CN109150157B - 一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路 - Google Patents

一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路 Download PDF

Info

Publication number
CN109150157B
CN109150157B CN201810882571.0A CN201810882571A CN109150157B CN 109150157 B CN109150157 B CN 109150157B CN 201810882571 A CN201810882571 A CN 201810882571A CN 109150157 B CN109150157 B CN 109150157B
Authority
CN
China
Prior art keywords
nmos
tube
radio frequency
circuit
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810882571.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109150157A (zh
Inventor
戴若凡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN201810882571.0A priority Critical patent/CN109150157B/zh
Publication of CN109150157A publication Critical patent/CN109150157A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109150157B publication Critical patent/CN109150157B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/96—Touch switches
    • H03K17/9618—Touch switches using a plurality of detectors, e.g. keyboard
    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08C—TRANSMISSION SYSTEMS FOR MEASURED VALUES, CONTROL OR SIMILAR SIGNALS
    • G08C17/00—Arrangements for transmitting signals characterised by the use of a wireless electrical link
    • G08C17/02—Arrangements for transmitting signals characterised by the use of a wireless electrical link using a radio link
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明公开一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路，所述射频开关单元包括：栅极偏置电路，用于将栅极控制电压VG传输至开关电路的开关管的栅极；开关电路，用于传输或关断射频链路；体接触控制电路，用于将所述开关电路的开关管的栅极电压或源漏电压转换为衬底控制电压以根据开关状态与栅极控制偏置实现自适应切换体接触的直流与交流状态，从而改善射频性能，通过本发明，可改善射频开关电路的射频性能。

Description

一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路
技术领域
本发明涉及射频开关技术领域，特别是涉及一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路。
背景技术
SOI(Silicon-On-Insulator，即绝缘衬底上的硅)开关器件的体区驱动方式对击穿电压及工艺FOM((Figure Of Merit，品质因子)至关重要。合理的体区驱动方式不仅有助于优化射频开关功率能力及谐波、插损与隔离度等性能，而且可以简化电路设计，节省芯片面积。
图1为现有技术一种体区单独大电阻偏置的射频开关电路的电路示意图。如图1所示，现有技术的射频开关电路包括栅极电压控制模块10、开关模块20和体极电压控制模块30，栅极电压控制模块10由一个栅极偏置电阻Rg1组成，体极电压控制模块30由一个体极偏置电阻Rb1组成，开关模块20由1个NMOS开关管M1和一个通路电阻Rds1组成，射频输入RFin连接至NMOS开关管M1的漏极，射频输出RFout连接至NMOS开关管M1的源极，通常，栅极偏置电阻Rg1、体极偏置电阻Rb1和通路电阻Rds1使用50K欧或以上电阻以减小射频损耗。导通时，Vb＝0V，Vg为正电源电压Vdd，截止时，Vg为负电源电压－Vdd。该电路具有谐波等射频性能好的优点，但需要如电平位移器(levelshift)或三态门(tristate)电路等复杂的额外体区驱动电路。
图2为现有技术一种体区二极管(Diode)自适应偏置的可改善射频开关特性的射频开关电路，其包括栅极电压控制模块10、开关模块20和体极电压控制模块30。其中，栅极电压控制模块10由一个栅极偏置电阻Rg1组成，用于提供射频开关导通和截止的电压；开关模块20由1个NMOS开关管M1和一个通路电阻Rds1组成，用于接通和断开射频信号通路；体极电压控制模块30由多个级联的体极偏置二极管Dk(k＝1，2，……，n，n≥2)组成，用于在射频开关导通和截止时进一步减小导通电阻Ron和减小关断电容Coff。射频输入RFin连接至NMOS开关管M1的漏极，射频输出RFout连接至NMOS开关管M1的源极，通路电阻Rds1跨接在NMOS开关管M1的漏极和源极间，栅极偏置电压Vg通过栅极偏置电阻Rg1连接至NMOS开关管M1的栅极和偏置二极管D1的阴极，偏置二极管D1的阳极连接偏置二极管D2的阴极，……，偏置二极管D(n-1)的阳极连接偏置二极管Dn的阴极，偏置二极管Dn的阳极连接NMOS开关管M1的体极。较佳地，栅极偏置电阻Rg1、体极偏置电阻Rds1使用50K欧或以上电阻以减小射频损耗，二极管可以使用漏极或源极与栅极短接的NMOS形成。这种射频开关电路连接简单，但是其体区电压自适应栅电压时有二极管(diode)压降，影响射频性能。
发明内容
为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路，以改善射频开关电路的射频性能。
为达上述及其它目的，本发明提出一种带新型体接触控制电路的射频开关单元，包括：
栅极偏置电路，用于将栅极控制电压VG传输至开关电路的开关管的栅极；
开关电路，用于传输或关断射频链路；
体接触控制电路，用于将所述开关电路的开关管的栅极电压或源漏电压转换为衬底控制电压以根据开关状态与栅极控制偏置实现自适应切换体接触的直流与交流状态，从而改善射频性能。
优选地，所述栅极偏置电路包括栅极偏置电阻Rgi，所述开关电路包括NMOS开关管Mswi以及通路电阻Rdsi，所述体接触控制电路包括第一NMOS管N1i、第二NMOS驱动N2i、第三NMOS管N3i、第四NMOS驱动N4i。
优选地，射频输入信号RFin连接至NMOS开关管Mswi的漏极，NMOS开关管Mswi的源极为射频开关支路的输出RFout，通路电阻Rdsi连接在所述NMOS开关管Mswi的漏极和源极间，栅极控制电压VG连接电阻Rgi的公共端，电阻Rgi的另一端与NMOS开关管Mswi的栅极和第一NMOS管N1i的栅极、第二NMOS管N2i的栅极以及第三NMOS管N3i的栅极相连组成栅极电压VGi节点，NMOS开关管Mswi的体区与第三NMOS管N3i的漏极相连组成体区电压VBi节点，第一NMOS管N1i的漏极与第四NMOS管N4i的栅极连接至NMOS开关管Mswi的漏极，第二NMOS管N2i的漏极连接至NMOS开关管Mswi的源极，第四NMOS管N4i的漏极连接至电阻Rgi的公共端的公共端即栅极控制电压VG，第一NMOS管N1i的源极与第二NMOS管N2i的源极、第三NMOS管N3i的源极以及第四NMOS管N4i的源极相连。
优选地，当所述NMOS开关管Mswi导通时，栅极控制电压VG为高，第一至第三NMOS管N1i～N3i开启使得Mswi源极/漏极与体区B短接，体端偏置与源漏偏置同为0，第四NMOS管N4i关断等效为大电阻，射频开关单元近似为奇函数，改善偶次谐波非线性，并且第一NMOS管N1i、第二NMOS管N2i短接与所述NMOS开关管Mswi并联使得所述NMOS开关管Mswi的源漏通路电阻Ron减小。
优选地，当所述NMOS开关管Mswi关断时，栅极控制电压VG为低，所述第一NMOS管N1i、第二NMOS管N2i关断等效为关断电容，第四NMOS管N4i开启提供所述NMOS开关管Mswi体接触关断电压VBi以及第一NMOS管N1i与第二NMOS管N2i至地的交流通路，使第一NMOS管N1i及第二NMOS管N2i所等效的关断电容表现为源漏接地电容而减小所述NMOS开关管Mswi的关断电容，并且所述第三NMOS管N3i关断等效为大电阻以为所述NMOS开关管Mswi体接触提供RF浮空。
为达到上述目的，本发明还提供一种射频开关电路，所述射频开关电路采用N级如上所述的带新型体接触控制电路的射频开关单元进行层叠增强功率处理能力。
优选地，所述射频开关电路包括多个级联的带体接触控制电路的射频开关单元，以在栅极控制电压VG的控制下将射频输入信号RFin向射频输出信号RFout传输。
优选地，每个带体接触控制电路的射频开关单元包括栅极偏置电路、开关电路及体接触控制电路，所述栅极偏置电路包括栅极偏置电阻，所述开关电路包括NMOS开关管Mswi以及通路电阻Rdsi，所述体接触控制电路包括第一NMOS管N1i、第二NMOS驱动N2i、第三NMOS管N3i、第四NMOS驱动N4i。
优选地，N个射频开关单元Stack 1、Stack 2、……、Stack N依次级联，射频输入信号RFin连接至NMOS开关管Msw1的漏极，NMOS开关管Msw1的源极连接NMOS开关管Msw2的漏极，……，NMOS开关管Msw(N-1)的源极连接NMOS开关管MswN的漏极，NMOS开关管MswN的源极为所述射频开关电路的输出RFout。
优选地，所述级数根据功率能力要求进行设计。
优选地，利用所述射频开关电路进行串并联形成单刀多掷开关。
与现有技术相比，本发明一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路通过通过增加体接触控制电路自适应切换子开关，根据开关状态与栅极控制偏置实现自适应切换体接触的直流DC与交流AC状态，可以优化减小Ron(导通电阻)与Coff(断开电容)，从而整体可以优化缩小FOM(品质因数)，改善射频性能。
附图说明
图1为现有技术一种体区单独大电阻偏置的射频开关电路的电路示意图；
图2为现有技术一种体区二极管(Diode)自适应偏置的可改善射频开关特性的射频开关电路；
图3为本发明一种带新型体接触控制电路的射频开关单元的结构示意图；
图4为本发明射频开关单元的原理示意图；
图5为本发明一种带新型体接触控制电路的射频开关电路的电路结构图；
图6为本发明具体实施例中采用图5的射频开关电路进行串并联的SPMT(单刀多掷开关)射频开关电路图；
图7为本发明具体实施例的Ron&Coff仿真图；
图8为本发明与现有技术的谐波非线性仿真图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
图3为本发明一种带新型体接触控制电路的射频开关单元的结构示意图。如图3所示，本发明一种带新型体接触控制电路的射频开关单元包括：栅极偏置电路10、开关电路20和体接触控制电路30。
其中，栅极偏置电路10由栅极偏置电阻Rgi组成，用于将栅极控制电压VG传输至开关管的栅极，开关电路20由NMOS开关管Mswi以及通路电阻Rdsi组成，用于传输或关断射频链路，体接触控制电路30由第一NMOS管N1i、第二NMOS驱动N2i、第三NMOS管N3i、第四NMOS驱动N4i组成一可控自适应子开关，用于将NMOS开关管Mswi的栅极电压VGi或源漏电压转换为衬底控制电压VBi(i＝1,2,……,N)以根据开关状态与栅极控制偏置实现自适应切换体接触的直流DC与交流AC状态，从而改善射频性能。
具体地，通路电阻Rdsi连接在NMOS开关管Mswi的漏极和源极间，栅极控制电压VG连接电阻Rgi的公共端，电阻Rgi的另一端与NMOS开关管Mswi的栅极和第一NMOS管N1i的栅极、第二NMOS管N2i的栅极以及第三NMOS管N3i的栅极相连组成栅极电压VGi节点，NMOS开关管Mswi的体区与第三NMOS管N3i的漏极相连组成体区电压VBi节点，第一NMOS管N1i的漏极与第四NMOS管N4i的栅极连接至NMOS开关管Mswi的漏极，第二NMOS管N2i的漏极连接至NMOS开关管Mswi的源极，第四NMOS管N4i的漏极连接至电阻Rgi的公共端(i＝1，2，……，N)的公共端即栅极控制电压VG，第一NMOS管N1i的源极与第二NMOS管N2i的源极、第三NMOS管N3i的源极以及第四NMOS管N4i的源极相连。
图4为本发明射频开关单元的原理示意图。当NMOS开关管Mswi导通时(ON)时，栅极控制电压VG为高，N1i～N3i开启使得Mswi源极/漏极(S/D)与体区B短接，体端偏置与源漏偏置同为0，N4i关断等效为大电阻，射频开关单元近似为奇函数，改善偶次谐波非线性；同时N1i、N2i短接与开关管Mswi并联使得开关管Mswi的源漏(SD)通路电阻Ron减小，减小Ron可改善奇次谐波与插损；当NMOS开关管Mswi关断(OFF)时，栅极控制电压VG为低，N1i、N2i关断等效为关断电容，N4i开启提供开关管Mswi体接触关断电压VBi以及N1i与N2i至地的交流AC通路，使N1i及N2i所等效的关断电容表现为源漏接地电容而减小Mswi的关断电容，同时N3i关断等效为大电阻以为开关管Mswi体接触提供RF浮空。
图5为本发明一种带新型体接触控制电路的射频开关电路的电路结构图，如图5所示，本发明一种带新型体接触控制电路的射频开关电路采用N级图3所示射频开关单元进行层叠增强功率处理能力，即该带新型体接触控制电路的射频开关电路包括：多个带体接触控制电路的射频开关单元Stack 1、Stack 2、……、Stack N，每个带体接触控制电路的射频开关单元Stack i由栅极偏置电路10、开关电路20和体接触控制电路30组成，用于在栅极控制电压VG的控制下将射频输入信号RFin向射频输出信号RFout传输。
本发明的N个射频开关单元Stack 1、Stack 2、……、Stack N依次级联，即射频输入信号RFin连接至NMOS开关管Msw1的漏极，NMOS开关管Msw1的源极连接NMOS开关管Msw2的漏极，……，NMOS开关管Msw(N-1)的源极连接NMOS开关管MswN的漏极，NMOS开关管MswN的源极为本发明射频开关的输出RFout。
图6为本发明具体实施例中采用图5的射频开关电路进行串并联的SPMT(单刀多掷开关)射频开关电路图。其中，每一个开关均为图5所示的开关支路，图中的RF端口均可选并联图5所示开关支路至地改善隔离度，所有开关支路均根据具体功率要求设计层叠级数，图中单独串联开关及共享支路结构均为根据SPMT要求为可选优化设计。
图7为本发明具体实施例的Ron&Coff仿真图。可见，本发明通过增加体接触可控自适应切换子开关设计可以优化减小Ron(通路电阻)与Coff(关断电容)，从而整体可以优化缩小FOM(品质因数)，具体优化减小幅度与开关单元尺寸及层叠级数相关。
图8为本发明与现有技术的谐波非线性仿真图。其中，圆形虚线连线为现有技术2次谐波(Typical H2)，圆形实线连线为本发明2次谐波(Novel H2)，三角形虚线连线为现有技术4次谐波(Typical H4)，三角形实线连线为本发明4次谐波(Novel H4)，从图中可见，菱形虚线连线为现有技术3次谐波(Typical H3)，菱形实线连线为本发明3次谐波(NovelH3)，从图中可见，偶次谐波非线性改善6.7dB，奇次谐波改善2.5dB。
综上所述，本发明一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路通过通过增加体接触控制电路自适应切换子开关，根据开关状态与栅极控制偏置实现自适应切换体接触的直流DC与交流AC状态，可以优化减小Ron(通路电阻)与Coff(关断电容)，从而整体可以优化缩小FOM(品质因数)，改善射频性能。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。

Claims (10)

1.一种带新型体接触控制电路的射频开关单元，包括：
栅极偏置电路，用于将栅极控制电压VG传输至开关电路的开关管的栅极，其中，所述栅极偏置电路包括栅极偏置电阻Rgi，所述开关电路包括NMOS开关管Mswi以及通路电阻Rdsi，所述体接触控制电路包括第一NMOS管N1i、第二NMOS驱动N2i、第三NMOS管N3i、第四NMOS驱动N4i，射频输入信号RFin连接至NMOS开关管Mswi的漏极，NMOS开关管Mswi的源极为射频开关支路的输出RFout，通路电阻Rdsi连接在所述NMOS开关管Mswi的漏极和源极间，栅极控制电压VG连接电阻Rgi的公共端，电阻Rgi的另一端与NMOS开关管Mswi的栅极和第一NMOS管N1i的栅极、第二NMOS管N2i的栅极以及第三NMOS管N3i的栅极相连组成栅极电压VGi节点；
开关电路，用于传输或关断射频链路；
体接触控制电路，用于将所述开关电路的开关管的栅极电压或源漏电压转换为衬底控制电压以根据开关状态与栅极控制偏置实现自适应切换体接触的直流与交流状态，从而改善射频性能。
2.如权利要求1所述的一种带新型体接触控制电路的射频开关单元，其特征在于：NMOS开关管Mswi的体区与第三NMOS管N3i的漏极相连组成体区电压VBi节点，第一NMOS管N1i的漏极与第四NMOS管N4i的栅极连接至NMOS开关管Mswi的漏极，第二NMOS管N2i的漏极连接至NMOS开关管Mswi的源极，第四NMOS管N4i的漏极连接至电阻Rgi的公共端即栅极控制电压VG，第一NMOS管N1i的源极与第二NMOS管N2i的源极、第三NMOS管N3i的源极以及第四NMOS管N4i的源极相连。
3.如权利要求2所述的一种带新型体接触控制电路的射频开关单元，其特征在于：当所述NMOS开关管Mswi导通时，栅极控制电压VG为高，第一至第三NMOS管N1i～N3i开启使得Mswi源极/漏极与体区B短接，体端偏置与源漏偏置同为0，第四NMOS管N4i关断等效为大电阻，射频开关单元近似为奇函数，改善偶次谐波非线性，并且第一NMOS管N1i、第二NMOS管N2i短接与所述NMOS开关管Mswi并联使得所述NMOS开关管Mswi的源漏通路电阻Ron减小。
4.如权利要求3所述的一种带新型体接触控制电路的射频开关单元，其特征在于：当所述NMOS开关管Mswi关断时，栅极控制电压VG为低，所述第一NMOS管N1i、第二NMOS管N2i关断等效为关断电容，第四NMOS管N4i开启提供所述NMOS开关管Mswi体接触关断电压VBi以及第一NMOS管N1i与第二NMOS管N2i至地的交流通路，使第一NMOS管N1i及第二NMOS管N2i所等效的关断电容表现为源漏接地电容而减小所述NMOS开关管Mswi的关断电容，并且所述第三NMOS管N3i关断等效为大电阻以为所述NMOS开关管Mswi体接触提供RF浮空。
5.一种射频开关电路，其特征在于：所述射频开关电路采用N级如权利要求1所述的带新型体接触控制电路的射频开关单元进行层叠增强功率处理能力。
6.如权利要求5所述的一种射频开关电路，其特征在于：所述射频开关电路包括多个级联的带体接触控制电路的射频开关单元，以在栅极控制电压VG的控制下将射频输入信号RFin向射频输出信号RFout传输。
7.如权利要求6所述的一种射频开关电路，其特征在于：每个带体接触控制电路的射频开关单元包括栅极偏置电路、开关电路及体接触控制电路，所述栅极偏置电路包括栅极偏置电阻，所述开关电路包括NMOS开关管Mswi以及通路电阻Rdsi，所述体接触控制电路包括第一NMOS管N1i、第二NMOS驱动N2i、第三NMOS管N3i、第四NMOS驱动N4i。
8.如权利要求6所述的一种射频开关电路，其特征在于：N个射频开关单元Stack 1、Stack 2、……、Stack N依次级联，射频输入信号RFin连接至NMOS开关管Msw1的漏极，NMOS开关管Msw1的源极连接NMOS开关管Msw2的漏极，……，NMOS开关管Msw(N-1)的源极连接NMOS开关管MswN的漏极，NMOS开关管MswN的源极为所述射频开关电路的输出RFout。
9.如权利要求6所述的一种射频开关电路，其特征在于：级数根据功率能力要求进行设计。
10.如权利要求6所述的一种射频开关电路，其特征在于：利用所述射频开关电路进行串并联形成单刀多掷开关。
CN201810882571.0A 2018-08-06 2018-08-06 一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路 Active CN109150157B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810882571.0A CN109150157B (zh) 2018-08-06 2018-08-06 一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810882571.0A CN109150157B (zh) 2018-08-06 2018-08-06 一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109150157A CN109150157A (zh) 2019-01-04
CN109150157B true CN109150157B (zh) 2022-03-29

Family

ID=64791616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810882571.0A Active CN109150157B (zh) 2018-08-06 2018-08-06 一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109150157B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110113036A (zh) * 2019-05-09 2019-08-09 河源广工大协同创新研究院 一种高线性低谐波的射频开关电路结构
CN113572467A (zh) * 2021-08-24 2021-10-29 上海迦美信芯通讯技术有限公司 一种用于改进谐波的射频开关电路
CN115395939A (zh) * 2022-07-25 2022-11-25 上海唯捷创芯电子技术有限公司 一种支持高功率模式的射频开关电路、芯片及其电子设备
CN115987263B (zh) * 2022-12-06 2023-11-03 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 射频开关电路及射频前端模组
CN117559975A (zh) * 2024-01-12 2024-02-13 上海唯捷创芯电子技术有限公司 优化堆叠开关管电压分布均衡性的射频开关电路及芯片

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101789778A (zh) * 2009-12-29 2010-07-28 北京大学 一种低功耗高抗干扰性的射频开关
CN108111155A (zh) * 2017-11-30 2018-06-01 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种改善非线性的射频开关电路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101789778A (zh) * 2009-12-29 2010-07-28 北京大学 一种低功耗高抗干扰性的射频开关
CN108111155A (zh) * 2017-11-30 2018-06-01 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种改善非线性的射频开关电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN109150157A (zh) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109150157B (zh) 一种带新型体接触控制电路的射频开关单元及其电路
CN108933587B (zh) 一种射频开关单元及其射频开关电路
US10763842B1 (en) Radio frequency switching circuit
US10340906B2 (en) Integrated bootstrap high-voltage driver chip and technological structure thereof
US5945867A (en) Switch circuit device
CN105049015B (zh) 单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关
CN108111155B (zh) 一种改善非线性的射频开关电路
US20010040479A1 (en) Electronic switch
US9065164B2 (en) High frequency switch
JP2008017416A (ja) 高周波スイッチ装置
US20090184747A1 (en) Switch circuit
CN113037263B (zh) 一种单片正压控制的低插损高隔离度单刀双掷开关芯片
CN103973280A (zh) 高频半导体开关及无线设备
CN110719092A (zh) 一种射频开关电路结构
CN108736866A (zh) 一种cmos soi射频开关电路
KR101532120B1 (ko) 스위치
CN117155363A (zh) 一种低功耗射频开关
CN109150150A (zh) 一种可改善射频开关特性的射频开关电路
CN101394174A (zh) 基于增强型phemt的单刀单掷开关
CN104617908A (zh) 应用于微波毫米波的低相移衰减器
CN101394173A (zh) 基于增强型phemt的单刀双掷开关
CN101557219A (zh) 毫米波段开关
US8022745B1 (en) High voltage switch using multiple cascode circuits
CN101420055A (zh) 一种基于e phemt的单刀双掷开关
CN109586708B (zh) 一种射频开关体控制驱动电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant