的辅助层13。
S223、剥离第三光刻胶图案153，如图9所示，在辅助层13背离衬底10一侧形成第二光刻胶图案152，第二光刻胶图案152的开口相对于与其对应的第一过孔131的侧壁，向与其对应的第一过孔131的中心缩进。
此处，例如可以采用激光剥离的方式剥离第三光刻胶图案153。剥离第三光刻胶图案153之后，在辅助图案135背离衬底10一侧形成光刻胶，再对光刻胶进行曝光、显影，以形成第二光刻胶图案152。
其中，用于形成第二光刻胶图案152的光刻胶可以是正胶，也可以是负胶。
需要说明的是，第二光刻胶图案152的开口相对于与其对应的第一过孔131的侧壁，向与其对应的第一过孔131的中心缩进，即，第二光刻胶图案152的开口小于第一过孔131的开口，且第二光刻胶图案152的开口的中心与第一过孔131的中心在同一竖直线上。
S224、参考图6和图7所示，采用干法刻蚀对露出的第一绝缘薄膜123进行刻蚀，形成绝缘层12。
S225、剥离第二光刻胶图案152。
例如，可以采用激光剥离或机械剥离的方式剥离第二光刻胶图案152。
本发明实施例中，在辅助层13的材料包括导电材料的情况下，为了避免大面积的导电薄膜134与显示基板中的其他导电层产生电容，因此，因此，最终形成的辅助层13仅位于非透光区102，而若采用干法刻蚀形成辅助层13，一方面，由于导电薄膜134中被刻蚀的部分的面积较大，在离子轰击时，可能造成显示基板电荷聚集，以影响显示基板的性能或将衬底10及衬底10上的各层击碎；另一方面，干法刻蚀得到的过孔的侧壁与水平方向的锐角夹角较大，容易造成第二功能层断线，因此，本发明实施例采用湿法刻蚀形成辅助图案135，以避免产生上述问题。同时，采用弱酸刻蚀液即可对导电材料进行刻蚀，因此，在采用湿法刻蚀形成辅助层13的过程中，不会对操作人员造成伤害。
由于需采用强酸刻蚀液才能对第一绝缘薄膜123进行刻蚀，而强酸容易对操作人员造成伤害，因此，在形成辅助层13之后，本发明实施例采用干法刻蚀对第一绝缘薄膜123进行刻蚀，由于干法刻蚀具有各向异性，沿第一功能层指向衬底10的方向进行离子轰击，在此过程中，干法刻蚀之前绝缘层12中露出的部分被刻蚀的时间最长，最终对应的部分为第二过孔121中深度最大的部分；随着刻蚀时间的增加，如图11和图12所示，第二光刻胶图案152逐渐外飘，即，第二光刻胶图案152中位于CD Bias区域的部分也逐渐被刻蚀掉，进而绝缘层12中位于CD Bias区域的部分也逐渐被刻蚀，形成第二过孔121中深度较小(相较于第二过孔中深度最大的部分)的部分，且沿垂直于衬底10的厚度方向，第二过孔121中越靠近辅助层13的部分，被刻蚀的时间越短，深度也越小，这样一来，即可使得第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角，小于直接对第一绝缘薄膜123进行干法刻蚀所形成的过孔的侧壁与水平方向的锐角夹角；同时，由于相较于绝缘材料，导电材料的硬度更大，在采用干法刻蚀形成绝缘层12中的第二过孔121时，干法刻蚀不易影响辅助层13的形状；在第二功能层也包括导电材料的情况下，第二图案14与辅助层13电连接，还可以减小第二图案14的电阻，从而节约电能。
可选的，辅助层13的材料包括绝缘材料，如图25所示，形成绝缘层12和辅助层13，具体可通过如下步骤实现：
S321、如图26所示，在第一功能层11背离衬底10一侧形成第一绝缘薄膜123和第二绝缘薄膜136，并在第二绝缘薄膜136背离衬底10一侧形成第二光刻胶图案152。其中，第一绝缘薄膜123和第二绝缘薄膜136至少位于显示区101。
此处，形成第一绝缘薄膜123和第二绝缘薄膜136之后，在辅助图案135背离衬底10一侧形成光刻胶，再对光刻胶进行曝光、显影，以形成第二光刻胶图案152。
其中，用于形成第二光刻胶图案152的光刻胶可以是正胶，也可以是负胶。
需要说明的是，第一绝缘薄膜123的材料与第二绝缘薄膜136的材料可以相同，也可以不相同。
在第一绝缘薄膜123的材料与第二绝缘薄膜136的材料相同的情况下，可以同时形成第一绝缘薄膜123和第二绝缘薄膜136。
S322、如图27所示，采用湿法刻蚀对第二绝缘薄膜136进行刻蚀，形成平铺于显示区101的辅助层13；第二光刻胶图案152的开口相对于与其对应的第一过孔131的侧壁，向与其对应的第一过孔131的中心缩进。
此处，由于采用湿法刻蚀具有各向同性、且仅与第二绝缘薄膜136的材料发生化学反应，因此，如图11所示，第二光刻胶图案152的开口相对于与其对应的第一过孔131的侧壁，向与其对应的第一过孔131的中心缩进，即，第一过孔131的开口大于第二光刻胶图案152的开口，且第一过孔131的中心与第二光刻胶图案152的开口的中心在同一竖直线上。
需要说明的是，在第一绝缘薄膜123的材料与第二绝缘薄膜136的材料相同的情况下，可通过控制刻蚀时间，来确保第一绝缘薄膜123不被刻蚀。
S323、如图28所示，采用干法刻蚀对第一绝缘薄膜123进行刻蚀，形成绝缘层12。
S324、剥离第二光刻胶图案152。
例如，可以采用激光剥离或机械剥离的方式剥离第二光刻胶图案152。
在辅助层13仅位于非透光区102的情况下，先在衬底10上形成第二绝缘薄膜136，由于第二绝缘薄膜136中用于形成第一过孔131的部分必须采用湿法刻蚀，才能使得第一过孔101的侧壁与水平方向的锐角夹角较小；而对于第二绝缘薄膜136中除第一过孔131以外需被刻蚀掉的部分，由于面积比较大，需采用大量强酸才能完全刻蚀，为了避免造成人员伤害，该部分第二绝缘薄膜136通常采用干法刻蚀进行刻蚀，这样一来，则需采用两道掩模板才能形成辅助层13。
基于此，本发明实施例中，通过将辅助层13平铺于显示区101，可节省一道掩模板，从而节省制备成本；同时，由于在辅助层13的材料包括绝缘材料的情况下，辅助层13的厚度小于绝缘层12的厚度，因此，可以减少利用强酸刻蚀的时间，以降低操作人员受到强酸刻蚀的几率；在上述基础上，由于绝缘材料不会与显示基板上的其他导电层产生电容，因此，也不会影响显示基板的功能。
由于需采用强酸刻蚀液才能对第一绝缘薄膜123进行刻蚀，而强酸容易对操作人员造成伤害，因此，在形成辅助层13之后，本发明实施例采用干法刻蚀对第一绝缘薄膜123进行刻蚀，由于干法刻蚀具有各向异性，沿第一功能层指向衬底10的方向进行离子轰击，在此过程中，干法刻蚀之前绝缘层12中露出的部分被刻蚀的时间最长，最终对应的部分为第二过孔121中深度最大的部分；随着刻蚀时间的增加，如图11和图12所示，第二光刻胶图案152逐渐外飘，即，第二光刻胶图案152中位于CD Bias区域的部分也逐渐被刻蚀掉，进而绝缘层12中位于CD Bias区域的部分也逐渐被刻蚀，形成第二过孔121中深度较小(相较于第二过孔中深度最大的部分)的部分，且沿垂直于衬底10的厚度方向，第二过孔121中越靠近辅助层13的部分，被刻蚀的时间越短，深度也越小，这样一来，即可使得第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角，小于直接对第一绝缘薄膜123进行干法刻蚀所形成的过孔的侧壁与水平方向的锐角夹角。
可选的，如图13所示，第一图案11为有源图案，第二图案14包括源极图案141和漏极图案142；如图29所示，在形成第一功能层之前，所述显示基板的制备方法还包括：在衬底10上依次形成金属遮光层和缓冲薄膜172，金属遮光层包括与有源图案一一对应的多个金属遮光图案16，且金属遮光图案16在衬底10上的正投影覆盖与其对应的有源图案在衬底10上的正投影，其金属遮光层位于非透光区102；第一过孔131和第二过孔121还设置于金属遮光图案16在衬底10上的正投影超出有源图案在衬底10上的正投影的区域。
显示基板包括顶栅型薄膜晶体管，顶栅型薄膜晶体管包括依次层叠设置的有源图案、栅绝缘层18、栅极图案19、层间绝缘层、以及源极图案141和漏极图案142。其中，绝缘层12为层间绝缘层。
需要说明的是，第一，金属遮光图案16在衬底10上的正投影至少覆盖与其对应的有源图案在衬底10上的正投影。
在此基础上，当显示基板应用于显示装置时，可将金属遮光图案16仅设置在非透光区102，以避免金属遮光图案16影响显示装置的开口率。
第二，一个第二图案14仅包括一个源极图案或一个漏极图案。
在剥离第二光刻胶图案152之后，形成第二功能层之前，如图30所示，所述显示基板的制备方法还包括：
S14、如图31所示，在辅助层13背离衬底10一侧形成第四光刻胶图案154，第四光刻胶图案154的开口相对于与其对应的第二过孔121的侧壁，向与其对应的第二过孔121的中心缩进。
此处，剥离第二光刻胶图案之后，先在辅助层13背离衬底10一侧形成光刻胶，再对光刻胶进行曝光、显影，以形成第四光刻胶图案154。
其中，用于形成第四光刻胶图案154的光刻胶可以是正胶，也可以是负胶。
需要说明的是，第四光刻胶图案154的开口相对于与其对应的第二过孔121的侧壁，向与其对应的第二过孔121的中心缩进，即，第四光刻胶图案154的开口小于第二过孔121的开口，且第四光刻胶图案154的中心与第二过孔121的开口的中心在同一竖直线上。
S15、如图32所示，采用干法刻蚀对缓冲薄膜172进行刻蚀，以形成缓冲层17，缓冲层17包括第三过孔171，漏极图案142通过第一过孔131、第二过孔121、以及第三过孔121和与其对应的金属遮光图案16电连接；沿辅助层13指向衬底10的方向，第三过孔171的横截面逐渐减小，且第二过孔121的底面在衬底10上的正投影覆盖第三过孔171的顶面在衬底10上的正投影，第三过孔171的侧壁与水平方向的夹角小于60°。
S16、参考图13所示，剥离第四光刻胶图案154。
例如，可以采用激光剥离或机械剥离的方式剥离第四光刻胶图案154。
本发明实施例中，通过在有源图案靠近衬底10一侧设置金属遮光图案16，可避免光线由衬底10一侧照射到有源图案上，导致阈值电压漂移；同时，通过将漏极图案142与金属遮光图案16电连接，可以避免金属遮光图案16与栅极图案19之间产生寄生电容，从而影响显示基板的工作效率；在上述基础上，由于第一过孔131的侧壁与水平方向的锐角夹角、第二过孔121的侧壁与水平方向的锐角夹角、以及第三过孔171的侧壁与水平方向的锐角夹角均小于60°，因此，在漏极图案142通过第一过孔131、第二过孔121、以及第三过孔171与金属遮光图案16电连接时，还可避免漏极图案142断线。
其中，形成第三过孔171的原理与形成第二过孔121的原理相同，在此不再赘述。
可选的，在形成辅助层13和绝缘层12之后，形成第二功能层之前，所述方法还包括：如图33所示，去除辅助层13。
本发明实施例中，在形成第二功能层之前，还可将辅助层13去除，以避免增加显示基板的厚度；同时，还可减小第二图案14与第一图案11接触时的路径，从而降到第二图案14断线的几率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，具有显示区，所述显示区包括非透光区；
所述显示基板包括衬底、沿所述衬底的厚度方向依次层叠设置于所述衬底上的包括多个第一图案的第一功能层、绝缘层、辅助层、以及包括多个第二图案的第二功能层；所述第一功能层、所述绝缘层、以及所述第二功能层位于所述显示区；
所述辅助层包括第一过孔，所述绝缘层包括与所述第一过孔一一对应的第二过孔，所述第二图案通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一图案接触；
沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第一过孔的横截面和所述第二过孔的横截面均逐渐减小，且所述第一过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第二过孔的顶面在所述衬底上的正投影；所述第一过孔的侧壁与水平方向的夹角、所述第二过孔的侧壁与水平方向的夹角均小于60°；
所述辅助层的材料为导电材料，所述辅助层包括多个间隔设置、且与所述第二图案一一对应的导电图案，所述导电图案位于所述非透光区，所述第一过孔与所述导电图案一一对应、且位于所述导电图案中。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一过孔中靠近所述衬底一侧的边沿与所述第二过孔中背离所述衬底一侧的边沿重合。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助层的厚度范围为
Figure FDA0002843447500000011
所述绝缘层的厚度范围为
Figure FDA0002843447500000012
和/或，所述导电图案的侧壁与设置于该导电图案中的所述第一过孔的侧壁之间的间距范围为5～20μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一图案为有源图案，所述第二图案包括源极图案和漏极图案；
所述显示基板还包括设置于所述衬底与所述第一功能层之间金属遮光层和缓冲层，所述金属遮光层位于所述非透光区；
所述金属遮光层包括与所述有源图案一一对应的多个金属遮光图案，且所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖与其对应的所述有源图案在所述衬底上的正投影，所述第一过孔和所述第二过孔还设置于所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影超出所述有源图案在所述衬底上的正投影的区域；
所述缓冲层包括第三过孔，所述漏极图案通过所述第一过孔、所述第二过孔、以及所述第三过孔和与其对应的所述金属遮光图案电连接；
沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第三过孔的横截面逐渐减小，且所述第二过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第三过孔的顶面在所述衬底上的正投影，所述第三过孔的侧壁与水平方向的夹角小于60°。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，还包括设置于所述第一功能层与所述绝缘层之间的栅极导电层，所述栅极导电层包括与所述有源图案一一对应的多个栅极图案；
所述导电图案在所述衬底上的正投影与所述栅极图案在所述衬底上的正投影无重叠。
6.根据权利要求1-3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一图案为漏极图案；所述第二图案为透明电极。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板具有显示区，所述显示区包括非透光区；
所述显示基板的制备方法包括：
在衬底上形成第一功能层，所述第一功能层包括多个第一图案；
在所述第一功能层背离所述衬底一侧形成绝缘层和辅助层，所述辅助层包括第一过孔，所述绝缘层包括与所述第一过孔一一对应的第二过孔；沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第一过孔的横截面和所述第二过孔的横截面均逐渐减小，且所述第一过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第二过孔的顶面在所述衬底上的正投影；所述第一过孔的侧壁与水平方向的夹角、所述第二过孔的侧壁与水平方向的夹角均小于60°；
在所述辅助层背离所述衬底一侧形成第二功能层，所述第二功能层包括多个第二图案，所述第二图案通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一图案接触；
其中，所述第一功能层、所述绝缘层、以及所述第二功能层位于所述显示区；
所述辅助层的材料为导电材料，所述辅助层包括多个间隔设置、且与所述第二图案一一对应的导电图案，所述导电图案位于所述非透光区，所述第一过孔与所述导电图案一一对应、且位于所述导电图案中。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成绝缘层和辅助层的步骤，包括：
在所述第一功能层背离所述衬底一侧依次形成第一绝缘薄膜和导电薄膜，并在所述导电薄膜背离所述衬底一侧形成第一光刻胶图案；
采用湿法刻蚀对所述导电薄膜进行刻蚀，形成辅助图案，所述辅助图案位于所述非透光区；所述辅助图案在所述衬底上的正投影覆盖待形成的所述第一过孔在所述衬底上的正投影，且其面积大于待形成的所述第一过孔的顶面的面积；
剥离所述第一光刻胶图案，并在所述辅助图案背离所述衬底一侧形成第二光刻胶图案；
采用湿法刻蚀对所述辅助图案进行刻蚀，形成包括多个所述导电图案的所述辅助层；所述第二光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第一过孔的侧壁，向与其对应的所述第一过孔的中心缩进；
采用干法刻蚀对露出的所述第一绝缘薄膜进行刻蚀，形成所述绝缘层；
剥离所述第二光刻胶图案。
10.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成绝缘层和辅助层的步骤，包括：
在所述第一功能层背离所述衬底一侧形成第一绝缘薄膜和导电薄膜，并在所述导电薄膜背离所述衬底一侧形成第三光刻胶图案；
采用湿法刻蚀对所述导电薄膜进行刻蚀，形成包括多个所述导电图案的所述辅助层；
剥离所述第三光刻胶图案，并在所述辅助层背离所述衬底一侧形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第一过孔的侧壁，向与其对应的所述第一过孔的中心缩进；
采用干法刻蚀对露出的所述第一绝缘薄膜进行刻蚀，形成所述绝缘层；
剥离所述第二光刻胶图案。
11.根据权利要求9或10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，第一图案为有源图案，所述第二图案包括源极图案和漏极图案；
在形成所述第一功能层的步骤之前，所述显示基板的制备方法还包括：
在所述衬底上依次形成金属遮光层和缓冲薄膜，所述金属遮光层包括与所述有源图案一一对应的多个金属遮光图案，且所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖与其对应的所述有源图案在所述衬底上的正投影，其中所述金属遮光层位于所述非透光区；所述第一过孔和所述第二过孔还设置于所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影超出所述有源图案在所述衬底上的正投影的区域；
在剥离所述第二光刻胶图案的步骤之后，形成所述第二功能层的步骤之前，所述显示基板的制备方法还包括：
在所述辅助层背离所述衬底一侧形成第四光刻胶图案，所述第四光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第二过孔的侧壁，向与其对应的所述第二过孔的中心缩进；
采用干法刻蚀对所述缓冲薄膜进行刻蚀，以形成缓冲层，缓冲层包括第三过孔，所述漏极图案通过所述第一过孔、所述第二过孔、以及所述第三过孔和与其对应的所述金属遮光图案电连接；沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第三过孔的横截面逐渐减小，且所述第二过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第三过孔的顶面在所述衬底上的正投影，所述第三过孔的侧壁与水平方向的夹角小于60°；
剥离所述第四光刻胶图案。
12.根据权利要求9或10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在形成辅助层和绝缘层的步骤之后，形成第二功能层的步骤之前，所述显示基板的制备方法还包括：
去除所述辅助层。
13.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板具有显示区，所述显示区包括非透光区；
所述显示基板的制备方法包括：
在衬底上形成第一功能层，所述第一功能层包括多个第一图案；
在所述第一功能层背离所述衬底一侧形成绝缘层和辅助层，所述辅助层包括第一过孔，所述绝缘层包括与所述第一过孔一一对应的第二过孔；沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第一过孔的横截面和所述第二过孔的横截面均逐渐减小，且所述第一过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第二过孔的顶面在所述衬底上的正投影；所述第一过孔的侧壁与水平方向的夹角、所述第二过孔的侧壁与水平方向的夹角均小于60°；
在所述辅助层背离所述衬底一侧形成第二功能层，所述第二功能层包括多个第二图案，所述第二图案通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一图案接触；
其中，所述第一功能层、所述绝缘层、以及所述第二功能层位于所述显示区；
所述辅助层的材料为绝缘材料，所述辅助层平铺于所述显示区，且所述辅助层的厚度小于所述绝缘层的厚度；
所述形成绝缘层和辅助层的步骤，包括：
在所述第一功能层背离所述衬底一侧形成第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜，并在所述第二绝缘薄膜背离所述衬底一侧形成第二光刻胶图案；
采用湿法刻蚀对所述第二绝缘薄膜进行刻蚀，形成平铺于所述显示区的所述辅助层，所述第二光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第一过孔的侧壁，向与其对应的所述第一过孔的中心缩进；
采用干法刻蚀对所述第一绝缘薄膜进行刻蚀，形成所述绝缘层；
剥离所述第二光刻胶图案。
14.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法，其特征在于，第一图案为有源图案，所述第二图案包括源极图案和漏极图案；
在形成所述第一功能层的步骤之前，所述显示基板的制备方法还包括：
在所述衬底上依次形成金属遮光层和缓冲薄膜，所述金属遮光层包括与所述有源图案一一对应的多个金属遮光图案，且所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖与其对应的所述有源图案在所述衬底上的正投影，其中所述金属遮光层位于所述非透光区；所述第一过孔和所述第二过孔还设置于所述金属遮光图案在所述衬底上的正投影超出所述有源图案在所述衬底上的正投影的区域；
在剥离所述第二光刻胶图案的步骤之后，形成所述第二功能层的步骤之前，所述显示基板的制备方法还包括：
在所述辅助层背离所述衬底一侧形成第四光刻胶图案，所述第四光刻胶图案的开口相对于与其对应的所述第二过孔的侧壁，向与其对应的所述第二过孔的中心缩进；
采用干法刻蚀对所述缓冲薄膜进行刻蚀，以形成缓冲层，缓冲层包括第三过孔，所述漏极图案通过所述第一过孔、所述第二过孔、以及所述第三过孔和与其对应的所述金属遮光图案电连接；沿所述辅助层指向所述衬底的方向，所述第三过孔的横截面逐渐减小，且所述第二过孔的底面在所述衬底上的正投影覆盖所述第三过孔的顶面在所述衬底上的正投影，所述第三过孔的侧壁与水平方向的夹角小于60°；
剥离所述第四光刻胶图案。
15.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在形成辅助层和绝缘层的步骤之后，形成第二功能层的步骤之前，所述显示基板的制备方法还包括：
去除所述辅助层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110600482B (zh) 2019-08-09 2022-02-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN113284921B (zh) * 2020-02-19 2023-05-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN111370428B (zh) * 2020-03-19 2023-02-28 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN111430371A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法
CN113066806B (zh) * 2021-03-24 2024-03-22 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113140607B (zh) * 2021-04-19 2022-11-25 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板、显示装置
CN113539132A (zh) * 2021-07-28 2021-10-22 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组与电子设备
CN113782512A (zh) * 2021-09-09 2021-12-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和移动终端
CN114823722A (zh) * 2022-04-07 2022-07-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101604104B (zh) * 2009-07-22 2014-06-11 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列及其制造方法
JP2012248743A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Japan Display West Co Ltd 半導体装置およびその製造方法、表示装置ならびに電子機器
KR102087197B1 (ko) * 2014-01-13 2020-03-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108666350A (zh) * 2014-02-11 2018-10-16 群创光电股份有限公司 显示面板
CN104538399B (zh) * 2014-10-31 2017-10-03 厦门天马微电子有限公司 一种ltps阵列基板及其制造方法
CN105552091A (zh) * 2016-03-09 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN107991796B (zh) * 2018-01-04 2021-09-21 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及其修复方法和液晶显示装置

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