CN109861513B

CN109861513B - 电源设备的控制装置及方法

Info

Publication number: CN109861513B
Application number: CN201711232512.0A
Authority: CN
Inventors: 坂井邦崇; 船仓清一
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 2017-11-30
Filing date: 2017-11-30
Publication date: 2021-10-22
Anticipated expiration: 2037-11-30
Also published as: CN109861513A

Abstract

本发明实施例提供一种电源设备的控制装置及方法。所述控制装置包括：输入电路，高压电平移位电路，高压驱动电路以及过电流保护电路；其中，在所述过电流保护电路产生过电流保护信号的情况下，所述高压电平移位电路还向所述高压驱动电路输出第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与第一高压关闭信号相比使高压侧电源设备在更长的时间内被关闭。由此，在进行过电流保护的情况下，在关闭高压侧电源设备时能够降低甚至消除负电位浪涌。

Description

电源设备的控制装置及方法

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种电源设备的控制装置及方法。

背景技术

电源设备可以包括高压侧电源设备和/或低压侧电源设备；在对电源设备进行控制的控制装置中，也可以具有高压驱动电路和/或低压驱动电路。高压驱动电路可以根据高压输入信号产生高压驱动信号，对高压侧电源设备进行开启(ON)或关闭(OFF)的操作；低压驱动电路可以根据低压输入信号产生低压驱动信号，对低压侧电源设备进行开启(ON)或关闭(OFF)的操作。

例如，在高压侧可以设置输入电路、高压电平移位电路和高压驱动电路等。该输入电路可以根据高压输入信号(例如用HIN表示)产生脉冲信号，该脉冲信号例如是设置(SET)信号或重置(RESET)信号，该高压电平移位电路可以根据该SET信号或该RESET信号产生开启(ON)信号或关闭(OFF)信号，对高压侧电源设备进行驱动。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

发明人发现：在进行过电流保护(OCP，Over Current Protection)的情况下，当将电源设备关闭(OFF)时，会因为线电感分量而产生反电动势，从而导致负电位浪涌(surge)的产生。

本发明实施例提供一种电源设备的控制装置及方法；期望在进行过电流保护的情况下，在关闭高压侧电源设备时能够降低甚至消除负电位浪涌。

根据本发明实施例的第一个方面，提供一种电源设备的控制装置，包括：

输入电路，其根据高压输入信号至少产生第一高压脉冲信号和/或第二高压脉冲信号；

高压电平移位电路，其根据所述第一高压脉冲信号或所述第二高压脉冲信号产生用于对高压侧电源设备进行开关的高压开启信号或第一高压关闭信号；

高压驱动电路，其根据所述高压开启信号或所述第一高压关闭信号驱动所述高压侧电源设备；以及

过电流保护电路，其根据流过所述高压侧电源设备的电流信息产生过电流保护信号，并且将所述过电流保护信号输出到所述输入电路中；

其中，在所述过电流保护电路产生所述过电流保护信号的情况下，所述高压电平移位电路还向所述高压驱动电路输出第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与所述第一高压关闭信号相比使所述高压侧电源设备在更长的时间内被关闭。

根据本发明实施例的第二个方面，提供一种负载驱动装置，所述负载驱动装置包括高压侧电源设备以及如上第一方面所述的控制装置。

根据本发明实施例的第三个方面，提供一种负载装置，所述负载驱动装置包括负载以及如上第二方面所述的负载驱动装置。

根据本发明实施例的第四个方面，提供一种电源设备的控制方法，包括：

根据高压输入信号至少产生第一高压脉冲信号和/或第二高压脉冲信号；

根据所述第一高压脉冲信号或所述第二高压脉冲信号产生用于对高压侧电源设备进行开关的高压开启信号或第一高压关闭信号；

根据所述高压开启信号或所述第一高压关闭信号驱动所述高压侧电源设备；以及

在产生过电流保护信号的情况下产生第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与所述第一高压关闭信号相比使所述高压侧电源设备在更长的时间内被关闭。

本发明实施例的有益效果在于：通过在产生过电流保护信号时，产生与第一高压关闭信号相比使高压侧电源设备在更长的时间内被关闭的第二高压关闭信号，可以使得所述高压侧电源设备在一段时间内被缓慢地关闭；由此，在进行过电流保护的情况下，在关闭高压侧电源设备时能够降低甚至消除负电位浪涌。

参照后文的说明和附图，详细公开了本发明的特定实施方式，指明了本发明的原理可以被采用的方式。应该理解，本发明的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本发明的实施方式包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

在本发明实施例的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。此外，在附图中，类似的标号表示几个附图中对应的部件，并可用于指示多于一种实施方式中使用的对应部件。

图1是本发明实施例的电源设备的控制装置的一示意图；

图2是本发明实施例的电源设备的控制装置的另一示意图；

图3是图2所示控制装置200的各个信号的时序示意图；

图4是本发明实施例的电源设备的控制装置的再一示意图；

图5是本发明实施例的控制装置以及周围电路的示例图；

图6是图4所示控制装置400的各个信号的时序示意图；

图7是本发明实施例的高压驱动电路的示例图；

图8是本发明实施例的电源设备的控制方法的一示意图。

具体实施方式

参照附图，通过下面的说明书，本发明的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本发明的特定实施方式，其表明了其中可以采用本发明的原则的部分实施方式，应了解的是，本发明不限于所描述的实施方式，相反，本发明包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。

在本发明实施例中，术语“第一”、“第二”等用于对不同元素从称谓上进行区分，但并不表示这些元素的空间排列或时间顺序等，这些元素不应被这些术语所限制。术语“和/或”包括相关联列出的术语的一种或多个中的任何一个和所有组合。术语“包含”、“包括”、“具有”等是指所陈述的特征、元素、元件或组件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其他特征、元素、元件或组件。

在本发明实施例中，单数形式“一”、“该”等包括复数形式，应广义地理解为“一种”或“一类”而并不是限定为“一个”的含义；此外术语“所述”应理解为既包括单数形式也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。此外术语“根据”应理解为“至少部分根据……”，术语“基于”应理解为“至少部分基于……”，除非上下文另外明确指出。

实施例1

本发明实施例提供一种电源设备的控制装置，至少对高压侧电源设备进行控制。

图1是本发明实施例的电源设备的控制装置的一示意图，如图1所示，控制装置100包括：

输入电路101，其根据高压输入信号至少产生第一高压脉冲信号和/或第二高压脉冲信号；

高压电平移位电路102，其根据所述第一高压脉冲信号或所述第二高压脉冲信号产生用于对高压侧电源设备110进行开关的高压开启信号或第一高压关闭信号；

高压驱动电路103，其根据所述高压开启信号或所述第一高压关闭信号驱动所述高压侧电源设备110；以及

过电流保护电路104，其根据流过所述高压侧电源设备的电流的信息产生过电流保护信号，并且将所述过电流保护信号输出到所述输入电路101中。

在本实施例中，在所述过电流保护电路104产生所述过电流保护信号的情况下，所述高压电平移位电路102还向所述高压驱动电路103输出第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与所述第一高压关闭信号相比使所述高压侧电源设备110在更长的时间内被关闭。

在本实施例中，所述高压驱动电路103可以根据所述第二高压关闭信号向所述高压侧电源设备110输出在一段时间内电平缓慢变化(例如下降)的高压驱动信号，使得所述高压侧电源设备110在所述一段时间内被缓慢地关闭。例如，所述高压驱动信号可以呈斜线状或阶梯状；但本发明不限于此。

在本实施例中，所述高压侧电源设备110可以是如下的晶体管元件，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal-Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)，或者绝缘栅极双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)等等；但本发明不限于此，例如还可以是其他的半导体器件。

由此，通过在产生过电流保护信号时，产生与第一高压关闭信号相比使高压侧电源设备在更长的时间内被关闭的第二高压关闭信号，可以使得所述高压侧电源设备110在一段时间内被缓慢地关闭；这样，在进行过电流保护的情况下，在关闭高压侧电源设备110时能够降低甚至消除负电位浪涌。

在一个实施方式中，所述输入电路101根据所述过电流保护信号还产生第三高压脉冲信号，并且所述高压电平移位电路102还根据所述第三高压脉冲信号产生所述第二高压关闭信号。

图2是本发明实施例的电源设备的控制装置的另一示意图，控制装置200可以对高压侧电源设备210进行控制。如图2所示，该控制装置200包括：输入电路201、高压电平移位电路202、高压驱动电路203和过电流保护电路204。

如图2所示，在通常情况下，输入电路201(例如可以包括脉冲生成器)可以根据高压输入信号(例如图2中所示的HIN1、HIN2和HIN3)产生第一脉冲信号(例如图2所示的SET信号)或第二脉冲信号(例如图2所示的RESET信号)；高压电平移位电路202根据该SET信号或RESET信号产生高压开启信号(以下用通常ON信号表示)或第一高压关闭信号(以下用通常OFF信号表示)。

如图2所示，控制装置200还可以包括：锁存电路205，其将经过滤波器后的通常ON信号或通常OFF信号进行锁存，并将锁存后的通常ON信号或通常OFF信号输出到高压驱动电路203。该高压驱动电路203根据该通常ON信号或该通常OFF信号对高压侧电源设备210进行ON/OFF的控制。此外，控制装置200还可以包括逻辑电路等，为简单起见在图2中被省略。

如图2所示，过电流保护电路204可以根据流过高压侧电源设备210的电流的信息(例如用OCP表示)产生过电流保护信号(例如用OCP信号表示)，该OCP信号例如经过滤波器后被输入到该输入电路201中。该输入电路201还可以根据该OCP信号产生第三高压脉冲信号(以下用软OFF 1信号或soft OFF 1信号表示)。该高压电平移位电路202还根据该softOFF 1信号产生所述第二高压关闭信号(以下用软OFF 2信号或soft OFF 2信号表示)。

在本实施方式中，该控制装置200内可以设置有三个晶体管，分别生成该通常ON信号、通常OFF信号和软OFF 2信号。例如可以具有三个横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS，Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)；但本发明不限于此。

如图2所示，经过滤波器后的该soft OFF 2信号不经过锁存电路205而被输入到高压驱动电路203。该高压驱动电路203根据该soft OFF 2信号对高压侧电源设备210进行OFF的控制。

图3是图2所示控制装置200的各个信号的时序示意图，如图3所示，在HIN信号的驱动下，通常可以产生SET信号或RESET信号，从而产生通常ON信号或通常OFF信号，由此产生高压驱动信号(如图3所示的HO信号)。

如图3所示，在产生OCP的情况下会出现OCP信号，在OCP信号的驱动下可以产生软OFF 1信号。如图3所示，没有经过锁存电路的软OFF 1信号可以产生软OFF 2信号，该软OFF2信号被输入到高压驱动电路203后，会产生能够使得高压侧电源设备210在一段时间内被缓慢地关闭的高压驱动信号。如图3的HO信号中的A处所示，该HO信号在一段时间内电平缓慢下降，该段HO信号可以呈斜线状或阶梯状；但本发明不限于此。

如图3所示，在OCP保持时间内，当长时间输出软OFF信号时可能出现LDMOS发热而损耗的情况，因此如图3所示，可以在软OFF 1信号之后输出RESET信号从而进行OFF锁存，由此可以减少LDMOS的损耗。此外，如图3所示，为了形成软OFF 1的时间，可以将软OFF 1信号的脉冲宽度设置成宽于RESET信号的脉冲宽度。

在本实施例中，所述高压侧电源设备210被关闭的期间比过电流保护的期间延长预定的时间。例如如图3所示，该预定时间为图3中L所示的一段时间。例如，所述预定的时间为5微秒(μs)以上；但本发明不限于此。由此通过延长过电流保护时间，可以进一步抑制高压侧电源设备210的发热。

在本实施方式中，如图2所示，控制装置200还可以对低压侧电源设备220进行控制。所述输入电路201还可以根据低压输入信号(例如如图2所示的LIN1，LIN2和LIN3)至少产生用于对低压侧电源设备220进行开关的低压开启(通常ON)信号、第一低压关闭(通常OFF)信号或第二低压关闭(软OFF)信号。

如图2所示，所述控制装置200还可以包括：低压驱动电路206，其根据所述低压开启信号、所述第一低压关闭信号或者所述第二低压关闭信号，驱动(例如使用图2所示的LO信号)所述低压侧电源设备220；其中，所述第二低压关闭信号与所述第一低压关闭信号相比使所述低压侧电源设备在更长的时间内被关闭。

如图2所示，图2中仅简要地对低压侧的情况进行了说明，但本发明不限于此，例如可以和高压侧类似地，还具有低压侧电平移位电路和锁存电路等等；本发明不再对此赘述。

值得注意的是，以上图2仅对本发明实施例进行了示意性说明，但本发明不限于此。例如可以适当地调整各个模块或部件之间的连接关系，此外还可以增加其他的一些模块或部件，或者减少其中的某些模块或部件。本领域的技术人员可以根据上述内容进行适当地变型，而不仅限于上述附图2的记载。

在另一个实施方式中，所述输入电路101可以根据所述过电流保护信号产生所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号的组合，并且所述高压电平移位电路102还可以根据所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号的组合产生所述第二高压关闭信号。

例如，所述高压电平移位电路102可以在所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号均为高电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号均为低电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号为高电平且所述第二高压脉冲信号为低电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号为低电平且所述第二高压脉冲信号为高电平的情况下产生所述第二高压关闭信号。

以下将以在第一高压脉冲信号和第二高压脉冲信号均为高电平的情况下产生第二高压关闭信号为例进行说明；但本发明不限于此。

图4是本发明实施例的电源设备的控制装置的再一示意图，控制装置400可以对高压侧电源设备410进行控制。如图4所示，该控制装置400包括：输入电路401、高压电平移位电路402、高压驱动电路403和过电流保护电路404。

如图4所示，在通常情况下，输入电路401可以根据高压输入信号(例如图4中所示的HIN1、HIN2和HIN3)产生第一脉冲信号(例如图4所示的SET信号)或第二脉冲信号(例如图4所示的RESET信号)；高压电平移位电路402根据该SET信号或RESET信号产生高压开启信号(以下用通常ON信号表示)或第一高压关闭信号(以下用通常OFF信号表示)。

如图4所示，控制装置400还可以包括：锁存电路405，其将经过滤波器后的通常ON信号或通常OFF信号进行锁存，并将锁存后的通常ON信号或通常OFF信号输出到高压驱动电路403。该高压驱动电路403根据该通常ON信号或该通常OFF信号对高压侧电源设备410进行ON/OFF的控制。

如图4所示，过电流保护电路404可以根据流过高压侧电源设备410的电流信息(例如用OCP表示)产生过电流保护信号(例如用OCP信号表示)，该OCP信号例如经过滤波器后被输入到该输入电路401中。该输入电路401还可以根据该OCP信号同时产生高电平的SET信号和RESET信号。该高压电平移位电路402还根据高电平的SET信号和RESET信号产生所述第二高压关闭信号(以下用软OFF信号或softOFF信号表示)。

在本实施方式中，该控制装置400内可以设置有两个晶体管，分别生成该通常ON信号和通常OFF信号。例如可以具有两个横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS，LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor)；但本发明不限于此。

图5是本发明实施例的控制装置以及周围电路的示例图，如图5所示，控制装置500中在设置两个LDMOS 501和502的情况下，就可以产生软OFF信号对电源设备进行缓慢关闭。因此，与图2的实施方式相比，本实施方式的结构能够降低电路面积，减少集成电路(IC，Integrated Circuit)的成本。

如图4所示，经过滤波器后的该软OFF信号不经过锁存电路405而被输入到高压驱动电路403。该高压驱动电路403根据该软OFF信号对高压侧电源设备410进行OFF的控制。

图6是图4所示控制装置400的各个信号的时序示意图，如图6所示，在HIN信号的驱动下，通常可以产生SET信号或RESET信号，从而产生通常ON信号或通常OFF信号，由此产生高压驱动信号(如图6所示的HO信号)。

如图6所示，在产生OCP的情况下会出现OCP信号，在OCP信号的驱动下可以同时产生高电平的SET信号和RESET信号，从而产生软OFF信号。没有经过锁存电路的软OFF信号被输入到高压驱动电路403后，会产生能够使得高压侧电源设备410在一段时间内被缓慢地关闭的高压驱动信号。如图6的HO信号中的A处所示，该HO信号在一段时间内电平缓慢下降，该段HO信号可以呈斜线状或阶梯状；但本发明不限于此。

如图6所示，在OCP保持时间内，当长时间输出软OFF信号时可能出现LDMOS发热而损耗的情况，因此如图6所示，可以在软OFF信号之后输出RESET信号从而进行OFF锁存，由此可以减少LDMOS的损耗。此外，如图6所示，为了形成软OFF的时间，可以将此时的SET信号的脉冲宽度设置成宽于通常SET信号的脉冲宽度，将此时的RESET信号的脉冲宽度设置成宽于通常RESET信号的脉冲宽度。

在本实施例中，所述高压侧电源设备410被关闭的期间比过电流保护的期间延长预定的时间。例如如图6所示，该预定时间为图6中L所示的一段时间。例如，所述预定的时间为5微秒(μs)以上；但本发明不限于此。由此通过延长过电流保护时间，可以进一步抑制高压侧电源设备410的发热。

在本实施方式中，如图4所示，控制装置400还可以对低压侧电源设备420进行控制。所述输入电路401还可以根据低压输入信号(例如如图4所示的LIN1，LIN2和LIN3)至少产生用于对低压侧电源设备420进行开关的低压开启(通常ON)信号、第一低压关闭(通常OFF)信号或第二低压关闭(软OFF)信号。

如图4所示，所述控制装置400还可以包括：低压驱动电路406，其根据所述低压开启信号(图4中用通常ON表示)、所述第一低压关闭信号(图4中用通常OFF表示)或者所述第二低压关闭信号(图4中用软OFF表示)驱动所述低压侧电源设备420；其中，所述第二低压关闭信号与所述第一低压关闭信号相比使所述低压侧电源设备在更长的时间内被关闭。

如图4和5所示，图4和5中仅简要地对低压侧的情况进行了说明，但本发明不限于此，例如可以和高压侧类似地，还具有低压侧电平移位电路和锁存电路等等；本发明不再对此赘述。

值得注意的是，以上图4和5仅对本发明实施例进行了示意性说明，但本发明不限于此。例如可以适当地调整各个模块或部件之间的连接关系，此外还可以增加其他的一些模块或部件，或者减少其中的某些模块或部件。本领域的技术人员可以根据上述内容进行适当地变型，而不仅限于上述附图4和5的记载。

以上对于本发明实施例的控制装置的整体结构进行了示例性说明，以下对于本发明实施例中高压驱动电路如何根据软OFF信号产生高压驱动信号进行示意性说明。

图7是本发明实施例的高压驱动电路的示例图，如图7所示，软OFF信号所对应的OFF侧栅极(或者也可称为门极，用G表示)电阻相对于通常OFF信号所对应的OFF侧栅极电阻更大，能够产生如图3或图6所示的HO信号。关于具体如何根据软OFF信号产生驱动信号，还可以参考相关技术，例如JP2014-117112，此处不再赘述。

此外，如图7所示，Pch可以表示MOS管的P沟道，Nch可以表示MOS管的N沟道。图7仅示例性进行了说明，但本发明不限于此，例如可以根据实际场景确定具体的晶体管或开关元件；而关于MOS管的具体内容，例如P沟道和N沟道、栅极电阻、源极(用S表示)和漏极(用D表示)以及如何进行ON/OFF的控制，也可以参考相关技术。

值得注意的是，以上图7仅对本发明实施例进行了示意性说明，但本发明不限于此。例如可以适当地调整各个模块或部件之间的连接关系，此外还可以增加其他的一些模块或部件，或者减少其中的某些模块或部件。本领域的技术人员可以根据上述内容进行适当地变型，而不仅限于上述附图7的记载。

由上述实施例可知，通过在产生过电流保护信号时，产生与第一高压关闭信号相比使高压侧电源设备在更长的时间内被关闭的第二高压关闭信号，可以使得所述高压侧电源设备在一段时间内被缓慢地关闭；由此，在进行过电流保护的情况下，在关闭高压侧电源设备时能够降低甚至消除负电位浪涌。

实施例2

本发明实施例提供一种负载驱动装置，所述负载驱动装置包括高压侧电源设备和/或低压侧电源设备，此外还包括如实施例1所述的控制装置。由于在上述实施例1中，已经对该控制装置的结构和原理进行了详细说明，其内容被包含于此，在此不再赘述。

本发明实施例还提供一种负载装置，所述负载装置包括负载以及如上所述的负载驱动装置。该负载装置例如可以是电机装置，但本发明不限于此，还可以是任意的具有电源设备及其控制电路的装置。

实施例3

本发明实施例还提供一种电源设备的控制方法，对应于实施例1所述的电源设备的控制装置，本实施例与实施例1相同的内容不再赘述。

图8是本发明实施例的电源设备的控制方法的示意图，如图8所示，所述控制方法包括：

步骤801：根据高压输入信号至少产生第一高压脉冲信号和/或第二高压脉冲信号；

步骤802：根据所述第一高压脉冲信号或所述第二高压脉冲信号产生用于对高压侧电源设备进行开关的高压开启信号或第一高压关闭信号；

步骤803、根据所述高压开启信号或所述第一高压关闭信号驱动所述高压侧电源设备；以及

步骤804、在产生过电流保护信号的情况下产生第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与所述第一高压关闭信号相比使所述高压侧电源设备在更长的时间内被关闭。

在本实施例中，可以根据所述第二高压关闭信号向所述高压侧电源设备输出在一段时间内电平缓慢下降的高压驱动信号，使得所述高压侧电源设备在所述一段时间内被缓慢地关闭。例如，所述高压驱动信号呈斜线状或阶梯状。

在本实施例中，所述高压开启信号或所述第一高压关闭信号可以被锁存，而所述第二高压关闭信号不被锁存。

在本实施例中，所述高压侧电源设备被关闭的期间比过电流保护的期间延长预定的时间。例如，所述预定的时间为5微秒以上。由此通过延长过电流保护时间，可以进一步抑制高压侧电源设备的发热。

在本实施例中，还可以根据低压输入信号至少产生用于对低压侧电源设备进行开关的低压开启信号、第一低压关闭信号或第二低压关闭信号；并且根据所述低压开启信号、所述第一低压关闭信号或者所述第二低压关闭信号驱动所述低压侧电源设备；其中，所述第二低压关闭信号与所述第一低压关闭信号相比使所述低压侧电源设备在更长的时间内被关闭。

值得注意的是，以上图8仅对本发明实施例进行了示意性说明，但本发明不限于此。例如可以适当地调整各个步骤之间的执行顺序，此外还可以增加其他的一些步骤，或者减少其中的某些步骤。本领域的技术人员可以根据上述内容进行适当地变型，而不仅限于上述附图8的记载。

本发明以上的装置和方法可以由硬件实现，也可以由硬件结合软件实现。本发明涉及这样的计算机可读程序，当该程序被逻辑部件所执行时，能够使该逻辑部件实现上文所述的装置或构成部件，或使该逻辑部件实现上文所述的各种方法或步骤。本发明还涉及用于存储以上程序的存储介质，如硬盘、磁盘、光盘、DVD、flash存储器等。

结合本发明实施例描述的方法/装置可直接体现为硬件、由处理器执行的软件模块或二者组合。例如，图中所示的功能框图中的一个或多个和/或功能框图的一个或多个组合，既可以对应于计算机程序流程的各个软件模块，亦可以对应于各个硬件模块。这些软件模块，可以分别对应于图中所示的各个步骤。这些硬件模块例如可利用现场可编程门阵列(FPGA)将这些软件模块固化而实现。

软件模块可以位于RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或者本领域已知的任何其它形式的存储介质。可以将一种存储介质耦接至处理器，从而使处理器能够从该存储介质读取信息，且可向该存储介质写入信息；或者该存储介质可以是处理器的组成部分。处理器和存储介质可以位于ASIC中。该软件模块可以存储在移动终端的存储器中，也可以存储在可插入移动终端的存储卡中。例如，若设备(如移动终端)采用的是较大容量的MEGA-SIM卡或者大容量的闪存装置，则该软件模块可存储在该MEGA-SIM卡或者大容量的闪存装置中。

针对附图中描述的功能方框中的一个或多个和/或功能方框的一个或多个组合，可以实现为用于执行本发明所描述功能的通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或者其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件或者其任意适当组合。针对附图描述的功能方框中的一个或多个和/或功能方框的一个或多个组合，还可以实现为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、与DSP通信结合的一个或多个微处理器或者任何其它这种配置。

以上结合具体的实施方式对本发明进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本发明保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本发明的精神和原理对本发明做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本发明的范围内。

Claims

1.一种电源设备的控制装置，其特征在于，所述控制装置包括：

过电流保护电路，其根据流过所述高压侧电源设备的电流的信息产生过电流保护信号，并且将所述过电流保护信号输出到所述输入电路中；

其中，在所述过电流保护电路产生所述过电流保护信号的情况下，所述高压电平移位电路还向所述高压驱动电路输出第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与所述第一高压关闭信号相比使所述高压侧电源设备在更长的时间内被关闭，

其中，所述输入电路根据所述过电流保护信号还产生所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号的组合，并且所述高压电平移位电路还根据所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号的组合产生所述第二高压关闭信号，

其中，所述高压电平移位电路在所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号均为高电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号均为低电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号为高电平且所述第二高压脉冲信号为低电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号为低电平且所述第二高压脉冲信号为高电平的情况下产生所述第二高压关闭信号。

2.根据权利要求1所述的控制装置，其中，所述高压驱动电路根据所述第二高压关闭信号向所述高压侧电源设备输出在一段时间内电平缓慢变化的高压驱动信号，使得所述高压侧电源设备在所述一段时间内被缓慢地关闭。

3.根据权利要求2所述的控制装置，其中，所述高压驱动信号呈斜线状或阶梯状。

4.根据权利要求1所述的控制装置，其中，所述控制装置还包括：

锁存电路，其将所述高压开启信号或所述第一高压关闭信号进行锁存，并将锁存后的高压开启信号或第一高压关闭信号输出到所述高压驱动电路。

5.根据权利要求4所述的控制装置，其中，所述锁存电路不对所述第二高压关闭信号进行锁存。

6.根据权利要求1所述的控制装置，其中，所述高压侧电源设备被关闭的期间比过电流保护的期间延长预定的时间。

7.根据权利要求6所述的控制装置，其中，所述预定的时间为5微秒以上。

8.根据权利要求1所述的控制装置，其中，所述输入电路还根据低压输入信号至少产生用于对低压侧电源设备进行开关的低压开启信号、第一低压关闭信号或第二低压关闭信号；

所述控制装置还包括：

低压驱动电路，其根据所述低压开启信号、所述第一低压关闭信号或者所述第二低压关闭信号驱动所述低压侧电源设备；其中，所述第二低压关闭信号与所述第一低压关闭信号相比使所述低压侧电源设备在更长的时间内被关闭。

9.一种负载驱动装置，其特征在于，所述负载驱动装置包括高压侧电源设备以及如权利要求1至8任一项所述的控制装置。

10.一种负载装置，其特征在于，所述负载驱动装置包括负载以及如权利要求9所述的负载驱动装置。

11.一种电源设备的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：

在产生过电流保护信号的情况下产生第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与所述第一高压关闭信号相比使所述高压侧电源设备在更长的时间内被关闭，

其中，根据所述过电流保护信号还产生所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号的组合，并且还根据所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号的组合产生所述第二高压关闭信号，

其中，在所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号均为高电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号和所述第二高压脉冲信号均为低电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号为高电平且所述第二高压脉冲信号为低电平的情况下产生所述第二高压关闭信号，或者在所述第一高压脉冲信号为低电平且所述第二高压脉冲信号为高电平的情况下产生所述第二高压关闭信号。