CN109873628B - 射频开关电路 - Google Patents

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Abstract

一种射频开关电路，包括：传导模块，适于传导射频信号；栅极控制电压生成模块，适于为所述传导模块提供栅极控制电压以控制所述传导模块的导通与关断；所述栅极控制电压生成模块包括：第一阻值自适应模块，在第一状态下为传导模块和栅极控制电压生成模块所在的串联支路提供第一阻抗，在第二状态时为传导模块和栅极控制电压生成模块所在的串联支路提供第二阻抗，所述第一阻抗大于第二阻抗，所述第一状态为所述传导模块传导的射频信号为高功率信号时或所述传导模块导通时，所述第二状态为所述传导模块不处理高功率信号时且所述传导模块关断时。从而可以综合提升电路的品质因子，优化Ron、Coff以及功率击穿性能，并能够优化电路性能，降低成本。

Description

射频开关电路
技术领域
本发明涉及电子电路领域，特别地涉及一种射频开关电路。
背景技术
射频开关是用于控制射频信号传输路径及信号大小的控制器件之一，在无线通信、电子对抗、雷达系统及电子测量仪器等许多领域有广泛用途。众所周知，射频开关支路测试结构的设计对导通电阻(Ron)、关断电容(Coff)、品质因子(Figure ofMerit，FOM)以及击穿电压等性能至关重要。
在现有的射频开关电路中，对于公共偏置电阻阻值大小的选择会影响导通电阻、关断电容、品质因子以及击穿电压等电路性能。随着公共偏置电阻阻值的增大，导通电阻及击穿电压改善，但是关断电容以及品质因子变差，从而影响射频开关电路的隔离度及高频应用；随着公共电阻阻值的减小，关断电容及品质因子改善，但是导通电阻及击穿电压变差，从而影响射频开关电路的插损以及功率能力。
因此，需要一种新的射频开关电路，综合提高射频开关电路的各项性能指标。
发明内容
本发明实施例提供一种射频开关电路，包括：传导模块，适于传导射频信号；栅极控制电压生成模块，适于为所述传导模块提供栅极控制电压以控制所述传导模块的导通与关断；所述栅极控制电压生成模块包括：第一阻值自适应模块，在第一状态下为传导模块和栅极控制电压生成模块所在的串联支路提供第一阻抗，在第二状态时为传导模块和栅极控制电压生成模块所在的串联支路提供第二阻抗，所述第一阻抗大于第二阻抗，所述第一状态为所述传导模块传导的射频信号为高功率信号时或所述传导模块导通时，所述第二状态为所述传导模块不处理高功率信号时且所述传导模块关断时。
可选地，所述栅极控制电压生成模块还包括第一电平平移电路和第一滤波电路，分别适于对第一输入信号进行电平平移，以及对电平平移后的信号进行滤波。
可选地，所述第一阻值自适应模块包括：第一或非门，其第一输入端接收第一控制电压，其第二输入端接收高功率使能信号，其输出端输出阻值自适应控制信号；第一自适应开关，所述第一自适应开关接收阻值自适应控制信号，在所述阻值自适应控制信号为高电平时闭合，所述阻值自适应控制信号为低电平时打开；以及第一公共偏置电阻，与所述第一自适应开关并联。
可选地，所述第一阻值自适应模块包括：第一或非门，其第一输入端接收第一控制电压，其第二输入端接收高功率使能信号，其输出端输出阻值自适应控制信号；以及第一NMOS管，其栅极接收阻值自适应控制信号。
可选地，所述射频开关电路还包括：体极控制电压生成模块，适于为所述传导模块提供体极控制电压以控制所述传导模块的导通与关断；其中，所述体极控制电压生成模块包括：第二阻值自适应模块，与所述传导模块形成串联支路，所述第二阻值自适应模块在第一状态下为所述串联支路提供第一阻抗，在第二状态时为所述串联支路提供第二阻抗，所述第一阻抗大于第二阻抗，所述第一状态为所述射频开关电路处理高功率信号时或其传导模块导通时，所述第二状态所述传导模块不处理高功率信号时且所述传导模块关断时。
可选地，所述栅极控制电压生成模块还包括第二电平平移电路和第二滤波电路，分别适于对第二输入信号进行电平平移，以及对电平平移后的信号进行滤波。
可选地，所述第二阻值自适应模块包括：第二或非门，其第一输入端接收第二控制电压，其第二输入端接收高功率使能信号，其输出端输出阻值自适应控制信号；第二自适应开关，所述第二自适应开关接收阻值自适应控制信号，在所述阻值自适应控制信号为高电平时闭合，所述阻值自适应控制信号为低电平时打开；以及第二公共偏置电阻，与所述第二自适应开关并联。
可选地，所述第二阻值自适应模块包括：第二或非门，其第一输入端接收第二控制电压，其第二输入端接收高功率使能信号，其输出端输出阻值自适应控制信号；以及第二NMOS管，其栅极接收阻值自适应控制信号。
可选地，所述传导模块包括多个级联的传导单元，每级传导单元包括晶体管。所述传导单元包括：开关NMOS管，其漏极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接，其源极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接；或其源极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接，其漏极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接；通路电阻，一端与所述开关NMOS管的漏极连接，另一端与所述开关NMOS管的源极连接；栅极偏置电阻，一端与所述栅极控制电压生成模块连接，另一端与所述开关NMOS管的栅极连接；以及体极偏置电阻，一端与所述体极控制电压生成模块连接，另一端与所述开关NMOS管的衬底连接。
可选地，所述传导单元包括：开关NMOS管，其漏极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接，其源极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接；或其源极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接，其漏极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接；通路电阻，一端与所述开关NMOS管的漏极连接，另一端与所述开关NMOS管的源极连接；栅极偏置电阻，一端与所述栅极控制电压生成模块连接，另一端与所述开关NMOS管的栅极连接；以及体极偏置二极管，其正极与所述开关NMOS管的衬底连接，其负极与所述开关NMOS管的栅极连接。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
在本发明的技术方案中，所述栅极控制电压生成模块包括：第一阻值自适应模块，在第一状态下为传导模块和栅极控制电压生成模块所在的串联支路提供第一阻抗，在第二状态时为传导模块和栅极控制电压生成模块所在的串联支路提供第二阻抗，所述第一阻抗大于第二阻抗，所述第一状态为所述传导模块传导的射频信号为高功率信号时或所述传导模块导通时，所述第二状态为所述传导模块不处理高功率信号时且所述传导模块关断时。通过在第一公共偏置电阻上引入阻抗自适应以及功率控制选择的设计，可以综合提升电路的品质因子，优化Ron、Coff以及功率击穿性能，从而能够优化电路性能，降低成本。
附图说明
图1是现有技术中的一种射频开关电路的结构示意图；
图2是现有技术中的一种射频开关电路的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种射频开关电路的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种射频开关电路的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种射频开关电路的结构示意图；以及
图6是本发明实施例与现有技术的Ron&Coff的对比示意图。
具体实施方式
参考图1，图1是现有技术中的一种射频开关电路的结构示意图。
图1所示的射频开关电路包括栅极控制电压生成模块11、开关模块12以及体极控制电压生成模块13，所述栅极控制电压生成模块11和所述体极控制电压生成模块13均包括电平平移电路、滤波器LPF以及公共偏置电阻Rc，且分别为所述开关模块12提供栅极控制电压以及体极控制电压。所述开关模块12由多个级联的NMOS管M11、M12、M13、......、M1n，多个栅极偏置电阻Rg11、Rg12、Rg13、......、Rg1n，多个体极偏置电阻Rb11、Rb12、Rb13、......、Rb1n，以及多个通路电阻Rds11、Rds12、Rds13、......、Rds1n。
参考图2，图2是现有技术中的一种射频开关电路的结构示意图。
与图1所示的射频开关电路相比，图2中的射频开关电路仅包括栅极控制电压生成模块21以及开关模块22，其中，所述开关模块22包括多个级联的NMOS管M21、M22、M23、......、M2n，多个栅极偏置电阻Rg21、Rg22、Rg23、......、Rg2n，多个通路电阻Rds21、Rds22、Rds23、......、Rds2n以及多个二极管D21、D22、D23、......、D2n。
对于图1与图2所示的射频开关电路，随着公共偏置电阻阻值的增大，导通电阻及击穿电压改善，但是关断电容以及品质因子变差，影响射频开关电路的隔离度及高频应用；随着公共电阻阻值的减小，关断电容及品质因子改善，但是导通电阻及击穿电压变差，影响射频开关电路的插损以及功率能力。
参考图3，图3是本发明实施例提供的一种射频开关电路的结构示意图。
图3所示的射频开关电路包括传导模块32，适于传导射频信号；栅极控制电压生成模块31，适于为所述传导模块提供栅极控制电压以控制所述传导模块的导通与关断；以及体极控制电压生成模块33，适于为所述传导模块提供体极控制电压以控制所述传导模块的导通与关断。具体地，所述体极控制电压生成模块33辅助所述栅极控制电压生成模块31控制所述传导模块32，以改善所述射频开关电路的开关性能。
在一些实施例中，所述栅极控制电压生成模块31包括：第一阻值自适应模块311，所述第一阻值自适应模块311在第一状态下为传导模块32和栅极控制电压生成模块31的串联支路提供第一阻抗，在第二状态时为传导模块32和栅极控制电压生成模块31的串联支路提供第二阻抗，所述第一阻抗大于第二阻抗，所述第一状态为所述传导模块32传导的射频信号为高功率信号时或传导模块32导通时，所述第二状态为所述传导模块32不处理高功率信号时且所述传导模块32关断时。
在一些实施例中，所述第一阻值自适应模块311包括第一或非门NOR31、第一自适应开关S31，以及第一公共偏置电阻Rc31。
所述第一或非门NOR31的第一输入端接收第一控制电压VCTG，其第二输入端接收高功率使能信号HPE(High Power Enable)，其输出端输出阻值自适应控制信号。所述第一自适应开关S31接收阻值自适应控制信号，在所述阻值自适应控制信号为高电平时闭合，所述阻值自适应控制信号为低电平时打开。第一公共偏置电阻Rc31与所述第一自适应开关S31并联。
在具体实施中，若所述传导模块32处理高功率信号时，所述高功率使能信号HPE为1；若所述传导模块32不处理高功率信号，则高功率使能信号HPE为0。当第一控制电压VCTG为高电压时，所述传导模块32导通，所述第一或非门NOR31的第一输入端的输入值为1；当第一控制电压VCTG为低电压时，所述传导模块32关断，所述第一或非门NOR31的第一输入端的输入值为0。
因此，第一或非门NOR31在第一状态下的输出的阻值自适应控制信号为低电平，所述第一自适应开关S31打开，所述第一公共偏置电阻Rc31接入电路，所述第一阻值自适应模块311为传导模块32和栅极控制电压生成模块31所在的串联支路提供第一阻抗；第一或非门NOR31在第二状态下的输出的阻值自适应控制信号为高电平，所述第一自适应开关S31闭合，所述第一公共偏置电阻Rc31被短路，所述第一阻值自适应模块311为传导模块32和栅极控制电压生成模块31所在的串联支路提供第二阻抗。所述第一阻抗大于第二阻抗。
在具体实施中，所述射频开关电路在所述传导模块32导通时需要传导射频信号，要求插损小，即导通电阻小；在所述传导模块32关断时需要隔离射频信号，即截断电容小。需要注意的是，当所述高功率使能信号HPE为1时，所述传导模块32即使处于关断状态，但由于需要隔离其他支路的高功率信号，因此仍要求所述第一阻值自适应模块311提供较高的第一阻抗。
基于上述设计，当所述射频开关电路处理高功率信号时，第一公共偏置电阻Rc31接入电路，从而满足高功率应用时，电路对于击穿电压的要求；当传导模块32导通时，第一公共偏置电阻Rc31接入电路，从而满足射频开关导通时，电路对低Ron的要求；当传导模块32关断时，第一公共偏置电阻Rc31被短路，从而满足射频开关关断时，电路对低Cofff的要求。从而综合提升电路的品质因子。
在一些实施例中，所述栅极控制电压生成模块31还包括第一电平平移电路312和第一滤波电路313，分别适于对第一输入信号进行电平平移，以及对电平平移后的信号进行滤波。
在一些实施例中，与所述栅极控制电压生成模块31类似，所述体极控制电压生成模块33适于为所述传导模块提供体极控制电压以控制所述传导模块的导通与关断，并包括：第二阻值自适应模块331，所述第二阻值自适应模块331与所述传导模块32形成串联支路，所述第二阻值自适应模块331在第一状态下为所述串联支路提供第一阻抗，在第二状态时为所述串联支路提供第二阻抗，所述第一阻抗大于第二阻抗，所述第一状态为所述射频开关电路处理高功率信号时或其传导模块导通时，所述第二状态所述传导模块不处理高功率信号时且所述传导模块关断时。
具体地，所述第二阻值自适应模块331包括：第二或非门NOR32、第二自适应开关S32以及第二公共偏置电阻Rc32。
在一些实施例中，所述第二或非门NOR32的第一输入端接收第二输入电压VCTB，其第二输入端接收高功率使能信号HPE，其输出端输出阻值自适应控制信号。所述第二自适应开关S32接收阻值自适应控制信号，在所述阻值自适应控制信号为高电平时闭合，所述第二公共偏置电阻Rc32被短路；在所述阻值自适应控制信号为低电平时打开，所述第二公共偏置电阻Rc32接入电路。更多有关所述第二阻值自适应模块331的功能原理可以参考上文所述第一阻值自适应模块311的相关描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，所述栅极控制电压生成模块还包括第二电平平移电路333和第二滤波电路，分别适于对第二输入信号VCTB进行电平平移，以及对电平平移后的信号进行滤波。
在一些实施例中，所述传导模块32包括多个级联的传导单元，每级传导单元包括晶体管。具体地，所述晶体管可以为NMOS管。
在一些实施例中，所述传导模块32包括多个NOMS管(M31-M3n)、多个栅极偏置电阻(Rg31-Rg3n)、多个体极偏置电阻(Rb31-Rb3n)以及多个通路电阻(Rds31-Rds3n)。
在具体实施中，每级传导单元包括：开关NMOS管，其漏极接收射频输入信号或与所述传导模块32中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接，其源极输出射频输出信号或与所述传导模块32中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接；在一些实施例中，所述开关NMOS管的源极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接，其漏极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接。
所述每级传导单元还包括：通路电阻，一端与所述开关NMOS管的漏极连接，另一端与所述开关NMOS管的源极连接；栅极偏置电阻，一端与所述栅极控制电压生成模块31连接，另一端与所述开关NMOS管的栅极连接；以及体极偏置电阻，一端与所述体极控制电压生成模块33连接，另一端与所述开关NMOS管的衬底连接。
参考图4，图4是本发明实施例提供的一种射频开关电路的结构示意图。
图4所示的射频开关电路包括：栅极控制电压生成模块41、传导模块42以及体极控制电压生成模块43。其中，所述栅极控制电压生成模块41包括第一阻值自适应模块411、第一电平平移电路412和第一滤波电路413。所述体极控制电压生成模块43包括第二阻值自适应模块431、第二电平平移电路432和第二滤波电路433。
在一些实施例中，所述传导模块42包括多个级联的传导单元，每级传导单元包括晶体管。具体地，所述晶体管可以为NMOS管。
在一些实施例中，所述传导模块42包括多个NOMS管(M41-M4n)、多个栅极偏置电阻(Rg41-Rg4n)、多个体极偏置电阻(Rb41-Rb4n)以及多个通路电阻(Rds41-Rds4n)。更多有关传导单元42的细节可以参考上文有关所述传导单元32的描述，在此不再赘述。
与图3所示的射频开关电路的不同之处在于，在图4所示的射频开关电路中，所述第一阻值自适应模块411包括：第一或非门NOR41，其第一输入端接收第一控制电压VCTG，其第二输入端接收高功率使能信号HPE，其输出端输出阻值自适应控制信号；以及第一NMOS管Mc41，其栅极接收阻值自适应控制信号。
在具体实施中，若所述传导模块42处理高功率信号时，所述高功率使能信号HPE为1；若所述传导模块42不处理高功率信号，则高功率使能信号HPE为0。当第一控制电压VCTG为高电压时，所述传导模块42导通，所述第一或非门NOR31的第一输入端的输入值为1；当第一控制电压VCTG为低电压时，所述传导模块42关断，所述第一或非门NOR31的第一输入端的输入值为0。
因此，第一或非门NOR41在第一状态下的输出的阻值自适应控制信号为低电平，所述第一NMOS管Mc41处于截止状态，所述第一阻值自适应模块411为传导模块42和栅极控制电压生成模块41所在的串联支路提供第一阻抗；第一或非门NOR41在第二状态下的输出的阻值自适应控制信号为高电平，所述第一NMOS管Mc41处于导通状态，所述第一阻值自适应模块411为传导模块42和栅极控制电压生成模块41所在的串联支路提供第二阻抗。所述第一阻抗大于第二阻抗。
因此，在本实施例中，当所述射频开关电路处理高功率信号时，所述第一NMOS管Mc41处于截止状态，电路等效接入大电阻，从而满足高功率应用时，电路对于击穿电压的要求；当传导模块42导通时，所述第一NMOS管Mc41处于截止状态，电路等效接入大电阻，从而满足射频开关导通时，电路对低Ron的要求；当传导模块42关断时，所述第一NMOS管Mc41处于截止状态，电路等效接入小电阻，从而满足射频开关关断时，电路对低Coff的要求。从而综合提升电路的品质因子。
在一些实施例中，所述第二阻值自适应模块431包括：第二或非门NOR42，其第一输入端接收第二输入电压VCTB，其第二输入端接收高功率使能信号HPE，其输出端输出阻值自适应控制信号；以及第二NMOS管Mc42，其栅极接收阻值自适应控制信号。
在一些实施例中，第二NMOS管Mc42接收阻值自适应控制信号，在所述阻值自适应控制信号为高电平时处于导通状态，所述阻值自适应控制信号为低电平时处于截止状态。更多有关所述第二阻值自适应模块431的功能原理可以参考上文所述第一阻值自适应模块411的相关描述，在此不再赘述。
参考图5，图5是本发明实施例提供的一种射频开关电路的结构示意图。
与图4所示的射频开关电路相比，图5所示的射频开关电路仅包括：栅极控制电压生成模块51以及传导模块52。其中，所述栅极控制电压生成模块51包括第一阻值自适应模块511、第一电平平移电路512和第一滤波电路513。
在一些实施例中，所述栅极控制电压生成模块51包括：第一阻值自适应模块511、第一电平平移电路512以及第一滤波电路513。更多有关栅极控制电压生成模块51的细节可以参考上文有关所述栅极控制电压生成模块41的描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，所述传导模块52包括多个级联的传导单元，每级传导单元包括晶体管。具体地，所述晶体管可以为NMOS管。
在一些实施例中，所述传导模块52包括多个NOMS管(M31-M3n)、多个栅极偏置电阻(Rg31-Rg3n)、多个体极偏置二极管(D51-D5n)以及多个通路电阻(Rds31-Rds3n)。
在具体实施中，每级传导单元包括：开关NMOS管，其漏极接收射频输入信号或与所述传导模块52中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接，其源极输出射频输出信号或与所述传导模块52中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接；或其源极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接，其漏极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接；通路电阻，一端与所述开关NMOS管的漏极连接，另一端与所述开关NMOS管的源极连接；栅极偏置电阻，一端与所述栅极控制电压生成模块51连接，另一端与所述开关NMOS管的栅极连接；以及体极偏置二极管，其正极与所述开关NMOS管的衬底连接，其负极与所述开关NMOS管的栅极连接。
参考图6，图6是本发明实施例与现有技术的Ron&Coff的对比示意图。
如图6所示，与现有技术相比，本发明实施例所提供的技术方案在维持Ron的情况下可以改善Coff，在维持Coff的情况下可以改善Ron，因此，可以综合改善品质因子达15％。从而可以优化电路性能，降低成本。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种射频开关电路，包括：
传导模块，适于传导射频信号；
栅极控制电压生成模块，适于为所述传导模块提供栅极控制电压以控制所述传导模块的导通与关断；
其特征在于，所述栅极控制电压生成模块包括：
第一阻值自适应模块，在第一状态下为传导模块和栅极控制电压生成模块所在的串联支路提供第一阻抗，在第二状态时为传导模块和栅极控制电压生成模块所在的串联支路提供第二阻抗，所述第一阻抗大于第二阻抗，所述第一状态为所述传导模块传导的射频信号为高功率信号时或所述传导模块导通时，所述第二状态为所述传导模块不处理高功率信号时且所述传导模块关断时；
所述栅极控制电压生成模块还包括第一电平平移电路和第一滤波电路，分别适于对第一输入信号进行电平平移，以及对电平平移后的信号进行滤波。
2.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述第一阻值自适应模块包括：
第一或非门，其第一输入端接收第一控制电压，其第二输入端接收高功率使能信号，其输出端输出阻值自适应控制信号；
第一自适应开关，所述第一自适应开关接收所述阻值自适应控制信号，在所述阻值自适应控制信号为高电平时闭合，所述阻值自适应控制信号为低电平时打开；以及
第一公共偏置电阻，与所述第一自适应开关并联。
3.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述第一阻值自适应模块包括：
第一或非门，其第一输入端接收第一控制电压，其第二输入端接收高功率使能信号，其输出端输出阻值自适应控制信号；以及
第一NMOS管，其栅极接收所述阻值自适应控制信号。
4.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，还包括：
体极控制电压生成模块，适于为所述传导模块提供体极控制电压以控制所述传导模块的导通与关断；
其中，所述体极控制电压生成模块包括：
第二阻值自适应模块，与所述传导模块形成串联支路，所述第二阻值自适应模块在第一状态下为所述串联支路提供第一阻抗，在第二状态时为所述串联支路提供第二阻抗，所述第一阻抗大于第二阻抗，所述第一状态为所述射频开关电路处理高功率信号时或其传导模块导通时，所述第二状态所述传导模块不处理高功率信号时且所述传导模块关断时。
5.根据权利要求4所述的射频开关电路，其特征在于，所述栅极控制电压生成模块还包括第二电平平移电路和第二滤波电路，分别适于对第二输入信号进行电平平移，以及对电平平移后的信号进行滤波。
6.根据权利要求4所述的射频开关电路，其特征在于，所述第二阻值自适应模块包括：
第二或非门，其第一输入端接收第二控制电压，其第二输入端接收高功率使能信号，其输出端输出阻值自适应控制信号；
第二自适应开关，所述第二自适应开关接收所述阻值自适应控制信号，在所述阻值自适应控制信号为高电平时闭合，所述阻值自适应控制信号为低电平时打开；以及
第二公共偏置电阻，与所述第二自适应开关并联。
7.根据权利要求4所述的射频开关电路，其特征在于，所述第二阻值自适应模块包括：
第二或非门，其第一输入端接收第二控制电压，其第二输入端接收高功率使能信号，其输出端输出阻值自适应控制信号；以及
第二NMOS管，其栅极接收所述阻值自适应控制信号。
8.根据权利要求1或4所述的射频开关电路，其特征在于，所述传导模块包括多个级联的传导单元，每级传导单元包括晶体管。
9.根据权利要求8所述的射频开关电路，其特征在于，所述传导单元包括：开关NMOS管，其漏极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接，其源极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接；或其源极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接，其漏极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接；
通路电阻，一端与所述开关NMOS管的漏极连接，另一端与所述开关NMOS管的源极连接；
栅极偏置电阻，一端与所述栅极控制电压生成模块连接，另一端与所述开关NMOS管的栅极连接；以及
体极偏置电阻，一端与所述体极控制电压生成模块连接，另一端与所述开关NMOS管的衬底连接。
10.根据权利要求8所述的射频开关电路，其特征在于，所述传导单元包括：开关NMOS管，其漏极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接，其源极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接；或其源极接收射频输入信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的漏极连接，其漏极输出射频输出信号或与所述传导模块中的其他传导单元中的开关NMOS管的源极连接；
通路电阻，一端与所述开关NMOS管的漏极连接，另一端与所述开关NMOS管的源极连接；
栅极偏置电阻，一端与所述栅极控制电压生成模块连接，另一端与所述开关NMOS管的栅极连接；以及
体极偏置二极管，其正极与所述开关NMOS管的衬底连接，其负极与所述开关NMOS管的栅极连接。
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