CN109951168B - 运算放大器的转换促进禁用 - Google Patents

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Abstract

本申请公开用于运算放大器的转换促进禁用。一种运算放大器(100)，其包括：输入级(110)，其被配置为接收第一输入电压和第二输入电压；以及转换促进电路(130)，其耦合到输入级并且被配置为选择性地增大通过输入级的电流。运算放大器(100)还包括：输出级(120)，其耦合到输入级并且被配置为生成输出电压；以及转换促进禁用电路(150)，其被配置为向转换促进电路(130)断言控制信号，以禁用转换促进电路(130)。当以下两种情况皆发生时，转换促进电路(130)被禁用：第一输入电压不同于第二输入电压的量超过第一阈值电压，且输出电压的改变不超过第二阈值速率。

Description

运算放大器的转换促进禁用
背景技术
运算放大器是包括差分输入的放大器。在稳定状态下，运算放大器的输入端上的电压相对相同。如果输入端中的一个接收到电压的突然变化，则由于运算放大器内部的电容器，将存在输入端经历不同电压的瞬间时间段。然而，最终，与使用运算放大器的电路相关联的反馈使输入端子上的电压再次大致彼此匹配。在瞬变时间段期间，取决于输入是增大还是减小，并且取决于作为反相放大器或非反相放大器的运算放大器的配置，输出电压斜升或斜降。输出电压的变化速率被称为转换速率，并且是运算放大器内的各种组件(例如，补偿电容器)的函数。
发明内容
在一个示例中，一种运算放大器包括：差分输入晶体管对，其被配置为接收第一输入电压和第二输入电压；以及转换促进电路，其耦合到差分输入晶体管对，并且被配置为选择性地增大通过差分输入晶体管对的电流。运算放大器还包括：输出级，其耦合到差分输入晶体管对，并且被配置为生成输出电压；以及转换促进禁用电路，其被配置为向转换促进电路断言控制信号以禁用转换促进电路。当以下两者都发生时，转换促进电路被禁用：第一输入电压不同于第二输入电压的量超过第一阈值电压，且输出电压在第三阈值时间段内的改变未能超过第二阈值电压。
在另一个示例中，一种电路包括：第一晶体管，其被配置为接收第一输入电压；第二晶体管，其被配置为接收第二输入电压；第三晶体管，其耦合到第一晶体管和第一电容器；以及第四晶体管，其耦合到第二晶体管和第二电容器。该电路还包括第五晶体管，其以与第三晶体管形成第一电流镜并且与第四晶体管形成第二电流镜的布置耦合到第三晶体管和第四晶体管。第三电容器耦合到第三电流镜。第三电容器被配置为接收第三电压。第三电流镜耦合到第五晶体管。
在又一个示例中，一种电路包括：差分输入晶体管对，其被配置为接收第一输入电压和第二输入电压；电流源，其耦合到差分输入晶体管对；第一电容器和第二电容器，其耦合到差分输入晶体管对；第一电流镜，其耦合到第一电容器和差分输入晶体管对的第一晶体管；以及第二电流镜，其耦合到第二电容器和差分输入晶体管对的第二晶体管。该电路还包括耦合到第三电流镜的第三电容器。第三电容器被配置为接收第三电压。第一电容器或第二电容器中的一个上的电压被配置为响应于以下两者而增大：(a)第一输入电压不同于第二输入电压的量超过第一阈值电压，且(b)第三电压的改变未能超过第二阈值速率。
附图说明
对于各种示例的详细描述，现在将参考附图，其中：
图1说明了根据一个示例的包括转换促进电路和转换促进禁用电路的运算放大器。
图2示出了禁用图1的转换促进电路的方法。
图3示出了根据一个示例的图2的转换促进禁用电路的电路实施方式。
具体实施方式
所公开的实施例涉及可用在运算放大器中的电路。所公开的运算放大器包括转换促进电路，其增大通过运算放大器的输入级的电流，从而提高运算放大器的输出电压的转换速率。转换促进电路检测运算放大器的输入上的电压差。作为响应，转换促进电路以输入上的较大电位差增大流过运算放大器的输入差分晶体管对的电流。在其他实施例中，转换促进电路可以检测到运算放大器的输入上的电压差超过阈值电压(指示其中一个输入中的阶跃电压变化)，并且作为响应，增大流过运算放大器的输入差分晶体管对的电流。
然而，到运算放大器的输入电压有可能被迫足够大，以至由于运算放大器的增益，输出达到了电源轨。来自运算放大器的输出电压不能超过电源轨，因此其会在电源轨或大约电源轨处停滞。在该状态下，运算放大器的输入端之间的电压差将持续，因为从输出电压得到(并被提供给运算放大器的输入端)的反馈电压不被允许与运算放大器的另一输入端上的输入电压相匹配。由于输入端上的电压不同，转换促进电路将继续提供流过运算放大器的输入级的增大的电流，但转换促进电路在提高转换速率方面不提供增加的好处。为了避免在该状态下由转换速率促进电路引起过大的电流消耗，所公开的实施例包括转换促进禁用电路，其检测该状况并禁用转换促进电路。
图1示出了根据一个实施例的运算放大器100的示例。运算放大器100包括差分输入晶体管对110、输出级120、转换促进电路130和转换促进禁用电路150。差分输入晶体管对110包括NPN晶体管J1和J2，但是也可以使用其他晶体管类型(例如，金属氧化物半导体(MOS)器件)。J1的控制输入(基极)接收第一输入电压(Va)，J2的控制输入接收第二输入电压(Vb)。Va和Vb可以包括到运算放大器100的“+”和“-”输入。输出级120耦合到差分输入晶体管对110。输出级120可以包括附加晶体管和其他组件并产生输出电压Vout。
转换促进电路130耦合到差分输入晶体管对110，并且在一个示例中，在Va不同于Vb的量超过第一阈值电压的情况下(不管Va是大于还是小于Vb)致使通过J1和J2的电流增大。如果Va不同于Vb的量不超过第一阈值电压(即，Va近似等于Vb)，则该示例中的转换促进电路130不会增大通过差分输入晶体管对110的电流，并且通过差分输入晶体管对110的电流保持在较低的静态等级。
转换促进禁用电路150向转换促进电路130断言BOOST_CTL控制信号，以在检测到以下两者时禁用转换促进电路130：(a)Va不同于Vb的量超过阈值电压且(b)输出电压Vout没有在转换(例如，Vout的改变未能超过第二阈值速率)。在一个示例中，如果Vout相对于时间的变化速率小于大约每微秒5V，则确定Vout没有在转换。如果尽管Va不同于Vb的量超过第一阈值电压，但是转换促进禁用电路150检测到Vout没有在转换，则输出电压Vout可能已经达到电源轨并且不能再进一步改变。转换促进禁用电路150通过禁用转换促进电路130来响应。
图2示出了根据一个示例的用于控制转换促进电路130的方法的示例。在202处，启用转换促进电路。可以通过将BOOST_CTL控制信号的状态设置为低(或高)信号等级来执行该操作。在204处，该方法包括确定Va不同于Vb的Va和Vb之间的差是否超过阈值电压(例如，上述第一阈值电压)。如果Va不同于Vb的量不超过阈值电压，则控制循环回到204。然而，如果Va不同于Vb的量超过阈值电压，则在206处，该方法包括确定输出电压Vout是否正在转换。该操作可以包括确定Vout相对于时间的变化速率是小于阈值速率(例如，每微秒5V)(这指示了没有在转换)，还是超过阈值(这指示了存在转换)。
如果输出没有在转换，则在208处，转换促进电路130被禁用(例如，通过将BOOST_CTL控制信号的状态改变为逻辑高(或低)信号等级)。如果输出在转换(来自206的“是”分支)，则转换促进电路130不被禁用并且控制循环回到204。在一些实施例中，BOOST_CTL信号可包括被配置为处于两个等级之一的电流以使转换促进电路130被启用或被禁用。在其他实施例中，BOOST_CTL信号是指定是否要启用或禁用转换促进电路130的电压。在一些示例中，BOOST_CTL信号包括两个不同的电流。
图3示出了转换促进禁用电路150的示例。说明性转换促进禁用电路150包括差分输入电压检测电路160、输出转换检测电路165、转换促进接口A电路170和转换促进接口B电路175。差分输入电压检测电路160包括电阻器R1和R2以及晶体管Q1和Q2。输出转换检测电路165包括晶体管Q5-Q11、二极管D5和D6以及电容器C3。转换促进接口A电路170包括晶体管Q12-Q15、电流源I3和偏置电压Vbias。转换促进接口B电路175包括晶体管Q16-Q19和电流源I4。此外，转换促进禁用电路150包括电流源I1、二极管D1-D4、电容器C1和C2以及晶体管Q3和Q4。图3的示例中示出的晶体管包括双极结型晶体管，但如果需要可包括其他晶体管类型，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。本文对任何电流源“Ix”的引用是指电流源装置或由电流源产生的电流等级。例如，I1可以指电流源装置或电流源产生的电流I1。
差分输入电压检测电路160包括以差分布置耦合在一起的Q1和Q2。在该示例中，Q1和Q2包括PNP晶体管。Q1和Q2中的每一个包括控制输入(例如，晶体管的基极)。Q1的控制输入接收输入电压Va，Q2的控制输入接收输入电压Vb。电阻器R1耦合到Q1的发射极，电阻器R2耦合到Q2的发射极。当Va近似等于Vb时，来自电流源I1的电流总体上在包括R1和Q1的一条电流路径与包括R2和Q2的另一条电流路径之间大致均匀地分配。
Q1和Q2之间的电流分配是差分输入电压Va-Vb的近似线性函数。通过设定电流IQ1(通过Q1的电流)相对于静态电流IQ3(通过Q3的电流)和IQ4(通过Q4的电流，其取决于IQ2(通过Q2的电流))的大小，在图3的示例中实施在图2的框204中提到的阈值。IQ3和IQ4被设定大小为I1的近似3/4。这意味着(Va-Vb)必须足够大以将I1的至少75％引导到一侧(Q3或Q4)，而不是在Va近似等于Vb时的在Q1和Q2之间大致均匀地分配I1。在一个示例中，大约120mV的差分输入电压达到该条件(I1的3/4被引导通过Q3或Q4中的一个)。
Q1的集电极耦合到Q3的集电极，Q2的集电极耦合到Q4的集电极。如图所示，晶体管Q3、Q4和Q5的基极连接在一起，其中Q5的基极和集电极连接在一起。在这种布置中，晶体管Q3和Q5形成一个电流镜，晶体管Q4和Q5形成另一个电流镜。这两个电流镜共享晶体管Q5。
二极管D1和D2连接在Q3的集电极与Q14和Q18的基极之间，其中二极管D1的阳极和二极管D2的阴极耦合到Q3的集电极，D1的阴极和D2的阳极耦合到Q14和Q18的基极。类似地，二极管D3和D4连接在Q4的集电极与Q14和Q18的基极之间，其中二极管D4的阳极和二极管D3的阴极耦合到Q4的集电极，D4的阴极和D3的阳极耦合到Q14和Q18的基极。Q3的集电极在节点162处耦合到电容器C1，并且Q4的集电极在节点163处耦合到电容器C2。二极管D1-D4确保Q3和Q4的集电极处的电压保持在与电压Vbias相差二极管的一个导通电压(近似0.7V)的范围内。
如上所述，响应于Va近似等于Vb，来自电流源I1的电流在Q1和Q2之间大致均匀地分配。因此，近似1/2*I1电流流过Q1，并且近似1/2*I1电流流过Q2。如下所述，通过Q3和Q4的集电极-发射极电流被配置为处于第一等级或第二等级处，其中第二等级大于第一等级。当Va近似等于Vb时，通过Q3的较低的第一电流等级高于通过Q1和Q2的电流(例如，1/2*I1)。在那种情况下，从Q1进入节点162的电流(IQ1)小于通过Q3的电流(IQ3)，这导致电容器C1将电流放电到Q3，直到节点162处的电压比Vbias低近似0.7V，这导致额外的电流从二极管D2流出。因此，节点162处的电容器C1上的电压保持为低。类似地，通过Q4的电流(IQ4)与通过Q3的电流(IQ3)相同。因此，来自Q2的电流(IQ2)小于IQ4，并且电容器C2将电流放电至Q4，导致电容器C2放电，直到节点163处的电容器上的电压比Vbias低近似0.7V，这导致额外的电流从二极管D3流出。节点162处的电容器C1和节点163处的电容器C2上的该两个电压分别都为低，指示Va近似等于Vb，或者指示Va不近似等于Vb时，Vout正在改变(即，转换)。
参考输出转换检测电路165，电容器C3在其一个极板上接收输出电压Vout。C3的另一个极板(节点166)耦合到二极管D5的阴极和二极管D6的阳极。晶体管Q6和Q7被配置为电流镜。晶体管Q8和Q9以及晶体管Q10和Q11包括共源共栅配置。因此，输出转换检测电路165包括多电流镜、共源共栅晶体管以及Q5，如上所述，Q5本身与Q3和Q4一起形成电流镜。
电流源I2耦合到Q10。Q6、Q8和Q10耦合在一起时，通过Q6、Q8和Q10的电流为I2。类似地，Q7，Q9和Q11耦合在一起时，镜像电流流过Q7、Q9、Q11和Q5。例如，如果晶体管被类似地设定大小，那么通过Q5的电流(IQ5)近似等于I2。然而，在一些实施例中，晶体管可以被不同地设定大小，并且因此IQ5可以是I2的按比例缩放版本。在任何情况下，设置I2使得当Vout没有在转换时IQ5在1/2*I1和I1之间(例如，设置I2为3/4*I1)。
如果Vout相对于节点166上的电压增大或减小，则(当Vout增大到高于节点166上的电压时)C3将通过二极管D6放电电流或(当Vout减小到低于节点166上的电压时)通过二极管D5接收充电电流。在Vout增大的情况下，来自C3的电流流过D6并被添加到流过Q11的镜像电流。该额外电流也流过Q5，并且因此IQ5增大到大于3/4*I1的等级。在一个示例中，当Vout改变时，流过Q5的电流大于I1(例如，1.5*I1)。类似地，如果Vout减小到低于节点166上的电压，则电流流过二极管D5，并且由于流过二极管D5的电流，Q7的基极上的电压被下拉。结果，导致Q7更大程度的导通这导致更多的集电极电流流过Q7。结果，流过Q7、Q9和Q11的电流增大，并且因此到Q5的电流也增大。无论Vout相对于节点166上的电压是增大还是减小，都迫使额外的电流流过Q5。由于IQ5的增大，IQ3和IQ4都增大。因此，在Vout转换时通过Q3和Q4的电流的等级大于在Vout没有在转换时通过Q3和Q4的电流的等级。
如果Va相对于Vb增大，则Q1断开，从而迫使I1的全部流过Q2。类似地，如果Vb相对于Va增大，则Q2断开，从而迫使I1的全部流过Q1。因此，当Va和Vb不是近似相等时，I1的大部分或全部流过Q1或Q2中的一个。如果IQ3和IQ4增大到大于I1的等级(由于Vout如上所述变化)，那么无论IQ1或IQ2中的哪一个等于完全的I1的等级，该电流仍然小于IQ4或IQ5，并且电容器C1和C2仍然放电以使在Vout在转换时电容器C1和C2上的电压保持低等级。
如果Vout没有在转换，则IQ3和IQ4保持在1/2*I1和I1之间的等级(例如，3/4*I1)。该电流等级小于I1，并且I1电流将流过Q1或Q2中的任一个，这取决于Va或Vb中的哪一个上升到高于Va或Vb中的另一个。例如，如果IQ1等于I1，那么在IQ3小于I1的情况下，电流I1中一些流到电容器C1并使电容器C1充电从而增大其电压。如果IQ2等于I1并且Vout没有在转换，则会发生相同的响应以对电容器C2充电。因此，在Vout没有在转换的情况下，C1响应于Vb大于Va而被充电，而C2响应于Va大于Vb而被充电。
在操作中，输出转换检测电路165检测Vout是否正在转换并且当Vout未被检测为转换时导致，例如，近似3/4*I1的电流流过Q3和Q4。如果(a)Va和Vb都没有在改变并且由于Va或Vb没有改变引起Vout不需要改变，或者(b)Vout已经被转换但是已达到电源轨(处于或接近提供给运算放大器100的最大电源电压)并且不能再改变，Vout将不会转换。如果输出转换检测电路165检测到Vout没有在转换，则包括Q3和Q5的电流镜和包括Q4和Q5的电流镜导致IQ3和IQ4为近似3/4*I1。但是，如果Vout正在转换，则增大IQ3和IQ4以确保它们大于I1，这将导致电容器C1和C2自行放电。
在一个实施例中，C1和C2上的电压可以表示图1的示例的BOOST_CTL控制信号。图3的示例包括转换促进接口A电路170和转换促进接口B电路175，以用于将电容器C1和C2上的电压转变成适合于启用或禁用在运算放大器100中实施的转换促进电路130的信号。转换促进接口电路A 170和转换促进接口电路B 175的电路特定于所使用的特定转换促进电路130，并且因此可以针对转换促进电路的各种实施方式而被不同地实施。
Vbias耦合到Q14和Q18的基极。关于转换促进接口B电路175，Q18和Q19形成差分晶体管对。当C2放电时，Q19的基极-发射极电压Vbe比Q18的Vbe小D3的导通电压(近似0.7V)。在Q19的Vbe比Q18的Vbe低(约0.7V)的情况下，Q19将断开，并且I4的全部流过Q18，其为导通的。然而，如果C2上的电压如上所述增大(由于当Va不是近似等于Vb时Vout达到电源轨)，则Q18的Vbe增大从而导通Q19，这导致Q18的Vbe减小从而断开Q18。由于二极管D4的导通电压，C2上的电压高于Vbias的量不会超过二极管电压。结果，整个I4在C2放电时流过Q18，或者在C2被充电时流过Q19。Q16和Q17形成电流镜，并且产生通过Q17的电流，该电流是通过Q16的电流的复制。如果Q19断开，通过Q16(并且因此通过Q17)的电流是零(当C2放电时)或是I4(当C2被充电时)。通过Q17的电流可用于启用或禁用电流促进电路130。例如，通过Q17的电流为低/断开启用电流促进电路130，并且通过Q17的电流为高/I4禁用电流促进电路130。转换促进接口A电路170的配置和操作类似于转换促进接口B电路175的配置和操作，其中二极管D1和D2被用于相对于Vbias钳位Q15的基极上的电压。
在图3的示例中，转换促进接口电路A170和转换促进接口电路B 175被示为转换促进禁用电路150的一部分。在其他实施例中，转换促进接口电路A 170和转换促进接口电路B175是转换促进电路130自身的一部分。
在整个说明书和权利要求中使用某些术语来指代特定的系统组件。如本领域技术人员将理解的，不同方可以通过不同的名称来指代组件。本文档无意区分名称不同而功能没有不同的组件。在本公开和权利要求中，术语“包括(including)”和“包含(comprising)”以开放式的方式使用，并且因此应该被解释为表示“包括但不限于......”。此外，术语“耦合(couple，couples)”意指间接连接或直接有线连接。因此，如果第一设备耦合到第二设备，则该连接可以通过直接连接或通过经由其他设备和连接的间接连接。“基于”的叙述旨在表示“至少部分地基于”。因此，如果X基于Y，则X可以是Y和任何数量的其他因素的函数。如本文所用，近似表示“在10％以内”。例如，如果一个值与另一个值近似相同，则一个值在另一个值的10％以内。
以上讨论旨在说明本发明的原理和各种实施例。一旦完全理解上述公开内容，许多变化和修改对于本领域技术人员将变得明显。旨在将随附权利要求解释为包含所有这些变化和修改。

Claims (20)

1.一种运算放大器，其包括：
输入级，其被配置为接收第一输入电压和第二输入电压；
转换促进电路，其耦合到所述输入级并且被配置为选择性地增大通过所述输入级的电流；
输出级，其耦合到所述输入级并且被配置为生成输出电压；以及
转换促进禁用电路，其被配置为响应于以下两者，向所述转换促进电路断言控制信号，以禁用所述转换促进电路：
所述第一输入电压不同于所述第二输入电压的量超过第一阈值电压；且
所述输出电压相对于时间的改变不超过第二阈值速率。
2.根据权利要求1所述的运算放大器，其中所述转换促进禁用电路包括：
第一电容器，其响应于所述第二输入电压大于所述第一输入电压的量超过所述第一阈值电压而被充电；以及
第二电容器，其响应于所述第一输入电压大于所述第二输入电压的量超过所述第一阈值电压而被充电。
3.根据权利要求2所述的运算放大器，其中所述控制信号是基于所述第一电容器或所述第二电容器中的任一个的电压被断言的。
4.根据权利要求2所述的运算放大器，还包括：
第一晶体管，其耦合到所述第一电容器并且耦合到电流源，其中所述第一晶体管包括被配置为接收所述第一输入电压的控制输入；以及
第二晶体管，其耦合到所述第二电容器并且耦合到所述电流源，其中所述第二晶体管包括被配置为接收所述第二输入电压的控制输入。
5.根据权利要求4所述的运算放大器，还包括：
第一电流镜，其包括第三晶体管，其中所述第一电流镜耦合到所述第一晶体管并且耦合到所述第一电容器；以及
第二电流镜，其包括第四晶体管，其中所述第二电流镜耦合到所述第二晶体管并且耦合到所述第二电容器；
其中，基于所述输出电压相对于时间的变化速率，所述第一电流镜使电流流过所述第三晶体管；并且
其中，基于所述输出电压相对于时间的变化速率，所述第二电流镜使电流流过所述第四晶体管。
6.根据权利要求5所述的运算放大器，其中与所述输出电压的变化速率较小时相比，当所述输出电压的变化速率较大时，流过所述第三晶体管的电流较大。
7.根据权利要求6所述的运算放大器，其中与所述输出电压的变化速率较小时相比，当所述输出电压的变化速率较大时，流过所述第四晶体管的电流较大。
8.根据权利要求5所述的运算放大器，其中所述转换促进禁用电路包括：
第三电流镜；
第一二极管，其耦合到所述第三电流镜；
共源共栅晶体管；
第二二极管，其耦合到所述共源共栅晶体管；以及
第三电容器，其耦合到所述第一二极管和所述第二二极管并且耦合到所述输出电压；
其中所述第一电流镜和所述第二电流镜共享第五晶体管，并且其中所述第五晶体管耦合到所述共源共栅晶体管。
9.根据权利要求5所述的运算放大器，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管包括双极结型晶体管。
10.一种电路，其包括：
第一晶体管，其被配置为接收第一输入电压；
第二晶体管，其被配置为接收第二输入电压；
第三晶体管，其耦合到所述第一晶体管并且耦合到第一电容器；
第四晶体管，其耦合到所述第二晶体管并且耦合到第二电容器；
第五晶体管，其以与所述第三晶体管形成第一电流镜以及与所述第四晶体管形成第二电流镜的布置耦合到所述第三晶体管和所述第四晶体管；以及
第三电容器，其耦合到第三电流镜，其中所述第三电容器被配置为接收第三电压。
11.根据权利要求10所述的电路，还包括耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的电流源。
12.根据权利要求11所述的电路，其中：
响应于所述第一输入电压不同于所述第二输入电压的量小于第一阈值电压，来自所述电流源的电流在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间均匀地分配；并且
响应于所述第一输入电压不同于所述第二输入电压的量大于所述第一阈值电压，来自所述电流源的电流的至少75％流过所述第一晶体管或所述第二晶体管中的一个。
13.根据权利要求10所述的电路，其中：
所述第一电容器被配置为响应于所述第二输入电压大于所述第一输入电压的量超过第一阈值电压而被充电；并且
所述第二电容器被配置为响应于所述第一输入电压大于所述第二输入电压的量超过所述第一阈值电压而被充电。
14.根据权利要求10所述的电路，其中：
其中所述第一电流镜被配置为：响应于所述第三电压转换的速率未能超过第二阈值速率而使处于第一等级的电流流过所述第三晶体管，以及响应于所述第三电压转换的速率超过所述第二阈值速率而使处于第二等级的电流流过所述第三晶体管；并且
其中所述第二电流镜被配置为：响应于所述第三电压转换的速率未能超过所述第二阈值速率而使处于所述第一等级的电流流过所述第四晶体管，以及响应于所述第三电压转换的速率超过所述第二阈值速率而使处于所述第二等级的电流流过所述第四晶体管。
15.根据权利要求10所述的电路，其中所述第二等级被配置为大于所述第一等级，并且其中所述第一等级被配置为大于当所述第一输入电压不同于所述第二输入电压的量小于第一阈值电压时流过所述第一晶体管的电流。
16.根据权利要求10所述的电路，还包括：
第一二极管，其具有阳极和阴极，其中所述第一二极管连接在所述第三电流镜和所述第三电容器之间，其中所述第一二极管的所述阴极连接到所述第三电容器；以及
第二二极管，其具有阳极和阴极，其中所述第二二极管连接在共源共栅晶体管和所述第三电容器之间，其中所述第二二极管的所述阳极连接到所述第三电容器。
17.一种电路，其包括：
差分输入晶体管对，其被配置为接收第一输入电压和第二输入电压；
电流源，其耦合到所述差分输入晶体管对；
第一电容器和第二电容器，其耦合到所述差分输入晶体管对；
第一电流镜，其耦合到所述第一电容器并且耦合到所述差分输入晶体管对的第一晶体管；
第二电流镜，其耦合到所述第二电容器并且耦合到所述差分输入晶体管对的第二晶体管；以及
第三电容器，其耦合到第三电流镜，其中所述第三电容器被配置为接收第三电压；
其中所述第三电流镜耦合到所述第一电流镜和所述第二电流镜；并且
其中所述第一电容器或所述第二电容器中的一个上的电压被配置为响应于以下两者而增大：
所述第一输入电压不同于所述第二输入电压的量超过第一阈值电压；且
所述第三电压的改变未能超过第二阈值速率。
18.根据权利要求17所述的电路，其中所述第一电流镜和所述第二电流镜共享晶体管。
19.根据权利要求17所述的电路，还包括转换促进电路，所述转换促进电路被配置为响应于所述第一电容器或所述第二电容器中的一个上的电压已经增大而被禁用。
20.根据权利要求17所述的电路，其中所述差分输入晶体管对、所述第一电流镜、所述第二电流镜和所述第三电流镜包括双极结型晶体管。
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