CN109885122B - 一种用于低电压低压差ldo的限流电路 - Google Patents
一种用于低电压低压差ldo的限流电路 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开一种用于低电压低压差LDO的限流电路,通过NMOS管NM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8、PMOS管PM9、NMOS管NM11、NMOS管NM12和电阻R3、电阻R4、电阻R5构成的局部多重反馈环路,能够有效改善低电压低压差工作LDO的限流电路启动瞬态限流能力差的问题。
Description
〖技术领域〗
本发明属于半导体集成电路领域,特别涉及一种用于低电压低压差LDO的限流电路。
〖背景技术〗
深亚微米大规模电路中,为了提升供电电源的效率,降低芯片内部散热效率,一般使用外部DC-DC将输入电源(如锂电池4.2V)降低到略高于电源,芯片内部再将这个电源电压通过低压差LDO降低到逻辑供电电压。譬如LDO输入电压1.3V,输出逻辑供电电压1.1V,低压差LDO中,上电瞬态LDO输出限流电路是一个关键模块,它用以保护芯片不会因为上电瞬态产生瞬态大电流而损坏。
如图1所示,给出了一种典型的低电压、低压差LDO主体电路原理示意图。
如图2所示,现有技术方案一,在VREF端采样RC滤波方式,使得VREF缓慢上升,但是由于VOUT跟随VREF上升,所以输出电流被限制在了SR*Cout。
但是在低电压低压降应用中,由于VIN非常小,所以VREF使用NMOS做输入对管,所以在VREF<Vthn即NMOS的阈值电压时,由于输入对管失效,所以VOUT 跟随VREF的特性是不能满足的,由此有一段时间(VREF,VOUT<Vthn)时会产生不可控的瞬态过流。由于正常工作时VIN-VOUT非常小(譬如0.2V),所以 Power MOS管PMO的尺寸非常大以保障正常工作最大电流条件下LDO依然可以正常工作。而在VOUT非常小的时候,VIN-VOUT又有可能会非常大(譬如1V),所以启动瞬态过流可能是正常工作最大电流的5倍以上,是一个非常明显的过流过程。
如图3所示,现有技术方案二,通过PM01镜像PMO的电流,假设PMO和PM01 的尺寸比例为N∶1;当PMO中的电流大于Vref/(N*RO)时,VOC大于Vref,使得 M0中产生电流,从而抬升PMO栅极电压,降低输出电流。
方案二在低电压低压差LDO中应用的缺点如下:
由于VIN-VOUT非常低,一般为了节约设计面积,PMO在大电流状态下处于线性区,此时PM0和PM01的镜像关系就下降的非常厉害,导致VIN在正常工作电压附近,VOUT爬坡瞬态PM0与PM01中电流比例变化非常剧烈,从而导致限流值变化非常剧烈,并不适用。
在VIN上电爬坡的启动瞬态,由于VOC反馈电压必须大于VREF才可以起到主导作用,所以在VOUT上升到VREF之前,VOC也会远小于VREF,导致这一段时间VOC的反馈限流作用消失,同样会产生一个严重过流的情况。
〖发明内容〗
本发明提出一种用于低电压低压差LDO的限流电路,能够有效改善低电压低压差工作LDO的限流电路启动瞬态限流能力差的问题。其具体技术方案如下。
一种用于低电压低压差LDO的限流电路,包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、 PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8、 PMOS管PM9、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5、 NMOS管NM6、NMOS管NM7、NMOS管NM8、NMOS管NM9、NMOS管NM10、NMOS管 NM11、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电容C1;
NMOS管NM1的栅极接输入电压VINA,源极接NMOS管NM2的漏极;NMOS管 NM2的栅极接基准电压VREF;
NMOS管NM3的栅极接输入电压VINB,源极接NMOS管NM4的漏极;NMOS管 NM4的源极与NMOS管NM2的源极连接;
NMOS管NM5的源极、NMOS管NM6的漏极连接NMOS管NM2源极与NMOS管NM4 源极的连接点;NMOS管NM5的漏极接NMOS管NM3的漏极;NMOS管NM6的源极接地;
NMOS管NM7的源极接地,栅极接NMOS管NM8的栅极;NMOS管NM8的源极接地;
NMOS管NM9的源极接NMOS管NM7的漏极,栅极接NMOS管NM10的栅极;NMOS 管NM10的源极接NMOS管NM8的漏极;
PMOS管PM1的栅极接PMOS管PM2的栅极,漏极与NMOS管NM9的漏极连接且该连接点接输入电压VINC;PMOS管PM2的漏极接NMOS管NM10的漏极;
PMOS管PM3的栅极接PMOS管PM4的栅极,源极接输入电压VINC,漏极接PMOS管PM1的源极;PMOS管PM3漏极与PMOS管PM1源极的连接点接NMOS管NM5 漏极与NMOS管NM3漏极的连接点;PMOS管PM4的源极接输入电压VINC,漏极接PMOS管PM2的源极和NMOS管NM1的漏极;
PMOS管PM5的源极接输入电压VINC,栅极接PMOS管PM2漏极与NMOS管NM10 漏极的连接点;
电阻R1的一端与电阻R2的一端连接且该连接点连接NMOS管NM4的栅极,另一端接PMOS管PM5的漏极;电阻R2的另一端接地;
电容C1的一端连接电阻R1另一端与PMOS管PM5漏极的连接点,另一端接地;
PMOS管PM6的源极接输入电压VINC;PMOS管PM7的源极接输入电压VINC;
PMOS管PM8的栅极接地,源极接PMOS管PM6的漏极;PMOS管PM9的源极接PMOS管PM7的漏极,栅极接输出电压VOUT1;
电阻R3的一端接PMOS管PM8的漏极;
电阻R4的一端接电阻R3的另一端;电阻R5的一端接PMOS管PM9的漏极;电阻R4一端与电阻R3另一端的连接点连接电阻R5一端与PMOS管PM9漏极的连接点;NMOS管NM5的栅极接电阻R5一端与PMOS管PM9漏极的连接点;
NMOS管NM11的漏极接电阻R4的另一端,源极接地,栅极接输出电压VOUT2;
NMOS管NM12的漏极接五电阻R5的另一端,源极接地;
NMOS管NM12的栅极、PMOS管PM7的栅极、PMOS管PM6的栅极与PMOS管 PM5的栅极连接。
本发明的有益效果:本发明通过NMOS管NM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、 PMOS管PM8、PMOS管PM9、NMOS管NM11、NMOS管NM12和电阻R3、电阻R4、电阻R5构成的局部多重反馈环路,有效改善低电压低压差LDO的限流电路启动瞬态限流能力差的问题。
〖附图说明〗
图1为典型的低电压、低压差LDO主体电路原理示意图;
图2为现有技术方案一的电路结构示意图;
图3为现有技术方案二的电路结构示意图;
图4为本发明实施例的用于低电压低压差LDO的限流电路结构示意图。
〖具体实施方式〗
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明:
在本发明实施例中,本发明提供的方案由以下电路构成:本发明包括PMOS 管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS 管PM7、PMOS管PM8、PMOS管PM9、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS 管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6、NMOS管NM7、NMOS管NM8、NMOS管NM9、NMOS 管NM10、NMOS管NM11、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电容 C1;
NMOS管NM1的栅极接输入电压VINA,源极接NMOS管NM2的漏极;NMOS管 NM2的栅极接基准电压VREF;
NMOS管NM3的栅极接输入电压VINB,源极接NMOS管NM4的漏极;NMOS管 NM4的源极与NMOS管NM2的源极连接;
NMOS管NM5的源极、NMOS管NM6的漏极连接NMOS管NM2源极与NMOS管NM4 源极的连接点;NMOS管NM5的漏极接NMOS管NM3的漏极;NMOS管NM6的源极接地;
NMOS管NM7的源极接地,栅极接NMOS管NM8的栅极;NMOS管NM8的源极接地;
NMOS管NM9的源极接NMOS管NM7的漏极,栅极接NMOS管NM10的栅极;NMOS 管NM10的源极接NMOS管NM8的漏极;
PMOS管PM1的栅极接PMOS管PM2的栅极,漏极与NMOS管NM9的漏极连接且该连接点接输入电压VINC;PMOS管PM2的漏极接NMOS管NM10的漏极;
PMOS管PM3的栅极接PMOS管PM4的栅极,源极接输入电压VINC,漏极接 PMOS管PM1的源极;PMOS管PM3漏极与PMOS管PM1源极的连接点接NMOS管NM5 漏极与NMOS管NM3漏极的连接点;PMOS管PM4的源极接输入电压VINC,漏极接PMOS管PM2的源极和NMOS管NM1的漏极;
PMOS管PM5的源极接输入电压VINC,栅极接PMOS管PM2漏极与NMOS管NM10 漏极的连接点;
电阻R1的一端与电阻R2的一端连接且该连接点连接NMOS管NM4的栅极,另一端接PMOS管PM5的漏极;电阻R2的另一端接地;
电容C1的一端连接电阻R1另一端与PMOS管PM5漏极的连接点,另一端接地;
PMOS管PM6的源极接输入电压VINC;PMOS管PM7的源极接输入电压VINC;
PMOS管PM8的栅极接地,源极接PMOS管PM6的漏极;PMOS管PM9的源极接PMOS管PM7的漏极,栅极接输出电压VOUT1;
电阻R3的一端接PMOS管PM8的漏极;
电阻R4的一端接电阻R3的另一端;电阻R5的一端接PMOS管PM9的漏极;电阻R4一端与电阻R3另一端的连接点连接电阻R5一端与PMOS管PM9漏极的连接点;NMOS管NM5的栅极接电阻R5一端与PMOS管PM9漏极的连接点;
NMOS管NM11的漏极接电阻R4的另一端,源极接地,栅极接输出电压VOUT2;
NMOS管NM12的漏极接五电阻R5的另一端,源极接地;
NMOS管NM12的栅极、PMOS管PM7的栅极、PMOS管PM6的栅极与PMOS管 PM5的栅极连接。
本发明实施例的工作原理,在启动瞬态,VIN爬坡过程中:
Vthn:NMOS管阀值电压;Vthp:PMOS管阀值电压;VFB:电压反馈;VREF:基准电压;VIN为输入电压,包括VINA、VINB和VINC;VOUT为输出电压,包括 VOUT1和VOUT2;VOD:差模输出电压;Vdsat:饱和漏源电压或夹断时漏源电压; gds:漏源电导。
1、当VIN<=Vthn时,由于VPG0=VIN-Vthp-VOD,PM5~=0,且启动瞬态 VOUT~=0,所以NM11、NM12处于关闭态,VFB~=VIN。此时NM1和NM3亦处于关闭的状态,由NM5控制PM5处于关闭的状态,不会出现过流问题。
2、当VIN<Vthp+Vthn时,此时NM1、NM3导通,但由于PM5和NM12不能满足同时导通条件,所以此时依然VFB~=VIN,设计值一般VREF<<Vthp+Vthn,所以VREF<VFB,PM5依然处于关闭的状态,不会出现过流问题。
3、当VIN>Vthp+Vthn时,PM5和NM12同时导通,由于此前PM5一直处于关闭状态,所以此时VOUT从0开始逐渐上升,当VOUT<Vthn时,NM11处于关闭态, PM9处于导通态;由于MOS管处于饱和区时漏源电导gds会非常大,所以此时 VFB=VREF,且此时PM5和NM12都处于饱和导通状态,由NM12的饱和导通电流不大于(VREF-NM12_Vdsat)/R5,PN7和PM7等比例机理限流。
4、当VIN继续上升时,若VOUT<Vthn,则NM12进入线性区,由PM7电流等于VREF/R5,PM7和PM5等比例机理限流;若VOUT>Vthn,则逐渐切换到NM11支路进行限流,其中R3/R4的比例与R1/R2的比例控制PM6与PM5的电流镜像关系设置到相等。
综合以上,本发明通过NMOS管NM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8、 PMOS管PM9、NMOS管NM11、NMOS管NM12和电阻R3、电阻R4、电阻R5构成的局部多重反馈环路,能够有效改善低电压低压差工作LDO的限流电路启动瞬态限流能力差的问题。
以上实施例仅为充分公开而非限制本发明,凡基于本发明的创作主旨、未经创造性劳动的等效技术特征的替换,应当视为本申请揭露的范围。
Claims (1)
1.一种用于低电压低压差LDO的限流电路,其特征在于,包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、PMOS管PM8、PMOS管PM9、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6、NMOS管NM7、NMOS管NM8、NMOS管NM9、NMOS管NM10、NMOS管NM11、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电容C1;
NMOS管NM1的栅极接输入电压VINA,源极接NMOS管NM2的漏极;NMOS管NM2的栅极接基准电压VREF;
NMOS管NM3的栅极接输入电压VINB,源极接NMOS管NM4的漏极;NMOS管NM4的源极与NMOS管NM2的源极连接;
NMOS管NM5的源极、NMOS管NM6的漏极连接NMOS管NM2源极与NMOS管NM4源极的连接点;NMOS管NM5的漏极接NMOS管NM3的漏极;NMOS管NM6的源极接地;
NMOS管NM7的源极接地,栅极接NMOS管NM8的栅极;NMOS管NM8的源极接地;
NMOS管NM9的源极接NMOS管NM7的漏极,栅极接NMOS管NM10的栅极;NMOS管NM10的源极接NMOS管NM8的漏极;
PMOS管PM1的栅极接PMOS管PM2的栅极,漏极与NMOS管NM9的漏极连接且该连接点接输入电压VINC;PMOS管PM2的漏极接NMOS管NM10的漏极;
PMOS管PM3的栅极接PMOS管PM4的栅极,源极接输入电压VINC,漏极接PMOS管PM1的源极;PMOS管PM3漏极与PMOS管PM1源极的连接点接NMOS管NM5漏极与NMOS管NM3漏极的连接点;PMOS管PM4的源极接输入电压VINC,漏极接PMOS管PM2的源极和NMOS管NM1的漏极;
PMOS管PM5的源极接输入电压VINC,栅极接PMOS管PM2漏极与NMOS管NM10漏极的连接点;
电阻R1的一端与电阻R2的一端连接且该连接点连接NMOS管NM4的栅极,另一端接PMOS管PM5的漏极;电阻R2的另一端接地;
电容C1的一端连接电阻R1另一端与PMOS管PM5漏极的连接点,另一端接地;
PMOS管PM6的源极接输入电压VINC;PMOS管PM7的源极接输入电压VINC;
PMOS管PM8的栅极接地,源极接PMOS管PM6的漏极;PMOS管PM9的源极接PMOS管PM7的漏极,栅极接输出电压VOUT1;
电阻R3的一端接PMOS管PM8的漏极;
电阻R4的一端接电阻R3的另一端;电阻R5的一端接PMOS管PM9的漏极;电阻R4一端与电阻R3另一端的连接点连接电阻R5一端与PMOS管PM9漏极的连接点;NMOS管NM5的栅极接电阻R5一端与PMOS管PM9漏极的连接点;
NMOS管NM11的漏极接电阻R4的另一端,源极接地,栅极接输出电压VOUT2;
NMOS管NM12的漏极接五电阻R5的另一端,源极接地;
NMOS管NM12的栅极、PMOS管PM7的栅极、PMOS管PM6的栅极与PMOS管PM5的栅极连接。
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