CN109872626A - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供了一种电子装置,其中,包含:一感测元件;一偏光膜,设置于该感测元件上;以及一四分之一波片,设置于该感测元件与该偏光膜之间。

Description

电子装置
技术领域
本揭露设计一种电子装置,尤其涉及一种将感测元件设于显示区的电子装置。
背景技术
随着科技的进步,电子产品逐渐朝向全屏显示发展,以配合消费者的需求。因此,如何将电子装置与嵌入式的指纹传感器、前置镜头等光学感测元件整合被视为重要的研究方向。
然而,将嵌入式感测元件设置于显示区域有许多问题需要克服,例如当光穿过传统的显示系统时会被干扰而影响嵌入式感测元件的准确度,或嵌入式感测元件设置于显示区时会被用户看见而影响显示品味。
因此,目前急需发展一种电子装置,使嵌入式感测元件能设置于显示区域,以实现全屏显示。
发明内容
有鉴于此,本揭露提供一种电子装置,利用四分之一波片搭配图案化层别的设计,以实现全屏显示的电子装置。
为达成上述目的,本揭露提供一种电子装置,其中,该电子装置包含:一感测元件;一偏光膜,设置于该感测元件上;以及一四分之一波片,设置于该感测元件与该偏光膜之间。
附图说明
图1为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。
图2为本揭露的另一实施例的电子装置的剖面图。
图3为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。
图4为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。
图5为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。
图6A和图6B为本揭露的电子装置的部分剖面图。
图6C为本揭露的另一电子装置的部分剖面图。
图7为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。
图8A和图8B为本揭露的另一实施例的电子装置的剖面图。
图9A和图9B为部分电子装置的示意图。
图9C为部分电子装置的俯视图。
图10A为本揭露的另一实施例的电子装置剖面图。
图10B为图10A的部分放大图。
图11为本揭露的另一实施例的电子装置的剖面图。
图12为本揭露的另一实施例的电子装置的剖面图。
【符号说明】
1 感测元件
11 第二光源
2 偏光膜
3 四分之一波片
4 显示面板
41 第一衬底
42 第二衬底
43 显示介质层
44 密封胶
5 背光模块
51 导光元件
52 第一光源
53 第一间隔层
54 第二间隔层
61 第三衬底
62 第四衬底
63 导光层
71 第一阻挡层
711 第一开口
72 第二阻挡层
721 第三开口
73 缓冲层
74 第二反射层
75 第三阻挡层
751 第三开口
76 第四阻挡层
761 第四开口
77 第三反射层
78 第四反射层
81 反射层
82 感测元件
83 开口
91 显示面板
911 第一衬底
912 第三光源
92 感测元件
93 偏光膜
94 四分之一波片
95 第二阻挡层
951 第二开口
96 第三阻挡层
961 第三开口
97 缓冲层
98 第二反射层
99 保护层
101 反射层
102 背光模块
103 扩散膜
104 增亮膜
105 第四光源
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本揭露的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本揭露的其他优点与功效。本揭露亦可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用,在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
再者,说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等的用词,以修饰权利要求的元件,其本身并不意含或代表该请求元件有任何之前的序数,也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序,该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
此外,本说明书和权利要求所提及的位置,例如“之上”、“上”或“上方”,可指所述两元件直接接触,或可指所述两元件非直接接触。
以下为本揭露的例示性的实施例,但本揭露并不局限于此,本揭露可与其他已知结构互相结合,而形成另一实施例。
请参考图1,图1为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。如图1所示,本揭露的电子装置包含:一感测元件1;一偏光膜2,设置于感测元件1上;一四分之一波片(quarter-wave plate)3,设置于感测元件1与偏光膜2之间。由于四分之一波片3设置于感测元件1与偏光膜2之间,使得穿过偏光膜2而被感测元件1所反射的光的偏振态会被四分之一波片3旋转四分之一,进而无法穿过偏光膜2而被偏光膜2阻挡,导致从电子装置的外部不易观察到感测元件1,以达到美观或隐藏感测元件1的功效。
更具体地,当电子装置为一显示设备时,电子装置可包含:一显示面板4,包含:一第一衬底41;一第二衬底42,设置于该第一衬底41上;以及一显示介质层43,设置于第一衬底41与第二衬底42之间;一感测元件1;一偏光膜2,设置于感测元件1上;一四分之一波片3,设置于感测元件1与偏光膜2之间;以及一背光模块5,包含一导光元件51,导光元件51设置于感测元件1与偏光膜2之间;以及一第一光源52,邻近于导光元件51设置,其中,显示面板包含一显示区域A,且感测元件1、偏光膜2和四分之一波片3设置于显示区域A。由于四分之一波片3设置于感测元件1与偏光膜2之间,感测元件1可设置于显示区域A而不会被观察到,因此,可实现全屏显示。
于本揭露的一实施例中,导光元件51设置于偏光膜2与四分之一波片3之间,但本揭露并不局限于此,例如导光元件51也可设置于四分之一波片3与感测元件1之间。
在此,第一衬底41及第二衬底42可为一玻璃衬底或其他硬质衬底,或者第一衬底41及第二衬底42也可为可挠式衬底或薄膜,且第一衬底41与第二衬底42可为相同或不相同的材料制成。在此,电子装置更可包含一第三衬底61,设置于第二衬底42上,第三衬底61可为玻璃衬底或其他硬质衬底,或者第三衬底61也可为可挠式衬底或薄膜。玻璃衬底或其他硬质衬底的例子,可包括,一石英衬底、一玻璃衬底、一硅晶圆衬底、一蓝宝石衬底等。可挠性衬底或薄膜,其材料可包括,例如,聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、或其他塑料或高分子材料。但本揭露并不仅限于此。
在此,显示介质层43可包含液晶(liquid crystal,LC)、有机发光二极管(organiclight-emitting diode,OLED)、量子点(quantum dot,QD)、量子点发光二极管(QLED)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、发光二极管(light-emitting diode,LED)、微型发光二极管(micro light-emitting diode or mini light-emitting diode)、其他显示介质或上述材料的组合,但本揭露并不以此为限。一些实施例中,发光二极管(LED)的芯片尺寸约为300微米(μm)到10毫米(mm),微型发光二极管(mini LED)的芯片尺寸约为100微米(μm)到300微米(μ m),微型发光二极管(micro LED)的芯片尺寸约为1微米(μm)到100微米(μm),但本揭露并不局限于此。感测元件1可为前置镜头、指纹传感器或其他光学传感器,但本揭露并不局限于此。电子装置可为显示设备、指纹感测装置、光学感测装置、影像捕获设备,但本揭露并不局限于此。导光元件51为一透明导光元件,可允许光线穿透导光元件51,其材料包含玻璃、透明树脂或其他合适的材料,但本揭露并不局限于此。第一光源52可为发光二极管、冷阴极管或其他合适的光源,但本揭露并不局限于此。当显示介质层43为液晶时,电子装置可还包含密封胶(sealant)44邻近显示介质层43设置,在一实施例中,密封胶44可包围显示介质层43设置。
在此,背光模块5更可包含一第一间隔层53及一第二间隔层54,分别设置于导光元件51的上表面及下表面,换句话说,第一间隔层53设置于导光元件51和显示面板4之间,第二间隔层54设置于导光元件51和感测元件1之间,但本揭露并不局限于此,例如导光元件51也可仅包含一第一间隔层53,设置于导光元件51的上表面,或者导光元件51也可仅包含一第二间隔层54,设置于导光元件51的下表面。其中,第一间隔层53及第二间隔层54可为空气、氧化硅、氧化铝或其他合适的材料,但本揭露并不局限于此。
图2为本揭露的另一实施例的电子装置的剖面图。其中,图2的电子装置与图1相似,差别在于导光元件51设置于四分之一波片3与感测元件1之间。其余结构如图1所揭露,在此不再赘述。
图3为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。其中,图3的电子装置与图1或2相似,除了以下差异。其中,本实施例以图3作为例示,但本揭露并不局限于此,如图3所示,电子装置还包含一第一阻挡层71,第一阻挡层71设置于导光元件51与感测元件1之间,其中,第一阻挡层71具有多个第一开口711。
在此,第一阻挡层71可为一第一反射层,其材料包含铝、银或其他金属,或其合金,或上述材料的组合,第一阻挡层71也可为一吸光值大于0.5的遮光材料,例如为黑色矩阵(black matrix)或其他合适的材料,但本揭露并不局限于此。在此,第一开口711的形状及大小并无特别限制,例如可为圆形、椭圆形、矩形、或不规则形状,但本揭露并不局限于此。于本实施例中,第一阻挡层71可为一第一反射层,且第一开口711对应感测元件1。在一实施例中,第一开口711的其中一个对应感测元件1的其中一个,在一实施例中,多个第一开口711对应感测元件1的其中一个,在一实施例中,第一开口711的其中一个对应多个感测元件1,在一实施例中,第一开口711的其中一个并未对应感测元件1,但本揭露并不局限于此。
图4为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。其中,图4的电子装置与图3相似,差别在于导光元件51设置于偏光膜2与四分之一波片3之间,但本揭露并不局限于此,于本揭露的另一实施例中,导光元件51可设置于四分之一波片3与感测元件1之间。此外,如图4所示,电子装置还包含一第二阻挡层72,设置于第一阻挡层71与感测元件1之间,其中,第二阻挡层72具有多个第二开口721;以及一缓冲层73,设置于第二阻挡层72与第一阻挡层71之间,其中,第二阻挡层72的吸光值大于0.5,且缓冲层73的吸光值小于0.5。
当感测元件1为指纹传感器时,本揭露通过第一阻挡层71与第二阻挡层72的设置,可提升设置于显示区域A的指纹传感器的分辨率。
在此,第二阻挡层72可为一反射层,其材料包含铝、银或其他金属,或其合金,或上述材料的组合,第二阻挡层72也可为一吸光值大于0.5的遮光材料,例如为黑色矩阵或其他合适的材料,但本揭露并不局限于此。缓冲层73的材料并无特别限制,例如可为玻璃、透明树脂等,但本揭露并不局限于此。第二开口721的形状及大小并无特别限制,例如可为圆形、椭圆形、矩形、或不规则形状,但本揭露并不局限于此。于本实施例中,第二阻挡层72为一黑色矩阵,且第二开口721对应感测元件1。第二开口721与感测元件1的设置关系,相似于第一开口711与感测元件1的设置关系,在此不再赘述。
图5为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。其中,图5的电子装置与图4相似,除了以下差异。如图5所示,电子装置还包含一第二反射层74;以及一第三阻挡层75,设置于第二阻挡层72与第二反射层74之间,其中,第三阻挡层75具有多个第三开口751,且第二开口721的密度与第三开口751的密度可不相同。其中,感测元件1设置于第二阻挡层72与第二反射层74之间。本实施例的电子装置通过第二反射层74的设置,可减薄该电子装置的厚度。
在此,第三阻挡层75的材料可与第二阻挡层72相同,第二反射层74的材料可与第一反射层71相同,在此不再赘述。第三开口751的形状及大小并无特别限制,只要第三开口751的密度与第二开口721不相同即可。于本实施例中,第三开口751的密度大于第二开口721的密度,但本揭露并不局限于此。于本实施例中,第二反射层74可为一图案化反射层,但本揭露并不局限于此。
图6A和图6B为本揭露的电子装置的部分剖面图。其中,图6A和图6B的电子装置与图3或图4相似,差别在于电子装置还包含一第三阻挡层75,设置于第二阻挡层72与感测元件1之间,且具有多个第三开口751;以及一第四阻挡层76,设置于第三阻挡层75与感测元件1之间,且具有多个第四开口761,其中,第四开口761对应感测元件1。第四开口761与感测元件1的设置关系,相似于第一开口711与感测元件1的设置关系,在此不再赘述。在此,图6A与图6B的差异在于缓冲层73的厚度并不相同,如图6A所示,设置于第三阻挡层75与第四阻挡层76之间的缓冲层具有最大厚度;如图6B所示,置于第二阻挡层72与第三阻挡层75之间的缓冲层具有最大厚度,但本揭露并不局限于此。第四阻挡层76可使用与第二阻挡层72相同的材料制成,在此不再赘述。此外,第一开口711、第二开口721、第三开口751、以及第四开口761的形状、大小及位置并无特别限制,例如可如图6A所示,第一开口711、第二开口721、第三开口751、以及第四开口761彼此对齐设置,或者也可如图6B所示,该些第一开口711、第二开口721、第三开口751、以及第四开口761彼此间并非对齐设置,但本揭露并不局限于此。
图6C为本揭露的另一电子装置的部分剖面图。其中,图6C的电子装置与图5相似,差别在于第二反射层74为一整面反射层。此外,感测元件1设置于第三开口751的一个,但本揭露并不局限于此,感测元件1也可设置于第二阻挡层72与第三阻挡层75之间,或者设置于第三阻挡层75与第二反射层74之间。
图7为本揭露的一实施例的电子装置的剖面图。其中,图7的电子显示设备与图5及图6C相似,除了以下差异。如图7所示,电子装置还包含一第四衬底62,设置于第三衬底61上;一导光层63,设置于第三衬底61与第四衬底62之间;以及一第二光源11,邻近于导光元件51、第一衬底41、第二衬底42、第四衬底62、和导光层63的至少一个设置,其中,第二光源11可为一非可见光源。由于为了提升感测元件1的分辨率,电子装置可额外设置第二光源11,以作为感测元件1的光线来源,且为了避免第二光源11影响电子装置的显示效果,将第二光源11设计为非可见光源,但本揭露并不局限于此,只要第二光源11提供的波长能配合感测元件1的侦测即可。
在此,第四衬底62可使用与第三衬底61相同的材料制成;导光层63可使用与导光元件51相同的材料制成,在此不再赘述。第二光源11可为发光二极管,但本揭露并不局限于此。
图8A和图8B为本揭露的另一实施例的电子装置的剖面图。如图8A和图8B所示,本揭露的显示设备可与另一显示设备结合而形成另一电子装置,其中,电子装置包含一第一部份P1及一第二部分P2,且该第一部分P1可为本揭露的电子装置的任一个,第二部分P2可为传统液晶显示设备、发光二极管显示设备、微型发光二极管显示设备、有机发光二极管显示设备、量子点发光二极管显示设备或其组合,但本揭露并不局限于此,电子装置也可与其他显示介质的显示设备结合使用。更具体地,四分之一波片3可仅对应于感测元件1设置,而可降低生产成本。本揭露的一实施例的电子装置如图8A所示,其中,第一部份P1为本揭露的电子装置的任一个,第二部分P2为传统液晶显示设备,包含一反射层101;一背光模块102;一扩散膜103;一增亮膜104;一偏光膜2;一第一衬底41;一第二衬底42;一显示介质层43;以及一第三衬底61;其中显示介质层43可包含液晶,但本揭露并不局限于此。本揭露的另一实施例的电子装置如图8B所示,其中,第一部份P1为本揭露的电子装置的任一个,第二部分P2为发光二极管显示设备,包含一第一衬底41;以及一第四光源105,其中,第四光源105可为有机发光二极管、发光二极管、微型发光二极管、量子点发光二极管或其组合,但本揭露并不局限于此。
图9A和图9B为部分电子装置的示意图。如图9A所示,当反射层81、感测元件82、及开口83各别为等距离规则排列时,感测元件82除了会接收到信号(粗线)外,也会接收到其他噪声(细线),导致敏感度下降。本揭露的一实施例的电子装置可通过分别调整感测元件82、反射层81、及开口83的排列距离,使感测元件82、反射层81、及开口83各别为非等距离排列,以降低感测元件82接收到噪声的情形,进而提升敏感度。如图9B所示,当反射层81、感测元件82、及开口83各别为非等距离排列时,会减少感测元件82接收到噪声的情形。其中,感测元件82未接收到的噪声以虚线表示。更具体地,当由俯视方向观察时,可如图9C所示,每一开口83彼此并非为等距离排列,形成不规则排列,如此可降低感测元件82接收到噪声的情形。
图10A为本揭露的另一实施例的电子装置剖面图。其中,图10A的电子装置与图4相似,除了以下差异。如图10所示,电子装置还包含一第三反射层77,设置于第一阻挡层71与第二阻挡层72之间;以及一第四反射层78,设置于第三反射层77与该感测元件1之间,其中,第四反射层78可具有一弧形结构。如图10B所示,其中,图10B为图10A的部分放大图,由于第四反射层78具有一弧形结构,光线入射至第四反射层78后,会反射至第三反射层77,通过调整第三反射层77及第四反射层78的相对位置可进一步限制收光角,如此可降低感测元件1接收到噪声的情形。
在此,第三反射层77和第四反射层78的材料可包含铝、银或其他金属,或其合金,或上述材料的组合,但本揭露并不局限于此。于本实施例中,第四反射层78可为一凹面镜。
图11为本揭露的另一实施例的电子装置的剖面图。其中,图11的电子装置与图4和图6A相似,差别在于图11的电子装置不包含导光元件。如图11所示,当电子装置为一显示设备时,电子装置可包含:一显示面板91,包含:一第一衬底911;以及一第三光源912,设置于第一衬底911上;一感测元件92;一偏光膜93,设置于感测元件92上;以及一四分之一波片94,设置于感测元件92与偏光膜93之间。更具体地,偏光膜93和四分之一波片94设置于显示面板91上,且四分之一波片94设置于偏光膜93与显示面板91之间。在一实施例中,电子装置可包含一保护层99设置于第三光源912上。举例来说,保护层99可设置于第三光源912和四分之一波片94之间。
于本揭露的一实施例中,该电子装置可还包含一第二阻挡层95,设置于四分之一波片94与感测元件92之间,更具体地,第二阻挡层95设置于显示面板91与感测元件92之间,其中,第二阻挡层95具有多个第二开口951,且第二阻挡层95的吸光值大于0.5。于本揭露的一实施例中,电子装置可还包含一第三阻挡层96,第三阻挡层96具有多个第三开口961,且第三阻挡层96的吸光值大于0.5;以及一缓冲层97,设置于第二阻挡层95与第三阻挡层96之间,且缓冲层97的吸光值小于0.5。
于本实施例中,第二开口951对应感测元件92,但本揭露并不局限于此。第二开口951与感测元件92的设置关系,相似于第一开口711与感测元件1的设置关系,在此不再赘述。在一实施例中,第三光源912可为发光二极管、微型发光二极管、有机发光二极管、或量子点二极管,但本揭露并不局限于此。保护层99可为绝缘层、平坦层、封装层(无机层-有机层-无机层)、阻隔结构、遮光结构、封装结构、光型调整结构,但本揭露并不局限于此。
图12为本揭露的另一实施例的电子装置的剖面图。其中,图12的电子装置与图11相似,差别在于偏光膜93和四分之一波片94设置于显示面板91与感测元件92之间,且偏光膜93设置于显示面板91与四分之一波片94之间。此外,电子装置可还包含一第二反射层98,第三阻挡层96设置于第二阻挡层95与第二反射层98之间,第二阻挡层95设置于四分之一波片94与第三阻挡层96之间,其中,第二开口951的密度与第三开口961的密度不相同。于本揭露的一实施例中,感测元件92设置于第二阻挡层95与第二反射层98之间。于本揭露的一实施例中,感测元件92设置于第二阻挡层95与第三阻挡层96之间。
综上所述,本揭露通过将一四分之一波片设置于感测元件与一偏光膜之间,使感测元件设置于显示区域时不易被看见,以实现全屏显示的电子装置。
以上的具体实施例应被解释为仅仅是说明性的,而不以任何方式限制本公开的其余部分。

Claims (15)

1.一种电子装置,其特征在于,包含:
一感测元件;
一偏光膜,设置于该感测元件上;以及
一四分之一波片,设置于该感测元件与该偏光膜之间。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中,还包含一导光元件,该导光元件设置于该感测元件与该偏光膜之间。
3.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,其中,该导光元件设置于该偏光膜与该四分之一波片之间。
4.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,其中,该导光元件设置于该四分之一波片与该感测元件之间。
5.如权利要求2所述的电子装置,其特征在于,其中,还包含一第一阻挡层,该第一阻挡层设置于该导光元件与该感测元件之间,其中,该第一阻挡层具有多个第一开口。
6.如权利要求5所述的电子装置,其特征在于,其中,该第一阻挡层为一第一反射层,且该些第一开口对应该感测元件。
7.如权利要求5所述的电子装置,其特征在于,其中,还包含一第二阻挡层,设置于该第一阻挡层与该感测元件之间;以及一缓冲层,设置于该第二阻挡层与该第一阻挡层之间,其中,该第二阻挡层的吸光值大于0.5,且该缓冲层的吸光值小于0.5。
8.如权利要求7所述的电子装置,其特征在于,其中,还包含一第二反射层;以及一第三阻挡层,设置于该第二阻挡层与该第二反射层之间,其中,该第二阻挡层具有多个第二开口,该第三阻挡层具有多个第三开口,且该些第二开口的密度与该些第三开口的密度不相同。
9.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,其中,该感测元件设置于该第二阻挡层与该第二反射层之间。
10.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中,该电子装置为一显示设备,该显示设备包含一显示区域,且该感测元件、该偏光膜和该四分之一波片设置于该显示区域。
11.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中,还包含一第二阻挡层,设置于该四分之一波片与该感测元件之间,其中,该第二阻挡层具有多个第二开口,且该第二阻挡层的吸光值大于0.5。
12.如权利要求11所述的电子装置,其特征在于,其中,该些第二开口对应该感测元件。
13.如权利要求11所述的电子装置,其特征在于,其中,还包含一第三阻挡层,该第三阻挡层具有多个第三开口;以及一缓冲层,设置于该第二阻挡层与该第三阻挡层之间,且该缓冲层的吸光值小于0.5。
14.如权利要求13所述的电子装置,其特征在于,其中,还包含一第二反射层,该第三阻挡层设置于该第二阻挡层与该第二反射层之间,其中,该些第二开口的密度与该些第三开口的密度不相同。
15.如权利要求14所述的电子装置,其特征在于,其中,该感测元件设置于该第二阻挡层与该第二反射层之间。
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