CN109873404A - 功率管防倒灌电路及稳压芯片 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种功率管防倒灌电路，包括功率管、第一可控开关、第二可控开关、开关控制电路以及电流控制电路。功率管的第一端用于与第一电源连接，第二端用于与负载连接，第三端分别与第一可控开关的第一端以及第二可控开关的第一端连接。第一可控开关的第二端与电流控制电路的第一端连接，第一可控开关的第三端与开关控制电路的第一端连接；第二可控开关的第二端与功率管的第二端连接。电流控制电路的第二端用于与第一电源连接，开关控制电路用于在功率管的第一端电压大于功率管的第二端电压时，控制第一可控开关导通、第二可控开关关断；在功率管的第一端电压小于功率管的第二端电压时，控制第一可控开关关断、第二可控开关导通。

Description

功率管防倒灌电路及稳压芯片

技术领域

本发明涉及电子电路领域，尤其涉及一种功率管防倒灌电路及稳压芯片。

背景技术

近年来，各式便携电子产品发展迅速，对于便携电子产品的续航表现，往往需要由电源控制芯片进行电源管理实现用电功耗最优化，而对大部分电源控制芯片来说，通常采用多模式控制，比如低功耗模式、睡眠模式等。在不同模式中，对供电的要求不一样，通常，不同模式下会采用不同的电源或者电压进行供电，在不同的工作模式中，P沟道功率管的漏端电压可能比源端高，出现芯片内功率管电流倒灌的现象，造成芯片损坏。

传统的防止功率管电流倒灌的做法是，在芯片输出端与负载之间加入开关管，但是，由于开关管存在内阻，而输出电流通常比较大，这样就相当于在输出电流通路上增加了分压电阻，降低了输出工作电压。

发明内容

基于此，有必要针对上述在开关管降低输出工作电压的技术问题，提出一种功率管防倒灌电路。

本发明实施例提供一种功率管防倒灌电路，包括功率管、第一可控开关、第二可控开关、开关控制电路以及电流控制电路，

功率管的第一端用于与第一电源连接，第二端用于分别与负载和第二电源连接，第三端分别与第一可控开关的第一端以及第二可控开关的第一端连接；

第一可控开关的第二端与电流控制电路的第一端连接，第一可控开关的第三端与开关控制电路的第一端连接；

第二可控开关的第二端与功率管的第二端连接，第二可控开关的第三端与开关控制电路的第二端连接；

电流控制电路的第二端用于与第一电源连接，电流控制电路用于控制功率管的输出电流；

开关控制电路用于在功率管的第一端电压大于功率管的第二端电压时，控制第一可控开关导通以及控制第二可控开关关断；在功率管的第一端电压小于功率管的第二端电压时，控制第一可控开关关断以及控制第二可控开关导通。

在其中一个实施例中，开关控制电路用于分别与第一电源以及第二电源连接；当功率管的第一端电压大于功率管的第二端电压时，开关控制电路由第一电源供电控制第一可控开关导通以及控制第二可控开关关断；当功率管的第一端电压小于功率管的第二端电压时，开关控制电路由第二电源供电控制第一可控开关关断以及控制第二可控开关导通。

在其中一个实施例中，开关控制电路包括第三可控开关、第四可控开关、第五可控开关、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及开关控制单元；

第一电阻的第一端与功率管的第二端连接，第一电阻的第二端分别与第一可控开关的第三端以及第二电阻的第一端连接；

第二电阻的第二端与第三可控开关的第一端连接；

第三电阻的第一端与功率管的第一端连接，第三电阻的第二端分别与第二可控开关的第三端以及第四可控开关的第一端连接；

第三可控开关的第二端接地，第三可控开关的第三端与开关控制单元的第一端连接；

第四可控开关的第二端与第五可控开关的第一端连接，第四可控开关的第三端与功率管的第二端连接；

第五开关管的第二端接地，第五开关管的第三端与开关控制单元的第二端连接；

开关控制单元用于在功率管的第一端电压大于功率管的第二端电压时，控制第三可控开关和第五可控开关均关断；在功率管的第一端电压小于功率管的第二端电压时，控制第三可控开关关断以及控制第五可控开关导通。

在其中一个实施例中，开关控制单元包括第一反相器和第二反相器；

第一反相器的输入端用于接收使能控制信号，第一反相器的输出端分别连接第五可控开关的第三端以及第二反相器的输入端，第一反相器的电源端连接功率管的第二端；

第二反相器的输出端连接第三可控开关的第三端，第二反相器的电源端连接功率管的第二端；

当第一电源供电时，使能控制信号为高电平，否则为低电平。

在其中一个实施例中，功率管为第一P沟道场效应管，第一可控开关为第二P沟道场效应管，第二可控开关为第三P沟道场效应管；

第一P沟道场效应管的源极用于与第一电源连接，漏极用于分别与负载、第二电源以及第四可控开关的第三端连接，栅极分别与第二P沟道场效应管的漏极以及第三P沟道场效应管的漏极连接；

第二P沟道场效应管的源极与电流控制电路的第一端连接，栅极与第一电阻的第二端连接；

第三P沟道场效应管的源极与第一P沟道场效应管的漏极连接，栅极与第三电阻的第二端连接。

在其中一个实施例中，第三可控开关为第三开关管，第四可控开关为第四开关管，第五可控开关为第五开关管。

在其中一个实施例中，第三开关管为第一N沟道场效应管，第四开关管为第二N沟道场效应管，第五开关管为第三N沟道场效应管；

第一N沟道场效应管的源极接地，漏极与第二电阻的第二端连接，栅极与第二反相器的输出端连接；

第二N沟道场效应管的源极与第三N沟道场效应开关管的漏极连接，第二N沟道场效应管的漏极与第三电阻的第二端连接，第二N沟道场效应管的栅极与功率管的第二端连接；

第三N沟道场效应管的源极接地，栅极与第一反相器的输出端连接。

在其中一个实施例中，功率管防倒灌电路还包括阱选择电路，阱选择电路的第一端连接第一P沟道场效应管的源极，阱选择电路的第二端连接第一P沟道场效应管的漏极，阱选择电路的第三端分别连接第一P沟道场效应管的阱、第二P沟道场效应管的阱以及第三P沟道场效应管的阱；阱选择电路用于选择第一P沟道场效应管的源极电压和漏极电压中的最高电压，并将最高电压分别向输出至第一P沟道场效应管的阱、第二P沟道场效应管的阱以及第三P沟道场效应管的阱。

在其中一个实施例中，功率管防倒灌电路还包括稳压调节电路，稳压调节电路的第一端与功率管的第二端连接，稳压调节电路的第二端与功率管的第三端连接，用于根据功率管防倒灌电路的内部基准电压或外部基准电压控制功率管的输出电压。

在其中一个实施例中，功率管防倒灌电路还包括第四电阻和第五电阻，稳压调节电路的第一端通过第四电阻与功率管的第二端连接，并通过第五电阻接地。

在其中一个实施例中，稳压调节电路还设有基准电压电路，基准电压电路用于为控制功率管的输出电压提供基准电压。

本发明实施例还提供一种稳压芯片，设有上述任一项实施例提供的功率管防倒灌电路。

上述功率管防倒灌电路，功率管的第一端作为输入端，第二端作为输出端，当功率管的第一端电压大于所述功率管的第二端电压时，控制所述第一可控开关导通以及控制所述第二可控开关关断，此时由于第一可控开关导通，功率管在电流控制电路的控制下将电源输入正常对外输出，整个电路正常工作。在所述功率管的第一端电压小于所述功率管的第二端电压时，即功率管出现功率倒灌危险时，控制所述第一可控开关关断以及控制所述第二可控开关导通，此时功率管第二端的高电压通过第二可控开关控制功率管关断，防止功率管电流倒灌，损坏电路以及损坏功率管。本发明提供的功率管防倒灌电路不需在功率管通路上设置其他器件，减小了通路阻抗；同时，控制器件设置在小电流通路上，控制器件的电阻对输出电压的分压影响小，可以将控制器件做小，从而减小占用面积。

附图说明

图1为本发明一个实施例中功率管防倒灌电路的功能模块图；

图2为本发明一个实施例功率管防倒灌电路的电路结构图；

图3为本发明另一个实施例功率管防倒灌电路的电路图。

具体实施方式

为了更好地理解本发明的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本发明进行进一步讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，本发明实施例提供一种功率管1防倒灌电路，包括功率管1、第一可控开关2、第二可控开关3、电流控制电路4以及开关控制电路5。

其中，功率管1是电路中起功率输出作用的器件，可以是三极管，也可以是场效应管等，只要能够满足控制端为高电平时功率管1关断，低电平时导通即可。第一可控开关2、第二可控开关3均可以是任何能够受控的开关器件，比如继电器、开关管等可控开关器件，只要满足其控制端输入高电平时关断，输入低电平时导通即可。电流控制电路4用于对功率管1的电流输出进行限流控制，可以是任何能够控制对功率管1进行限流控制的电路。开关控制电路5可以是能够对第一可控开关2和第二可控开关3进行控制的任意电路，比如由分别与电源和第一可控开关2连接的第一单刀单掷开关、与电源和第二可控开关3连接的第二单刀单掷开关组成的电路，或者含有单刀双掷开关的电路等。

功率管1的第一端用于与第一电源连接。功率管1的第二端用于与负载6连接。由于负载6还与第二电源连接并在预定状态下由第二电源供电，因此功率管1的第二端还可用于与第二电源连接。功率管1的第三端分别与第一可控开关2的第一端以及第二可控开关3的第一端连接。

第一可控开关2的第二端与电流控制电路4的第一端连接，第一可控开关2的第三端与开关控制电路5的第一端连接。

第二可控开关3的第二端与功率管1的第二端连接，第二可控开关3的第三端与开关控制电路5的第二端连接。

电流控制电路4的第二端用于与第一电源连接，电流控制电路4用于控制功率管1的输出电流。

开关控制电路5用于在功率管1的第一端电压大于功率管1的第二端电压时，控制第一可控开关2导通，以及控制第二可控开关3关断。在功率管1的第一端电压小于功率管1的第二端电压时，控制第一可控开关2关断以及控制第二可控开关3导通。

功率管1的第一端作为输入端用于与第一电源连接，功率管1的第二端作为输出端用于与负载6连接，当功率管1的第一端电压大于功率管1的第二端电压时，第一电源正常向负载6供电，此时开关控制电路5控制第一可控开关2导通，控制第二可控开关3关断。功率管1的第三端作为控制端，接收电流控制电路4通过第一可控开关2提供的控制信号，电流控制电路4控制功率管1的开启程度，从而实现整个功率管1的稳流输出。当功率管1的第一端电压小于功率管1的第二端电压时，第一电源停止向负载6供电，此时由第二电源向负载6供电，因而功率管1的第二端电压大于功率管1的第一端电压，即功率管1的输出端电压大于输入端电压，功率管1存在电流倒灌风险，开关控制电路5控制第一可控开关2关断，以及控制第二可控开关3开启，此时第二电源通过第二可控开关3向功率管1的第三端输出控制电压控制功率管1关断，防止第二电源通过功率管1的第二端向功率管1的第一端进行输入，避免出现电流倒灌的风险。同时，由于第一可控开关2关断，第二电源也不能通过第一可控开关2向第一电源灌电，从而保护了整体电路不受损坏。本实施例中，开关控制电路5可以是由额外的第三电源供电，对第一可控开关2和第二可控开关3进行控制；也可以是由第一电源和第二电源供电，对第一可控开关2和第二可控开关3进行控制。

本实施例的功率管防倒灌电路，功率管1的第一端作为输入端，第二端作为输出端，当功率管1的第一端电压大于功率管1的第二端电压时，控制第一可控开关2导通以及控制第二可控开关3关断，此时由于第一可控开关2导通，功率管1在电流控制电路4的控制下将第一电源的输入正常对外输出，整个电路正常工作。在功率管1的第一端电压小于功率管1的第二端电压时，即功率管1出现功率倒灌危险时，控制第一可控开关2关断以及控制第二可控开关3导通，此时第二电源通过第二可控开关3控制功率管1关断，防止功率管1电流倒灌，损坏电路以及损坏功率管1。再者，由于第一可控开关2和第二可控开关3设置在功率管1的第三端，与传统的在功率管1的功率输出通道上设置可控开关相比，本实施例防倒灌电路在功率管1与负载6之间没有任何分压器件，不会对输出电压造成影响。

在其中一个实施例中，开关控制电路5分别与第一电源以及第二电源连接；当功率管1的第一端电压大于功率管1的第二端电压时，开关控制电路5由第一电源供电,控制第一可控开关2导通以及控制第二可控开关3关断；当功率管1的第二端电压小于功率管1的第二端电压时，开关控制电路5由第二电源供电,控制第一可控开关2关断以及控制第二可控开关3导通。

第一开关电路根据功率管1的第一端电压和第二端电压对第一可控开关2和第二可控开关3进行控制。电路正常工作时，整个电路由第一电源正常供电，功率管1的第一端电压大于功率管1的第二端电压，第一开关电路也由电源供电。当电路停止向负载6输出，负载6由第二电源供电时，功率管1的第一端电压小于功率管1的第二端电压，此时第一开关电路由第二电源供电，控制第一可控开关2关断，控制第二可控开关3导通，从而控制功率管1关断，防止第二电源通过功率管1反向供电损坏电路。

本实施例提供的功率管1防倒灌电路，当功率管1的第一端电压大于功率管1的第二端电压时，开关控制电路5由第一电源供电。当功率管1的第一端电压小于功率管1的第二端电压时，开关控制电路5由第二电源供电。开关控制电路5的工作不必引入额外的第三电源进行供电就能够工作，节省了对开关控制电路5的电源设计成本和硬件成本。

如图2所示，在其中一个实施例中，开关控制电路5包括第三可控开关、第四可控开关、第五可控开关、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及开关控制单元51。

其中，第三可控开关、第四可控开关以及第五可控开关可以是能够单独受控而导通或者关断的任意开关，比如继电器、开关管等，只要满足其控制端输入高电平时导通，输入低电平时关断即可。开关控制单元51能够对第三可控开关和第五可控开关进行控制的任意电路，比如含有分别与各个可控开关一一对应的单刀单掷开关的电路，或者含有单刀双掷开关、单刀多掷开关的电路等。

第一电阻R1的第一端与功率管1的第二端连接，第一电阻R1的第二端分别与第一可控开关2的第三端以及第二电阻R2的第一端连接。第二电阻R2的第二端与第三可控开关的第一端连接。第三可控开关的第二端接地，第三可控开关的第三端与开关控制单元51的第一端连接。

第三电阻R3的第一端与功率管1的第一端连接，第三电阻R3的第二端分别与第二可控开关3的第三端以及第四可控开关的第一端连接。第四可控开关的第二端与第五可控开关的第一端连接，第四可控开关的第三端与功率管1的第二端连接。第五开关管的第二端接地，第五开关管的第三端与开关控制单元51的第二端连接。

当功率管1的第一端电压大于功率管1的第二端电压时，即负载6由第一电源进行供电时，开关控制单元51控制第三可控开关开启以及控制第五可控开关关断，此时第二可控开关3的第三端因输入电源电压而关断，第一可控开关2的第三端因低电压输入而保持导通，第一电源通过功率管1正常向负载6进行输出。当功率管1的第一端电压小于功率管1的第二端电压时，即第一电源停止向负载6输出，负载6由第二电源供电时，开关控制单元51控制第三可控开关关断，以及控制第五可控开关导通，第四可控开关的第三端在接收到高电压时导通，此时第一可控开关2的第三端因输入高电压而关断，第二可控开关3因输入低电压而导通，功率管1的第三端通过第二可控开关3输入高电压，功率管1关断，防止功率管1电流倒灌。

如图3所示，在其中一个实施例中，开关控制单元51包括第一反相器INV1和第二反相器INV2。第一反相器INV1的输入端用于接收使能控制信号EN，第一反相器INV1的输出端分别连接第五可控开关的第三端以及第二反相器INV2的输入端，第一反相器INV1的电源端连接功率管1的第二端。第二反相器INV2的输出端连接第三可控开关的第三端，第二反相器INV2的电源端连接功率管1的第二端。当第一电源供电时，使能控制信号EN为高电平，否则为低电平。

第一反相器INV1和第二反相器INV2均用于实现逻辑代数非的功能，使得输出状态和输入状态保持电平相反。

当第一电源供电时，使能控制信号EN为高电平，第一反相器INV1的第一端作为输入端接收使能控制信号。由于第一反相器INV1的电源端以及第二反相器INV2的电源端均接第二电源，此时第二电源没电，因此第一反相器INV1的输出端输出为低电平，第二反相器INV2的输出端输出也为低电平。第四可控开关和第五可控开关在其各自的第三端接收到高电平时才会分别导通，因此此时第四可控开关和第五可控开关均关断，第一电源通过第三电阻R3向第二可控开关3的第三端输入高电平，第二可控开关3关断。因第二电源没电，因此第一可控开关2的第三端为低电平，第一可控开关2在其第三端为低电平时导通，因此电流控制电路4能够通过第一可控开关2对功率管1进行控制，第一电源通过功率管1正常向负载6输出，功率管1防倒灌电路正常工作。

当第二电源供电时，使能控制信号EN为低电平，第一反相器INV1的输出端和第二反相器INV2的输出端有电，因此第一反相器INV1的输出端输出高电平，控制第五可控开关导通。第二反相器INV2的输出端输出低电平，控制第三可控开关关断。第四可控开关的第三端因接收第二电源的高电平而导通。因此第三电阻R3的第二端通过第四可控开关以及第五可控开关接地，此时第二可控开关3导通。第三可控开关关断，因此第二电源通过第一电阻R1向第一可控开关2的第三端输入高电平，第一可控开关2关断。由于第二可控开关3导通，第二电源能够通过第二可控开关3向功率管1的第三端输入高电平，使得功率管1关断，防止第二电源通过功率管1向第一电源灌电，同时，由于第一可控开关2关断，也防止了第二电源通过第一可控开关2向第一电源灌电，保护电路和第一电源不受损坏。

在其中一个实施例中，第一可控开关2为第一开关管，第二可控开关3为第二开关管。第一开关管和第二开关管可以是PNP三极管和P-MOS管的任意组合，比如第一开关管是PNP三极管，第二开关管是P－MOS管；或者第一开关管和第二开关管都是PNP三极管等等，其他组合在此不再一一列举。

可选地，功率管1为第一P-MOS管Mp1，第一开关管为第二P-MOS管Mp2，第二开关管为第三P-MOS管Mp3，且均为增强型。第一P-MOS管Mp1的源极用于与第一电源连接，漏极用于分别负载6、第二电源以及第四可控开关的第三端连接，栅极分别与第二P-MOS管Mp2的漏极以及第三P-MOS管Mp3的漏极连接。第二P-MOS管Mp2的源极与电流控制电路4的第一端连接，栅极与第一电阻R1的第二端连接。第三P-MOS管Mp3的源极与第一P-MOS管Mp1的漏极连接，栅极与第三电阻R3的第二端连接。可选地，第一P-MOS管、第二P-MOS管以及第三P-MOS管均采用MOS工艺集成设置于电路芯片内，这种芯片级设计可以得到高集成度的防倒灌电路芯片。

在其中一个实施例中，第三可控开关为第三开关管、第四可控开关为第三开关管，第五可控开关为第五开关管。第三开关管、第四开关管和第五开关管可以是NPN三极管和N-MOS管的任意组合，比如第三开关管是NPN三极管，第四开关管是N-MOS管，第五开关管是NPN三极管；或者第三开关管是N-MOS管，第四开关管和第五开关管均为NPN三级管等，其他组合在此不再一一列举。

可选地，第三开关管为第一N-MOS管Mn1，第四开关管为第二N-MOS管Mn2，第五开关管为第三N-MOS管Mn3。第一N-MOS管Mn1的源极接地，漏极与第二电阻R2的第二端连接，栅极与第二反相器INV2的输出端连接。第二N-MOS管Mn2的漏极与第三电阻R3的第二端连接，第二N-MOS管Mn2的源极与第三N-MOS管Mn3的漏极连接，第二N-MOS管Mn2的栅极与第一P-MOS管Mp1的漏极连接。第三N-MOS管Mn3的源极接地，栅极与第一反相器INV1的输出端连接。可选地，第一N-MOS管、第二N-MOS管以及第三N-MOS管均采用MOS工艺集成设置于电路芯片内以得到高集成度的电路芯片。

在其中一个实施例中，功率管防倒灌电路还包括阱选择电路7。阱选择电路7的第一端连接第一P-MOS管Mp1的源极，阱选择电路7的第二端连接第一P-MOS管Mp1的漏极，阱选择电路7的第三端分别连接第一P-MOS管Mp1的阱、第二P-MOS管Mp2的阱以及第三P-MOS管Mp3的阱。阱选择电路7用于选择第一P-MOS管Mp1的源极电压和漏极电压中的最高电压，并将最高电压分别向输出至第一P-MOS管Mp1的阱、第二P-MOS管Mp2的阱以及第三P-MOS管Mp3的阱。

阱选择电路7可以是能够根据其第一端电压和第二端电压选择最高电压向外输出的任意电路，比如含有单刀双掷的选择电路，或者是具有选择功能的集成数字电路。阱选择电路7的设置，通过判断第一电源和第二电源的工作状态，在第一电源供电时选择将第一电源的电压分别输入到第一P-MOS管Mp1的阱、第二P-MOS管Mp2的阱以及第三P-MOS管Mp3的阱；在第二电源供电时选择将第二电源的电压分别输入到第一P-MOS管Mp1的阱、第二P-MOS管Mp2的阱以及第三P-MOS管Mp3的阱，防止各个P-MOS管的衬底与源漏极之间的寄生二极管导通，避免出现各个P-MOS管损坏的情况。

在其中一个实施例中，功率管防倒灌电路还包括稳压调节电路8。稳压调节电路8用于对功率管1进行电压调节。稳压调节电路8可以是具有电压调节功能的任意调节电路，比如具有反馈输入端和调节输出端的调节电路。稳压调节电路8的第一端作为电压获取端，与功率管1的第二端连接，获取功率管1第二端的输出电压。稳压调节电路的第二端作为调节端与功率管1的第三端连接。稳压调节电路8根据基准电压，以及获取到功率管1的输出电压，对功率管1的第三端发出控制信号，控制功率管1的开启程度，以实现控制功率管1的输出电压。其中，基准电压可以是功率管防倒灌电路外部提供的基准电压，也可以是功率管防倒灌电路内部提供的基准电压。

可选地，功率管防倒灌电路还包括第四电阻R4和第五电阻R5，第四电阻R4的第一端与功率管1的第二端连接，第四电阻R4的第二端与第五电阻R5的第一端连接，第五电阻R5的第二端接地。稳压调节电路8的第一端作为电压获取端，与第四电阻R4的第二端连接以获取功率管1的输出电压信息。

可选地，稳压调节电路8还设有基准电压电路81，基准电压电路81用于为控制功率管1的输出电压提供基准电压。

本发明实施例还提供一种稳压芯片，稳压芯片设有上述任一项实施例提供的功率管防倒灌电路，能够实现上述任一实施例中所提供电路的功率管防倒灌功能。本实施例提供的稳压芯片，由于功率管防倒灌电路的控制器件都设置在小电流通路上，因此控制器件的电阻对输出电压的分压影响很小，可以将控制器件做小，从而减小芯片面积。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种功率管防倒灌电路，其特征在于，包括功率管、第一可控开关、第二可控开关、开关控制电路以及电流控制电路，

所述功率管的第一端用于与第一电源连接，第二端用于分别与负载和第二电源连接，第三端分别与所述第一可控开关的第一端以及所述第二可控开关的第一端连接；

所述第一可控开关的第二端与所述电流控制电路的第一端连接，所述第一可控开关的第三端与所述开关控制电路的第一端连接；

所述第二可控开关的第二端与所述功率管的第二端连接，所述第二可控开关的第三端与所述开关控制电路的第二端连接；

所述电流控制电路的第二端用于与所述第一电源连接，所述电流控制电路用于控制所述功率管的输出电流；

所述开关控制电路用于在所述功率管的第一端电压大于所述功率管的第二端电压时，控制所述第一可控开关导通以及控制所述第二可控开关关断；在所述功率管的第一端电压小于所述功率管的第二端电压时，控制所述第一可控开关关断以及控制所述第二可控开关导通。

2.根据权利要求1所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，所述开关控制电路用于分别与所述第一电源以及所述第二电源连接；当所述功率管的第一端电压大于所述功率管的第二端电压时，所述开关控制电路由所述第一电源供电控制所述第一可控开关导通以及控制所述第二可控开关关断；当所述功率管的第一端电压小于所述功率管的第二端电压时，所述开关控制电路由所述第二电源供电控制所述第一可控开关关断以及控制所述第二可控开关导通。

3.根据权利要求1或2所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，所述开关控制电路包括第三可控开关、第四可控开关、第五可控开关、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及开关控制单元；

所述第一电阻的第一端与所述功率管的第二端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一可控开关的第三端以及所述第二电阻的第一端连接；

所述第二电阻的第二端与所述第三可控开关的第一端连接；

所述第三电阻的第一端与所述功率管的第一端连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第二可控开关的第三端以及所述第四可控开关的第一端连接；

所述第三可控开关的第二端接地，所述第三可控开关的第三端与所述开关控制单元的第一端连接；

所述第四可控开关的第二端与所述第五可控开关的第一端连接，所述第四可控开关的第三端与所述功率管的第二端连接；

所述第五开关管的第二端接地，所述第五开关管的第三端与所述开关控制单元的第二端连接；

所述开关控制单元用于在所述功率管的第一端电压大于所述功率管的第二端电压时，控制所述第三可控开关导通以及控制所述第五可控开关关断；在所述功率管的第一端电压小于所述功率管的第二端电压时，控制所述第三可控开关关断以及控制所述第五可控开关导通。

4.根据权利要求3所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，所述开关控制单元包括第一反相器和第二反相器；

所述第一反相器的输入端用于接收使能控制信号，所述第一反相器的输出端分别连接所述第五可控开关的第三端以及所述第二反相器的输入端，所述第一反相器的电源端连接所述功率管的第二端；

所述第二反相器的输出端连接所述第三可控开关的第三端，所述第二反相器的电源端连接所述功率管的第二端；

当所述第一电源供电时，所述使能控制信号为高电平，否则为低电平。

5.根据权利要求4所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，所述功率管为第一P沟道场效应管，所述第一可控开关为第二P沟道场效应管，所述第二可控开关为第三P沟道场效应管；

所述第一P沟道场效应管的源极用于与所述第一电源连接，漏极用于分别与所述负载、所述第二电源以及所述第四可控开关的第三端连接，栅极分别与所述第二P沟道场效应管的漏极以及所述第三P沟道场效应管的漏极连接；

所述第二P沟道场效应管的源极与所述电流控制电路的第一端连接，栅极与所述第一电阻的第二端连接；

所述第三P沟道场效应管的源极与所述第一P沟道场效应管的漏极连接，栅极与所述第三电阻的第二端连接。

6.根据权利要求4或5所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，所述第三可控开关为第三开关管，所述第四可控开关为第四开关管，所述第五可控开关为第五开关管。

7.根据权利要求6所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，所述第三开关管为第一N沟道场效应管，所述第四开关管为第二N沟道场效应管，所述第五开关管为第三N沟道场效应管；

所述第一N沟道场效应管的源极接地，漏极与所述第二电阻的第二端连接，栅极与所述第二反相器的输出端连接；

所述第二N沟道场效应管的源极与所述第三N沟道场效应开关管的漏极连接，所述第二N沟道场效应管的漏极与所述第三电阻的第二端连接，所述第二N沟道场效应管的栅极与所述功率管的第二端连接；

所述第三N沟道场效应管的源极接地，栅极与所述第一反相器的输出端连接。

8.根据权利要求5所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，还包括阱选择电路，所述阱选择电路的第一端连接所述第一P沟道场效应管的源极，所述阱选择电路的第二端连接所述第一P沟道场效应管的漏极，所述阱选择电路的第三端分别连接所述第一P沟道场效应管的阱、所述第二P沟道场效应管的阱以及所述第三P沟道场效应管的阱；所述阱选择电路用于选择所述第一P沟道场效应管的源极电压和漏极电压中的最高电压，并将所述最高电压分别输出至所述第一P沟道场效应管的阱、所述第二P沟道场效应管的阱以及所述第三P沟道场效应管的阱。

9.根据权利要求1所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，还包括稳压调节电路，所述稳压调节电路的第一端与所述功率管的第二端连接，所述稳压调节电路的第二端与所述功率管的第三端连接，用于根据所述功率管防倒灌电路的内部基准电压或外部基准电压控制所述功率管的输出电压。

10.根据权利要求9所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，还包括第四电阻和第五电阻，所述稳压调节电路的第一端通过所述第四电阻与所述功率管的第二端连接，并通过所述第五电阻接地。

11.根据权利要求10所述的功率管防倒灌电路，其特征在于，所述稳压调节电路还设有基准电压电路，所述基准电压电路用于为控制所述功率管的输出电压提供基准电压。

12.一种稳压芯片，其特征在于，设有权利要求1-11任一项所述的功率管防倒灌电路。