CN109950682B - 天线封装和通信装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种天线封装,包括:介面层,包括至少一个天线层和设置在所述天线层下面的绝缘层,其中所述天线层包括第一天线区域和与所述第一天线区域分隔开的第二天线区域;集成电路晶粒,设置在所述介面层上,其中所述集成电路晶粒介于所述第一天线区域与所述第二天线区域之间,其中所述第一天线区域与所述集成电路晶粒的第一边缘相邻设置,第二天线区域与所述集成电路晶粒的第二边缘相邻设置,所述第二边缘与所述第一边缘相对;以及多个焊球,设置在介面层的底表面上。通过集成电路晶粒将第一天线区域与第二天线区域分隔开,从而可以减小第一天线区域和第二天线区域之间的干扰,保证每个天线区域的性能和效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种天线封装和通信装置。
背景技术
毫米波(mmW,millimeter-wave)汽车雷达系统是未来自适应巡航(cruise)控制系统的关键技术。随着对车辆运输安全问题的认识和关注的增加,已经研究和开发了各种障碍探测器,其中前瞻性的汽车雷达受到特别关注,因为汽车雷达认为是完成车辆安全系统的基本要素。
与红外或激光的传感器相比,mmW雷达系统的主要优点是mmW雷达系统在恶劣天气条件下的优异性能。因此,对低成本W波段部件的需求持续增加,引领了汽车雷达系统的商业成功。
如本领域中已知的,通过采用嵌入式晶圆级球栅阵列(eWLB,embedded waferlevel ball grid array)或天线封装(AiP,Antenna-in-Package)技术已经实现了将天线集成到芯片封装中。然而,在本行业中仍然需要为AiP提供更好的天线性能和效率。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种具有更好的天线性能和效率的天线封装和通信装置。
根据本发明的第一方面,公开一种天线封装,包括:
介面层,包括至少一个天线层和设置在所述天线层下面的绝缘层,其中所述天线层包括第一天线区域和与所述第一天线区域分隔开的第二天线区域;
集成电路晶粒,设置在所述介面层上,其中所述集成电路晶粒介于所述第一天线区域与所述第二天线区域之间,其中所述第一天线区域与所述集成电路晶粒的第一边缘相邻设置,第二天线区域与所述集成电路晶粒的第二边缘相邻设置,所述第二边缘与所述第一边缘相对;以及
多个焊球,设置在介面层的底表面上。
根据本发明的第二方面,公开一种通信装置,包括:
天线封装,所述天线封装包括:
介面层,包括至少一个天线层和设置在所述天线层下面的绝缘层,其中所述天线层包括第一天线区域和与所述第一天线区域分隔开的第二天线区域;
集成电路晶粒,设置在所述介面层上,其中所述集成电路晶粒介于所述第一天线区域和所述第二天线区域之间,其中所述第一天线区域与所述集成电路晶粒的第一边缘相邻设置,所述第二天线区域与所述集成电路晶粒的第二边缘相邻设置,所述第二边缘与所述第一边缘相对;
多个焊球,设置在所述介面层的底表面上;以及
所述通信装置还包括:
印刷电路板,包括接地反射层,其中所述介面层经由所述多个焊球设置在所述印刷电路板上。
本发明提供的天线封装由于包括集成电路晶粒,设置在所述介面层上,集成电路晶粒介于所述第一天线区域与所述第二天线区域之间,第一天线区域与集成电路晶粒的第一边缘相邻设置,第二天线区域与集成电路晶粒的第二边缘相邻设置,第二边缘与第一边缘相对。采用这种方式,将第一天线区域和第二天线区域设置在集成电路晶粒的两个相对较远的边缘,即可以通过集成电路晶粒将第一天线区域与第二天线区域分隔开,从而可以减小第一天线区域和第二天线区域之间的干扰,保证每个天线区域的性能和效率。同时本发明中巧妙地利用集成电路晶粒作隔离,可以无需使用其他的隔离结构,充分利用了集成电路晶粒的优势,降低了天线封装的结构复杂性,并且方便制造。
在阅读了随后以不同附图展示的优选实施例的详细说明之后,本发明的这些和其它目标对本领域普通技术人员来说无疑将变得明显。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的示例性天线封装(AiP,Antenna-in-Package)的示意性透视图;
图2是沿图1中的虚线I-I'截取的示意性横截面图;
图3是示出根据本发明的一个实施例的AiP中的集成电路晶粒和天线元件的示例性布局的透视俯视图;
图4是根据本发明的一个实施例的安装在印刷电路板上的AiP的透视俯视图;以及
图5是示出根据本发明另一实施例的接地反射层设置在印刷电路板中的示意性横截面图。
具体实施方式
在说明书和随后的权利要求书中始终使用特定术语来指代特定组件。正如本领域技术人员所认识到的,制造商可以用不同的名称指代组件。本文件无意于区分那些名称不同但功能相同的组件。在以下的说明书和权利要求中,术语“包括”和“包括”被用于开放式类型,因此应当被解释为意味着“包括,但不限于...”。此外,术语“耦合”旨在表示间接或直接的电连接。因此,如果一个设备耦合到另一设备,则该连接可以是直接电连接,或者经由其它设备和连接的间接电连接。
以下描述是实施本发明的最佳设想方式。这一描述是为了说明本发明的一般原理而不是用来限制的本发明。本发明的范围通过所附权利要求书来确定。
下面将参考特定实施例并且参考某些附图来描述本发明,但是本发明不限于此,并且仅由权利要求限制。所描述的附图仅是示意性的而并非限制性的。在附图中,为了说明的目的,一些元件的尺寸可能被夸大,而不是按比例绘制。在本发明的实践中,尺寸和相对尺寸不对应于实际尺寸。
在整个说明书中,术语“晶粒”,“芯片”,“半导体芯片”和“半导体晶粒”可互换使用,以表示集成电路芯片或晶粒。这里使用的术语“水平”可以定义为平行于平面或表面(例如基板或平台的表面)的方向,而不管其取向如何。这里使用的术语“垂直”可以指与刚刚描述的水平方向正交的方向。术语,例如“上”,“上方”,“下方”,“底部”,“顶部”,“侧面”(如“侧壁”),“更高”,“更低”,“上面”,“在…之上”,和“在…之下”,可以相对参考水平面。
本发明涉及改进的天线封装(AiP),该天线封装(AiP)在发射(Tx)天线和接收(Rx)天线之间具有更好的隔离(isolation),该天线封装(AiP)特别适用于诸如77GHz或79GHz汽车雷达系统的mmW雷达应用,以用于自适应巡航控制或其他汽车雷达应用。
为了说明性的目的,将特别参考折叠偶极天线(folded dipole antenna)元件和这些元件在天线封装(AiP)中的配置来描述本发明的示例性实施例。然而,应该理解,本发明不限于任何特定的天线类型或操作频率。相反,本发明更通常地适用于适合于特定的应用和/或操作频率提供宽带宽和高效率的产品天线。
请参考图1和图2,图1是根据本发明一个实施例的示例性天线封装(AiP)的示意性透视图。图2是沿图1中的虚线I-I'截取的示意性横截面图。
如图1和图2所示,根据一个实施例,天线封装(AiP)1包括介面(interface)层10,集成电路晶粒20(图1中以虚线示出),例如设置在介面层10上的射频(RF,radio-frequency)晶粒,设置在介面层10上并封装集成电路晶粒20的模塑料30,以及设置在介面层10的底表面上的多个焊球50。通过焊球50,介面层10将集成电路晶粒20与诸如印刷电路板(PCB,printed circuit board)的外部电路板(图未示)电连接。应理解,介面层10可包括基板,互连结构,重分布层(RDL,redistribution layer)结构,插入基板(interposersubstrate)等。
根据本发明的一个实施例,介面层10可以包括至少一个天线层110,位于天线层110下方的接地反射层120,以及位于天线层110和接地反射层之间的绝缘层130。介面层10还可以包括多个球垫122,用于连接焊球50。根据本发明的一个实施例,球垫122和接地反射层120是共面的并且形成在介面层10的同一金属层(例如铜层)中。接地反射层120可以用于反射经由天线层发出的电磁辐射(或电磁波),使电磁辐射更多的朝外界发出,增强天线的增益。
然而,应当理解的是,在其他实施例中,前述的接地反射层可设置在印刷电路板内。如图5所示,接地反射层712设置在印刷电路板70中。接地反射层712设置在天线层110的正下方,并且可以与天线层110完全重叠。采用这种方式可以是介面层10的厚度更小,减少天线封装1的制造成本。
根据本发明的一个实施例,天线层110和接地反射层120形成在两个不同的金属层(例如均为铜层)中。两个金属层位于不同的水平面上。例如,介面层10可以具有与集成电路晶粒20相邻的上表面和与上表面相对的下表面。天线层110可以形成在上表面处,并且可以通过互联机或迹线112电连接到集成电路晶粒20。虽然图中未示出,但是应该理解,如果需要,介面层10中的金属层(例如本段中所述的两个不同的金属层)可以通过导电通孔互连。
可以电连接到印刷电路板(PCB)的接地平面的接地反射层120可以形成在介面层10的下表面处。接地反射层120可以将主要的天线辐射限制在天线层110之上的上半空间。根据本发明的一个实施例,接地反射层120可以是固体金属层,例如实心铜层,当从上方观察时,接地反射层120与天线层110完全重叠。此外,接地反射层所占的区域或面积(尺寸)大于天线层110所占的区域或面积(尺寸)。因此当从正上方观察时,天线层110没有完全覆盖接地反射层120,天线层110遮住了接地反射层120的部分区域(例如靠内的部分区域),而未遮住接地反射层120的另一部分区域(例如靠外围的部分区域)。这样设置接地反射层120比天线层110更大,因此可以反射更多经由天线层110发出的电磁辐射,从而进一步增强天线增益。天线层110也可以与天线层接地反射层120部分重叠。当然接地反射层所占的区域或面积(尺寸)也可以等于或小于天线层110所占的区域或面积(尺寸)。此外,当从正上方观察时,天线层110和接地反射层120两者的中心(如几何中心)是对齐的,例如在一条直线上。这样可以使接地反射层120反射的电磁辐射较为均匀,使天线场型更加均匀。此外,天线层110和接地反射层120两者的中心(如几何中心)也可以不是对齐的,例如两者的中心之间有一些偏差,或略有偏差。
根据本发明的一个实施例,集成电路晶粒20可以是集成电路硅晶粒或半导体芯片,集成电路晶粒20包括用于发送和/或接收mmW或RF信号的相关功能电路。根据本发明的一个实施例,集成电路晶粒20可以具有有源表面20a和与有源表面20a相对的无源表面20b。多个输入/输出(I/O,input/output)焊盘210可以设置在有源表面20a上。根据本发明的一个实施例,集成电路晶粒20的有源表面20a可以与介面层10的上表面整体连接(即RF晶粒20的有源表面20a完全贴在基板10的上表面上)。天线层110可以通过互连或迹线112电连接到RF晶粒20的有源表面20a上相应的I/O焊盘210。
根据本发明的一个实施例,模塑料30可以包括通常用于集成电路器件的封装的有机树脂,并且选择用于低透湿性和低热膨胀系数,以分别避免封装芯片暴露于湿气或机械应力。例如,根据本发明的一个实施方案,模塑料30可包含环氧材料。模塑料30还可包含填料,例如无定形氧化硅(二氧化硅玻璃)和结晶氧化硅(石英)填料。可以添加合适的添加剂以增强模塑料30的导热性。根据本发明的一个实施方案,模塑料30的介电常数k可以例如在3.3至3.4之间。根据本发明的一个实施方案,模塑料30可具有约0.4~1.3mm的厚度(或高度),例如1.2mm。
根据本发明的一个实施例,半导体封装1可以是扇出型晶圆级封装(FOWLP,fan-out wafer level package),并且介面层10可以是重分布层(RDL)结构。如本领域中已知的,芯片级封装(WLP,wafer level package)涉及在晶粒仍在晶圆上时封装晶粒。通常,WLP是无基板封装。WLP使用薄膜布线层或重分布层(RDL)代替基板,WLP在封装中提供电连接。WLP利用封装底部的焊球50将RDL连接到板或印刷电路板(PCB)。
图3是示出根据本发明的一个实施例的AiP中的集成电路晶粒和天线元件的示例性布局的透视俯视图。参照图3,并且简要地回顾图2,集成电路晶粒20可以具有四个边缘E1~E4(包括第一边缘E1,第二边缘E2,第三边缘E3,第四边缘E4),四个边缘E1~E4均由模塑料30封装,第一边缘E1,第三边缘E3,第二边缘E2,第四边缘E4按照次序首尾连接。天线层110的第一天线区域110a设置在与集成电路晶粒20的第一边缘E1相邻并超出集成电路晶粒20的第一边缘E1的位置。天线层110的第二天线区域110b设置在与集成电路晶粒20的第二边缘E2相邻并超出集成电路晶粒20的第二边缘E2的位置,第二边缘E2与第一边缘E1相对。根据本发明的一个实施例,第一天线区域110a用于发射信号,第二天线区域110b用于接收信号,当然也可以第一天线区域110a用于接收信号,第二天线区域110b用于发射信号。根据本发明的一个实施例,集成电路晶粒20可以包括发射器电路201和接收器电路202,分别电耦合到第一天线区域110a和第二天线区域110b。
通过利用集成电路晶粒20将第一天线区域110a与第二天线区域110b分隔开,可以减小第一天线区域110a和第二天线区域110b之间的干扰,从而提供更好的天线性能和发射(Tx)天线和接收(Rx)天线之间更好的隔离。同时本发明中巧妙地利用集成电路晶粒作隔离,可以无需使用其他的隔离结构,充分利用了集成电路晶粒的优势,降低了天线封装的结构复杂性,并且方便制造。
如图3的放大图所示,第一天线区域110a可以包括沿参考轴X轴水平延伸的天线元件ANT-1和ANT-2。根据一个示例性实施例,天线元件ANT-1和ANT-2是彼此平行布置的两个折叠偶极天线元件,彼此平行布置可以使天线的辐射场型均匀。天线元件ANT-1和ANT-2经由能量组合(power combine)的馈入网络(feeding network)140电耦合到集成电路晶粒20,其中能量组合是指将天线元件ANT-1和ANT-2两者的辐射能量组合在一起。根据本发明的一个实施例,馈入网络140可以包括两条并联的馈入线路(feed line)141和142。根据本发明的一个实施例,馈入网络140和天线元件ANT-1,ANT-2形成在同一天线层(例如天线层110)中,因此馈入网络140和天线元件ANT-1,ANT-2是共面的,这样可以方便制造,例如在同一制程中一起形成,以减少制程步骤,节省制造成本。天线元件ANT-1和ANT-2之间的长度和/或宽度可以相等,以使天线的辐射场型均匀,当然也可以不等,可以根据需求进行调整和设计。
根据本发明的一个实施例,馈送网络140可以分成两个整体部分:沿参考轴Y轴延伸的纵向部分140a和沿参考轴X轴延伸的横向部分140b。纵向部分140a的两个远端分别电耦合到天线元件ANT-1和ANT-2。横向部分140b整体地连接到纵向部分140a并且还电耦合到集成电路晶粒20(即横向部分140b连接纵向部分140a和集成电路晶粒20)。纵向部分140a包括馈入线路141和142,馈入线路141和142可以相互平行,并且设有间隙143分隔开。馈入线路141和142相互平行可以使电流流过的时间差更小,从而使天线的辐射场型更加均匀。此外横向部件140b可以连接到馈入线路141上,横向部分140b可以包括两条平行的馈入线路,并且设有间隙(该间隙的宽度可以与间隙143相同)将该两条平行的馈入线路分隔开,该间隙还将馈入线路141分为两段,该两条平行的馈入线路中的一条连接到馈入线路141其中的一段,该两条平行的馈入线路中的另一条连接到馈入线路141其中的另一段。
如本领域技术人员所知,馈入网络140设计为具有可以匹配天线元件ANT-1和ANT-2的阻抗的固有(intrinsic)阻抗。馈入网络140的(固有)阻抗可以通过例如改变馈入线路141和142的宽度以及馈入线路141和142之间的间隙143的尺寸来调节。根据本发明的一个实施例,例如,间隙143可以具有约20-50μm的宽度。根据本发明的一个实施例,例如,馈入线路141和142可以具有大约20-50μm的宽度。
根据本发明的一个实施例,折叠偶极天线元件ANT-1包括第一半波长偶极子(half-wavelength dipole)元件410以及第二半波长偶极子元件420,第一半波长偶极子元件410与第二半波长偶极子元件420相互平行设置并由间隙430分隔开,第一半波长偶极子元件410与第二半波长偶极子元件420的长度可以相同,相同的长度可以使天线的辐射场型更加均匀,另外两者的宽度也可以相同,这样也可以使辐射场型更加均匀。第一半波长偶极子元件410包括由馈入网络140的间隙143将第一半波长偶极子元件410分隔成的第一四分之一波长元件412和第二四分之一波长元件414。其中第一四分之一波长元件412和第二四分之一波长元件414的长度可以相同,相同的长度可以使天线的辐射场型更加均匀。当然第一四分之一波长元件412和第二四分之一波长元件414的长度也可以不相等。第一四分之一波长元件412的一个端部和第二四分之一波长元件414的一个端部分别通过元件442和444连接(短路)到第二半波长偶极子元件420的两个端部。折叠偶极天线元件ANT-1具有表示为LD的长度和表示为WD的宽度。根据本发明的一个实施例,长度LD可以在900和1300μm之间的范围内,并且宽度WD可以在30μm和200μm之间的范围内。长度LD和宽度WD将根据操作频率和基板(或介面层)的介电常数而变化。
同样,折叠偶极天线元件ANT-2包括第一半波长偶极子元件510以及第二半波长偶极子元件520,第一半波长偶极子元件510以及第二半波长偶极子元件520相互平行设置相互平行设置并由间隙530分隔开。第一半波长偶极子元件510包括由馈入网络140的间隙143将第一半波长偶极子元件510分隔成的第一四分之一波长元件512和第二四分之一波长元件514。第一四分之一波长元件512的一个端部和第二四分之一波长元件514的一个端部分别通过元件542和544连接(短路)到第二半波长偶极子元件520的两个端部。根据本发明的一个实施例,折叠偶极天线元件ANT-2的尺寸(即长度和宽度)与折叠偶极天线元件ANT-1的尺寸(即长度和宽度)相同(当然也如同折叠偶极天线元件ANT-1类似的可变化),当然也可以不同。
根据本发明的一个实施例,如图3所示,折叠偶极天线元件ANT-1设置得相对远离集成电路晶粒20,折叠偶极天线元件ANT-2设置得相对靠近集成电路。这种设置方式可以方便控制折叠偶极天线元件ANT-1与ANT-2之间辐射的相位差。折叠偶极天线元件ANT-1与馈入网络140的横向部分140b之间的距离L1大于折叠偶极天线元件ANT-2与馈入网络140的横向部分140b之间的距离L2。根据本发明的一个实施例,优选地,L1和L2之间的差值(L1-L2)近似等于半波长(λg/2),其中λg是经由天线层110传输的电磁辐射的引导波长(guidedwavelength),例如工作在77GHz的W波段雷达的λg/2=1~1.5mm,其中基板(或介面层)介电常数(εr)约为3.6。通过提供这样的配置(L1和L2之间的差值(L1-L2)近似等于半波长(λg/2)),折叠偶极天线元件ANT-1和ANT-2可以同相辐射。这是因为,来自晶粒的电流在通过纵向部分140b之后分流为向上方的部分(与L1对应)和向下方的部分(与L2对应),流向这两个部分的电流即为反相了(例如相差为半波长对应的周期,即为半周期(T/2,T为一个周期));而将L1和L2之间的差值设为半波长(λg/2)后,电流达到折叠偶极天线元件ANT-1和折叠偶极天线元件ANT-2之间的时间差将会是半周期(T/2),因此最后折叠偶极天线元件ANT-1和ANT-2之间辐射的时间差可以为一个周期(T/2+T/2=T)或者为0(T/2-T/2=0)。因此最后折叠偶极天线元件ANT-1和ANT-2可以同相辐射。此外,一个天线层110(如图2所示)可以包括折叠偶极天线元件ANT-1,折叠偶极天线元件ANT-2,馈入网络140。或者说折叠偶极天线元件ANT-1,折叠偶极天线元件ANT-2,馈入网络140组成了一个天线层110(如图2所示),当然天线层还可以包括其他的结构或部分。
根据本发明的一个实施例,第二天线区域110b具有相对于中心轴CA与如上所述的第一天线区域110a的布局镜像对称(mirror symmetric)的布局,这样可以方便制造,节省制程步骤,降低制程成本。第二天线区域110b可以包括沿参考轴X轴水平延伸的天线元件ANT-3(类似于ANT-1)和ANT-4(类似于ANT-2)。根据一个示例性实施例,天线元件ANT-3和ANT-4是彼此平行布置的两个折叠偶极天线元件。天线元件ANT-3和ANT-4经由能量组合的馈入网络240电耦合到集成电路晶粒20。根据本发明的一个实施例,馈入网络240和天线元件ANT-3,ANT-4形成在同一天线层(例如天线层110)中,因此馈入网络240和天线元件ANT-3,ANT-4是共面的,这样可以方便制造,例如在同一制程中一起形成,以减少制程步骤,节省制造成本。
应当理解,在其他实施例中,第二天线区域110b可以具有与第一天线区域110a的布局不镜像对称的布局。也就是说第二天线区域110b中馈入网络240和天线元件ANT-3,ANT-4等的尺寸可以与第一天线区域110a中的馈入网络140和天线元件ANT-1,ANT-2等的尺寸不同,第二天线区域110b中馈入网络240和天线元件ANT-3,ANT-4等的相对位置也可以与第一天线区域110a中的馈入网络140和天线元件ANT-1,ANT-2等的相对位置不同,或者第二天线区域110b与第一天线区域110a还可以具有其他不同。此外,另一个天线层110(如图2所示)可以包括折叠偶极天线元件ANT-3,折叠偶极天线元件ANT-4,馈入网络240。或者说折叠偶极天线元件ANT-3,折叠偶极天线元件ANT-4,馈入网络240组成了另一个天线层110(如图2所示),当然天线层还可以包括其他的结构或部分。
根据本发明的一个实施例,如图3所示,为了提供更好的Tx/Rx隔离,可以在第一天线区域110a周围设置第一环形保护环610a,并且可以在第二天线区域110b周围设置第二环形保护环610b。第一环形保护环610a连续地围绕第一天线区域110a,第二环形保护环610b连续地围绕第二天线区域110b。第一环形保护环610a和第二环形保护环610b与折叠偶极天线元件ANT-1~ANT-4共面。第一环形保护环610a和第二环形保护环610b可以采用金属材料,例如铜等。第一环形保护环610a和第二环形保护环610b与折叠偶极天线元件ANT-1~ANT-4可以在同一制程中形成,方便封装的设计和制造,节省制程成本。
现在请参考图4。图4是根据本发明的一个实施例的安装在印刷电路板上的AiP的透视俯视图,将AiP安装在印刷电路板上后,可以组成通信装置,因此图4标出的可以是通信装置或通信装置的一部分,该通信装置包括天线封装和印刷电路板。此外,通信装置可以包括移动电话,智能平板,导航装置,雷达等等。如图4所示,通过在包括多个接地球垫722的芯片安装区域内使用表面安装技术(SMT,surface mount technique)将AiP 1安装在印刷电路板700上。应当理解的是,用于印刷电路板700上的球栅阵列的接地球垫722的布局对应于AiP1的底表面处的球垫122(如图2所示)的布局。围绕第一天线区域110a和第二天线区域110b的接地球垫722的网格类型布局可以提供更好的Tx/Rx隔离和改善的SMT质量。当然上述的焊球50(如图2所示)也可以与接地球垫722的布局相对应。
本领域的技术人员将容易地观察到,在保持本发明教导的同时,可以做出许多该装置和方法的修改和改变。因此,上述公开内容应被解释为仅由所附权利要求书的界限和范围所限制。
Claims (14)
1.一种天线封装,其特征在于,包括:
介面层,包括至少一个天线层和设置在所述天线层下面的绝缘层,其中所述天线层包括第一天线区域和与所述第一天线区域分隔开的第二天线区域;
集成电路晶粒,设置在所述介面层上,其中所述集成电路晶粒介于所述第一天线区域与所述第二天线区域之间,其中所述第一天线区域与所述集成电路晶粒的第一边缘相邻设置,第二天线区域与所述集成电路晶粒的第二边缘相邻设置,所述第二边缘与所述第一边缘相对;以及
多个焊球,设置在所述介面层的底表面上;
其中,所述第一天线区域包括沿第一方向延伸的第一天线元件和第二天线元件,所述第一天线区域还包括将所述第一天线元件和所述第二天线元件电连接到所述集成电路晶粒的馈入网络;所述馈入网络分成两个整体部分:沿所述第一方向延伸的横向部分和沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的纵向部分,所述第一天线元件与所述馈入网络的所述横向部分之间的距离大于所述第二天线元件与所述馈入网络的所述横向部分之间的距离。
2.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述第一天线区域用于发送信号,所述第二天线区域用于接收信号。
3.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述第一天线元件相对远离所述集成电路晶粒设置,以及所述第二天线元件相对靠近所述集成电路晶粒设置。
4.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述第一天线元件和所述第二天线元件是彼此平行布置的两个折叠偶极天线元件。
5.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述馈入网络,所述第一天线元件和所述第二天线元件是共面的。
6.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述馈入网络包括两条平行的馈入线路。
7.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述纵向部分的两个远端分别电耦合到所述第一天线元件和所述第二天线元件。
8.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述横向部分整体地连接到所述纵向部分并且还电耦合到所述集成电路晶粒。
9.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述第一天线元件与所述馈入网络的所述横向部分之间的距离和第二天线元件与所述馈入网络的所述横向部分之间的距离之间的差值等于半波长,其中波长是经由所述天线层传输的电磁辐射的引导波长。
10.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述第二天线区域具有与所述第一天线区域的布局镜像对称的布局。
11.如权利要求5所述的天线封装,其特征在于,还包括:
第一环形保护环,设置在所述第一天线区域周围;以及
第二环形保护环,设置在所述第二天线区域周围,其中所述第一环形保护环连续地围绕第一天线区域,所述第二环形保护环连续地围绕所述第二天线区域。
12.如权利要求11所述的天线封装,其特征在于,所述第一环形保护环和所述第二环形保护环与所述第一天线元件和所述第二天线元件共面。
13.如权利要求1所述的天线封装,其特征在于,所述第一天线区域和所述第二天线区域周围的球垫具有网格类型布局,并围绕所述第一天线区域和所述第二天线区域。
14.一种通信装置,其特征在于,包括:
天线封装,所述天线封装包括:
介面层,包括至少一个天线层和设置在所述天线层下面的绝缘层,其中所述天线层包括第一天线区域和与所述第一天线区域分隔开的第二天线区域;
集成电路晶粒,设置在所述介面层上,其中所述集成电路晶粒介于所述第一天线区域和所述第二天线区域之间,其中所述第一天线区域与所述集成电路晶粒的第一边缘相邻设置,所述第二天线区域与所述集成电路晶粒的第二边缘相邻设置,所述第二边缘与所述第一边缘相对;
多个焊球,设置在所述介面层的底表面上;
其中,所述第一天线区域包括沿第一方向延伸的第一天线元件和第二天线元件,所述第一天线区域还包括将所述第一天线元件和所述第二天线元件电连接到所述集成电路晶粒的馈入网络;所述馈入网络分成两个整体部分:沿所述第一方向延伸的横向部分和沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的纵向部分,所述第一天线元件与所述馈入网络的所述横向部分之间的距离大于所述第二天线元件与所述馈入网络的所述横向部分之间的距离;以及
所述通信装置还包括:
印刷电路板,包括接地反射层,其中所述介面层经由所述多个焊球设置在所述印刷电路板上。
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---|---|---|---|---|
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US11322823B2 (en) * | 2017-10-17 | 2022-05-03 | Mediatek Inc. | Antenna-in-package with frequency-selective surface structure |
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KR102499038B1 (ko) * | 2018-12-06 | 2023-02-13 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 |
US11244913B2 (en) * | 2019-06-18 | 2022-02-08 | Mediatek Inc. | Semiconductor package |
KR102568702B1 (ko) * | 2019-10-15 | 2023-08-21 | 삼성전자주식회사 | 안테나 구조 및 이를 포함하는 전자 장치 |
US20230154764A1 (en) * | 2021-11-12 | 2023-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Staggered Metal Mesh on Backside of Device Die and Method Forming Same |
CN115189135A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-10-14 | 航天恒星科技有限公司 | 共口径AiP集成卫通相控阵天线 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1098391A2 (en) * | 1999-11-03 | 2001-05-09 | Andrew A.G. | Folded dipole antenna |
CN201298593Y (zh) * | 2008-10-20 | 2009-08-26 | 青岛市广播电视局 | 双三叉发射天线 |
CN102522628A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-06-27 | 清华大学 | 应用于矿井、巷道的高增益双向端射天线阵 |
CN104993222A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-10-21 | 威海市泓淋电子有限公司 | 混合式辐射体组件的天线数组 |
CN107112623A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-08-29 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 天线组件及无人飞行器 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2241128A1 (en) * | 1997-06-30 | 1998-12-30 | Sony International (Europe) Gmbh | Wide band printed phase array antenna for microwave and mm-wave applications |
KR20040025680A (ko) | 2001-05-17 | 2004-03-24 | 사이프레스 세미컨덕터 코포레이션 | 볼 그리드 어레이 안테나 |
US6770955B1 (en) * | 2001-12-15 | 2004-08-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Shielded antenna in a semiconductor package |
US7119745B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for constructing and packaging printed antenna devices |
US20060276157A1 (en) | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Chen Zhi N | Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications |
CA2611620A1 (en) | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Lester E. Burgess | Hybrid conductive coating method for electrical bridging connection of rfid die chip to composite antenna |
TWM293545U (en) * | 2006-01-13 | 2006-07-01 | Cameo Communications Inc | Patch antenna, and wireless networking device with the same |
CN2919568Y (zh) * | 2006-01-26 | 2007-07-04 | 友劲科技股份有限公司 | 适用于无线网络装置上的平板天线 |
TW200816562A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-01 | Z Com Inc | Dipole antenna and dipole array antenna |
WO2008111914A1 (en) | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Nanyang Technological University | An integrated circuit structure and a method of forming the same |
US7692590B2 (en) * | 2008-02-20 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | Radio frequency (RF) integrated circuit (IC) packages with integrated aperture-coupled patch antenna(s) |
US7696930B2 (en) * | 2008-04-14 | 2010-04-13 | International Business Machines Corporation | Radio frequency (RF) integrated circuit (IC) packages with integrated aperture-coupled patch antenna(s) in ring and/or offset cavities |
TWI382595B (zh) * | 2008-09-16 | 2013-01-11 | Polychem Uv Eb Internat Corp | Antenna construction of RFID transponder and its manufacturing method |
US8278749B2 (en) * | 2009-01-30 | 2012-10-02 | Infineon Technologies Ag | Integrated antennas in wafer level package |
FR2952457B1 (fr) * | 2009-11-10 | 2011-12-16 | St Microelectronics Sa | Dispositif electronique comprenant un composant semi-conducteur integrant une antenne |
CN201781071U (zh) * | 2010-08-03 | 2011-03-30 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 一种宽频带天线及馈电网络 |
US8451618B2 (en) * | 2010-10-28 | 2013-05-28 | Infineon Technologies Ag | Integrated antennas in wafer level package |
FR2969398B1 (fr) | 2010-12-20 | 2013-01-11 | St Microelectronics Sa | Emetteur-recepteur integre en ondes millimetriques |
JP5610064B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2014-10-22 | 株式会社村田製作所 | 部品内蔵樹脂基板およびその製造方法 |
GB2502934B (en) * | 2011-04-04 | 2015-08-12 | Murata Manufacturing Co | Chip component-embedded resin multilayer substrate and manufacturing method thereof |
CN102394350A (zh) * | 2011-07-12 | 2012-03-28 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 折叠偶极天线 |
KR20130062717A (ko) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | 삼성전기주식회사 | 밀리미터 대역용 알에프아이씨 안테나 패키지 및 이를 포함하는 무선모듈 |
US9711465B2 (en) * | 2012-05-29 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Antenna cavity structure for integrated patch antenna in integrated fan-out packaging |
US9252491B2 (en) * | 2012-11-30 | 2016-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Embedding low-k materials in antennas |
US9806422B2 (en) * | 2013-09-11 | 2017-10-31 | International Business Machines Corporation | Antenna-in-package structures with broadside and end-fire radiations |
CN104518279A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 西门子(中国)有限公司 | 双向天线、无线接入点和列车控制系统 |
CN110350296B (zh) * | 2014-11-27 | 2021-01-05 | 株式会社村田制作所 | Rfic模块以及具备该rfic模块的rfid标签 |
US10317512B2 (en) * | 2014-12-23 | 2019-06-11 | Infineon Technologies Ag | RF system with an RFIC and antenna system |
US20170179570A1 (en) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | Humatics Corporation | Dual-band antenna on a substrate |
CN208141425U (zh) * | 2015-12-21 | 2018-11-23 | 株式会社村田制作所 | 部件内置器件及rfid标签 |
US9881882B2 (en) | 2016-01-06 | 2018-01-30 | Mediatek Inc. | Semiconductor package with three-dimensional antenna |
JP2017157961A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | パナソニック株式会社 | アンテナ基板 |
CN105789872A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-07-20 | 广东工业大学 | 一种5.8GHzISA频段的紧凑型圆极化阵列天线 |
US10085342B2 (en) * | 2016-12-13 | 2018-09-25 | Intel Corporation | Microelectronic device having an air core inductor |
WO2018164255A1 (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | 無線通信デバイス |
US10411328B2 (en) * | 2017-09-15 | 2019-09-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Patch antenna structures and methods |
US11024979B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 3D IC antenna array with laminated high-k dielectric |
US10872842B2 (en) * | 2019-02-25 | 2020-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1098391A2 (en) * | 1999-11-03 | 2001-05-09 | Andrew A.G. | Folded dipole antenna |
CN201298593Y (zh) * | 2008-10-20 | 2009-08-26 | 青岛市广播电视局 | 双三叉发射天线 |
CN102522628A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-06-27 | 清华大学 | 应用于矿井、巷道的高增益双向端射天线阵 |
CN104993222A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-10-21 | 威海市泓淋电子有限公司 | 混合式辐射体组件的天线数组 |
CN107112623A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-08-29 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 天线组件及无人飞行器 |
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