CN109873091A - 有机发光设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了有机发光设备及其制造方法。所述方法包括：在基底上形成第一像素电极和第二像素电极；暴露第一像素电极和第二像素电极的上表面；形成覆盖第一像素电极和第二像素电极的边缘的像素限定层；顺序地形成第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂；通过使第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂图案化来形成暴露第一像素电极的上表面的第一开口；在第一像素电极和第一光致抗蚀剂上形成包括第一发射层的第一有机功能层；在第一开口中，使第一形状记忆合金层的端部在远离基底的水平表面的方向上变形；在第一有机功能层上方形成第一保护层；以及去除剩余的第一剥离层。

Description

有机发光设备及其制造方法
本申请要求于2017年12月1日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0164325号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种有机发光设备和制造该有机发光设备的方法。
背景技术
由于有机发光设备除了薄且重量轻之外的相对宽的视角、快速的响应时间和低功耗的特性，有机发光设备作为下一代显示设备已吸引了关注。
在实现全彩色的有机发光设备的情况下，从像素区域发射不同颜色的光，并且通过使用沉积掩模形成每个像素的有机发光层。随着有机发光设备的分辨率逐渐增加，在沉积工艺中使用的精细金属掩模的开口狭缝的宽度逐渐减小，并且可以要求开口狭缝的分布的进一步逐渐减小。此外，为了制造高分辨率有机发光设备，可能希望减少或消除阴影效应。因此，可以使用在基底与掩模彼此紧密接触的状态下执行沉积工艺的方法。
然而，当在基底与掩模彼此紧密接触的状态下执行沉积工艺时，会产生掩模切口效应。为了解决这种效应，可以在像素限定层上布置分隔件，但是存在增加另一个工艺的问题。此外，还存在由于分隔件而增加有机发光设备的厚度的问题。
在本背景技术部分中讨论的上述信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
一个或更多个实施例包括可以在保护有机发光器件的同时在其中容易地形成发射层和电极的有机发光设备及其制造方法。
另外的方面将在下面的描述中进行部分地阐述，并且部分地通过该描述将是清楚的，或者可以通过给出的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例，一种制造有机发光设备的方法包括以下步骤：在基底上形成第一像素电极；暴露第一像素电极的上表面，并形成覆盖第一像素电极的边缘的像素限定层；在第一像素电极以及像素限定层上顺序地形成第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂；通过使第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂图案化来形成暴露第一像素电极的上表面的第一开口；在第一像素电极和第一光致抗蚀剂上形成包括第一发射层的第一有机功能层；在第一开口中，使第一形状记忆合金层的端部在远离基底的水平表面的方向上变形，并在第一有机功能层上方形成第一保护层；以及去除剩余的第一剥离层。
第一剥离层可以包括含氟聚合物。
第一有机功能层还可以包括从空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中选择的至少一种功能层。
在形成第一开口的步骤中，可以通过光刻工艺使第一光致抗蚀剂图案化。
在形成第一开口的步骤中，可以通过化学蚀刻来蚀刻第一形状记忆合金层。
在形成第一开口的步骤中，可以通过使用包含氟的第一溶剂来蚀刻第一剥离层。
可以通过沉积工艺形成第一有机功能层和第一保护层。
第一形状记忆合金层可以包括在大约50℃或更高且大约100℃或更低的变形温度下变形的材料。
可以将第一保护层沉积在比第一有机功能层大的区域上方使得第一保护层覆盖第一有机功能层。
当去除剩余的第一剥离层时，可以通过使用包含氟的第二溶剂来去除第一剥离层。
在去除剩余的第一剥离层之后，可以在第一保护层上直接形成共电极。
第一保护层可以由导电材料形成。
在形成第一开口的步骤之后，可以在第一像素电极和第一光致抗蚀剂上形成第一有机功能层和第一阴极，并且在第一形状记忆合金层变形之后形成第一保护层。
在形成像素限定层的步骤中，可以在像素限定层上形成辅助电极，使得辅助电极和像素限定层彼此连接，并且在形成第一保护层的步骤中，可以形成第一保护层使得第一保护层与辅助电极的端部叠置。
第一保护层可以由导电材料形成。
可以在第一保护层上进一步形成包括绝缘材料的第二保护层。
根据一个或更多个实施例，一种制造有机发光设备的方法包括以下步骤：在基底上形成彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极；暴露第一像素电极和第二像素电极的上表面；形成覆盖第一像素电极和第二像素电极的边缘的像素限定层；执行第一单元工艺，第一单元工艺包括：在第一像素电极和第二像素电极以及像素限定层上顺序地形成第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂；通过使第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂图案化来形成暴露第一像素电极的上表面的第一开口；在第一像素电极和第一光致抗蚀剂上形成包括第一发射层的第一有机功能层；在第一开口中，使第一形状记忆合金层的端部在远离基底的水平表面的方向上变形，并在第一有机功能层上形成第一保护层；以及去除剩余的第一剥离层，并且在执行第一单元工艺之后，执行第二单元工艺，第二单元工艺包括：在第一有机功能层、第二像素电极以及像素限定层上顺序地形成第二剥离层、第二形状记忆合金层和第二光致抗蚀剂；通过使第二剥离层、第二形状记忆合金层和第二光致抗蚀剂图案化来形成第二开口，从而暴露第二像素电极的上表面；在第二像素电极和第二光致抗蚀剂上形成包括第二发射层的第二有机功能层；在第二开口中，使第二形状记忆合金层的端部在远离基底的水平表面的方向上变形，并在第二有机功能层上形成第二保护层；以及去除剩余的第二剥离层。
从第一发射层发射的光的颜色可以与从第二发射层发射的光的颜色不同。
根据一个或更多个实施例，一种通过制造有机发光设备的方法制造的有机发光设备，所述方法包括以下步骤：在基底上形成第一像素电极和第二像素电极；暴露第一像素电极和第二像素电极的上表面；形成覆盖第一像素电极和第二像素电极的边缘的像素限定层；执行第一单元工艺，第一单元工艺包括：在第一像素电极和第二像素电极以及像素限定层上顺序地形成第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂；通过使第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂图案化来形成暴露第一像素电极的上表面的第一开口；在第一像素电极和第一光致抗蚀剂上形成包括第一发射层的第一有机功能层；在第一开口中，使第一形状记忆合金层的端部在远离基底的水平表面的方向上变形，并在第一有机功能层上形成第一保护层；以及去除剩余的第一剥离层，并且在执行第一单元工艺之后，执行第二单元工艺，第二单元工艺包括：在第一有机功能层、第二像素电极以及像素限定层上顺序地形成第二剥离层、第二形状记忆合金层和第二光致抗蚀剂；通过使第二剥离层、第二形状记忆合金层和第二光致抗蚀剂图案化来形成第二开口，从而暴露第二像素电极的上表面；在第二像素电极和第二光致抗蚀剂上形成包括第二发射层的第二有机功能层；在第二开口中，使第二形状记忆合金层的端部在远离基底的水平表面的方向上变形，并在第二有机功能层上形成第二保护层；以及去除剩余的第二剥离层。
根据一个或更多个实施例，一种有机发光设备，所述有机发光设备包括：第一像素电极和第二像素电极，在基底上彼此间隔开；像素限定层，覆盖第一像素电极和第二像素电极的边缘；辅助电极，布置在像素限定层上，使得辅助电极与像素限定层彼此电连接；第一有机功能层和第二有机功能层，分别布置在第一像素电极和第二像素电极上，并分别包括第一发射层和第二发射层；以及第一保护层和第二保护层，分别布置在第一有机功能层和第二有机功能层上，分别覆盖第一有机功能层和第二有机功能层，并分别连接到辅助电极，其中，第一保护层和第二保护层中的每个包括导电材料。
附图说明
通过结合附图对实施例进行的以下描述，这些和/或其它方面将变得清楚且更容易理解，在附图中：
图1是根据一些示例实施例的有机发光设备的示意性剖视图；
图2是图1的一部分的平面图；
图3是示意性地示出了在图1的有机发光设备的基底上形成多个像素电极的剖视图；
图4是示意性地示出了在图1的有机发光设备中形成像素限定层的剖视图；
图5A至图5G是示意性地示出了图1的有机发光设备的第一单元工艺的剖视图；
图6A至图6G是示意性地示出了图1的有机发光设备的第二单元工艺的剖视图；
图7A至图7G是示意性地示出了图1的有机发光设备的第三单元工艺的剖视图；
图8是示出了根据对比示例的第一保护层的沉积工艺的剖视图；
图9是示出了根据对比示例的第一保护层的沉积工艺的剖视图；
图10是示出了根据一些示例实施例的第一保护层的沉积工艺的剖视图；
图11是根据一些示例实施例的有机发光设备的示意性剖视图；
图12是示意性地示出了在图11的有机发光设备的基底上形成多个像素电极、像素限定层和辅助电极的剖视图；
图13A至图13F是示意性地示出了图11的有机发光设备的第一单元工艺的剖视图；以及
图14是根据一些示例实施例的有机发光设备的示意性剖视图。
具体实施方式
由于公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中更详细地描述实施例。然而，这不意图将本公开局限于实践的具体模式，并且将理解的是，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物被包含在本公开中。在本公开的描述中，当认为现有技术的特定详细解释会不必要地使公开的实质模糊时，省略对现有技术的特定详细解释。
虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等术语来描述不同的组件，但是这些组件不必受上述术语的限制。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
将进一步理解的是，这里所使用的术语“包含”和/或“包括”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件上时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于解释，任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不局限于此。
图1是根据一些示例实施例的有机发光设备1的示意性剖视图。图2是图1的一部分的平面图。
参照图1和图2，在根据一些示例实施例的有机发光设备1中，包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的多个像素布置在基底100上以彼此间隔开。
像素限定层110覆盖第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的端部以防止(或减少)在每个像素电极的端部处的电场集中。
分别包括第一发射层至第三发射层的第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143分别设置在第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103上。第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163分别位于第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143上。
第一像素电极101、第二像素电极102、第三像素电极103、第一有机功能层141、第二有机功能层142、第三有机功能层143、第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163中的每个具有岛型图案。岛型图案可以表示以岛的形状进行图案化，使得当某个区域围绕其它区域时，所述某个区域与所述其它区域区分开。
第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183分别位于第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163上。第一保护层181可以覆盖第一有机功能层141和第一阴极161，第二保护层182可以覆盖第二有机功能层142和第二阴极162，第三保护层183可以覆盖第三有机功能层143和第三阴极163。例如，第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183中的每个的区域可以比第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143中的每个的区域以及第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163中的每个的区域大。如稍后描述的，第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183可以防止(或减少)第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143以及第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163的实例在工艺中劣化。
共电极180可以设置在第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183上以公共地位于第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183上。第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183可以是导电材料。第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183可以通过与共电极180直接接触，而向第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的每个供应电流。
分别包括在第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143中并位于第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的第一发射层至第三发射层可以发射不同颜色的光。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以分别发射红光、绿光和蓝光。在本实施例中，描述了布置三个子像素的情况，但本公开不限于此。
参照图3和图7G更详细地描述根据一些示例实施例的制造有机发光设备1的方法以及通过上面的方法制造的有机发光设备1。
图3是示意性地示出了在图1的有机发光设备1的基底100上形成第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的剖视图。图4是示意性地示出了在图1的有机发光设备中形成像素限定层110的剖视图。图5A至图5G是示意性地示出了图1的有机发光设备1的第一单元工艺的剖视图。图6A至图6G是示意性地示出了图1的有机发光设备1的第二单元工艺的剖视图。图7A至图7G是示意性地示出了图1的有机发光设备1的第三单元工艺的剖视图。
参照图3，在基底100上形成包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的多个像素电极，并暴露多个像素电极的上表面。
基底100可以由各种材料形成。例如，基底100可以由玻璃或塑料形成。塑料可以由呈现优异的耐热性和耐久性的材料(诸如聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰胺或聚醚砜)形成。
虽然在图3中未示出，但还可以设置用于在基底100的上部中形成平滑表面并防止或减少外来元素或污染物的侵入的缓冲层。例如，缓冲层可以由氮化硅和/或氧化硅以单层或多层形成。
第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103是空穴注入电极，并且可以由具有大逸出功的材料形成。第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103可以包括透明导电氧化物组分。例如，第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103可以包括从氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌中选择的至少一种。此外，第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103可以由诸如银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)或钙(Ga)的金属或者它们的合金以单层或多层形成。
虽然在图3中未示出，但第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103可以分别电连接到位于基底100与第一像素电极101之间的第一薄膜晶体管、位于基底100与第二像素电极102之间的第二薄膜晶体管、以及位于基底100与第三像素电极103之间的第三薄膜晶体管。
参照图4，在基底100上形成围绕第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的边缘的像素限定层110。
由于第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103具有尖锐的端部，所以当在形成第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163之后向第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103施加电流时，电场集中在第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的端部上，因此在驱动期间会产生电短路。在本实施例中，然而，由于像素限定层110覆盖第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的端部，所以可以减少在第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的端部上的电场的集中。
像素限定层110可以由包括例如通用聚合物(PMMA、PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的混合物的有机绝缘膜形成。
参照图5A，在第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103以及像素限定层110上顺序地形成第一剥离层121、第一形状记忆合金层151和第一光致抗蚀剂131。
第一剥离层121可以包括含氟聚合物。包括在第一剥离层121中的含氟聚合物可以由包含大约20wt％-60wt％含量的氟的聚合物形成。例如，包括在第一剥离层121中的含氟聚合物可以包括聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物以及氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物中的至少一种。
可以通过涂覆方法、印刷方法或沉积方法形成第一剥离层121。当通过涂覆方法或印刷方法形成第一剥离层121时，根据需要执行硬化处理和聚合处理，然后可以执行形成第一形状记忆合金层151的工艺。
第一形状记忆合金层151是当使用温度或电流向其施加一定的活化能时变形的合金。在本实施例中，第一形状记忆合金层151可以包括具有在大约50℃或更高且大约100℃或更低的温度下变形的形状的材料。例如，在Au-Cd基合金、CuAlNi基合金、CuZnX合金、InTl基合金，NiAl基合金、TiNi基合金、TiNiX(X＝Pd、Pt)基合金、TiNiCu基合金、TiNiAu基合金、TiPdX(X＝Cr、Fe)基合金和MnCu基合金之中，第一形状记忆合金层151可以由具有在大约50℃或更高且大约100℃或更低的温度下变形的形状的材料形成。如稍后描述的，在沉积第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143的工艺中，当施加到基底100的温度为50℃或更高并且第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143中的每个的温度超过大约100℃时，第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143会损坏。
在第一形状记忆合金层151上形成第一光致抗蚀剂131。
位于与第一像素电极101对应的位置处的第一光致抗蚀剂131通过第一光掩模M1暴露于光L，第一光掩模M1包括用于透射光L的区域M11和用于阻挡光L的区域M12。
参照图5B，对第一光致抗蚀剂131进行显影。第一光致抗蚀剂131可以是正型或负型。在本实施例中，作为示例描述了正型。对第一光致抗蚀剂131进行显影使得去除位于与第一像素电极101对应的位置处的第一部分131-1，并保留作为剩余部分的第二部分131-2。
参照图5C，通过使用第一光致抗蚀剂131的第二部分131-2作为蚀刻掩模，使第一形状记忆合金层151图案化以去除与第一光致抗蚀剂131的第一部分131-1对应的区域的第一形状记忆合金层151。可以通过化学蚀刻使第一形状记忆合金层151图案化。只要蚀刻剂不使位于第一光致抗蚀剂131下方的第一剥离层121溶解，则可以使用各种蚀刻剂。
参照图5D，通过使用第一光致抗蚀剂131的第二部分131-2作为蚀刻掩模来蚀刻第一剥离层121。
由于第一剥离层121包括含氟聚合物，所以可以通过使用包括氟的第一溶剂来蚀刻第一剥离层121。
第一溶剂可以包括氢氟醚。与其它材料相互作用较小的氢氟醚是一种电化学稳定的材料。此外，氢氟醚是一种环境稳定的材料，因为它具有低全球变暖系数且是低毒性的。
在蚀刻工艺中对形成在与第一部分131-1对应的位置处(即，位于第一像素电极101上)的第一剥离层121进行蚀刻。随着第一剥离层121的蚀刻表面从第一光致抗蚀剂131的第一部分131-1的边界回退(retreat)，形成第一底切轮廓UC1，并形成用于暴露第一像素电极101的第一开口C1。当形成第一底切轮廓UC1时，可以确保相对宽的沉积空间。
参照图5E，在图5D的结构(即，第一像素电极101和第一光致抗蚀剂131)上顺序地形成包括第一发射层的第一有机功能层141和第一阴极161。
第一有机功能层141可以包括第一发射层。此外，第一有机功能层141还可以包括含有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的功能层中的至少一种。
可以通过真空沉积方法形成第一有机功能层141。在沉积工艺中，在第一像素电极101的上表面以及像素限定层110的上表面的一部分上形成第一有机功能层141。
像第一有机功能层141一样，可以通过真空沉积方法形成第一阴极161。在沉积工艺中，由于第一剥离层121、第一形状记忆合金层151和第一光致抗蚀剂131用作掩模，所以第一有机功能层141和第一阴极161具有岛型图案。
第一阴极161可以包括与稍后描述的共电极180的材料相同的材料。此外，第一阴极161可以由与共电极180的材料不同的材料形成。例如，第一阴极161可以是透射电极或反射电极。第一阴极161可以是包括Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li和Au中的至少一种材料的金属薄膜或金属厚膜。第一阴极161可以用作阻挡件以保护第一有机功能层141免受在稍后描述的剥离工艺中使用的溶剂的影响。
参照图5F，通过向图5E的包括第一形状记忆合金层151的结构施加热或电流使第一形状记忆合金层151变形。
向第一形状记忆合金层151施加的温度的范围可以是大约50℃或更高且大约100℃或更低。这是由于对第一有机功能层141的沉积在大约50℃或更高的温度下是可用的，并且可以防止或减小在大约100℃或更低的温度下对第一有机功能层141的损坏。
当第一形状记忆合金层151达到变形温度时，第一形状记忆合金层151的形状变形，因此，在第一开口C1中，第一形状记忆合金层151的端部在远离基底100的水平表面的方向上分离。因此，第一保护层181的沉积空间可以由于该变形而增大(稍后进行描述)。
在第一形状记忆合金层151变形的状态下，当在第一阴极161上沉积第一保护层181时，第一保护层181可以形成为比第一有机功能层141和第一阴极161大的区域，以充分地覆盖第一有机功能层141和第一阴极161。
参照图5G，对图5F的结构执行剥离工艺。
由于第一剥离层121包括含氟聚合物，所以在剥离工艺中使用包含氟的第二溶剂。由于在形成第一有机功能层141之后执行剥离工艺，所以第二溶剂可以是具有与第一有机功能层141低反应性的材料。像第一溶剂一样，第二溶剂可以包括氢氟醚。
通过去除剩余的第一光致抗蚀剂131，去除形成在第一光致抗蚀剂131的第二部分131-2(见图5D)上的第一有机功能层141、第一阴极161和第一保护层181。因此，形成在第一像素电极101上的第一有机功能层141、第一阴极161和第一保护层181保留为图案。
虽然第一剥离层121以及第一溶剂和第二溶剂使用对第一有机功能层141和第一阴极161损害较小的氟类材料，但在剥离工艺期间，氟类材料的分子键由于某种原因而被释放，从而产生氧。产生的氧会损坏第一有机功能层141和第一阴极161。然而，在本实施例中，通过使用第一形状记忆合金层151来确保第一保护层181的大的沉积空间，因此第一保护层181可以充分地覆盖第一有机功能层141和第一阴极161。因此，可以防止或减小由于剥离工艺而对第一有机功能层141和第一阴极161的损坏，这将在下面参照图8至图10更详细地描述。
图8是示出了根据对比示例的第一保护层的沉积工艺的剖视图。图9是示出了根据对比示例的第一保护层的沉积工艺的剖视图。图10是示出了根据一些示例实施例的第一保护层的沉积工艺的剖视图。
参照图8，在基底100上形成第一像素电极101和像素限定层110。在第一剥离层121和第一光致抗蚀剂131被图案化的结构中，在第一像素电极101和第一光致抗蚀剂131上顺序地沉积从第一沉积源S1喷射的第一有机功能层141和第一阴极161的沉积材料。从第一沉积源S1喷射的材料沉积在由使第一光致抗蚀剂131的被蚀刻的端部Q1与第一沉积源S1连接的实线L1限定的内部空间中。
接下来，当用于喷射第一保护层181的沉积材料的第二沉积源S2在与第一沉积源S1的位置相同的位置处执行喷射而不改变位置时，从第二沉积源S2喷射的沉积材料沉积在由使点Q2与第二沉积源S2连接的虚线L2限定的内部空间中，该点Q2在第一光致抗蚀剂131的被蚀刻的端部Q1上突出的长度同沉积的第一有机功能层141和第一阴极161的厚度一样。因此，随着沉积空间减小，第一保护层181不会充分地覆盖第一有机功能层141和第一阴极161。
参照图9，在基底100上形成第一像素电极101和像素限定层110。在第一剥离层121和第一光致抗蚀剂131被图案化的结构中，在第一像素电极101和第一光致抗蚀剂131上顺序地沉积从第一沉积源S1喷射的第一有机功能层141和第一阴极161的沉积材料。从第一沉积源S1喷射的材料沉积在由使第一光致抗蚀剂131的被蚀刻的端部Q1与第一沉积源S1连接的实线L1限定的内部空间中。
接下来，当用于喷射第一保护层181的沉积材料的第二沉积源S2通过在靠近基底100的方向上移动来执行喷射时，从第二沉积源S2喷射的沉积材料沉积在由使点Q2与第二沉积源S2连接的虚线L2限定的内部空间中，该点Q2在第一光致抗蚀剂131的被蚀刻的端部Q1上突出的长度同沉积的第一有机功能层141和第一阴极161的厚度一样。随着沉积入射角增大，沉积空间增大，第一保护层181可以充分地覆盖第一有机功能层141和第一阴极161。然而，当第二沉积源S2的位置改变时，会存在需要改变使用第一沉积源S1的处理室并添加另一处理室的问题。此外，当沉积源与基底之间的距离减小并且因此基底的温度增加时，会使第一有机功能层141劣化。
参照图10，根据本实施例，在基底100上形成第一像素电极101和像素限定层110。在第一剥离层121、第一形状记忆合金层151和第一光致抗蚀剂131被图案化的结构中，在第一像素电极101和第一光致抗蚀剂131上顺序地沉积从第一沉积源S1喷射的第一有机功能层141和第一阴极161的沉积材料。从第一沉积源S1喷射的材料沉积在由使第一光致抗蚀剂131的被蚀刻的端部Q1与第一沉积源S1连接的实线L1限定的内部空间中。
接下来，在第一形状记忆合金层151的端部通过使第一形状记忆合金层151变形而在远离基底100的水平表面的方向上分离之后，用于喷射第一保护层181的沉积材料的第二沉积源S2在与第一沉积源S1的位置相同的位置处执行喷射，而不改变第二沉积源S2的位置。
从第二沉积源S2喷射的沉积材料沉积在由使点Q2与第二沉积源S2连接的虚线L2限定的内部空间中，该点Q2在第一光致抗蚀剂131的被蚀刻的端部上突出的长度同沉积的第一有机功能层141和第一阴极161的厚度一样。由于第一形状记忆合金层151的端部在远离基底100的水平表面的方向上分离，虚线L2在远离实线L1的方向上分离。因此，随着沉积空间增大，第一保护层181可以充分地覆盖第一有机功能层141和第一阴极161。因此，根据本实施例，可以保护第一有机功能层141和第一阴极161，而不添加处理室。
虽然在图8至图10中，第一沉积源S1和第二沉积源S2布置在基底100上方，但这仅仅是为了便于解释。第一沉积源S1和第二沉积源S2可以在比基底100接近地面的状态下执行沉积。此外，各种改变是可用的，使得第一沉积源S1和第二沉积源S2相对于地面布置在左侧或右侧。
在执行上述的第一单元工艺之后，执行在定位有第二像素电极102的区域中形成发射与第一有机功能层141发射的光的颜色不同的颜色的光的第二有机功能层142的第二单元工艺。下面参照图6A至图6G主要描述第二单元工艺与第一单元工艺的不同之处。
参照图6A，在图5G的结构上顺序地形成第二剥离层122、第二形状记忆合金层152和第二光致抗蚀剂132。
第二剥离层122可以包括含氟聚合物。可以通过涂覆方法、印刷方法或沉积方法形成第二剥离层122。当通过涂覆方法或印刷方法形成第二剥离层122时，根据需要执行硬化处理和聚合处理，然后可以执行形成第二形状记忆合金层152的工艺。
第二形状记忆合金层152可以包括具有在大约50℃或更高且大约100℃或更低的温度下变形的形状的材料。例如，在Au-Cd基合金、CuAlNi基合金、CuZnX合金、InTl基合金，NiAl基合金、TiNi基合金、TiNiX(X＝Pd、Pt)基合金、TiNiCu基合金、TiNiAu基合金、TiPdX(X＝Cr、Fe)基合金和MnCu基合金之中，第二形状记忆合金层152可以由具有在大约50℃或更高且大约100℃或更低的温度下变形的形状的材料形成。
在第二形状记忆合金层152上形成第二光致抗蚀剂132，并且位于与第二像素电极102对应的位置处的第二光致抗蚀剂132通过第二光掩模M2暴露于光L，第二光掩模M2包括用于透射光L的区域M21和用于阻挡光L的区域M22。
参照图6B，对第二光致抗蚀剂132进行显影。对第二光致抗蚀剂132进行显影使得去除位于与第二像素电极102对应的位置处的第一部分132-1，并保留作为剩余部分的第二部分132-2。
参照图6C，通过使用第二光致抗蚀剂132的第二部分132-2作为蚀刻掩模，使第二形状记忆合金层152图案化，从而从与第二光致抗蚀剂132的第一部分132-1对应的区域中去除第二形状记忆合金层152。
参照图6D，通过使用第二光致抗蚀剂132的第二部分132-2作为蚀刻掩模来蚀刻第二剥离层122。
由于第二剥离层122包括含氟聚合物，所以可以通过使用包括氟的第一溶剂来蚀刻第二剥离层122。
在蚀刻工艺中对形成在与第一部分132-1对应的位置处(即，位于第二像素电极102上)的第二剥离层122进行蚀刻。随着第二剥离层122的蚀刻表面从第二光致抗蚀剂132的第一部分132-1的边界回退，形成第二底切轮廓UC2，并形成用于暴露第二像素电极102的第二开口C2。当形成第二底切轮廓UC2时，可以确保相对宽的沉积空间。
参照图6E，在图6D的结构(即，第二像素电极102和第二光致抗蚀剂132)上顺序地形成包括第二发射层(未示出)的第二有机功能层142和第二阴极162。
第二有机功能层142可以包括第二发射层。此外，第二有机功能层142还可以包括含有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的功能层中的至少一种。
可以通过真空沉积方法形成第二有机功能层142。在沉积工艺中，在第二像素电极102的上表面以及像素限定层110的上表面的一部分上形成第二有机功能层142。
像第二有机功能层142一样，可以通过真空沉积方法形成第二阴极162。在沉积工艺中，由于第二剥离层122、第二形状记忆合金层152和第二光致抗蚀剂132用作掩模，所以第二有机功能层142和第二阴极162具有岛型图案。
第二阴极162可以包括与稍后描述的共电极180的材料相同的材料。此外，第二阴极162可以由与共电极180的材料不同的材料形成。例如，第二阴极162可以用作阻挡件以保护第二有机功能层142免受在剥离工艺中使用的溶剂的影响。
参照图6F，通过向图6E的包括第二形状记忆合金层152的结构施加大约50℃或更高且大约100℃或更低的热或者电流使第二形状记忆合金层152变形。
当第二形状记忆合金层152的形状变形时，在第二开口C2中，第二形状记忆合金层152的端部在远离基底100的水平表面的方向上分离。第二保护层182的沉积空间可以由于该变形而增大。在第二形状记忆合金层152变形的状态下，当在第二阴极162上沉积第二保护层182时，第二保护层182可以被沉积为充分地覆盖第二有机功能层142和第二阴极162。
参照图6G，对图6F的结构执行剥离工艺。
通过使用包含氟的第二溶剂去除剩余的第二剥离层122。当去除剩余的第二光致抗蚀剂132时，去除形成在第二光致抗蚀剂132的第二部分132-2上的第二有机功能层142、第二阴极162和第二保护层182。因此，形成在第二像素电极102上的第二有机功能层142、第二阴极162和第二保护层182保留为图案。
根据一些示例实施例，通过使用第二形状记忆合金层152来确保第二保护层182的大的沉积空间，因此，第二保护层182可以充分地覆盖第二有机功能层142和第二阴极162。因此，可以防止或减小由于剥离工艺而对第二有机功能层142和第二阴极162的损坏。
在执行上述的第二单元工艺之后，执行在定位有第三像素电极103的区域中形成发射与第一有机功能层141和第二有机功能层142发射的光的颜色不同的颜色的光的第三有机功能层143的第三单元工艺。下面参照图7A至图7G主要描述第三单元工艺与第一单元工艺和第二单元工艺的不同之处。
参照图7A，在图6G的结构上顺序地形成第三剥离层123、第三形状记忆合金层153和第三光致抗蚀剂133。
第三剥离层123可以包括含氟聚合物。
第三形状记忆合金层153可以包括在大约50℃或更高且大约100℃或更低的温度下变形的材料。
在第三形状记忆合金层153上形成第三光致抗蚀剂133，并且位于与第三像素电极103对应的位置处的第三光致抗蚀剂133通过第三光掩模M3暴露于光L，第三光掩模M3包括用于透射光L的区域M31和用于阻挡光L的区域M32。
参照图7B，对第三光致抗蚀剂133进行显影。对第三光致抗蚀剂133进行显影使得去除位于与第三像素电极103对应的位置处的第一部分133-1，并保留作为剩余部分的第二部分133-2。
参照图7C，通过使用第三光致抗蚀剂133的第二部分133-2作为蚀刻掩模，使第三形状记忆合金层153图案化，从而从与第三光致抗蚀剂133的第一部分133-1对应的区域中去除第三形状记忆合金层153。
参照图7D，通过使用第三光致抗蚀剂133的第二部分133-2作为蚀刻掩模来蚀刻第三剥离层123。
由于第三剥离层123包括含氟聚合物，所以可以通过使用包括氟的第一溶剂来蚀刻第三剥离层123。
在蚀刻工艺中对形成在与第一部分133-1对应的位置处(即，位于第三像素电极103上)的第三剥离层123进行蚀刻。随着第三剥离层123的蚀刻表面从第三光致抗蚀剂133的第一部分133-1的边界回退，形成第三底切轮廓UC3，并形成用于暴露第三像素电极103的第三开口C3。当形成第三底切轮廓UC3时，可以确保相对宽的沉积空间。
参照图7E，在图7D的结构(即，第三像素电极103和第三光致抗蚀剂133)上顺序地形成包括第三发射层(未示出)的第三有机功能层143和第三阴极163。
第三有机功能层143可以包括第三发射层。此外，第三有机功能层143还可以包括含有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的功能层中的至少一种。
可以通过真空沉积方法形成第三有机功能层143。在沉积工艺中，在第三像素电极103的上表面以及像素限定层110的上表面的一部分上形成第三有机功能层143。
像第三有机功能层143一样，可以通过真空沉积方法形成第三阴极163。在沉积工艺中，由于第三剥离层123、第三形状记忆合金层153和第三光致抗蚀剂133用作掩模，所以第三有机功能层143和第三阴极163具有岛型图案。
第三阴极163可以包括与稍后描述的共电极180的材料相同的材料。此外，第三阴极163可以由与共电极180的材料不同的材料形成。例如，第三阴极163可以用作阻挡件以保护第三有机功能层143免受在剥离工艺中使用的溶剂的影响。
参照图7F，通过向图7E的包括第三形状记忆合金层153的结构施加大约50℃或更高且大约100℃或更低的热或者电流使第三形状记忆合金层153变形。
当第三形状记忆合金层153的形状变形时，在第三开口C3中，第三形状记忆合金层153的端部在远离基底100的水平表面的方向上分离。第三保护层183的沉积空间可以由于该变形而增大。在第三形状记忆合金层153变形的状态下，当在第三阴极163上沉积第三保护层183时，第三保护层183可以被沉积为充分地覆盖第三有机功能层143和第三阴极163。
参照图7G，对图7F的结构执行剥离工艺。
通过使用包含氟的第二溶剂去除剩余的第三剥离层123。当去除剩余的第三光致抗蚀剂133时，去除形成在第三光致抗蚀剂133的第二部分133-2上的第三有机功能层143、第三阴极163和第三保护层183。因此，形成在第三像素电极103上的第三有机功能层143、第三阴极163和第三保护层183保留为图案。
在本实施例中，通过使用第三形状记忆合金层153来确保第三保护层183的大的沉积空间，因此，第三保护层183可以充分地覆盖第三有机功能层143和第三阴极163。因此，可以防止或减小由于剥离工艺而对第三有机功能层143和第三阴极163的损坏。
返回参照图1，在图7G的结构上形成共电极180。在第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183上可以以一体化形状形成共电极180。
根据一些示例实施例，第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183可以由导电材料形成。第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183可以包括透明导电氧化物。例如，第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183可以包括氧化铟锡(ITO)、氮氧化铟锡(ITON)、氧化铟锌(IZO)、氮氧化铟锌(IZON)、氧化铟锌锡(IZTO)或氧化铝锌(AZO)。
共电极180可以是透射电极或反射电极。共电极180可以是包括Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li和Au中的至少一种材料的金属薄膜或金属厚膜。由于包括导电材料的第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183与共电极180直接接触，所以从共电极180施加的电力可以可以传输到与第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183直接接触的第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163。
在本实施例中，虽然第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103被描述为空穴注入电极，并且第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163被描述为电子注入电极，但这仅仅是一个示例，第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103可以形成为电子注入电极，并且第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163形成为空穴注入电极。
当通过使用金属掩模来沉积有机功能层时，由于金属掩模的厚度和对准公差导致难以进行精密加工，因此难以将上面的技术应用于超高分辨率面板。此外，因为由于金属的重量而出现下垂现象，所以难以增大金属掩模的尺寸。相反地，根据本实施例，由于第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143的图案化工艺不使用金属掩模，而是在剥离工艺中执行，所以可以解决由于使用金属掩模引起的问题。
此外，根据一些示例实施例，在光刻工艺和干法工艺而不是在使用昂贵的氟类树脂和氟类溶剂的工艺中来形成有机功能层和阴极，降低了昂贵的氟类树脂的涂覆成本，因此可以节省制造成本。
图11是根据另一实施例的有机发光设备2的示意性剖视图。在本实施例中，主要描述与图1的上述实施例的不同之处。
参照图11，根据一些示例实施例，包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的多个像素电极在有机发光设备2的基底100上彼此间隔开地布置。像素限定层110覆盖第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的端部。
根据一些示例实施例，由导电材料形成的辅助电极160位于像素限定层110上。在像素限定层110上被图案化的辅助电极160可以例如以网格形式形成，并且彼此连接。虽然在图11中未示出，但辅助电极160连接到形成在基底100上的布线和电力部，并施加电力。
分别包括第一发射层至第三发射层的第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143分别位于第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103上。第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163分别位于第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143上。
第一像素电极101、第二像素电极102、第三像素电极103、第一有机功能层141、第二有机功能层142、第三有机功能层143、第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163中的每个具有岛型图案。
第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183分别位于第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163上。第一保护层181可以覆盖第一有机功能层141和第一阴极161，第二保护层182可以覆盖第二有机功能层142和第二阴极162，第三保护层183可以覆盖第三有机功能层143和第三阴极163。在本实施例中，第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183被布置为与位于像素限定层110上的辅助电极160部分地叠置。
由于第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183由导电材料形成，并且第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183中的每个连接到第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163中的相应的一个以及每个辅助电极160，所以可以向每个子像素供应电流。在本实施例中，不同于图1的实施例，可以不单独地形成共电极。
下面将参照图12至图13F更详细地描述根据本实施例的制造有机发光设备2的方法以及通过该方法制备的有机发光设备2。
图12是示意性地示出了在图11的有机发光设备2的基底100上形成像素电极、像素限定层和辅助电极的剖视图。图13A至图13F是示意性地示出了图11的有机发光设备2的第一单元工艺的剖视图。在本实施例中，主要描述了与图1的上述实施例的不同之处，并且为了便于解释描述了第一单元工艺。
参照图12，在基底100上形成包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的多个像素电极。像素限定层110围绕第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的边缘。由导电材料形成的辅助电极160位于像素限定层110上。
虽然图12中未示出，但第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103可以分别电连接到位于基底100与第一像素电极101之间的第一薄膜晶体管、位于基底100与第二像素电极102之间的第二薄膜晶体管、以及位于基底100与第三像素电极103之间的第三薄膜晶体管。辅助电极160可以连接到形成在基底100上的布线和电力部，并且可以向显示设备施加电力。
参照图13A，在第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103、像素限定层110以及辅助电极160上顺序地形成第一剥离层121、第一形状记忆合金层151和第一光致抗蚀剂131。
第一剥离层121可以包括含氟聚合物。可以通过涂覆方法、印刷方法或沉积方法形成第一剥离层121。当通过涂覆方法或印刷方法形成第一剥离层121时，根据需要执行硬化处理和聚合处理，然后可以执行形成第一形状记忆合金层151的工艺。
第一形状记忆合金层151可以包括具有在大约50℃或更高且大约100℃或更低的温度下变形的形状的材料。例如，在Au-Cd基合金、CuAlNi基合金、CuZnX合金、InTl基合金，NiAl基合金、TiNi基合金、TiNiX(X＝Pd、Pt)基合金、TiNiCu基合金、TiNiAu基合金、TiPdX(X＝Cr、Fe)基合金和MnCu基合金之中，第一形状记忆合金层151可以由具有在大约50℃或更高且大约100℃或更低的温度下变形的形状的材料形成。
在第一形状记忆合金层151上形成第一光致抗蚀剂131。位于与第一像素电极101对应的位置处的第一光致抗蚀剂131通过第一光掩模M1暴露于光L，第一光掩模M1包括用于透射光L的区域M11和用于阻挡光L的区域M12。
参照图13B，对第一光致抗蚀剂131进行显影。对第一光致抗蚀剂131进行显影使得去除位于与第一像素电极101对应的位置处的第一部分131-1，并保留作为剩余部分的第二部分131-2。
参照图13C，通过使用第一光致抗蚀剂131的第二部分131-2作为蚀刻掩模，使第一形状记忆合金层151图案化以去除与第一光致抗蚀剂131的第一部分131-1对应的区域的第一形状记忆合金层151。可以通过化学蚀刻使第一形状记忆合金层151图案化。只要蚀刻剂不使位于第一光致抗蚀剂131下方的第一剥离层121溶解，则可以使用各种蚀刻剂。
参照图13D，通过使用第一光致抗蚀剂131的第二部分131-2作为蚀刻掩模来蚀刻第一剥离层121。
由于第一剥离层121包括含氟聚合物，所以可以通过使用包括氟的第一溶剂来蚀刻第一剥离层121。
在蚀刻工艺中对形成在与第一部分131-1对应的位置处(即，位于第一像素电极101上)的第一剥离层121进行蚀刻。随着第一剥离层121的蚀刻表面从第一光致抗蚀剂131的第一部分131-1的边界回退，形成第一底切轮廓UC1，并形成用于暴露辅助电极160的一部分和第一像素电极101的第一开口C1。当形成第一底切轮廓UC1时，可以确保相对宽的沉积空间。
参照图13E，在图13D的结构(即，第一像素电极101和第一光致抗蚀剂131)上顺序地形成包括第一发射层的第一有机功能层141和第一阴极161。
第一有机功能层141可以包括第一发射层。此外，第一有机功能层141还可以包括含有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的功能层中的至少一种。
可以通过真空沉积方法形成第一有机功能层141。在沉积工艺中，在第一像素电极101的上表面以及像素限定层110的上表面的一部分上形成第一有机功能层141。
像第一有机功能层141一样，可以通过真空沉积方法形成第一阴极161。在沉积工艺中，由于第一剥离层121、第一形状记忆合金层151和第一光致抗蚀剂131用作掩模，所以第一有机功能层141和第一阴极161具有岛型图案。
第一阴极161可以包括导电材料。例如，第一阴极161可以是透射电极或反射电极。第一阴极161可以是包括Ag、Mg、Al、Yb、Ca、Li和Au中的至少一种材料的金属薄膜或金属厚膜。第一阴极161可以用作阻挡件以保护第一有机功能层141免受在稍后描述的剥离工艺中使用的溶剂的影响。
参照图13F，通过向图13E的包括第一形状记忆合金层151的结构施加热或电流使第一形状记忆合金层151变形。
当第一形状记忆合金层151变形时，第一形状记忆合金层151的端部在远离基底100的水平表面的方向上分离。因此，第一保护层181的沉积空间可以由于该变形而增大。
在第一形状记忆合金层151变形的状态下，当在第一阴极161上沉积第一保护层181时，第一保护层181充分地覆盖第一有机功能层141和第一阴极161，因此，可以防止或减小在剥离工艺期间对第一有机功能层141和第一阴极161的损坏。
此外，在本实施例中，在充分地确保沉积空间的状态下，当沉积包括导电材料的第一保护层181时，将第一保护层181布置成与位于像素限定层110上的辅助电极160部分地叠置。因此，不同于图1的实施例，可以不单独地形成共电极。
在执行上述第一单元工艺之后，执行在定位有第二像素电极102的区域中形成发射与第一有机功能层141发射的光的颜色不同的颜色的光的第二有机功能层142的第二单元工艺。
在执行第二单元工艺之后，执行在定位有第三像素电极103的区域中形成发射与第一有机功能层141和第二有机功能层142发射的光的颜色不同的颜色的光的第三有机功能层143的第三单元工艺，从而制造上述的图11的有机发光设备2。
图14是根据另一实施例的有机发光设备3的示意性剖视图。在本实施例中，主要描述与图12的上述实施例的不同之处。
参照图14，根据本实施例，包括第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的多个像素电极布置在有机发光设备3的基底100上以彼此间隔开。像素限定层110覆盖第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103的端部。
在本实施例中，由导电材料形成的辅助电极160位于像素限定层110上。在像素限定层110上被图案化的辅助电极160可以例如以网格形式形成，并且可以彼此连接。虽然在图14中未示出，但辅助电极160可以连接到形成在基底100上的布线和电力部，并可以向显示设备施加电力。
分别包括第一发射层至第三发射层的第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143分别位于第一像素电极101、第二像素电极102和第三像素电极103上。第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163分别位于第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143上。
第一像素电极101、第二像素电极102、第三像素电极103、第一有机功能层141、第二有机功能层142、第三有机功能层143、第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163中的每个具有岛型图案。
第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183分别位于第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163上。第一保护层181可以覆盖第一有机功能层141和第一阴极161，第二保护层182可以覆盖第二有机功能层142和第二阴极162，第三保护层183可以覆盖第三有机功能层143和第三阴极163。在本实施例中，第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183被布置为与位于像素限定层110上的辅助电极160部分地叠置。
由于第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183由导电材料形成，并且第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183中的每个连接到第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163中的相应的一个以及每个辅助电极160，所以可以向每个子像素供应电流。在本实施例中，不同于图1的实施例，不必单独地形成共电极。
第四保护层191、第五保护层192和第六保护层193分别位于第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183上。当作为导电材料的第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183分别使辅助电极160与第一阴极161、第二阴极162和第三阴极163电连接时，作为绝缘材料的第四保护层191、第五保护层192和第六保护层193分别覆盖第一保护层181、第二保护层182和第三保护层183的上表面，可以进一步防止或减小对第一有机功能层141和第一阴极161的损坏。
在根据本发明的实施例的制造有机发光设备的方法中，可以在基底上形成彼此间隔开的第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极以及像素限定层，然后，对第一像素电极执行第一单元工艺、对第二像素电极执行第二单元工艺并且对第三像素电极执行第三单元工艺。但本发明不限于此，在根据本发明的另一个实施例中，可以在基底上形成彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极以及像素限定层，然后，对第一像素电极执行第一单元工艺，并且对第二像素电极执行第二单元工艺。在根据本发明的又一个实施例中，可以在基底上形成第一像素电极以及像素限定层，然后对第一像素电极执行第一单元工艺。此外，虽然在上述附图中未示出，但上述有机发光设备还可以包括用于封装有机发光层的封装构件。封装构件可以由玻璃基底、金属箔或混合有无机层和有机层的薄膜封装层形成。
如上所述，根据上述实施例，由于在不使用精细金属掩模(FMM)的情况下形成发射层，所以可以形成高分辨率显示面板。
此外，在确保大的沉积空间的状态下，沉积保护层以覆盖有机功能层和阴极，从而防止或减少OLED发光器件的劣化。
应理解的是，应该仅以描述性的意义来考虑这里描述的实施例，而不是出于限制的目的。对每个实施例中的特征或方面的描述应该被认为可用于其它实施例中的其它类似的特征或方面。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本公开的实施例的如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种制造有机发光设备的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成第一像素电极；
暴露所述第一像素电极的上表面；
形成覆盖所述第一像素电极的边缘的像素限定层；
在所述第一像素电极以及所述像素限定层上顺序地形成第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂；
通过使所述第一剥离层、所述第一形状记忆合金层和所述第一光致抗蚀剂图案化来形成暴露所述第一像素电极的所述上表面的第一开口；
在所述第一像素电极和所述第一光致抗蚀剂上形成包括第一发射层的第一有机功能层；
在所述第一开口中，使所述第一形状记忆合金层的端部在远离所述基底的水平表面的方向上变形；
在所述第一有机功能层上方形成第一保护层；以及
去除剩余的所述第一剥离层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一剥离层包括含氟聚合物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一有机功能层还包括从由空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层构成的组中选择的至少一种功能层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第一开口的步骤中，通过光刻工艺使所述第一光致抗蚀剂图案化。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第一开口的步骤中，通过化学蚀刻来蚀刻所述第一形状记忆合金层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第一开口的步骤中，通过使用包含氟的第一溶剂来蚀刻所述第一剥离层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，通过沉积工艺形成所述第一有机功能层和所述第一保护层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一形状记忆合金层包括在50℃至100℃范围内的变形温度下变形的材料。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一保护层沉积在比所述第一有机功能层大的区域上方使得所述第一保护层覆盖所述第一有机功能层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，当去除剩余的所述第一剥离层时，通过使用包含氟的第二溶剂来去除所述第一剥离层。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除剩余的所述第一剥离层之后，在所述第一保护层上直接形成共电极。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一保护层由导电材料形成。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第一开口的步骤之后，在所述第一像素电极和所述第一光致抗蚀剂上形成所述第一有机功能层和第一阴极，并且
在所述第一形状记忆合金层变形之后形成所述第一保护层。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述像素限定层的步骤中，在所述像素限定层上形成辅助电极，使得所述辅助电极和所述像素限定层彼此连接，并且
在形成所述第一保护层的步骤中，形成所述第一保护层使得所述第一保护层与所述辅助电极的端部叠置。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一保护层由导电材料形成。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述第一保护层上进一步形成包括绝缘材料的第二保护层。
17.一种制造有机发光设备的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成彼此间隔开的第一像素电极和第二像素电极；
暴露所述第一像素电极和所述第二像素电极的上表面；
形成覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的边缘的像素限定层；
执行第一单元工艺，所述第一单元工艺包括：在所述第一像素电极和所述第二像素电极以及所述像素限定层上顺序地形成第一剥离层、第一形状记忆合金层和第一光致抗蚀剂；通过使所述第一剥离层、所述第一形状记忆合金层和所述第一光致抗蚀剂图案化来形成暴露所述第一像素电极的所述上表面的第一开口；在所述第一像素电极和所述第一光致抗蚀剂上形成包括第一发射层的第一有机功能层；在所述第一开口中，使所述第一形状记忆合金层的端部在远离所述基底的水平表面的方向上变形，并在所述第一有机功能层上方形成第一保护层；以及去除剩余的所述第一剥离层，并且
在执行所述第一单元工艺之后，执行第二单元工艺，所述第二单元工艺包括：在所述第一有机功能层、所述第二像素电极以及所述像素限定层上顺序地形成第二剥离层、第二形状记忆合金层和第二光致抗蚀剂；通过使所述第二剥离层、所述第二形状记忆合金层和所述第二光致抗蚀剂图案化来形成第二开口，从而暴露所述第二像素电极的所述上表面；在所述第二像素电极和所述第二光致抗蚀剂上形成包括第二发射层的第二有机功能层；在所述第二开口中，使所述第二形状记忆合金层的端部在远离所述基底的所述水平表面的方向上变形，并在所述第二有机功能层上形成第二保护层；以及去除剩余的所述第二剥离层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，从所述第一发射层发射的光的颜色与从所述第二发射层发射的光的颜色不同。
19.一种通过权利要求17所述的方法制造的有机发光设备。
20.一种有机发光设备，所述有机发光设备包括：
第一像素电极和第二像素电极，在基底上彼此间隔开；
像素限定层，覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极的边缘；
辅助电极，布置在所述像素限定层上，使得所述辅助电极与所述像素限定层彼此电连接；
第一有机功能层和第二有机功能层，分别布置在所述第一像素电极和所述第二像素电极上，并分别包括第一发射层和第二发射层；以及
第一保护层和第二保护层，分别布置在所述第一有机功能层和所述第二有机功能层上，分别覆盖所述第一有机功能层和所述第二有机功能层，并分别连接到所述辅助电极，其中，所述第一保护层和所述第二保护层中的每个包括导电材料。
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