CN109888051B - 一种x射线探测器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种X射线探测器及其制造方法，所述X射线探测器包括基片、制备于基片之上的底电极、覆盖在底电极和基片之上的绝缘层、设置于绝缘层之上的宽带隙半导体薄膜有源层和形成于宽带隙半导体薄膜有源层上或者形成于所述绝缘层与所述宽带隙半导体薄膜有源层之间的收集电极，收集电极具体包括分立设置的第一电极和第二电极；X射线探测器工作时，在第一电极和第二电极上施加工作电压，宽带隙半导体薄膜有源层根据来自辐射源的X射线辐射能产生光生载流子；关闭辐射源后对底电极施加脉冲偏压，通过绝缘层耗尽光生载流子，以控制X射线探测器在辐照后的恢复时间。

Description

一种X射线探测器及其制造方法

技术领域

本发明涉及X射线探测技术领域，尤其涉及一种X射线探测器及其制造方法。

背景技术

X射线探测技术在医学、工业、安检、核安全、空间通信等方面有着广泛而重要的应用。常用的X射线探测器主要包括直接转换型(Direct DR)和间接转换型(Indirect DR)两类。

其中，直接转换型X射线探测器多是利用含重原子序数半导体材料如CdZnTe、PbI₂、非晶Se等吸收入射X射线能量，激发电子-空穴对获得光电流，从而获得与X射线相关的信号。然而目前直接转换型X射线探测器的半导体材料带隙较窄，在工作温区、信噪比、耐辐照强度等方面面临挑战。

宽带隙半导体材料因具有较宽的带隙、较低的噪声电流、较强的耐辐照特性，近年来逐渐受到辐照探测领域的广泛关注，已有文献报道使用金刚石(J.Appl.Phys.87(2000)3360)、GaN(J.Appl.Phys.105(2009)114512)、β相单晶氧化镓(Appl.Phys.Lett.112(2018)103502)、非晶氧化镓(ACS Photonics 6(2019)351)等材料制作X射线探测器。然而这些材料中因为存在有大量的深能级缺陷，辐照后电流需要很长时间(几十秒以上)才能恢复至初始状态，极大地影响探测器成像阵列的扫描速度。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种X射线探测器及其制造方法。

有鉴于此，在第一方面，本发明实施例提供了一种X射线探测器，包括：

基片；

底电极，制备于所述基片之上；

绝缘层，覆盖在所述底电极和所述基片之上；

宽带隙半导体薄膜有源层，设置于所述绝缘层之上；

收集电极，包括形成于所述宽带隙半导体薄膜有源层上或者形成于所述绝缘层与所述宽带隙半导体薄膜有源层之间，且分立设置的第一电极和第二电极；

所述X射线探测器工作时，在所述第一电极和第二电极上施加工作电压，所述宽带隙半导体薄膜有源层根据来自辐射源的X射线辐射能产生光生载流子；关闭辐射源后对所述底电极施加脉冲偏压，通过所述绝缘层耗尽所述光生载流子，以控制所述X射线探测器在辐照后的恢复时间。

优选的，所述基片为刚性基片、柔性有机基片和柔性有机薄膜中的一种；

其中，所述刚性基片包括：Si、蓝宝石、石英玻璃中的任一种；

所述柔性有机基片包括：聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯或有机玻璃中的任一种；

所述柔性有机薄膜包括：聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜或有机玻璃薄膜中的任一种。

优选的，所述基片的厚度为0.01～1毫米。

优选的，所述底电极和所述收集电极的电极材料分别包括：氧化铟锡ITO、Ti/Au、Al、镓锌氧、铝锌氧、氟锡氧、Cr、碳纳米管、石墨烯、银、导电银胶、纳米银透明导电薄膜、铜或钼中的一种或多种。

进一步优选的，所述电极材料的厚度为0.02～0.3微米。

优选的，所述绝缘层的材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氧化铪中的一种或多种。

优选的，所述绝缘层的厚度为0.02～0.3微米。

优选的，所述宽带隙半导体薄膜有源层为Ga₂O₃、ZnO、In-Ga-Zn-O、GaN以及金刚石等中的一种。

优选的，所述宽带隙半导体薄膜有源层厚度为0.02～5微米。

第二方面，本发明实施例提供了一种X射线探测器的制造方法，包括：

在基片上制备底电极；制备覆盖所述底电极和所述基片的绝缘层；在所述绝缘层上制备宽带隙半导体薄膜有源层；以及在所述宽带隙半导体薄膜有源层上制备收集电极；或者

在基片上制备底电极；制备覆盖所述底电极和所述基片的绝缘层；在所述绝缘层上制备收集电极；以及在带有收集电极的绝缘层上制备宽带隙半导体薄膜有源层。

本发明提供的X射线探测器，在探测时通过宽带隙半导体薄膜有源层中的深能级缺陷捕获光生载流子，阻碍光生载流子的复合，实现高增益高信噪比的X射线探测；在探测结束后通过对所述底电极施加脉冲偏压，使得通过绝缘层能够快速耗尽载流子或中和缺陷，实现X射线探测器在辐照后的快速恢复。

附图说明

下面通过附图和实施例，对本发明实施例的技术方案做进一步详细描述。

图1为本发明实施例提供的X射线探测器在光学显微镜下的结构图；

图2为本发明实施例提供的X射线探测器的一种纵向结构示意图

图3为本发明实施例提供的X射线探测器的另一种纵向结构示意图

图4为本发明实施例提供的一种X射线探测器的制备方法流程图；

图5为本发明实施例提供的另一种X射线探测器的制备方法流程图；

图6为本发明实施例提供的X射线探测器在管电压为40kV、管电流为200mA的X射线照射下的响应性能图；

图7为本发明对比例中无底电极的X射线探测器在管电压为40kV、管电流为200mA的X射线照射下的响应性能图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种X射线探测器，如图1和图2所示。其中，图1为X射线探测器在光学显微镜下的结构图；本实施例所举图1为一种可实现的具体结构，并不限定本发明提出的X射线探测器只能是这一种结构，需要明确的，该结构由微电子工艺制程产生，底电极12、绝缘层13、宽带隙半导体薄膜有源层14和收集电极151、152的具体形状及位置结构关系可以根据版图设计确定，但只要其设计思想与本发明一致，应都属本发明保护范围内。图2为X射线探测器纵向结构示意图，仅用于说明基片11、底电极12、绝缘层13、宽带隙半导体薄膜有源层14和收集电极151、152在纵向方向上的位置示意，与其在横向结构上的实际位置关系无关。

如图1、图2所示，本发明的X射线探测器包括基片11、制备于基片11之上的底电极12、覆盖在底电极12和基片11之上的绝缘层13、设置于绝缘层13之上的宽带隙半导体薄膜有源层14和形成于宽带隙半导体薄膜有源层14上的收集电极，收集电极具体包括分立设置的第一电极151和第二电极152。

基片11可以具体为刚性基片、柔性有机基片和柔性有机薄膜中的一种。基片11的厚度优选为0.01～1毫米。

刚性基片可以包括Si、蓝宝石、石英玻璃等；

柔性有机基片可以包括聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚氯乙烯(PVC)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)或有机玻璃等；

柔性有机薄膜也可称为柔性衬底材料，如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚酰亚胺薄膜(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、有机玻璃薄膜等。

特别地，商业化的SiO_x/Si衬底可直接作为含有基片/底电极/绝缘层的结构使用。

绝缘层13的材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅或HfO₂、ZrO₂、Ta₂O₅等其它高介电常数绝缘化合物中的一种或多种。形成绝缘层13的方式包括磁控溅射、化学气相沉积、电子束蒸积、脉冲激光沉积、原子层沉积等真空沉积方式以及旋涂、印刷、喷涂等常压沉积方式。

宽带隙半导体薄膜有源层14为在入射X射线辐射的激发下存在光响应的宽带隙半导体薄膜有源层。宽带隙氧化物薄膜有源层14具体采用Ga₂O₃、GaN、ZnO、金刚石等宽带隙半导体材料以及In-Ga-Zn-O、MgZnO、CaZnO等三元、四元及多元固溶体宽带隙材料。形成宽带隙半导体薄膜材料的方式包括磁控溅射、分子束外延、化学气相沉积、电子束蒸积、脉冲激光沉积、原子层沉积等真空沉积方式以及旋涂、印刷、喷涂等常压沉积方式。

底电极12、第一电极151及第二电极152的电极材料包括金属电极材料和透明薄膜电极材料。金属电极如钛金(Ti/Au)电极、铬(Cr)电极、镍(Ni)电极、导电银胶等。透明薄膜电极包括氧化铟锡(ITO)薄膜、铝锌氧(AZO)薄膜、镓锌氧(GZO)薄膜和氟锡氧(FTO)薄膜等。电极材料还可以是碳纳米管、石墨烯等碳材料。电极的制备方式包括真空蒸镀、旋涂、喷涂、喷墨打印及丝网印刷等。

底电极12、第一电极151和第二电极152可以是环形电极、叉指电极、片状电极或其他形状的电极。在如图1所示的结构中，底电极12、第一电极151和第二电极152选用叉指电极，底电极12、第一电极151和第二电极152宽度以及叉指之间的距离在一个具体的工艺中为5微米。当然地，如本领域的技术人员所熟知的，底电极12、第一电极151和第二电极152宽度以及两者之间的距离还可以是其他任意尺寸，只要设计和工艺条件满足防止底电极12、第一电极151和第二电极152之间短路即可。

X射线探测器工作时，在第一电极151和第二电极152上施加工作电压，宽带隙半导体薄膜有源层14根据来自辐射源的X射线辐射能产生光生载流子，通过宽带隙半导体薄膜有源层14中的深能级缺陷捕获光生载流子，阻碍光生载流子的复合，实现高增益高信噪比的X射线探测；但同时，有源层中的深能级缺陷捕获的光生载流子(主要为空穴)在探测结束后不能立即释放，阻碍了器件的关断。在探测结束时，关闭辐射源后对底电极12施加脉冲偏压，此时器件为典型的薄膜晶体管。若施加的为正向脉冲偏压，且电压大于阈值偏压，则器件处于开启状态，有源层内积累大量电子会快速中和带电缺陷，使得器件快速关断；若施加偏压小于开启电压，则器件处于关断状态，有源层内所有电子全部耗尽，收集电极无法收集到载流子。因此，通过底电极脉冲偏压的调控，可以使得X射线探测器在辐照后快速恢复至辐照前的状态。

相应的，本发明实施例提供了X射线探测器的制备方法，其主要流程可以如图4或图5所示。图4与图5分别为本发明实施例提供的一种X射线探测器的制备的可实现的方法流程，二者区别在于宽带隙半导体薄膜有源层与收集电极的制备顺序。该工艺与现有微电子工艺兼容。下面主要以图4所示流程图为例进行说明。

在图4所示的制备方法流程图中，其步骤包括：

步骤410，在基片上制备底电极；

具体的，将基片11超声清洗后吹干，采用紫外曝光、显影、定影技术在基片11上光刻出所需的底电极结构，再放入真空腔内沉积底电极材料，然后去除剩余的光刻胶及附着在光刻胶上的电极材料，保留光刻图形区域内的电极材料，形成底电极。或者，也可以采用丝网印刷或喷墨打印等手段，直接在基片11上制作底电极12的电极结构。

步骤420，制备覆盖底电极和基片的绝缘层；

具体的，通过真空沉积方式或常压制备方式制备绝缘层介质；真空沉积方式可以包括磁控溅射、原子层沉积、电子束蒸积、激光脉冲沉积、热蒸发、化学气相沉积等。常压制备方式可以如常压化学气相淀积(APCVD)、旋涂、滴涂、喷涂、打印、印刷等。

随后通过真空沉积方式或常压淀积方式生长的绝缘层介质上，采用紫外曝光、显影、定影技术光刻出底电极12的引线接口，并选择合适的刻蚀方式，刻蚀掉引线接口部分的绝缘层介质至底电极12的表面。保留的绝缘层介质形成绝缘层13。

步骤430，在绝缘层上制备宽带隙半导体薄膜有源层；

具体的，通过真空沉积方式或常压制备方式制备宽带隙半导体氧化物薄膜；真空沉积方式包括磁控溅射、原子层沉积、电子束蒸积、激光脉冲沉积、热蒸发、化学气相沉积；常压制备方式包括常压化学气相淀积、旋涂、滴涂、喷涂、打印、印刷。

随后采用紫外曝光、显影、定影技术，将宽带隙氧化物薄膜进行图形化光刻和刻蚀，形成宽带隙半导体薄膜有源层14。

步骤440，在宽带隙半导体薄膜有源层上制备收集电极。

具体的，采用紫外曝光、显影、定影技术在宽带隙半导体薄膜之上光刻出收集电极的结构，再放入真空腔内沉积电极材料，然后去除剩余的光刻胶及附着在光刻胶上的电极材料，保留光刻图形区域内的电极材料，形成收集电极，即第一电极151和第二电极152。或者，也可以采用丝网印刷或喷墨打印等手段，直接在宽带隙半导体薄膜有源层14上制作收集电极。

在图5所示的制备方法流程图中，其步骤包括：

步骤510，在基片上制备底电极；

步骤520，制备覆盖底电极和所述基片的绝缘层并图形化刻蚀出底电极的引线接口；

步骤530，在绝缘层上制备收集电极；

步骤540，在带有收集电极的绝缘层上制备宽带隙半导体薄膜有源层；

之后在宽带隙半导体薄膜有源层上进行图形化光刻和刻蚀后，得到底电极和收集电极的引线接口。

应用上述方法可以基于不同的宽带隙氧化物材料实现本发明的X射线探测器的制备。

例如可以以图4所示技术方案，采用真空沉积的技术方案制备基于宽带隙氧化物材料Ga₂O₃的X射线探测器，具体步骤包括：

1.在基片上制备底电极：将基片超声清洗后吹干，采用紫外曝光、显影、定影技术在基片上光刻出所需的底电极结构，再放入真空腔内沉积底电极材料，然后去除剩余的光刻胶及附着在光刻胶上的电极材料，保留光刻图形区域内的电极材料，形成底电极；

2.制备覆盖基片及底电极的绝缘层：将带有图形化底电极的基片放入真空腔室内，沉积绝缘层介质，随后采用紫外曝光、显影、定影技术在绝缘层介质上光刻出底电极引线接口，并选择采用湿法刻蚀方式对光刻区域的绝缘层介质进行刻蚀以去除引线接口区域内的绝缘层介质，至底电极的表面。

3.制备宽带隙半导体薄膜Ga₂O₃：将上述覆盖有图形化绝缘层的基片放入真空腔内，启动真空泵将真空腔抽至本底真空后，使用氧化镓陶瓷靶在基片表面沉积Ga₂O₃薄膜，随后采用紫外曝光、显影、定影技术在Ga₂O₃薄膜上光刻出所需的光电转换层区域，并采用湿法刻蚀方式刻蚀掉光电转换层区域之外的Ga₂O₃薄膜。

4.制备收集电极：采用紫外曝光、显影、定影技术在图形化后的Ga₂O₃薄膜之上光刻出所需的收集电极结构，再放入真空腔内沉积电极材料，然后去除剩余的光刻胶及附着在光刻胶上的电极材料，即可制得本发明的X射线探测器。

本发明实施例提供的制造方法，与现有微电子工艺兼容，部分材料还与柔性印刷电子工艺兼容，应用该方法有望实现大面积阵列式X射线探测器的产业化生产。

为更好的理解本发明提供的X射线探测器下面以一些具体的例子进行进一步说明。

实施例1

本实施例采用的基片是石英玻璃基片。将一片石英衬底采用丙酮、酒精等有机试剂超声清洗干净，并用干燥的高纯氮气吹干，采用紫外曝光、显影、定影技术在基片上光刻出底电极结构，再放入磁控溅射腔内沉积80nm的Cr薄膜作为底电极，然后去除剩余的光刻胶及附着在光刻胶上的电极材料，完成底电极的制备。

将带有图形化Cr电极的石英玻璃基片放入原子层沉积系统内，沉积100nm的Al₂O₃绝缘层，随后采用紫外曝光、显影、定影技术在绝缘层上光刻出底电极引线接口，并刻蚀引线接口区域内的绝缘层材料至底电极。

将上述覆盖有图形化绝缘层的石英玻璃基片放入磁控溅射腔内，启动真空泵将真空腔抽至本底真空后，使用氧化镓陶瓷靶沉积50nm的Ga₂O₃薄膜，随后采用紫外曝光、显影、定影技术在Ga₂O₃薄膜上光刻出所需的光电转换层区域，并刻蚀掉光电转换层区域外的Ga₂O₃薄膜。

采用紫外曝光、显影、定影技术在图形化后的Ga₂O₃薄膜上光刻出所需的收集电极结构，再放入真空腔内沉积Ti/Au电极，Ti、Au厚度分别为10nm及80nm，然后去除剩余的光刻胶及附着在光刻胶上的电极材料，即制得本发明的X射线探测器。

所得X射线探测器结构可以如附图1所示，其中收集电极结构中前端叉指结构的参数为线宽5um，间距5um，长300um，共15对。

利用超声引线仪采用硅铝丝对X射线探测器进行引线后测试，图6为对如图1所示的X射线探测器的一个单元器件的收集电极施加10V偏压，置于管电压为40kV、管电流为200mA的X射线辐照下，获得的X射线响应曲线。随着辐照时间增加，X射线光电流逐渐增加并有饱和的趋势。关闭X射线源后，器件电流缓慢降低，在底电极不加任何偏压的状态下，经过80s后，器件暗电流依然比辐照前高两个数量级以上。在给底电极分别施加10V、0V及-5V脉冲偏压(加偏压时间为1～2s)分别进行测试，上述三种施加底电极脉冲偏压的情况下均可有效地使器件暗电流在1～2s内快速恢复至辐照前状态。

在本发明的技术方案中，采用上述X射线探测器，无论对底电极施加正向脉冲偏压、负向脉冲偏压及零偏压均可以使器件快速关断，因此器件工作电压窗口的选择更多，被击穿的风险大大降低，同时又因为底电极只需施加短暂的脉冲栅压即可，不用长时间加偏压，因此相对于现有X射线探测器需要向底电极持续施加负向偏压以使器件完全关断相比，本发明的X射线探测器更加节能。

针对上述实施例1，我们还涉及了对比例1进行对比说明。

按照与实施例1基本相同的方法制备本发明的X射线探测器，不同之处在于，基片上没有底电极。

利用低温固化导电银胶及铜丝进行引线后测试，图7为其中一个单元器件收集电极施加10V偏压，并置于管电压为40kV、管电流为200mA的X射线辐照下，获得的X射线响应曲线.由于无底电极的复位调控作用，关闭X射线源后，经过100多秒后，器件暗电流依然比辐照前高出一个数量级以上。

实施例2

按照与实施例1基本相同的方法制备本发明的X射线探测器，不同之处在于，基片选择商业化的SiO_x/Si衬底，因此无需制备底电极和绝缘层材料，直接在此SiO_x/Si衬底上沉积100nm Ga₂O₃薄膜并对其进行后续制作。

实施例3

按照与实施例1相同的方法制备本发明的X射线探测器，不同之处在于，基片选择聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，所有薄膜沉积温度均在室温进行。

实施例4

按照与实施例1相同的方法制备本发明的X射线探测器，不同之处在于，绝缘层的材料选择化学气相沉积法制备的氮化硅薄膜。

实施例5

按照与实施例1相同的方法制备本发明的X射线探测器，不同之处在于，收集电极材料选择磁控溅射法制备的ITO薄膜，厚度为120nm。

实施例6

按照与实施例1相同的方法制备本发明的X射线探测器，不同之处在于，宽带隙半导体薄膜有源层的材料选择金属有机物化学气相沉积法制备的GaN薄膜，薄膜厚度为150nm。

实施例7

按照与实施例1相同的方法制备本发明的X射线探测器，不同之处在于，宽带隙半导体薄膜有源层的材料选择化学气相沉积法制备的金刚石薄膜，薄膜厚度为200nm。

实施例8

按照与实施例1相同的方法制备本发明的X射线探测器，不同之处在于，收集电极的材料选择丝网印刷制备的叉指型银电极。

本发明提供的X射线探测器采用宽带隙半导体薄膜作为光电导层，并利用其中的深能级缺陷阻碍光生载流子复合，实现高增益高信噪比的X射线探测，并通过底电极快速耗尽载流子或中和缺陷，实现器件辐照后的快速恢复。该方法与现有微电子工艺兼容，部分材料还与柔性印刷电子工艺兼容，有望实现大面积阵列式X射线探测器的产业化生产。

本发明提供的X射线探测器，可以应用于医学成像及肿瘤治疗、机场、地铁、码头等公共场所安全检测、工业探伤、X射线空间通信以及X射线光电子谱仪与X射线衍射仪设备等相关领域中。

以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种X射线探测器，其特征在于，所述X射线探测包括：

基片；

底电极，制备于所述基片之上；

绝缘层，覆盖在所述底电极和所述基片之上；

宽带隙半导体薄膜有源层，设置于所述绝缘层之上；

收集电极，包括形成于所述宽带隙半导体薄膜有源层上或者形成于所述绝缘层与所述宽带隙半导体薄膜有源层之间，且分立设置的第一电极和第二电极；

所述X射线探测器工作时，在所述第一电极和第二电极上施加工作电压，所述宽带隙半导体薄膜有源层根据来自辐射源的X射线辐射能产生光生载流子，通过所述宽带隙半导体薄膜有源层中的深能级缺陷捕获所述光生载流子，从而进行X射线探测；关闭辐射源后对所述底电极施加脉冲偏压，通过所述绝缘层耗尽所述光生载流子，以控制所述X射线探测器在辐照后的恢复时间。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述基片为刚性基片、柔性有机基片和柔性有机薄膜中的一种；

其中，所述刚性基片包括：Si、蓝宝石、石英玻璃中的任一种；

所述柔性有机基片包括：聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯或有机玻璃中的任一种；

所述柔性有机薄膜包括：聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜或有机玻璃薄膜中的任一种。

3.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述基片的厚度为0.01~1毫米。

4.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述底电极和所述收集电极的电极材料分别包括：氧化铟锡ITO、Ti/Au、Al、镓锌氧、铝锌氧、氟锡氧、Cr、碳纳米管、石墨烯、银、导电银胶、纳米银透明导电薄膜、铜或钼中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的X射线探测器，其特征在于，所述电极材料的厚度为0.02~0.3微米。

6.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氧化铪中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.02~0.3微米。

8.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述宽带隙半导体薄膜有源层为Ga₂O₃、ZnO、In-Ga-Zn-O、GaN以及金刚石中的任一种。

9.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述宽带隙半导体薄膜有源层厚度为0.02~5微米。

10.一种上述权利要求1所述的X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在基片上制备底电极；制备覆盖所述底电极和所述基片的绝缘层；在所述绝缘层上制备宽带隙半导体薄膜有源层；以及在所述宽带隙半导体薄膜有源层上制备收集电极；或者

在基片上制备底电极；制备覆盖所述底电极和所述基片的绝缘层；在所述绝缘层上制备收集电极；以及在带有收集电极的绝缘层上制备宽带隙半导体薄膜有源层。

Images