CN109920877A - 分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法 - Google Patents

分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109920877A
CN109920877A CN201910091479.7A CN201910091479A CN109920877A CN 109920877 A CN109920877 A CN 109920877A CN 201910091479 A CN201910091479 A CN 201910091479A CN 109920877 A CN109920877 A CN 109920877A
Authority
CN
China
Prior art keywords
furnace
silicon substrate
layer
furnace chamber
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910091479.7A
Other languages
English (en)
Inventor
王晓东
陈雨璐
王兵兵
张传胜
张皓星
臧元章
袁毅
俞旭辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute Of Microwave Technology (fiftieth Research Institute Of China Electronic Technology Group Corporation)
Shanghai Institute of Microwave Technology CETC 50 Research Institute
Original Assignee
Shanghai Institute Of Microwave Technology (fiftieth Research Institute Of China Electronic Technology Group Corporation)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute Of Microwave Technology (fiftieth Research Institute Of China Electronic Technology Group Corporation) filed Critical Shanghai Institute Of Microwave Technology (fiftieth Research Institute Of China Electronic Technology Group Corporation)
Priority to CN201910091479.7A priority Critical patent/CN109920877A/zh
Publication of CN109920877A publication Critical patent/CN109920877A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明涉及一种太赫兹探测器件制备技术领域的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，包括如下步骤：将背封高导硅衬底放入化学气相沉积的反应炉腔中；在高导硅衬底正面生长重掺杂吸收层；将重掺杂吸收层生长完毕的硅片从炉腔中取出，去除底板边缘区域沉积的掺杂多晶硅及炉腔残留的杂质；将硅片重新放回炉腔，去除硅片表面的氧化层后清洁炉腔；在重掺杂吸收层上继续生长本征阻挡层；将本征阻挡层生长完毕的硅片从炉腔中取出，对硅片进行微纳加工及器件封装。本发明中吸收层与阻挡层分炉进行外延生长，有利于提高阻挡层的表面电阻率及减小吸收层和阻挡层的过渡区宽度，从而有效降低器件暗电流及延伸探测波长。

Description

分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法
技术领域
本发明涉及太赫兹探测器件制备技术领域，具体地，涉及一种分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法。
背景技术
太赫兹波在电磁波谱中位于微波与红外之间，由于其具有安全性、穿透性、指纹特性及分布广泛性，在电子、信息、生命、国防、航天等领域蕴含着巨大的应用价值。因此，太赫兹科学与技术相继成为各国政府重点支持和发展的对象。例如：2004年美国将太赫兹技术列为改变未来世界的十大技术；2005年日本将太赫兹技术确立为“国家支柱技术十大重点战略目标”之首。
太赫兹科学与技术研究的焦点是高性能的核心探测器，目前核心探测器以基于电子学的太赫兹探测器为主，该类型探测器是从微波向高频方向突破，从而实现对太赫兹波的探测。阻挡杂质带(BIB)探测器是一种新型太赫兹探测器，其探测原理有别于电子学探测器，它是从红外向低频方向突破，来实现太赫兹探测。BIB探测器具有灵敏度高、阵列规模大、响应频段宽的优势，在大气监测、天文观测、违禁物品检测等领域具有广阔的应用前景。
BIB探测器的关键功能层包括重掺杂吸收层和本征阻挡层，其中重掺杂吸收层的作用在于通过吸收入射太赫兹辐射激发光生载流子，进而通过光生载流子输运实现光信号到电信号的转化；而本征阻挡层的作用在于通过杂质带阻隔效应抑制暗电流，从而提高器件信噪比。暗电流和探测波长是BIB探测器的关键性能指标，降低暗电流和延伸探测波长是BIB探测器不懈追求的目标。为此，BIB探测器需要从两个方面不断进行改进：(1)提高阻挡层的表面电阻率；(2)减小吸收层和阻挡层的过渡区宽度。现有同炉外延型BIB探测器是在同一反应炉腔中采用二步外延法进行制备，即在重掺杂吸收层生长完毕后先通入大流量的H2气，然后再生长本征阻挡层，大流量H2气的作用在于冲洗生长重掺杂吸收层时残留炉腔的杂质，该技术的优点是工艺简单、成本低廉，但缺点在于H2气的冲洗作用十分有限，尤其对于残留在底板的掺杂多晶硅，H2气仅能带走一部分残留炉腔的杂质，未被带走的杂质将重新掺入阻挡层，导致：(1)阻挡层表面电阻率较低，器件暗电流较大；(2)吸收层和阻挡层的过渡区较宽，器件探测波长难以进一步延伸。
因此，有必要设计一种分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，该方法能够有效清除炉腔内的杂质，避免重掺杂吸收层生长过程中引入炉腔的杂质重新掺入阻挡层，而从实现阻挡层表面电阻率较大、器件暗电流较小、吸收层和阻挡层的过渡区较窄、器件探测波长能够延伸的设计目标。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的是提供一种分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，本发明能够有效清除炉腔内的杂质，避免重掺杂吸收层生长过程中引入炉腔的杂质重新掺入阻挡层，从而实现阻挡层表面电阻率较大、器件暗电流较小、吸收层和阻挡层的过渡区较窄、器件探测波长能够延伸的设计目标。
本发明涉及一种分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：将背封高导硅衬底置于化学气相沉积的反应炉中，并将该衬底固定于反应炉炉腔底板的中心区域，所述背封高导硅衬底为在高导硅衬底的背面沉积SiO2层的硅片；
步骤2：向反应炉炉腔中同时通入硅源SiHCl3和杂质源PH3，在高导硅衬底正面外延生长重掺杂吸收层；
步骤3：将重掺杂吸收层生长完毕的硅片从反应炉炉腔中取出，向反应炉炉腔中通入过量的HCl气体，通过气相腐蚀去除重掺杂吸收层生长过程中沉积在底板边缘区域的掺杂多晶硅；
步骤4：向反应炉炉腔中通入H2气，以H2气吹扫的方式清洁反应炉炉腔中残留的杂质；
步骤5：向反应炉炉腔中通入硅源SiHCl3，在反应炉炉腔的底板上沉积一层本征多晶硅，用于密封残留在底板上的掺杂多晶硅；
步骤6：将重掺杂吸收层生长完毕的硅片重新放回反应炉炉腔，向炉腔中通入少量的HCl气体，通过气相腐蚀法去除硅片表面的氧化层，再通入H2气，以H2气吹扫的方式清洁反应炉炉腔；
步骤7：向反应炉炉腔中通入硅源SiHCl3，在重掺杂吸收层上继续生长本征阻挡层；
步骤8：将本征阻挡层生长完毕的硅片从反应炉炉腔中取出，对硅片进行微纳加工；
步骤9：对完成微纳加工的硅片进行器件封装，完成太赫兹探测器制备。
进一步地，步骤1中所述SiO2层的沉积厚度为500～800nm。
进一步地，步骤2中所述硅源SiHCl3的流量为5～9slm，杂质源PH3的掺杂浓度为3～7×1017cm-3，重掺杂吸收层的生长速率为0.3～0.5μm/min，生长厚度为30～35μm。
进一步地，步骤3中所述HCl气体的流量为20～25slm，气相腐蚀的温度为1150～1200℃，气相腐蚀的时间为10～15min。
进一步地，步骤4中H2气的流量为200～280slm，吹扫时间为7～8min。
进一步地，步骤5中所述硅源SiHCl3的流量为5～9slm，所述本征多晶硅的沉积厚度为3～4μm。
进一步地，步骤6中所述HCl气体的流量为1～3slm，气相腐蚀的温度为1100～1150℃，气相腐蚀的时间为2～3min，H2气的流量为200～280slm，吹扫时间为2～3min。
进一步地，步骤7中所述硅源SiHCl3的流量为5～9slm，所述本征阻挡层的生长速率为0.3～0.5μm/min，生长厚度为4～8μm。
进一步地，步骤8中所述微纳加工的工艺流程包括：光刻标记制作、电子收集层制作、光敏台面制作、欧姆电极制作、钝化层制作、电极孔制作和加厚电极制作。
具体地，步骤9中所述器件封装的工艺流程包括：器件划片、器件贴片和器件引线。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
1、本发明的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，吸收层与阻挡层分炉进行外延生长，能有效清除底板边缘区域沉积的掺杂多晶硅及炉腔残留的杂质，避免重掺杂吸收层生长过程中引入炉腔的杂质重新掺入阻挡层，可显著提高阻挡层的表面电阻率，从而大幅降低器件暗电流；
2、本发明的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，吸收层与阻挡层分炉进行外延生长，有利于减小吸收层和阻挡层的过渡区宽度，从而有效地延伸了探测器件的探测波长。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
图1为本发明的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备流程图；
图2为本发明的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的结构示意图；
图3为本发明的分炉外延型与传统同炉外延型硅基阻挡杂质带探测器的扩展电阻分析(SRP)测试结果对比图；
图4为本发明的分炉外延型与传统同炉外延型硅基阻挡杂质带探测器的暗电流密度测试结果对比图；
图5为本发明的分炉外延型与传统同炉外延型硅基阻挡杂质带探测器的归一化光谱响应测试结果对比图。
其中，图2中对应的附图标记为：1-高导硅衬底，2-吸收层，3-阻挡层，4-电子收集层，5-钝化层，6-正电极，7-负电极。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例
本发明的一种分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：将背封高导硅衬底置于化学气相沉积的反应炉中，并将该衬底固定于反应炉炉腔底板的中心区域，所述背封高导硅衬底为在高导硅衬底的背面沉积SiO2层的硅片；
步骤2：向反应炉炉腔中同时通入硅源SiHCl3和杂质源PH3，在高导硅衬底正面外延生长重掺杂吸收层；
步骤3：将重掺杂吸收层生长完毕的硅片从反应炉炉腔中取出，向反应炉炉腔中通入过量的HCl气体，通过气相腐蚀去除重掺杂吸收层生长过程中沉积在底板边缘区域的掺杂多晶硅；
步骤4：向反应炉炉腔中通入H2气，以H2气吹扫的方式清洁反应炉炉腔中残留的杂质；
步骤5：向反应炉炉腔中通入硅源SiHCl3，在反应炉炉腔的底板上沉积一层本征多晶硅，用于密封残留在底板上的掺杂多晶硅；
步骤6：将重掺杂吸收层生长完毕的硅片重新放回反应炉炉腔，向炉腔中通入少量的HCl气体，通过气相腐蚀法去除硅片表面的氧化层，再通入H2气，以H2气吹扫的方式清洁反应炉炉腔；
步骤7：向反应炉炉腔中通入硅源SiHCl3，在重掺杂吸收层上继续生长本征阻挡层；
步骤8：将本征阻挡层生长完毕的硅片从反应炉炉腔中取出，对硅片进行微纳加工；
步骤9：对完成微纳加工的硅片进行器件封装，完成太赫兹探测器制备。
接下来对本发明进行详细的描述。
本发明提供一种分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，本发明能够有效清除炉腔内的杂质，避免重掺杂吸收层生长过程中引入炉腔的杂质重新掺入阻挡层，从而实现阻挡层表面电阻率较大、器件暗电流较小、吸收层和阻挡层的过渡区较窄、器件探测波长能够延伸的设计目标。
如图1所示，其步骤如下：
步骤S1：在晶向为<100>、厚度为450μm、掺杂离子为As、掺杂浓度为2×1019cm-3的高导硅衬底背面采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺沉积厚度为600nm的SiO2层，完成高导硅衬底背封；
步骤S2：将背封高导硅衬底正面朝上置于化学气相沉积(CVD)的反应炉中，并固定于反应炉炉腔底板的中心区域；
步骤S3：向反应炉炉腔中同时通入流量为9slm的硅源SiHCl3及掺杂浓度为5×1017cm-3的杂质源PH3，在高导硅衬底正面以0.5μm/min的速率生长30μm厚的重掺杂吸收层；
步骤S4：将重掺杂吸收层生长完毕的硅片从反应炉炉腔中取出，然后向反应炉炉腔中通入流量为25slm的HCl气体进行气相腐蚀，设置气相腐蚀的温度及时间分别为1180℃和15min，以去除重掺杂吸收层生长过程中沉积在底板边缘区域的掺杂多晶硅；
步骤S5：向反应炉炉腔中通入流量为260slm的H2气，以H2气吹扫的方式持续8min，清洁反应炉炉腔中残留的杂质；
步骤S6：向反应炉炉腔中通入流量为8slm的硅源SiHCl3，在反应炉炉腔的底板上沉积一层厚度为3μm本征多晶硅，用于密封残留在底板上的掺杂多晶硅；
步骤S7：将重掺杂吸收层生长完毕的硅片重新放回反应炉炉腔；
步骤S8：首先向炉腔中通入流量为3slm的HCl气体进行气相腐蚀，设置气相腐蚀的温度及时间分别为1150℃和2min，用于去除硅片表面的氧化层，然后再通入流量为260slm的H2气，以H2气吹扫的方式持续2min，清洁反应炉炉腔；
步骤S9：向反应炉炉腔中通入流量为8slm的硅源SiHCl3，在重掺杂吸收层上以0.5μm/min的速率继续生长6μm厚的本征阻挡层；
步骤S10：将本征阻挡层生长完毕的硅片从反应炉炉腔中取出；
步骤S11：通过光刻工艺在阻挡层上获得标记区域窗口，采用电子束蒸发工艺沉积厚度依次为40nm/170nm的Ti/Au双层金属，然后经丙酮剥离后形成光刻标记；
步骤S12：通过光刻工艺在阻挡层上获得离子注入所需窗口，在窗口区域将能量为40KeV、剂量为3×1014cm-3的磷离子，以偏离硅片(100)晶面法线7o角的方向注入阻挡层，然后对硅片进行快速热退火工艺，设置快速热退火的升、降温速率为95℃/s，温度为1000℃，持续时间为12s，以形成高电导、低损伤的电子收集层；
步骤S13：通过光刻工艺在阻挡层上获得刻蚀所需窗口，对窗口区域进行深硅刻蚀工艺，设置刻蚀气体C4F8、SF6及O2的流量分别为80SCCM、280SCCM和28SCCM，等离子体源功率为1500W，偏压功率为40W，用于去除窗口区域的阻挡层和吸收层，形成38μm高的光敏台面；
步骤S14：通过光刻工艺在电子收集层上获得正、负欧姆电极区域窗口，采用电子束蒸发工艺沉积厚度依次为20nm/150nm/30nm/100nm的Ti/Al/Ni/Au四层金属，然后对硅片进行丙酮剥离及退火工艺，设置退火气氛为氮气，退火温度为400℃，退火持续时间为30min，形成正、负欧姆电极；
步骤S15：通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在硅片正面沉积280nm厚的氮化硅，形成表面钝化层；
步骤S16：通过光刻工艺在正、负欧姆电极区域形成刻蚀所需窗口，然后采用反应离子刻蚀与氢氟酸湿法腐蚀相结合的工艺去除窗口区域的氮化硅，完成电极孔制作；
步骤S17：通过光刻工艺再次获得正、负欧姆电极区域窗口，采用电子束蒸发工艺依次沉积厚度为20nm/300nm的Ni/Au双层金属，然后经丙酮剥离后形成加厚电极，完成硅片的微纳加工；
步骤S18：采用砂轮划片工艺对完成微纳加工的硅片进行器件分割，然后从中选取表面光洁的器件进行贴片；
步骤S19：采用型号为E-120HP的AB胶将选取的器件粘贴至热沉的中心区域；
步骤S20：采用金丝球焊工艺将正、负电极通过金线分别引至热沉的邻近针脚处，完成器件封装，至此分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器制备完毕，其结构如图2所示。
将本实施例制得的探测器用于太赫兹探测，实验测试效果如图3-图5所示。由图3的SRP测试结果、图4的暗电流密度测试结果及图5的归一化光谱响应测试结果分别可知，本发明的分炉外延型探测器与传统的同炉外延型探测器相比，阻挡层表面电阻率提高了约1个数量级，吸收层和阻挡层的过渡区宽度减小了约2μm；-0.1V偏压下暗电流密度降低了近1个数量级；峰值探测波长延伸了约2.5μm，由此证明了本发明结构的有效性。
综上，本发明的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，吸收层与阻挡层分炉进行外延生长，能有效清除底板边缘区域沉积的掺杂多晶硅及炉腔残留的杂质，避免重掺杂吸收层生长过程中引入炉腔的杂质重新掺入阻挡层，可显著提高阻挡层的表面电阻率，从而大幅降低器件暗电流；吸收层与阻挡层分炉进行外延生长，有利于减小吸收层和阻挡层的过渡区宽度，从而有效地延伸了探测器件的探测波长。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (10)

1.一种分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：将背封高导硅衬底置于化学气相沉积的反应炉中，并将该衬底固定于反应炉炉腔底板的中心区域，所述背封高导硅衬底为在高导硅衬底的背面沉积SiO2层的硅片；
步骤2：向反应炉炉腔中同时通入硅源SiHCl3和杂质源PH3，在高导硅衬底正面外延生长重掺杂吸收层；
步骤3：将重掺杂吸收层生长完毕的硅片从反应炉炉腔中取出，向反应炉炉腔中通入过量的HCl气体，通过气相腐蚀去除重掺杂吸收层生长过程中沉积在底板边缘区域的掺杂多晶硅；
步骤4：向反应炉炉腔中通入H2气，以H2气吹扫的方式清洁反应炉炉腔中残留的杂质；
步骤5：向反应炉炉腔中通入硅源SiHCl3，在反应炉炉腔的底板上沉积一层本征多晶硅，用于密封残留在底板上的掺杂多晶硅；
步骤6：将重掺杂吸收层生长完毕的硅片重新放回反应炉炉腔，向炉腔中通入少量的HCl气体，通过气相腐蚀法去除硅片表面的氧化层，再通入H2气，以H2气吹扫的方式清洁反应炉炉腔；
步骤7：向反应炉炉腔中通入硅源SiHCl3，在重掺杂吸收层上继续生长本征阻挡层；
步骤8：将本征阻挡层生长完毕的硅片从反应炉炉腔中取出，对硅片进行微纳加工；
步骤9：对完成微纳加工的硅片进行器件封装，完成太赫兹探测器制备。
2.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤1中所述SiO2层的沉积厚度为500～800nm。
3.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤2中所述硅源SiHCl3的流量为5～9slm，杂质源PH3的掺杂浓度为3～7×1017cm-3，重掺杂吸收层的生长速率为0.3～0.5μm/min，生长厚度为30～35μm。
4.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤3中所述HCl气体的流量为20～25slm，气相腐蚀的温度为1150～1200℃，气相腐蚀的时间为10～15min。
5.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤4中H2气的流量为200～280slm，吹扫时间为7～8min。
6.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤5中所述硅源SiHCl3的流量为5～9slm，所述本征多晶硅的沉积厚度为3～4μm。
7.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤6中所述HCl气体的流量为1～3slm，气相腐蚀的温度为1100～1150℃，气相腐蚀的时间为2～3min，H2气的流量为200～280slm，吹扫时间为2～3min。
8.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤7中所述硅源SiHCl3的流量为5～9slm，所述本征阻挡层的生长速率为0.3～0.5μm/min，生长厚度为4～8μm。
9.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤8中所述微纳加工的工艺流程包括：光刻标记制作、电子收集层制作、光敏台面制作、欧姆电极制作、钝化层制作、电极孔制作和加厚电极制作。
10.根据权利要求1所述的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，其特征在于，步骤9中所述器件封装的工艺流程包括：器件划片、器件贴片和器件引线。
CN201910091479.7A 2019-01-30 2019-01-30 分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法 Pending CN109920877A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910091479.7A CN109920877A (zh) 2019-01-30 2019-01-30 分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910091479.7A CN109920877A (zh) 2019-01-30 2019-01-30 分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109920877A true CN109920877A (zh) 2019-06-21

Family

ID=66961049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910091479.7A Pending CN109920877A (zh) 2019-01-30 2019-01-30 分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109920877A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111415864A (zh) * 2020-03-18 2020-07-14 上海晶盟硅材料有限公司 超重掺红磷衬底外延方法
CN114318295A (zh) * 2022-03-17 2022-04-12 河北普兴电子科技股份有限公司 改善硅外延片背面边缘长硅的方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101110356A (zh) * 2007-04-11 2008-01-23 河北普兴电子科技股份有限公司 重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法
CN102383184A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 赵钧永 晶体及其铸造方法和装置
CN103367252A (zh) * 2013-07-08 2013-10-23 河北普兴电子科技股份有限公司 一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法
CN104109846A (zh) * 2013-04-22 2014-10-22 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法及衬底处理装置
CN104576832A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 中国电子科技集团公司第五十研究所 基于soi阻挡杂质带探测器的制备方法
CN105633215A (zh) * 2016-03-04 2016-06-01 中国电子科技集团公司第五十研究所 优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法
CN106057650A (zh) * 2016-08-01 2016-10-26 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种ldmos晶体管用硅外延片的制备方法
CN107017315A (zh) * 2017-02-17 2017-08-04 中国电子科技集团公司第五十研究所 背电极结构的阻挡杂质带探测器及其制造方法
CN107195701A (zh) * 2017-05-12 2017-09-22 中国电子科技集团公司第五十研究所 台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法
CN107706263A (zh) * 2017-10-30 2018-02-16 浙江大学 一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101110356A (zh) * 2007-04-11 2008-01-23 河北普兴电子科技股份有限公司 重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法
CN102383184A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 赵钧永 晶体及其铸造方法和装置
CN104109846A (zh) * 2013-04-22 2014-10-22 株式会社日立国际电气 半导体器件的制造方法及衬底处理装置
CN103367252A (zh) * 2013-07-08 2013-10-23 河北普兴电子科技股份有限公司 一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法
CN104576832A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 中国电子科技集团公司第五十研究所 基于soi阻挡杂质带探测器的制备方法
CN105633215A (zh) * 2016-03-04 2016-06-01 中国电子科技集团公司第五十研究所 优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法
CN106057650A (zh) * 2016-08-01 2016-10-26 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种ldmos晶体管用硅外延片的制备方法
CN107017315A (zh) * 2017-02-17 2017-08-04 中国电子科技集团公司第五十研究所 背电极结构的阻挡杂质带探测器及其制造方法
CN107195701A (zh) * 2017-05-12 2017-09-22 中国电子科技集团公司第五十研究所 台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法
CN107706263A (zh) * 2017-10-30 2018-02-16 浙江大学 一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111415864A (zh) * 2020-03-18 2020-07-14 上海晶盟硅材料有限公司 超重掺红磷衬底外延方法
WO2021184684A1 (zh) * 2020-03-18 2021-09-23 上海晶盟硅材料股份有限公司 超重掺红磷衬底外延方法
CN114318295A (zh) * 2022-03-17 2022-04-12 河北普兴电子科技股份有限公司 改善硅外延片背面边缘长硅的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100514680C (zh) 一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法
Nogay et al. Interplay of annealing temperature and doping in hole selective rear contacts based on silicon-rich silicon-carbide thin films
CN100530700C (zh) 太阳能电池及其制造方法
Schmidt et al. Surface passivation of silicon solar cells using plasma-enhanced chemical-vapour-deposited SiN films and thin thermal SiO2/plasma SiN stacks
CN101714591B (zh) 一种硅光电二极管的制作方法
CN100463232C (zh) 4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法
CN106409987B (zh) 基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法
CN112885922B (zh) 基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法
CN111987188B (zh) 一种钝化接触电池的制备方法
CN109920877A (zh) 分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法
WO2023061235A1 (zh) 基于选区离子注入的新型碳化硅基横向pn结极紫外探测器及制备方法
CN201000897Y (zh) 4H-SiC雪崩光电探测器
CN104993009A (zh) 补偿掺杂阻挡杂质带太赫兹探测器芯片及其制备方法
CN108630782B (zh) 一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器的制备方法
CN109686812A (zh) 基于隧穿氧化层的键合硅pin辐射响应探测器及制备方法
CN105845746B (zh) 基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器
KR100844505B1 (ko) 질화-산화알루미늄 박막 내의 음성 고정전하를 이용한 박판실리콘 태양전지의 제조방법
CN107507882A (zh) 一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法
CN112531070A (zh) 一种基于核-壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法
CN104064625A (zh) 一种基于硅纳米锥晶体的全太阳光谱响应的太阳电池制备方法
CN113314628B (zh) 一种导电沟道日盲光电探测器
TW201342640A (zh) 分佈式ｐｎ接面金氧半（ｍｏｓ）結構矽太陽能電池
CN106328752A (zh) 一种平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片
CN111739963A (zh) 一种硅基宽光谱光电探测器的制备方法
CN219959011U (zh) 一种含透明电极的碳化硅探测器芯片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190621