CN109930201A - 一种气体回用控制方法及气体回用控制设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种气体回用控制方法和一种气体回用控制设备，所述气体回用控制方法包括：净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体；检测所述第一回用气体的第一纯度；在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。本发明实施例中，可以避免将不符合使用要求的回用气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。

Description

一种气体回用控制方法及气体回用控制设备

技术领域

本发明涉及单晶硅制造技术领域，特别是涉及一种气体回用控制方法和一种气体回用控制设备。

背景技术

单晶硅生产设备在采用拉晶法生产单晶硅时，通常需要往炉内引入惰性气体，利用惰性气体对晶体生长环境的吹扫作用，可以带走挥发物及氧化物等杂质，提高拉晶过程的稳定性及单晶硅的品质。

现有的技术中，为了提高惰性气体的利用率，通常在单晶硅生产设备上设置有气体回用装置，以对单晶硅生产设备排出的惰性气体进行净化，得到回用气体，并将该回用气体通入单晶硅生产设备内进行重复使用。现有的气体回用装置中，在将单晶硅生产设备的惰性气体进行净化后，往往直接将回用气体通入单晶硅生产设备内使用。

然而，在气体回用装置的对单晶硅生产设备排出的惰性气体进行净化的过程中，在气体回用装置出现故障的情况下，或者，在气体回用装置的回用管道出现泄露的情况下，很容易导致该回用气体无法满足使用需求。在实际应用中，将不符合使用需求的回用气体通入单晶硅生产设备内，很容易降低单晶硅的品质。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种气体回用控制方法和相应的一种气体回用控制设备。

为了解决上述问题，一方面，本发明实施例公开了一种气体回用控制方法，包括：

净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体；

检测所述第一回用气体的第一纯度；

在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；

在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；

在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。

可选地，所述检测所述第一回用气体的第一纯度的步骤之后，还包括：

在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

可选地，所述控制所述纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气的步骤之后，还包括：

将所述第一回用气体进行再次净化；

执行所述检测所述第一回用气体的第一纯度的步骤。

可选地，所述在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度的步骤之后，还包括：

在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

可选地，所述停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制所述纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气的步骤之后，还包括：

执行报警操作。

可选地，所述第一预设条件为：所述第一纯度大于第一预设值。

可选地，所述第二预设条件为：所述第二纯度与所述第一纯度之间的差值小于第二预设值。

另一方面，本发明实施例还公开了一种气体回用控制设备，包括：接口，总线，存储器，与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：

净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体；

检测所述第一回用气体的第一纯度；

在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；

在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；

在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。

可选地，所述处理器被配置为运行所述可执行程序还/具体实现如下步骤：

在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

可选地，所述处理器被配置为运行所述可执行程序还/具体实现如下步骤：

在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

本发明实施例包括以下优点：

本发明实施例中，在控制气体回用装置净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体之后，需要检测所述第一回用气体的第一纯度；在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。也就是说，只有当所述第一回用气体的第一纯度满足所述第一预设条件，且所述第二回用气体的第二纯度满足所述第二预设条件的情况下，才能将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备，这样，可以避免将不符合使用要求的回用气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。

附图说明

图1是本发明的一种气体回用控制方法的步骤流程图；

图2是本发明的另一种气体回用控制方法的步骤流程图；

图3是本发明的一种气体回用控制装置的结构框图；

图4是本发明的一种气体回用控制设备的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

实施例一

参照图1，示出了本发明实施例的一种气体回用控制方法的步骤流程图，具体可以包括：

步骤101：净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体。

本发明实施例中，可以利用真空泵抽吸所述单晶硅生产设备产生的气体，并将气体回用装置跟所述真空泵进行连接。具体地，所述单晶硅生产设备产生的气体往往可以包括惰性气体、杂质以及对性气体之外的其他杂气。在实际应用中，可以采用净化塔、过滤器等净化装置对所述单晶硅生产设备产生的气体进行净化，去除所述单晶硅生产设备产生的气体中的杂质或者杂气，得到所述第一回用气体。

步骤102：检测所述第一回用气体的第一纯度。

本发明实施例中，可以通过气体纯度测试仪等装置检测所述第一回用气体的第一纯度。

步骤103：在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备。

本发明实施例中，在所述第一回用气体可以满足所述生产设备的使用需求的情况下，可以将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备。

可选地，所述第一预设条件可以为：所述第一纯度大于或者等于第一预设值。在实际应用中，在所述第一回用气体的第一纯度大于或者等于所述第一预设值的情况下，可以认为所述气体回用装置中的净化装置的状态为正常工作状态，在所述第一纯度小于所述第一预设值的情况下，可以认所述气体回用装置中的净化装置的状态的异常状态。

具体地，所述第一预设值可以根据所述单晶硅生产设备的实际需要进行设定。例如，若所述单晶硅生产设备需要的纯度超过99.9％惰性气体，那么，在实际应用中，可以将所述第一预设值设置为99.9％。又如，若所述单晶硅生产设备需要的纯度超过99.99％惰性气体，那么，在实际应用中，可以将所述第一预设值设置为99.99％。本发明实施例对于所述第一预设值的具体值可以不做限定。

步骤104：在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度。

本发明实施例中，在将所述第一回用气体通向所述生产设备后，可以在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度。

具体地，可以通过气体纯度测试仪等装置检测所述第一回用气体的第二纯度。在实际应用中，为了提高设备的利用率，可以采用相同的装置检测所述第一回用气体的第一纯度和第二纯度。

可选地，所述第二预设条件为：所述第二纯度与所述第一纯度之间的差值小于第二预设值。在实际应用中，所述第二纯度与所述第一纯度之间的差值小于第二预设值的情况下，可以认为所述气体回用装置没有泄露，在所述第二纯度与所述第一纯度之间的差值大于或者等于所述第二预设值的情况，可以认为所述气体回用装置存在泄露。

具体地，所述第二预设值可以根据所述气体回用装置的实际状况进行设定。例如，若所述气体回用装置在进行所述第一回用气体的运输时，在没有泄露的情况下所述第一回用气体的纯度会降低0.0001，那么，在实际应用中，可以将所述第二预设值设置为0.0001。又如，若所述气体回用装置在进行所述第一回用气体的运输时，在没有泄露的情况下所述第一回用气体的纯度会降低0.001，那么，在实际应用中，可以将所述第二预设值设置为0.001。本发明实施例对于所述第二预设值的具体值可以不做限定。

步骤105：在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。

本发明实施例中，在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，可以认为所述气体回用装置没有泄露，从所述气体回用装置通给所述单晶硅生产设备的第一回用气体可以满足使用需求，在这种情况下，可以将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备，以方便所述单晶硅生产设备在进行单晶硅的生产时可以使用所述第一回用气体。

本发明实施例中，例如，单晶硅生产设备可以为单晶炉，单晶硅生产用的气体可以为氩气。

本发明实施例中，只有当所述第一回用气体的第一纯度满足所述第一预设条件，且所述第二回用气体的第二纯度满足所述第二预设条件的情况下，才能将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备，这样，可以避免将不符合使用要求的回用气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。

综上，本发明实施例所述的气体回用控制方法至少包括以下优点：

本发明实施例中，在控制气体回用装置净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体之后，需要检测所述第一回用气体的第一纯度；在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。也就是说，只有当所述第一回用气体的第一纯度满足所述第一预设条件，且所述第二回用气体的第二纯度满足所述第二预设条件的情况下，才能将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备，这样，可以避免将不符合使用要求的回用气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。

实施例二

参照图2，示出了本发明的另一种气体回用控制方法的步骤流程图，具体可以包括：

步骤201：净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体。

具体的实现过程可参照实施例一中的步骤101。

步骤202：检测所述第一回用气体的第一纯度。

具体的实现过程可参照实施例一中的步骤102。

步骤203：在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备。

具体的实现过程可参照实施例一中的步骤103。

步骤204：在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

在实际应用中，在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，可以认所述气体回用装置中的净化装置的状态的异常状态，所述第一回用装置的纯度无法满足所述单晶硅生产设备的使用需求，在这种情况下，为了避免向所述单晶硅生产设备中通入不满足使用需求的气体，避免所述第一回用气体影响所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质，可以停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备。而且，为了保证所述单晶硅生产设备的正常工作，可以控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

步骤205：将所述第一回用气体进行再次净化。

本发明实施例中，在控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气之后，为了提高所述第一回用气体的使用率，避免浪费，还可以将所述第一回用气体进行再次净化。

具体地，可以采用净化塔、过滤器等净化装置对所述第一回用气体进行再次净化，去除所述第一回用气体中的杂质或者杂气。在实际应用中，为了提高设备的利用率，可以采用相同的装置对所述生产设备产生的气体、以及所述第一回用气体进行净化。

本发明实施例中，在对所述第一回用气体进行再次净化之后，可以执行步骤202。

步骤206：在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度。

具体的实现过程可参照实施例一中的步骤104。

步骤207：在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。

具体的实现过程可参照实施例一中的步骤105。

步骤208：在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

本发明实施例中，在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，可以认为所述气体回用装置存在泄露。在这种情况下，为了避免向所述单晶硅生产设备中通入不满足使用需求的气体，避免所述第一回用气体影响所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质，可以停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备。且而且，为了保证所述单晶硅生产设备的正常工作，可以控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

步骤209：执行报警操作。

本发明实施例中，在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气之后，还可以执行报警操作，以将所述气体回用装置的泄露情况告知操作人员，方便操作人员对所述气体回用装置进行检修。

具体地，所述报警操作可以为信息报警、声音报警、灯光报警等报警操作方式中的任意一种，本发明实施例对于所述报警操作的具体实现方式不做限定。

综上，本发明实施例所述的气体回用控制方法至少包括以下优点：

本发明实施例中，在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，可以认为所述气体回用装置的工作状态为异常状态，此时，可以控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气；将所述第一回用气体进行再次净化；这样，不仅可以避免向所述单晶硅生产设备中通入不满足使用需求的气体，避免所述第一回用气体影响所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质，还可以使得所述单晶硅生产设备能够正常工作，并且，还可以提高所述第一回用气体的使用率。

而且，在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，可以认为所述气体回用装置存在泄露，此时，可以停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气，这样，不仅可以避免向所述单晶硅生产设备中通入不满足使用需求的气体，避免所述第一回用气体影响所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质，还可以使得所述单晶硅生产设备能够正常工作，并且，还可以执行报警操作，以将所述气体回用装置的泄露情况告知操作人员，方便操作人员对所述气体回用装置进行检修。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

实施例三

参照图3，示出了本发明的一种气体回用控制装置的结构框图，如图3所示，气体回用控制装置300可以包括：

第一净化模块301，用于净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体。

第一检测模块302，用于检测所述第一回用气体的第一纯度。

第一控制模块303，用于在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备。

第二检测模块304，用于在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度。

第二控制模块305，用于在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。

可选地，气体回用控制装置300还可以包括：

第三控制模块，用于在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

第二净化模块，用于将所述第一回用气体进行再次净化。

第一执行模块，用于执行所述检测所述第一回用气体的第一纯度的步骤。

可选地，气体回用控制装置300还可以包括：

第四控制模块，用于在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

报警模块，用于执行报警操作。

可选地，所述第一预设条件为：所述第一纯度大于第一预设值。

可选地，所述第二预设条件为：所述第二纯度与所述第一纯度之间的差值小于第二预设值。

综上，本发明实施例所述的气体回用控制装置至少包括以下优点：

本发明实施例中，在控制气体回用装置净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体之后，需要检测所述第一回用气体的第一纯度；在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。也就是说，只有当所述第一回用气体的第一纯度满足所述第一预设条件，且所述第二回用气体的第二纯度满足所述第二预设条件的情况下，才能将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备，这样，可以避免将不符合使用要求的回用气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。

实施例四

参照图4，示出了本发明的一种气体回用控制设备的结构框图，具体可以包括：接口40，总线41，存储器42，与处理器43，接口40、存储器42与处理器43通过总线41相连接，存储器42用于存储可执行程序，处理器42被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体；检测所述第一回用气体的第一纯度；在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。

可选地，处理器43被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

可选地，处理器43被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：将所述第一回用气体进行再次净化；执行所述检测所述第一回用气体的第一纯度的步骤。

可选地，处理器43被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：

在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

可选地，处理器43被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：执行报警操作。

综上，本发明实施例所述的气体回用控制设备至少包括以下优点：

本发明实施例中，在控制气体回用装置净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体之后，需要检测所述第一回用气体的第一纯度；在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。也就是说，只有当所述第一回用气体的第一纯度满足所述第一预设条件，且所述第二回用气体的第二纯度满足所述第二预设条件的情况下，才能将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备，这样，可以避免将不符合使用要求的回用气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种气体回用控制方法和一种气体回用控制装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种气体回用控制方法，其特征在于，包括：

净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体；

检测所述第一回用气体的第一纯度；

在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；

在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；

在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测所述第一回用气体的第一纯度的步骤之后，还包括：

在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制所述纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气的步骤之后，还包括：

将所述第一回用气体进行再次净化；

执行所述检测所述第一回用气体的第一纯度的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度的步骤之后，还包括：

在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制所述纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气的步骤之后，还包括：

执行报警操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设条件为：所述第一纯度大于第一预设值。

7.根据权利要求所述的方法，其特征在于，所述第二预设条件为：所述第二纯度与所述第一纯度之间的差值小于第二预设值。

8.一种气体回用控制设备，其特征在于，所述设备包括：接口，总线，存储器，与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤：

净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体；

检测所述第一回用气体的第一纯度；

在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；

在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；

在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述处理器被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：

在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下，控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。

10.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述处理器被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤：

在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下，停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备，且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。