CN109860348A - 一种GaN基紫外LED外延结构及其载流子传输改善方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其载流子传输改善方法，从下往上依次包括：蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、U‑GaN层、掺Si的N‑GaN层、AlGaN/GaN紫外MQW层、EBL电子阻挡层和Mg掺的P‑GaN层，电子阻挡层包含Al组分渐变AlxGa1‑ XN层和Al组分固定层。本发明在蓝宝石衬底上设计GaN基LED器件外延结构过程中，通过在EBL电子阻挡层中设计不同厚度的Al组分渐变AlxGa1‑ xN层，有效提高了空穴注入效率并减少了电子溢流，使AlGaN/GaN紫外LED的光强度和光输出功率较传统方案有了明显的提升。
Description
技术领域
本发明属于半导体光电子技术领域，具体涉及一种GaN基紫外LED外延结构及其载流子传输改善方法。
背景技术
GaN基LED在高能效固态照明方面具有显著的节能效果和显著的环境效益，它提供了一种新的利用和控制光的办法。然而，由于其在使用过程中电子溢流和差的空穴注入，限制了AlGaN/GaN紫外LED的光电性能的进一步提高。P-AlGaN电子阻挡层(EBL)的使用是传统用来减少电子溢流的方法，但是这种电子阻挡层往往存在强的极化场，会拉低最后一个垒(LB)和EBL界面强烈的导带垒，所以，电子溢流并不能得到有效的抑制，同时内部的极化诱导会阻碍空穴注入有源区。
对LB/EBL界面进行合理的修改是有效控制电子溢流和空穴注入有源区的关键。最近有研究指出通过极化匹配的EBL能够提高量子阱区的电子约束，然而由于生长高质量的晶体技术面临大的技术难题，极化匹配的EBL应用受到限制。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种GaN基紫外LED外延结构及其载流子传输改善方法，在蓝宝石衬底上设计GaN LED器件外延结构过程中，通过在EBL层中设计不同厚度的Al组分渐变AlxGa1-XN层，有效提高了空穴注入效率并减少了电子溢流，使AlGaN/GaN紫外LED的光强度和光输出功率较传统方案有了明显的提升。
本发明采用以下技术方案：
一种GaN基紫外LED外延结构载流子传输改善方法，包括以下步骤：
S1、在H2气氛下，高温处理蓝宝石衬底；
S2、逐步降温，开启NH3，对蓝宝石衬底进行氮化处理；
S3、温度保持不变，开启TMGa，在蓝宝石衬底上生长低温AlN缓冲层；
S4、在低温GaN缓冲层上生长U-GaN层；
S5、保持温度不变，在U-GaN层上继续生长掺Si的N-GaN层；
S6、在掺Si的N-GaN层上生长6个周期的AlGaN/GaN紫外MQW层；
S7、在AlGaN/GaN紫外MQW层上生长包含Al组分渐变AlxGa1-XN层和Al组分固定层的EBL电子阻挡层，Al组分渐变AlxGa1-XN层的厚度为0～20nm，Al组分渐变AlxGa1-XN层和Al组分固定层的总厚度为20nm；
S8、保持温度不变，在EBL电子阻挡层上继续生长Mg掺的P-GaN层。
具体的，步骤S1中，在1100～1200℃，压力为200～500mbar，处理蓝宝石衬底5～10min。
具体的，步骤S2中，降温至550～600℃，氮化处理4～6min，压力为200～500mbar。
具体的，步骤S3中，低温GaN缓冲层的厚度为30～50nm，压力为500～800mbar。
具体的，步骤S4中，升温到1050～1070℃，生长1～1.5μm的U-GaN层，压力为500～800mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500～1000。
具体的，步骤S5中，生长2μm的掺Si的N-GaN层，压力为500～800mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500～1000，掺杂剂为H2稀释到250ppm的SiH4。
具体的，步骤S6中，AlGaN/GaN紫外MQW层为：阱的厚度为3nm，垒的厚度为15nm，生长压力为500～800mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为800～1200。
具体的，步骤S7中，升温到1000～1050℃，生长20～22nm的EBL电子阻挡层，渐变AlxGa1-XN层的厚度为10～15nm；Al组分固定层中Al组分为10～35％；
当Al组分固定层中Al组分为10％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为10％；
当Al组分固定层中Al组分为15％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为15％；
当Al组分固定层中Al组分为25％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为25％；
当Al组分固定层中Al组分为35％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为35％。
具体的，步骤S8中，Mg掺的P-GaN层的厚度为100～120nm，生长压力为500～800mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为800～1200，生长Mg掺的P-GaN层所用P型掺杂剂为Cp2Mg。
本发明的另一技术方案是，一种GaN基LED外延结构，从下至上依次包括：蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、U-GaN层、掺Si的N-GaN层、AlGaN/GaN紫外MQW层、EBL电子阻挡层和Mg掺的P-GaN层，EBL电子阻挡层包含Al组分渐变AlxGa1-XN层和Al组分固定层。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明一种GaN基LED外延结构载流子传输改善方法，在蓝宝石衬底上设计GaN基LED器件外延结构过程中，通过在EBL层中设计不同厚度的Al组分渐变AlxGa1-xN层，有效提高了空穴注入效率并减少了电子溢流，使AlGaN/GaN紫外LED的光强度和光输出功率较传统方案有了明显的提升。
进一步的，通过H2处理，可以有效去除衬底表面的杂质，有利于后续生长层的均匀生长并牢固黏附于衬底层。
进一步的，对衬底表面进行充分的氮化处理有利于后续GaN生长层保持均一的生长方向，提高外延质量。
进一步的，生长低温AlN缓冲层，有利于降低后续GaN高温层和衬底之间的应力影响。
进一步的，U-GaN层的生长使后续生长面趋于平整。
进一步的，高质量的N-GaN层生长能够提供有效稳定的辐射复合电子。
进一步的，高质量的MQW层可以保证高的光强和发光效率。
进一步的，对载流子起到限制的作用，可以明显改善发光效率，同时能够起到释放应力，抑制位错，提高外延结晶质量的作用。
进一步的，Mg掺的P-GaN层，提供有效的辐射复合空穴。
本发明还公开一种GaN基LED外延结构，该外延结构中材料具有高的晶格品质，所设计的结构能够提供高的电子注入效率，能使材料的发光效率大大提高。
综上所述，在蓝宝石衬底上设计GaN基紫外LED器件外延结构过程中，通过在EBL层中设计不同厚度的Al组分渐变AlxGa1-xN层，有效提高了空穴注入效率并减少了电子溢流，使AlGaN/GaN紫外LED的光强度和光输出功率较传统方案有了明显的提升。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明对传统AlGaN/GaN紫外LED中EBL层所作的修改示意图；
图2为固定层Al组分为15％时EBL附近导带图；
图3为Al组分固定层中不同的Al组分、不同渐变AlxGa1-XN层厚度下的发光强度曲线图。
其中：1.蓝宝石衬底；2.低温AlN缓冲层；3.U-GaN层；4.掺Si的N-GaN层；5.AlGaN/GaN紫外MQW层；6.EBL电子阻挡层；7.Mg掺的P-GaN层。
具体实施方式
请参阅图1，本发明提供了一种GaN基紫外LED外延结构，从下往上依次包括：蓝宝石衬底1、低温AlN缓冲层2、U-GaN层3、掺Si的N-GaN层4、AlGaN/GaN紫外MQW层5、EBL电子阻挡层6和Mg掺的P-GaN层7，EBL电子阻挡层6包含Al组分渐变AlxGa1-XN层和Al组分固定层。
本发明一种改善GaN基紫外LED外延结构载流子传输的方法，包括以下步骤：
S1、在1100～1200℃、H2气氛下，高温处理蓝宝石衬底5～10min，彻底去除衬底表层的氧化物和杂质，压力为200～500mbar；
S2、逐步降温至550～600℃，开启NH3，对蓝宝石衬底进行氮化处理4～6min，压力为200～500mbar；
S3、温度保持不变，开启TMGa，在蓝宝石衬底上生长低温AlN缓冲层，厚度为30～50nm，压力为500～800mbar；
S4、升温到1050～1070℃，在低温AlN缓冲层上生长1μm的U-GaN层，压力为500～800mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500～1000；
S5、保持温度不变，在U-GaN层上继续生长2～2.5μm的掺Si的N-GaN层，压力为500～800mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500～1000；
生长掺Si的N-GaN层所用掺杂剂为H2稀释到250ppm的SiH4。
S6、在掺Si的N-GaN层上生长6个周期的AlGaN/GaN紫外MQW层：阱的厚度为3nm，垒的厚度为15nm，生长温度为1050-1070℃，压力为500～800mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500～1000；
S7、降温到1000℃，在AlGaN/GaN紫外MQW层上生长20～22nm的EBL电子阻挡层，包含Al组分渐变AlxGa1-XN层和Al组分固定层；
其中，Al组分渐变AlxGa1-XN层的厚度为0～20nm之间，Al组分渐变AlxGa1-XN层和Al组分固定层的总厚度为20nm；
Al组分固定层中Al组分为10～35％；
当Al组分固定层中Al组分为10％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为10％；
当Al组分固定层中Al组分为15％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为15％；
当Al组分固定层中Al组分为25％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为25％；
当Al组分固定层中Al组分为35％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为35％。
S8、保持温度不变，在EBL电子阻挡层上继续生长Mg掺的P-GaN层，厚度为100～120nm，生长压力为500～800mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为800～1200。
生长Mg掺的P-GaN层所用P型掺杂剂为Cp2Mg。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中的描述和所示的本发明实施例的组件可以通过各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例提供了一种改善GaN基紫外LED载流子传输的方法，包括如下步骤：
(1-1)在1100℃、H2气氛下，高温处理蓝宝石衬底10min，彻底去除衬底表层的氧化物和杂质，压力为200mbar；
(1-2)逐步降温至600℃，开启NH3，对蓝宝石衬底1进行氮化处理5min，压力为500mbar；
(1-3)温度保持不变，开启TMAl，在蓝宝石衬底1上生长低温AlN缓冲层，厚度为30nm，压力为500mbar；
(1-4)升温到1050℃，在低温AlN缓冲层上生长1μm的U-GaN层3，压力为500mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500；
其中，Ⅴ表示第五主族的元素，Ⅲ表示第三主族的元素。
(1-5)保持温度不变，在U-GaN层3上继续生长2μm的掺Si的N-GaN层4，压力为500mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500；
其中，生长掺Si的N-GaN层4所用掺杂剂为H2稀释到250ppm的SiH4。
(1-6)在掺Si的N-GaN层4上生长6个周期的AlGaN/GaN紫外MQW层5，生长温度为1050℃，压力为500mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为800；
(1-7)降温到到1000℃，在AlGaN/GaN紫外MQW层5上生长20nm的EBL电子阻挡层6，包含Al组分渐变AlxGa1-XN层和传统的Al组分固定层；
其中，Al组分固定层中Al组分为10％，厚度为10nm；渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为10％，厚度为10nm。
本步骤中生长的EBL电子阻挡层的结构能够消除LB/EBL界面导带中的凹陷和价带中的突起对LED性能的消极影响，最终提高了空穴注入效率，减少了电子溢流，LED的光强度和光输出功率相比传统方案有了明显的提升。
(1-8)保持温度不变，在EBL电子阻挡层6上继续生长Mg掺的P-GaN层7，厚度为100nm，生长压力为500mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为800；
其中，生长Mg掺的P-GaN层所用P型掺杂剂为Cp2Mg。
图1所示为本发明对传统AlGaN/GaN紫外LED中EBL层所作的修改示意图。
实施例2
本实施例提供了一种改善GaN基紫外LED载流子传输的方法，包括如下步骤：
(2-1)在1200℃、H2气氛下，高温处理蓝宝石衬底5min，彻底去除衬底表层的氧化物和杂质，压力为500mbar；
(2-2)逐步降温至580℃，开启NH3，对蓝宝石衬底进行氮化处理5min，压力为400mbar；
(2-3)温度保持不变，开启TMAl，在蓝宝石衬底上生长低温AlN缓冲层，厚度为40nm，压力为600mbar；
(2-4)升温到1055℃，在低温GaN缓冲层上生长1μm的U-GaN层，压力为600mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为600；
其中，Ⅴ表示第五主族的元素，Ⅲ表示第三主族的元素。
(2-5)保持温度不变，在U-GaN层上继续生长2.2μm的掺Si的N-GaN层，压力为600mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为800；
其中，生长掺Si的N-GaN层所用掺杂剂为H2稀释到250ppm的SiH4。
(2-6)在掺Si的N-GaN层上生长6个周期的AlGaN/GaN紫外MQW层：阱的生厚度为3nm，垒的厚度为15nm，生长温度为1070℃，生长压力为700mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为600；
(2-7)降温到1000℃，在AlGaN/GaN紫外MQW层上生长21nm的EBL电子阻挡层，包含Al组分渐变AlxGa1-XN层和传统的Al组分固定层；
其中，Al组分固定层中Al组分为15％，厚度为10nm；渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为15％，厚度为10nm。
(2-8)保持温度不变，在EBL电子阻挡层上继续生长Mg掺的P-GaN层，厚度为110nm，生长压力为600mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为900；
其中，生长Mg掺的P-GaN层所用P型掺杂剂为Cp2Mg。
实施例3
本实施例提供了一种改善GaN基紫外LED载流子传输的方法，包括如下步骤：
(3-1)在1150℃、H2气氛下，高温处理蓝宝石衬底8min，彻底去除衬底表层的氧化物和杂质，压力为400mbar；
(3-2)逐步降温至580℃，开启NH3，对蓝宝石衬底进行氮化处理4min，压力为300mbar；
(3-3)温度保持不变，开启TMAl，在蓝宝石衬底上生长低温AlN缓冲层，厚度为45nm，压力为700mbar；
(3-4)升温到1060℃，在低温GaN缓冲层上生长1μm的U-GaN层，压力为700mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为900；
其中，Ⅴ表示第五主族的元素，Ⅲ表示第三主族的元素。
(3-5)保持温度不变，在U-GaN层上继续生长2.4μm的掺Si的N-GaN层，压力为600mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为900；
其中，生长掺Si的N-GaN层所用掺杂剂为H2稀释到250ppm的SiH4。
(3-6)在掺Si的N-GaN层上生长6个周期的AlGaN/GaN紫外MQW层：阱的厚度为3nm，垒的厚度为15nm，生长温度为1060℃，生长压力为700mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500；
(3-7)降温到1000℃，在AlGaN/GaN紫外MQW层上生长22nm的EBL电子阻挡层，包含Al组分渐变AlxGa1-XN层和传统的Al组分固定层；
其中，Al组分固定层中Al组分为15％，厚度为5nm；渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为15％，厚度为15nm。
(3-8)保持温度不变，在EBL电子阻挡层上继续生长Mg掺的P-GaN层，厚度为110nm，生长压力为700mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为1100；
其中，生长Mg掺的P-GaN层所用P型掺杂剂为Cp2Mg。
实施例4
本实施例提供了一种改善GaN基紫外LED载流子传输的方法，包括如下步骤：
(4-1)在1100℃、H2气氛下，高温处理蓝宝石衬底9min，彻底去除衬底表层的氧化物和杂质，压力为300mbar；
(4-2)逐步降温至550℃，开启NH3，对蓝宝石衬底进行氮化处理6min，压力为200mbar；
(4-3)温度保持不变，开启TMAl，在蓝宝石衬底上生长低温AlN缓冲层，厚度为50nm，压力为800mbar；
(4-4)升温到1070℃，在低温GaN缓冲层上生长1μm的U-GaN层，压力为800mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为1000；
其中，Ⅴ表示第五主族的元素，Ⅲ表示第三主族的元素。
(4-5)保持温度不变，在U-GaN层上继续生长2.5μm的掺Si的N-GaN层，压力为800mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为1000；
其中，生长掺Si的N-GaN层所用掺杂剂为H2稀释到250ppm的SiH4。
(4-6)在掺Si的N-GaN层上生长6个周期的AlGaN/GaN紫外MQW层：阱的厚度为3nm，垒的厚度为15nm，生长温度为1050℃，压力为800mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为1000；
(4-7)降温到1000℃，在AlGaN/GaN紫外MQW层上生长20nm的EBL电子阻挡层，只包含Al组分渐变AlxGa1-XN层，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为15％，厚度为20nm；
(4-8)保持温度不变，在EBL电子阻挡层上继续生长Mg掺的P-GaN层，厚度为120nm，生长压力为800mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为1200；
其中，生长Mg掺的P-GaN层所用P型掺杂剂为Cp2Mg。
图2显示了固定层中Al组分为15％时，不同渐变层厚度对EBL附件导带的影响。从图可以明显看出随着渐变层厚度d的增加，凹陷逐渐变小，EBL的势垒高度增加，但随着d增加到20nm，电子通过阻挡垒的概率增加，故考虑消除凹陷和有效组织电子泄露，渐变层在10～15nm的厚度时具有最好的效果。
图3为Al组分固定层中不同的Al组分下，渐变AlxGa1-XN层的不同厚度d下的发光强度。由图可以看出，当d在10～15nm区间时，本发明设计的新结构具有最高的发光强度，当d值到20nm，由于较弱的电子阻挡效率，发光强度反而降低，故渐变AlxGa1-XN层的厚度最优为10～15nm。
本发明主要通过在EBL层中加入Al组分渐变的AlxGa1-XN层，消除LB/EBL界面导带中的凹陷和价带中的突起对LED性能的不利影响，最终提高了空穴注入效率，减少了电子溢流，相比传统设计方案光输出功率有了明显提高。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种GaN基紫外LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在H2气氛下，高温处理蓝宝石衬底；
S2、逐步降温，开启NH3，对蓝宝石衬底进行氮化处理；
S3、温度保持不变，开启TMGa，在蓝宝石衬底上生长低温AlN缓冲层；
S4、在低温GaN缓冲层上生长U-GaN层；
S5、保持温度不变，在U-GaN层上继续生长掺Si的N-GaN层；
S6、在掺Si的N-GaN层上生长6个周期的AlGaN/GaN紫外MQW层；
S7、在AlGaN/GaN紫外MQW层上生长包含Al组分渐变AlxGa1-xN层和Al组分固定层的EBL电子阻挡层，Al组分渐变AlxGa1-XN层的厚度为0～20nm，Al组分渐变AlxGa1-xN层和Al组分固定层的总厚度为20nm；
S8、保持温度不变，在EBL电子阻挡层上继续生长Mg掺的P-GaN层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，步骤S1中，在1100～1200℃，压力为200～500mbar，处理蓝宝石衬底5～30min。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，步骤S2中，降温至550～600℃，氮化处理4～6min，压力为200～500mbar。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，步骤S3中，低温AlN缓冲层的厚度为30～50nm，压力为500～800mbar。
5.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，步骤S4中，升温到1050～1070℃，生长1～1.5μm的U-GaN层，压力为500～800mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500～1000。
6.根据权利要求1所述的GaN基紫外LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，步骤S5中，生长2μm的掺Si的N-GaN层，压力为500～800mbar，生长过程中Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为500～1000，掺杂剂为H2稀释到250ppm的SiH4。
7.根据权利要求1所述的GaN基紫外LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，步骤S6中，AlGaN/GaN紫外MQW层为：阱的厚度为3nm，垒的厚度为15nm，生长温度为1050-1070℃，压力为500～800mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为800～1200。
8.根据权利要求1所述的GaN基紫外LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，步骤S7中，升温到1000～1050℃，生长20～22nm的EBL电子阻挡层，渐变AlxGa1-XN层的厚度为10～15nm；Al组分固定层中Al组分为10～35％；
当Al组分固定层中Al组分为10％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为10％；
当Al组分固定层中Al组分为15％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为15％；
当Al组分固定层中Al组分为25％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为25％；
当Al组分固定层中Al组分为35％时，渐变AlxGa1-XN层中Al组分由0渐变为35％。
9.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构载流子传输改善方法，其特征在于，步骤S8中，Mg掺的P-GaN层的厚度为100～120nm，生长压力为500～800mbar，Ⅴ/Ⅲ的摩尔比为800～1200，生长Mg掺的P-GaN层所用P型掺杂剂为Cp2Mg。
10.一种根据权利要求1所述载流子传输改善方法中的GaN基紫外LED外延结构，其特征在于，从下至上依次包括：蓝宝石衬底(1)、低温AlN缓冲层(2)、U-GaN层(3)、掺Si的N-GaN层(4)、AlGaN/GaN紫外MQW层(5)、EBL电子阻挡层(6)和Mg掺的P-GaN层(7)，EBL电子阻挡层(6)包含Al组分渐变AlxGa1-XN层和Al组分固定层。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109860348A true CN109860348A (zh) | 2019-06-07 |
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ID=66898410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910126647.1A Pending CN109860348A (zh) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | 一种GaN基紫外LED外延结构及其载流子传输改善方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN109860348A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111785842A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-16 | 浩物电子科技(苏州)有限公司 | 一种有机-无机复合近紫外led及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140356A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-12-09 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种Al组分渐变式N型LED结构及其制备方法 |
| CN108447951A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-24 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种提高发光效率的led外延生长方法 |
-
2019
- 2019-02-20 CN CN201910126647.1A patent/CN109860348A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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