CN109865832A - 一种铜金属粉末的深加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铜金属粉末的深加工方法,清洗铜金属原料,对铜金属原料进行清洗过滤,将上清液存放至反应容器中,向容器中加入还原剂,得到液体与铜金属混合物备用;将步骤一中的铜金属进行热处理1‑2h,放入成型机压制成型,制得粉末状铜金属;对粉末状铜金属进行雾化,并且加入添加剂,使得添加剂气化在铜金属粉末表面形成一层防止氧化和结块的保护层;将步骤三中的铜金属送入熔炼区熔炼,本发明所述的一种铜金属粉末的深加工方法,应用本发明方法生产铜金属粉末,该金属粉末产品氧化变质率可有效控制在0.1%‑2%之间,制得的铜金属粉末导电性能极佳,具有很强的抗性和柔韧性,同时工艺操作简单,具有很大的使用前景。
Description
技术领域
本发明属于新材料领域,特别涉及一种铜金属粉末的深加工方法。
背景技术
铜是一种过渡元素,化学符号Cu,英文copper,原子序数29。纯铜是柔软的金属,表面刚切开时为红橙色带金属光泽,单质呈紫红色。延展性好,导热性和导电性高,因此在电缆和电气、电子元件是最常用的材料,也可用作建筑材料,可以组成众多种合金。铜合金机械性能优异,电阻率很低,其中最重要的数青铜和黄铜。此外,铜也是耐用的金属,可以多次回收而无损其机械性能;
而现有铜金属粉末深加工时,不能够很好地控制氧化变质率,抗性和柔韧性效果不佳,同时工艺复杂,为此,我们提出一种铜金属粉末的深加工方法。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种铜金属粉末的深加工方法,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种铜金属粉末的深加工方法,该铜金属粉末的深加工方法包括以下步骤:
步骤一、清洗铜金属原料,对铜金属原料进行清洗过滤,将上清液存放至反应容器中,向容器中加入还原剂,得到液体与铜金属混合物备用;
步骤二、将步骤一中的铜金属进行热处理1-2h,放入成型机压制成型,制得粉末状铜金属;
步骤三、对粉末状铜金属进行雾化,并且加入添加剂,使得添加剂气化在铜金属粉末表面形成一层防止氧化和结块的保护层;
步骤四、将步骤三中的铜金属送入熔炼区熔炼,在氮气的气氛下,采用高频感应线圈将铜金属熔化成金属液流雾化,采用高速旋转的容器将金属液流雾化成金属液滴,将雾化后得到的金属液滴冷却并收集;
步骤五、通过将金属液滴与还原气体接触混合的气相还原反应,在气流中使金属颗粒生成,从气相还原反应后的气流中捕集金属颗粒从而得到铜金属粉末;
步骤六、对步骤五中的铜金属粉末进行检测,检测合格的封装,检测不合格的重新纳入下一次工序提炼。
优选的,步骤二中的添加剂为苯并三氮唑。
优选的,苯并三氮唑其加入量占熔化后的铜金属液重量的0.01-0.02%。
优选的,制得铜金属粉末的粒径为0.01um-0.05um。
优选的,所述还原剂为氢化铝锂。
优选的,步骤一种的反应容器需升温至50-80℃。
优选的,步骤二中成型机压制成型后铜金属的体积为3*4*5cm3。
优选的,熔炼区熔炼温度控制在350-400℃。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:该铜金属粉末的深加工方法,应用本发明方法生产铜金属粉末,该金属粉末产品氧化变质率可有效控制在0.1%-2%之间,制得的铜金属粉末导电性能极佳,具有很强的抗性和柔韧性,同时工艺操作简单,具有很大的使用前景。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
本发明的铜金属粉末的深加工方法,在制备时,首先清洗铜金属原料,对铜金属原料进行清洗过滤,将上清液存放至反应容器中,反应容器需升温至50-80℃,向容器中加入还原剂,还原剂为氢化铝锂,氢化铝锂在常温下是亚稳的,在长时间的贮存中,氢化铝锂会分解成Li3AlH6和LiH,这一过程可以通过钛、铁、钒等助催化元素来加速得到液体与铜金属混合物备用,由于氢化铝锂是亚稳的,但是当与铜金属接触时,呈现化学稳定性,在另一方面与铜金属接触利于对铜金属提纯与深加工;接着将铜金属进行热处理1-2h,放入成型机压制成型,成型机压制成型后铜金属的体积为3*4*5cm3,制得粉末状铜金属,压制成型后铜金属具有一定规格,便于下个工序的雾化处理,使最终制得的铜金属粉末显微结构稳定,间隙均匀;对粉末状铜金属进行雾化,并且加入添加剂,添加剂为苯并三氮唑,苯并三氮唑其加入量占熔化后的铜金属液重量的0.01-0.02%,使得添加剂气化在铜金属粉末表面形成一层防止氧化和结块的保护层;将铜金属送入熔炼区熔炼,熔炼区熔炼温度控制在350-400℃,在氮气的气氛下,采用高频感应线圈将铜金属熔化成金属液流雾化,采用高速旋转的容器将金属液流雾化成金属液滴,将雾化后得到的金属液滴冷却并收集;通过将金属液滴与还原气体接触混合的气相还原反应,在气流中使金属颗粒生成,从气相还原反应后的气流中捕集金属颗粒从而得到铜金属粉末;对铜金属粉末进行检测,检测合格的封装,检测不合格的重新纳入下一次工序提炼,从而完成铜金属粉末的深加工处理,最终制得铜金属粉末的粒径为0.01um-0.05um,该金属粉末产品氧化变质率可有效控制在0.1%-2%之间,制得的铜金属粉末导电性能极佳,具有很强的抗性和柔韧性。
实施例1
对铜金属原料进行清洗过滤,将上清液存放至反应容器中,向容器中加入还原剂,得到液体与铜金属混合物备用;将铜金属进行热处理1h,放入成型机压制成型,制得粉末状铜金属;对粉末状铜金属进行雾化,并且加入添加剂,使得添加剂气化在铜金属粉末表面形成一层防止氧化和结块的保护层;将铜金属送入熔炼区熔炼,在氮气的气氛下,采用高频感应线圈将铜金属熔化成金属液流雾化,采用高速旋转的容器将金属液流雾化成金属液滴,将雾化后得到的金属液滴冷却并收集;通过将金属液滴与还原气体接触混合的气相还原反应,在气流中使金属颗粒生成,从气相还原反应后的气流中捕集金属颗粒从而得到铜金属粉末;对铜金属粉末进行检测,检测合格的封装,检测不合格的重新纳入下一次工序提炼,其中添加剂为苯并三氮唑,苯并三氮唑其加入量占熔化后的铜金属液重量的0.012%,还原剂为氢化铝锂,反应容器需升温至50℃,成型机压制成型后铜金属的体积为3*4*5cm3,熔炼区熔炼温度控制在350℃;最终经检测制得铜金属粉末的粒径为0.01um,显微结构间隙均匀,密度8.960g/cm³。
实施例2
对铜金属原料进行清洗过滤,将上清液存放至反应容器中,向容器中加入还原剂,得到液体与铜金属混合物备用;将铜金属进行热处理2h,放入成型机压制成型,制得粉末状铜金属;对粉末状铜金属进行雾化,并且加入添加剂,使得添加剂气化在铜金属粉末表面形成一层防止氧化和结块的保护层;将铜金属送入熔炼区熔炼,在氮气的气氛下,采用高频感应线圈将铜金属熔化成金属液流雾化,采用高速旋转的容器将金属液流雾化成金属液滴,将雾化后得到的金属液滴冷却并收集;通过将金属液滴与还原气体接触混合的气相还原反应,在气流中使金属颗粒生成,从气相还原反应后的气流中捕集金属颗粒从而得到铜金属粉末;对铜金属粉末进行检测,检测合格的封装,检测不合格的重新纳入下一次工序提炼,其中添加剂为苯并三氮唑,苯并三氮唑其加入量占熔化后的铜金属液重量的0.02%,还原剂为氢化铝锂,反应容器需升温至80℃,成型机压制成型后铜金属的体积为3*4*5cm3,熔炼区熔炼温度控制在400℃;最终经检测制得铜金属粉末的粒径为0.02um,显微结构间隙均匀,密度7.960g/cm³。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (8)
1.一种铜金属粉末的深加工方法,其特征在于,该铜金属粉末的深加工方法包括以下步骤:
步骤一、清洗铜金属原料,对铜金属原料进行清洗过滤,将上清液存放至反应容器中,向容器中加入还原剂,得到液体与铜金属混合物备用;
步骤二、将步骤一中的铜金属进行热处理1-2h,放入成型机压制成型,制得粉末状铜金属;
步骤三、对粉末状铜金属进行雾化,并且加入添加剂,使得添加剂气化在铜金属粉末表面形成一层防止氧化和结块的保护层;
步骤四、将步骤三中的铜金属送入熔炼区熔炼,在氮气的气氛下,采用高频感应线圈将铜金属熔化成金属液流雾化,采用高速旋转的容器将金属液流雾化成金属液滴,将雾化后得到的金属液滴冷却并收集;
步骤五、通过将金属液滴与还原气体接触混合的气相还原反应,在气流中使金属颗粒生成,从气相还原反应后的气流中捕集金属颗粒从而得到铜金属粉末;
步骤六、对步骤五中的铜金属粉末进行检测,检测合格的封装,检测不合格的重新纳入下一次工序提炼。
2.根据权利要求1所述的一种铜金属粉末的深加工方法,其特征在于:步骤三中的添加剂为苯并三氮唑。
3.根据权利要求1或2所述的一种铜金属粉末的深加工方法,其特征在于:苯并三氮唑其加入量占熔化后的铜金属液重量的0.01-0.02%。
4.根据权利要求1所述的一种铜金属粉末的深加工方法,其特征在于:制得铜金属粉末的粒径为0.01um-0.05um。
5.根据权利要求1所述的一种铜金属粉末的深加工方法的制备工艺,其特征在于:所述还原剂为氢化铝锂。
6.根据权利要求1所述的一种铜金属粉末的深加工方法,其特征在于:步骤一种的反应容器需升温至50-80℃。
7.根据权利要求1所述的一种铜金属粉末的深加工方法,其特征在于:步骤二中成型机压制成型后铜金属的体积为3*4*5cm3。
8.根据权利要求1所述的一种铜金属粉末的深加工方法,其特征在于:熔炼区熔炼温度控制在350-400℃。
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