CN109935602B - 一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置，制程方法包括步骤：提供一基底，在基底上依次形成的栅极，绝缘层，第一半导体层和欧姆接触层；在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料；使用半色调掩膜形成第一光阻部，并形成第二光阻部；基于第一光阻部形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时基于第二光阻部形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层；将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层；同时在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层。本申请使得显示面板在不增加制程情况下，实现光感应功能。

Description

一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置。

背景技术

随着科技的发展和进步，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

而为了能够让显示面板能够感知外界的光线强弱而进行自主调节亮度和对比度，在某些显示面板中设置了光传感器，但是设置光传感器增加了光罩制程，降低了生产效率。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制程方法和显示装置，以使得显示面板具有光感应功能的同时，避免光罩制程的增加。

本发明公开了一种阵列基板的制程方法，包括步骤：

提供一基底，基底包括主动开关区域和光传感器区域，在基底上对应主动开关区域依次形成的栅极，绝缘层，第一半导体层和欧姆接触层；

在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料，以覆盖主动开关区域和光传感器区域；

使用半色调掩膜，对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部，并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部；

基于第一光阻部，对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时，基于第二光阻部，对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层；

将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器。

可选的，所述半色调掩膜包括透光部、遮光部、第一半透部和第二半透部；所述使用半色调掩膜，对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部，并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部的步骤包括：

使用半色调掩膜，形成位于欧姆接触层上方的第一光阻侧部、光阻中部和第二光阻侧部以得到第一光阻部，同时，形成位于绝缘层上方的第二光阻部；

其中，所述光阻中部的光阻厚度为第一厚度，所述第一光阻侧部和第二光阻侧部的光阻厚度为第二厚度，所述第二光阻部的光阻厚度为第三厚度；所述第一厚度小于第二厚度，所述第二厚度小于第三厚度。

可选的，所述基于第一光阻部，对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成直接位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时，基于第二光阻部，对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层的步骤包括：

蚀刻第二半导体层材料形成位于第一光阻部下方的第二半导体层，并形成位于第二光阻部下方的光感半导体层；

蚀刻第二金属层材料形成位于第二半导体层下方的第二金属层，以及位于光感半导体层下方的光感金属层；

蚀刻第一光阻部和第二光阻部，使得光阻中部完全蚀刻，而第一光阻侧部、第二光阻侧部和第二光阻部不完全蚀刻；

蚀刻第二半导体层使得第二半导体层形成对应光阻中部镂空，并蚀刻第二金属层形成沟道以及位于第一光阻侧部和第二光阻侧部下方的源极层和漏极层；

蚀刻欧姆接触层使得欧姆接触层对应沟道处镂空，使得欧姆接触层形成分别对应源极层和漏极层的两个部分；

蚀刻第一光阻部和第二光阻部，使得第一光阻侧部和第二光阻侧部完全蚀刻，同时第二光阻部不完全蚀刻；

完全蚀刻清除第二半导体层，同时，保留对应第二光阻部的光感半导体层。

可选的，所述将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器的步骤包括：

蚀刻第二光阻部，使得第二光阻部完全蚀刻清除；

在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层，形成的透明电极层通过过孔连接于漏极层；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层，形成的光感钝化层对应光感半导体层的中部设置有镂空部，光感透明电极层通过镂空部连通于光感半导体层。

可选的，所述第二半导体层材料的形成步骤包括：

在欧姆接触层上方沉积第二金属层材料；

在第二金属层材料上方沉积第一层基材，并使用硅烷、氢气和磷化氢对第一层基材进行掺杂得到N型半导体层材料；

在N型半导体层材料上方沉积第二层基材，作为本征半导体层材料；

在本征半导体层材料上方沉积第三层基材，使用硅烷、氢气和乙硼烷对及三层基材进行掺杂得到P型半导体层材料以得到第二半导体层材料。

可选的，所述第二半导体层材料的形成步骤包括：

在欧姆接触层上方沉积第二金属层材料；

在第二金属层材料上方沉积第一层基材，使用硅烷、氢气和乙硼烷对及三层基材进行掺杂得到P型半导体层材料；

在N型半导体层材料上方沉积第二层基材，作为本征半导体层材料；

在本征半导体层材料上方沉积第三层基材，并使用硅烷、氢气和磷化氢对第一层基材进行掺杂得到N型半导体层材料以得到第二半导体层材料。

本发明还公开了一种阵列基板，使用本发明公开的阵列基板的制程方法制得，包括：

主动开关；

光传感器，与所述主动开关对应设置；

所述主动开关分别包括在基底上依次设置的栅极、绝缘层、第一半导体层、欧姆接触层、源极层和漏极层、钝化层和透明电极层；所述源极层和漏极层相对设置，所述透明电极层通过过孔连接于所述漏极层；

所述光传感器从基底起依次包括绝缘层、光感金属层、光感半导体层、光感钝化层和光感透明电极层；所述光感钝化层的中部设置有镂空部，所述光感透明电极层通过镂空部连接于所述光感半导体层；

所述漏极层通过所述透明电极层连接于所述光感透明电极层或光感金属层。

可选的，所述主动开关包括显示主动开关和读取主动开关，所述显示主动开关和读取主动开关的膜层结构相同；

所述显示主动开关、读取主动开关和光传感器共用制程形成。

可选的，所述阵列基板还包括钝化层连接部，所述读取主动开关的钝化层和所述光感钝化层通过钝化层连接部连接。

本发明还公开了一种显示装置，包括显示面板，所述显示面板包括如本发明公开的阵列基板，以及与所述阵列基板对应设置的对侧基板，所述对侧基板对应所述主动开关设置有遮光层。

相对于分别采用不同制程形成主动开关和光传感器的方案来说，本申请对应主动开关区域和光传感器区域沉积第二金属层材料和第二半导体层材料，通过共用一道半色调掩膜光罩形成了第一光阻部和第二光阻部，并基于第一光阻部和第二光阻部形成位于主动开关区域仅一层膜层的源极层和漏极层，同时形成位于光传感器区域两层膜层的光感金属层和光感半导体层，节约了光罩制程，提高了生产效率。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本发明实施例一种阵列基板的制程方法的流程图；

图2是本发明实施例一种阵列基板的制程方法的部分流程图；

图3是本发明实施例一种阵列基板的制程方法的另一部分流程图；

图4是本发明实施例一种阵列基板的制备流程图；

图5是本发明实施例一种阵列基板的示意图；

图6是本发明实施例另一种阵列基板的示意图；

图7是本发明实施例一种阵列基板的框图示意图；

图8是本发明实施例一种显示面板的示意图。

具体实施方式

需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

下面参考附图和可选的实施例对本发明作详细说明。

图1是本发明一种阵列基板的制程方法的流程图，参考图1可知：

本发明公开了一种阵列基板的制程方法，包括步骤：

S11:提供一基底，基底包括主动开关区域和光传感器区域，在基底上对应主动开关区域依次形成的栅极，绝缘层，第一半导体层和欧姆接触层；

S12:在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料，以覆盖主动开关区域和光传感器区域；

S13:使用半色调掩膜，对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部，并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部；

S14:基于第一光阻部，对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时，基于第二光阻部，对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层；

S15:将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器。

相对于分别采用不同制程形成主动开关和光传感器的方案来说，本申请对应主动开关区域和光传感器区域沉积第二金属层材料和第二半导体层材料，通过共用一道半色调掩膜光罩形成了第一光阻部和第二光阻部，并基于第一光阻部和第二光阻部形成位于主动开关区域仅一层膜层的源极层和漏极层，同时形成位于光传感器区域两层膜层的光感金属层和光感半导体层，节约了光罩制程，提高了生产效率。

其中，该钝化层覆盖所述第二半导体层、源极层和漏极层，远离沟道的两侧边以及靠近沟道的两侧边；另外，该光感半导体层和光感金属层通过共用光罩制程形成，因而的光感半导体层和光感金属层两侧边也是齐平的，同理，所述光感钝化层也覆盖所述光感半导体层和光感金属层的两侧边，以避免形成在光感钝化层上方的光感透明电极层耦合于所述光感金属层以保证光传感器的功能。

其中，该第一半导体层可以采用非晶硅，该欧姆接触层可以采用N型高浓度掺杂非晶硅，当然，采用其他适用材料制程也是可以的。

具体的，该钝化层和光感钝化层可以通过钝化层连接部连接，则即使第二金属层在主动开关和光传感器之间存在少许的金属残留，钝化层连接部的存在可以保证这些金属残留不会偶接于透明电极层或光感透明电极层，而导致可能存在的短路问题。

当然，本发明中该钝化层连接部不连通钝化层和光感钝化层，而仅仅只是连接于光感钝化层而把光感金属层和光感半导体层的侧边全部覆盖即可。

在一实施例中，所述半色调掩膜包括透光部、遮光部、第一半透部和第二半透部；所述使用半色调掩膜，对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部，并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部的步骤包括：

使用半色调掩膜，形成位于欧姆接触层上方的第一光阻侧部、光阻中部和第二光阻侧部以得到第一光阻部，同时，形成位于绝缘层上方的第二光阻部；

其中，所述光阻中部的光阻厚度为第一厚度，所述第一光阻侧部和第二光阻侧部的光阻厚度为第二厚度，所述第二光阻部的光阻厚度为第三厚度；所述第一厚度小于第二厚度，所述第二厚度小于第三厚度。本实施方案中，本申请的半色调掩膜光罩具有透光部、遮光部、第一半透部和第二半透部，如此，形成的第一光阻部与第二光阻部具有不同的光阻厚度，同时，第一、第二光阻侧部和光阻中部也具有不同的光阻厚度，因而，在控制好光阻蚀刻量的基础上，本发明的第一光阻部和第二光阻部能够用于多个膜层的不同蚀刻步骤，以便在一道光罩制程中，蚀刻第二金属层材料和第二半导体层材料形成对应主动开关区域的一个膜层，以及对应光传感器区域的两个膜层。

图2是本发明一种阵列基板的制程方法的部分流程图，参考图2，结合图1可知，在一实施例中，所述基于第一光阻部，对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成直接位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时，基于第二光阻部，对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层的步骤S14包括：

S141:蚀刻第二半导体层材料形成位于第一光阻部下方的第二半导体层，并形成位于第二光阻部下方的光感半导体层；

S142:蚀刻第二金属层材料形成位于第二半导体层下方的第二金属层，以及位于光感半导体层下方的光感金属层；

S143:蚀刻第一光阻部和第二光阻部，使得光阻中部完全蚀刻，而第一光阻侧部、第二光阻侧部和第二光阻部不完全蚀刻；

S143:蚀刻第二半导体层使得第二半导体层形成对应光阻中部镂空，并蚀刻第二金属层形成沟道以及位于第一光阻侧部和第二光阻侧部下方的源极层和漏极层；

S144:蚀刻欧姆接触层使得欧姆接触层对应沟道处镂空，使得欧姆接触层形成分别对应源极层和漏极层的两个部分；

S145:蚀刻第一光阻部和第二光阻部，使得第一光阻侧部和第二光阻侧部完全蚀刻，同时第二光阻部不完全蚀刻；

S146:完全蚀刻清除第二半导体层，同时，保留对应第二光阻部的光感半导体层。本实施方案中，相对于将欧姆接触层蚀刻为位于沟道两侧两部分之后再形成源极层和漏极层的方案，而出现的在蚀刻源极层和漏极层时，难以蚀刻完全而在欧姆接触层上残留金属材料的方案；该第一光阻部和第二光阻部，不仅用于蚀刻形成源极层和漏极层，以及光感金属层和光感半导体层，而且，还用于蚀刻欧姆接触层使得欧姆接触层对应沟道处镂空，在形成源极层和漏极层之后，才蚀刻使得欧姆接触层对应沟道处镂空，如此，可以减少金属残留的问题，有利于提高主动开关的开关特性。

图3是本发明一种阵列基板的制程方法的另一部分流程图，参考图3，结合图1和图2可知，在一实施例中，所述将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器的步骤S15包括：

S151:蚀刻第二光阻部，使得第二光阻部完全蚀刻清除；

S152:在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层，形成的透明电极层通过过孔连接于漏极层；

S153:同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层，形成的光感钝化层对应光感半导体层的中部设置有镂空部，光感透明电极层通过镂空部连通于光感半导体层。本实施方案中，主动开关的钝化层与光传感器的光感钝化层同层形成，主动开关的透明电极层和光传感器的光感透明电极层同层形成，如此，可以减少光罩制程，提高生产效率。

其中，由于光感金属层和光感半导体层均基于第二光阻部蚀刻形成，因而，该光感半导体层无法覆盖所述光感金属层，因而，在蚀刻钝化层时，会将光感钝化层靠近主动开关一侧的钝化材料保留下来以从侧边覆盖光感金属层和光感半导体层的侧边，以避免在钝化层上方形成的光感透明导电层偶接于光感金属层，保证光传感器的功能。

图4是本发明一种阵列基板的制备流程图，结合图1至图3以更好的阐述本发明的方案，如图4中所示，制程通过半色调掩膜光罩对应在主动开关区域形成对应主动开关区域的第一光阻部，以及对应光传感器区域的第二光阻部，其中，第一光阻侧部和第二光阻侧部的光阻厚度相当，第一光阻侧部和第二光阻侧部的光阻厚度大于光阻中部的厚度，第二光阻部的厚度大于第一光阻侧部和第二光阻侧部的光阻厚度。

在一实施例中，所述第二半导体层材料的形成步骤包括：

在欧姆接触层上方沉积第二金属层材料；

在第二金属层材料上方沉积第一层基材，并使用硅烷、氢气和磷化氢对第一层基材进行掺杂得到N型半导体层材料；

在N型半导体层材料上方沉积第二层基材，作为本征半导体层材料；

在本征半导体层材料上方沉积第三层基材，使用硅烷、氢气和乙硼烷对及三层基材进行掺杂得到P型半导体层材料以得到第二半导体层材料。本实施方案中，该第二半导体层并不是单纯的非晶硅材料，而是由三层膜层组成，具体的，包括N型半导体层材料、本征半导体层材料和P型半导体层材料；其中，该第一层基材、第二层基材和第三层基材为多晶硅和/或非晶硅材料；其中，使用硅烷、氢气和磷化氢对第一层基材进行掺杂得到N型半导体层材料的步骤采用电浆辅助气相沉积技术(PECVD)，同理，使用硅烷、氢气和乙硼烷对及三层基材进行掺杂得到P型半导体层材料的步骤也采用电浆辅助气相沉积技术(PECVD)。

在一实施例中，所述第二半导体层材料的形成步骤包括：

在欧姆接触层上方沉积第二金属层材料；

在第二金属层材料上方沉积第一层基材，使用硅烷、氢气和乙硼烷对及三层基材进行掺杂得到P型半导体层材料；

在N型半导体层材料上方沉积第二层基材，作为本征半导体层材料；

在本征半导体层材料上方沉积第三层基材，并使用硅烷、氢气和磷化氢对第一层基材进行掺杂得到N型半导体层材料以得到第二半导体层材料。同理，将P型半导体层材料和N型半导体材料对调也是可以的。

其中，上述的所述P型半导体层和N型半导体层的厚度为30-50nm，例如可以为40nm；所述本征半导体层的厚度为300-1000nm，例如可以为800nm；所述N型半导体层的透光率大于等于80％，例如可以为90％。

图5是本发明一种阵列基板的示意图，图6是本发明另一种阵列基板的示意图，参考图5和图6，结合图1至图4可知：本发明还公开了一种阵列基板100，使用本发明公开的阵列基板的制程方法制得，所述阵列基板100包括：

主动开关101；

光传感器102，与所述主动开关101对应设置；

所述主动开关101分别包括在基底上依次设置的栅极1011、绝缘层1012、第一半导体层1013、欧姆接触层1014、源极层1015和漏极层1016、钝化层1017和透明电极层1018；所述源极层1015和漏极层1016相对设置，所述透明电极层1018通过过孔1019连接于所述漏极层1016；

所述光传感器102从基底起依次包括绝缘层1012、光感金属层1021、光感半导体层1022、光感钝化层1023和光感透明电极层1024；所述光感钝化层1023的中部设置有镂空部1025，所述光感透明电极层1024通过镂空部1025连接于所述光感半导体层1022；

所述漏极层1016通过所述透明电极层1018连接于所述光感透明电极层1024或光感金属层1021。

具体的，该钝化层1017和光感钝化层1023可以通过钝化层连接部1026连接，则即使第二金属层在主动开关和光传感器之间存在少许的金属残留，钝化层连接部的存在可以保证这些金属残留不会偶接于透明电极层或光感透明电极层，而导致可能存在的短路问题。

其中，在绝缘层和光感金属层1021之间，还可以设置有第一光感半导体层和光感欧姆接触层(图中未示出)，该第一光感半导体层和主动开关区域的第一半导体层同层形成，该光感欧姆接触层和主动开关区域的欧姆接触层同层形成。

另外，在光传感器区域的绝缘层和基底之间还可以设置有栅极遮光层(图中未示出)，该栅极遮光层和主动开关区域的栅极层同层形成。

其中，该光感半导体层1022包括P型半导体层1022a、本征半导体层1022b和N型半导体层1022c。

图7是本发明一种阵列基板的框图示意图，参考图7，结合图1-图6可知：在一实施例中，所述主动开关包括显示主动开关和读取主动开关，所述显示主动开关101a和读取主动开关101b的膜层结构相同；

所述显示主动开关101a、读取主动开关101b和光传感器102共用制程形成。

在一实施例中，所述阵列基板100还包括钝化层连接部1026，所述读取主动开关101b的钝化层1017和所述光感钝化层1023通过钝化层连接部1026连接。

图8是本发明一种显示面板的示意图，参考图8，结合图1-图7可知：本发明还公开了一种显示装置1，包括显示面板10，所述显示面板10包括如本发明公开的阵列基板100，以及与所述阵列基板100对应设置的对侧基板200，所述对侧基板200对应所述主动开关101设置有遮光层201。其中，该对侧基板一般为彩膜基板，当然，如果该阵列基板为COA(colorfilter on array)阵列基板，则该对侧基板也可以不设置色阻。

需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本发明的保护范围。

另外，本发明的各个实施例和技术特征，在不相冲突的前提下，可以进行组合应用。

本发明的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如扭曲向列型(TwistedNematic，TN)显示面板、平面转换型(In-Plane Switching，IPS)显示面板、垂直配向型(Vertical Alignment，VA)显示面板、多象限垂直配向型(Multi-Domain VerticalAlignment，MVA)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，均可适用上述方案。

以上内容是结合具体的可选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基底，基底包括主动开关区域和光传感器区域，在基底上对应主动开关区域依次形成的栅极，绝缘层，第一半导体层和欧姆接触层；

在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料，以覆盖主动开关区域和光传感器区域；

使用半色调掩膜，对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部，并对应光传感器区域形成位于第二半导体层上方的第二光阻部；

基于第一光阻部，对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时，基于第二光阻部，对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层；

将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器；

所述半色调掩膜包括透光部、遮光部、第一半透部和第二半透部；

所述使用半色调掩膜，对应主动开关区域形成位于第二半导体层材料上方的第一光阻部，并对应光传感器区域形成位于绝缘层上方的第二光阻部的步骤包括：

使用半色调掩膜，形成位于欧姆接触层上方的第一光阻侧部、光阻中部和第二光阻侧部以得到第一光阻部，同时，形成位于第二半导体层上方的第二光阻部；

其中，所述光阻中部的光阻厚度为第一厚度，所述第一光阻侧部和第二光阻侧部的光阻厚度为第二厚度，所述第二光阻部的光阻厚度为第三厚度；所述第一厚度小于第二厚度，所述第二厚度小于第三厚度；

所述基于第一光阻部，对应主动开关区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成直接位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时，基于第二光阻部，对应光传感器区域蚀刻第二半导体层材料和第二金属层材料形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层的步骤包括：

蚀刻第二半导体层材料形成位于第一光阻部下方的第二半导体层，并形成位于第二光阻部下方的光感半导体层；

蚀刻第二金属层材料形成位于第二半导体层下方的第二金属层，以及位于光感半导体层下方的光感金属层；

蚀刻第一光阻部和第二光阻部，使得光阻中部完全蚀刻，而第一光阻侧部、第二光阻侧部和第二光阻部不完全蚀刻；

蚀刻第二半导体层使得第二半导体层形成对应光阻中部镂空，并蚀刻第二金属层形成沟道以及位于第一光阻侧部和第二光阻侧部下方的源极层和漏极层；

蚀刻欧姆接触层使得欧姆接触层对应沟道处镂空，使得欧姆接触层形成分别对应源极层和漏极层的两个部分；

蚀刻第一光阻部和第二光阻部，使得第一光阻侧部和第二光阻侧部完全蚀刻，同时第二光阻部不完全蚀刻；

完全蚀刻清除第二半导体层，同时，保留对应第二光阻部的光感半导体层。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层以得到主动开关；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层以得到光感传感器的步骤包括：

蚀刻第二光阻部，使得第二光阻部完全蚀刻清除；

在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层，形成的透明电极层通过过孔连接于漏极层；同时，在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层，形成的光感钝化层对应光感半导体层的中部设置有镂空部，光感透明电极层通过镂空部连通于光感半导体层。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述第二半导体层材料的形成步骤包括：

在欧姆接触层上方沉积第二金属层材料；

在第二金属层材料上方沉积第一层基材，并使用硅烷、氢气和磷化氢对第一层基材进行掺杂得到N型半导体层材料；

在N型半导体层材料上方沉积第二层基材，作为本征半导体层材料；

在本征半导体层材料上方沉积第三层基材，使用硅烷、氢气和乙硼烷对及三层基材进行掺杂得到P型半导体层材料以得到第二半导体层材料；

其中，使用硅烷、氢气和磷化氢对第一层基材进行掺杂得到N型半导体层材料的步骤采用电浆辅助气相沉积技术（PECVD）；使用硅烷、氢气和乙硼烷对及三层基材进行掺杂得到P型半导体层材料的步骤也采用电浆辅助气相沉积技术（PECVD）。

4.如权利要求3所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述P型半导体层材料和N型半导体层材料的厚度为30-50nm，所述本征半导体层的厚度为300-1000nm。

5.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述第二半导体层材料的形成步骤包括：

在欧姆接触层上方沉积第二金属层材料；

在第二金属层材料上方沉积第一层基材，使用硅烷、氢气和乙硼烷对及三层基材进行掺杂得到P型半导体层材料；

在N型半导体层材料上方沉积第二层基材，作为本征半导体层材料；

在本征半导体层材料上方沉积第三层基材，并使用硅烷、氢气和磷化氢对第一层基材进行掺杂得到N型半导体层材料以得到第二半导体层材料。

6.一种阵列基板,使用如权利要求1-5任意一项所述的阵列基板的制程方法制得，其特征在于，包括：

主动开关；

光传感器，与所述主动开关对应设置；

所述主动开关分别包括在基底上依次设置的栅极、绝缘层、第一半导体层、欧姆接触层、源极层和漏极层、钝化层和透明电极层；所述源极层和漏极层相对设置，所述透明电极层通过过孔连接于所述漏极层；

所述光传感器从基底起依次包括绝缘层、光感金属层、光感半导体层、光感钝化层和光感透明电极层；所述光感钝化层的中部设置有镂空部，所述光感透明电极层通过镂空部连接于所述光感半导体层；

所述漏极层通过所述透明电极层连接于所述光感透明电极层或光感金属层。

7.如权利要求6所述的一种阵列基板，其特征在于，所述主动开关包括显示主动开关和读取主动开关，所述显示主动开关和读取主动开关的膜层结构相同；

所述显示主动开关、读取主动开关和光传感器共用制程形成。

8.如权利要求7所述的一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层连接部，所述读取主动开关的钝化层和所述光感钝化层通过钝化层连接部连接。

9.一种显示装置，包括显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求6-8任一项所述的阵列基板，以及与所述阵列基板对应设置的对侧基板，所述对侧基板对应所述主动开关设置有遮光层。

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