CN109860342A - 适用于4英寸衬底的led外延生长方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 7
- 238000012797 qualification Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，涉及LED技术领域，包括：处理衬底、生长低温缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长N型AlxGa1‑xN层、生长有源层MOW、生长P型AlGaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却。通过引入N型AlxGa1‑xN层并控制生长过程中Si掺杂浓度规律性渐变，有利于消除4英寸蓝宝石衬底对GaN薄膜的应力累积效应，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲，有利于提高GaN外延片的合格率，并且提高了LED发光效率和抗静电能力。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，更具体地，涉及一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种固体照明，由于LED具有体积小、耗电量低使用寿命长高亮度、环保、坚固耐用等优点受到广大消费者认可，国内生产LED的规模也在逐步扩大，并且大部分厂家生产LED的尺寸已经由2英寸升级为4英寸。LED尺寸升级为4英寸后，LED普遍存在外延片翘曲大、发光效率低下等技术难题，因此，如何生长更好的外延片日益受到重视。
现有的外延生长技术中普遍存在外延片翘曲大的问题，尤其在4英寸蓝宝石衬底上进行外延晶体生长时，由于晶格失配、外延生长过程中产生的极化场以及片内材料生长不均匀等问题，使得外延片翘曲更大，产品良率以及发光效率较低。而外延层晶体质量的提高，可以使得LED的发光效率、寿命、抗静电等性能得到提升。因此，需要研发一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法。
发明内容
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，引入了N型AlxGa1-xN层并控制生长过程中Si掺杂浓度规律性渐变，有利于消除4英寸蓝宝石衬底对GaN薄膜的应力累积效应，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲，有利于提高GaN外延片的合格率，并且提高了LED发光效率和抗静电能力。
为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：
本申请提供一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，包括：处理衬底、生长低温缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长N型AlxGa1-xN层、生长有源层MOW、生长P型AlGaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却，
所述生长N型AlxGa1-xN层包括：生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层、生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层、生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层；其中，
所述生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层，进一步为：
保持生长温度为950℃-1000℃，生长压力为300mbar-400mbar，向反应腔通入流量为70L/min-80L/min的NH3、400L/min-500L/min的SiH4、110sccm-130sccm的TEGa、200sccm-240sccm的TMAl源，在掺杂Si的n型GaN层上生长厚度为D1的所述n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层，生长时间为500s，Si掺杂浓度每秒增加4E+16atoms/cm3，从4E+19atoms/cm3线性渐变增加为6E+19atoms/cm3；
所述生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层，进一步为：
保持所述生长温度、所述生长压力、NH3、TEGa以及TMAl流量不变，SiH4的通入流量控制在250L/min-300L/min，在所述n型重掺杂Alx1Ga1-x1N上生长厚度为D2的所述n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层，所述生长时间为250s，所述Si掺杂浓度每秒增加8E+15atoms/cm3，从2E+18atoms/cm3线性渐变增加为4E+18atoms/cm3；
所述生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层，进一步为：
保持所述生长温度、所述生长压力、NH3、TEGa以及TMAl流量不变，SiH4的通入流量控制在160L/min-200L/min，在所述n型中掺杂Alx2Ga1-x2N上生长厚度为D3的所述n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层，所述生长时间为100s，所述Si掺杂浓度每秒增加1E+15atoms/cm3，从4E+17atoms/cm3线性渐变增加为5E+17atoms/cm3；
其中，D1＝2.5D2，D2＝4D3，x1>x2>x3。
可选地，其中：
500nm≤D1≤600nm，200nm≤D2≤240nm，50nm≤D3≤60nm。
可选地，其中：
0.025≤x1≤0.035，0.025≤x2≤0.035，0.025≤x3≤0.035。
可选地，其中：
所述生长低温缓冲层，进一步为：
降温至550℃-650℃，保持所述反应腔压力400mbar-600mbar，通入流量为10000sccm-20000sccm的所述NH3、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的所述H2，生长厚度为20nm-50nm的低温缓冲层。
可选地，其中：
所述生长不掺杂GaN层，进一步为：
升温到1000℃-1200℃，保持所述反应腔压力150mbar-300mbar，通入流量为30000sccm-40000sccm的所述NH3、200sccm-400sccm的所述TMGa、100L/min-130L/min的所述H2、在所述低温缓冲层上持续生长2μm-4μm的不掺杂GaN层。
可选地，其中：
所述生长掺杂Si的N型GaN层，进一步为：
保持所述反应腔压力150mbar-300mbar，保持温度1000℃-1100℃，通入流量为40L/min-60L/min的所述NH3、200sccm-300sccm的所述TMGa、50L/min-90L/min的所述H2及20sccm-50sccm的所述SiH4，在所述不掺杂GaN层上持续生长2μm-4μm掺杂Si的n型GaN层，所述Si掺杂浓度为5E+18atoms/cm3-1E+19atoms/cm3。
可选地，其中：
所述生长有源层MOW，进一步为：
保持所述反应腔压力300mbar-400mbar，设置所述温度为700℃-750℃，通入50000sccm-60000sccm的所述NH3、100sccm-150sccm的所述TEGa、以及TMIn，所述TMIn的流量每秒增加25sccm-52sccm，从150sccm-170sccm逐渐增加到1500sccm-1700sccm，在所述n型轻掺杂AlxGa1-x N层上生长30s-50s的InyGa1-yN，生长厚度为3nm，y的范围为0.015-0.25，In掺杂浓度每秒增加4E+17atoms/cm3-7E+17atoms/cm3，从1E+19atoms/cm3渐变为3E+19atoms/cm3；
升高所述温度至800℃-850℃，保持所述反应腔压力300mbar-400mbar，通入50000sccm-60000sccm的所述NH3、400sccm-500sccm的所述TEGa，生长10nm的GaN层，所述InyGa1-yN层和所述GaN层的周期数为10-15。
可选地，其中：
所述生长P型AlGaN层，进一步为：
升高所述温度至900℃-1000℃，保持所述反应腔压力200mbar-400mbar，在所述有源层MQW上持续生长20nm-50nm的P型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20atoms/cm3-3E+20atoms/cm3，Mg掺杂浓度为5E+18atoms/cm3-1E+19atoms/cm3。
可选地，其中：
所述生长掺镁的P型GaN层，进一步为：
维持所述温度930℃-950℃，保持所述反应腔压力200mbar-600mbar，在所述P型AlGaN层上持续生长100nm-300nm的掺镁的P型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19atoms/cm3-1E+20atoms/cm3。
与现有技术相比，本发明提供的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，至少实现了如下的有益效果：
(1)本发明所提供的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，引入N型AlxGa1-xN层并控制生长过程中Si掺杂浓度规律性渐变，可以提高Si的掺杂效率以及提高该层的结晶质量，有利于消除4英寸蓝宝石衬底对GaN薄膜的应力累积效应，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲，有利于提高GaN外延片的合格率，并且提高了LED发光效率和抗静电能力。
(2)本发明所提供的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，先生长重掺杂Alx1Ga1-x1N层，因此能够更好的与掺杂Si的n型GaN层匹配，具有更小的晶格失配度，减少外延生长过程中产生的极化场，从而减少翘曲。在n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层上生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N，外延层原子会释放片内应力，阻挡前期晶格失配产生的缺陷向上延伸，从而降低位错密度，提高晶体质量，LED亮度、漏电、抗静电等性能得到改善。在n型中掺杂Alx2Ga1- x2N层上生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层，可以使外延原子填充均匀向上，能够提高片内材料生长均匀性。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是现有技术中LED外延层的结构示意图；
图2所示为本申请实施例所提供的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法的一种流程图；
图3是本申请实施例中LED外延层的一种结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种固体照明，由于LED具有体积小、耗电量低使用寿命长高亮度、环保、坚固耐用等优点受到广大消费者认可，国内生产LED的规模也在逐步扩大，并且大部分厂家生产LED的尺寸已经由2英寸升级为4英寸。LED尺寸升级为4英寸后，LED普遍存在外延片翘曲大、发光效率低下等技术难题，因此，如何生长更好的外延片日益受到重视。
现有的外延生长技术中普遍存在外延片翘曲大的问题，尤其在4英寸蓝宝石衬底上进行外延晶体生长时，由于晶格失配、外延生长过程中产生的极化场以及外延层原子释放的片内应力等问题，使得外延片翘曲更大，产品良率以及发光效率较低。而外延层晶体质量的提高，可以使得LED的发光效率、寿命、抗静电等性能得到提升。因此，需要研发一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法。
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，引入了N型AlxGa1-xN层并控制生长过程中Si掺杂浓度规律性渐变，有利于消除4英寸蓝宝石衬底对GaN薄膜的应力累积效应，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲，有利于提高GaN外延片的合格率，并且提高了LED发光效率和抗静电能力。
以下结合附图和具体实施例进行详细说明。
实施例1
图1所示为现有技术中LED外延层100的一种结构示意图，现有技术中LED外延层100包括：衬底1，低温缓冲层2，不掺杂GaN层3，掺杂Si的n型GaN层4，有源层MOW 5，P型AlGaN层6，掺镁的P型GaN层7；其中，有源层MOW 5包括Iny1Ga(1-y1)N层51和GaN层52。
图2所示为本申请实施例所提供的一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法的一种流程图，图3所示为本申请实施例中LED外延层200的一种结构示意图，请参见图2和图3，本申请实施例提供一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，包括：
步骤101，处理衬底10；
步骤102，生长低温缓冲层20；
步骤103，生长不掺杂GaN层30；
步骤104，生长掺杂Si的N型GaN层40；
步骤105，生长N型AlxGa1-xN层50；
步骤106，生长有源层MOW 60；
步骤107，生长P型AlGaN层70；
步骤108，生长掺镁的P型GaN层80；
步骤109，降温冷却。
本申请的改进点在于加入了步骤105，生长N型AlxGa1-xN层50，包括：生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501、生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502、生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503；其中，
生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层502，进一步为：
保持生长温度为950℃-1000℃，生长压力为300mbar-400mbar，向反应腔通入流量为70L/min-80L/min的NH3、400L/min-500L/min的SiH4、110sccm-130sccm的TEGa、200sccm-240sccm的TMAl源，在掺杂Si的n型GaN层40上生长厚度为D1的n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501，生长时间为500s，Si掺杂浓度每秒增加4E+16atoms/cm3，从4E+19atoms/cm3线性渐变增加为6E+19atoms/cm3；
生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502，进一步为：
保持生长温度、生长压力、NH3、TEGa以及TMAl流量不变，SiH4的通入流量控制在250L/min-300L/min，在n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501上生长厚度为D2的n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502，生长时间为250s，Si掺杂浓度每秒增加8E+15atoms/cm3，从2E+18atoms/cm3线性渐变增加为4E+18atoms/cm3；
生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503，进一步为：
保持生长温度、生长压力、NH3、TEGa以及TMAl流量不变，SiH4的通入流量控制在160L/min-200L/min，在n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502上生长厚度为D3的n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503，生长时间为100s，Si掺杂浓度每秒增加1E+15atoms/cm3，从4E+17atoms/cm3线性渐变增加为5E+17atoms/cm3；
其中，D1＝2.5D2，D2＝4D3，x1>x2>x3。
具体地，本申请实施例所提供的一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法中，通过步骤105在掺杂Si的n型GaN层40上生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501，生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501的过程中保持生长温度为950℃-1000℃，生长压力为300mbar-400mbar，并分别向反应腔内通入NH3、SiH4、TEGa以及TMAl源，通入的NH3流量为70L/min-80L/min，通入的SiH4流量为400L/min-500L/min，通入的TEGa流量为110sccm-130sccm，通入的TMAl流量为200sccm-240sccm。需要说明的是，n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501的生长厚度为D1，生长时间为500s。Si的掺杂浓度以线性渐变的方式增加，每秒增加4E+16atoms/cm3，从4E+19atoms/cm3增加到6E+19atoms/cm3。n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501生长完之后，在n型重掺杂Alx1Ga1- x1N层501上生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502，保持上述生长温度、生长压力以及通入的NH3、TEGa和TMAl流量不变，SiH4的通入流量控制在250L/min-300L/min。需要说明的是，n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502的生长厚度为D2，生长时间为250s。Si掺杂浓度以线性渐变的方式增加，每秒增加8E+15atoms/cm3，从2E+18atoms/cm3增加到4E+18atoms/cm3。n型中掺杂Alx2Ga1- x2N层502生长完之后，在n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502上生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503，继续保持生长温度、生长压力以及通入的NH3、TEGa和TMAl流量不变，控制SiH4的通入流量范围为160L/min-200L/min。需要说明的是，n型轻掺杂Alx2Ga1-x2N层503的生长厚度为D3，生长时间为100s，Si的掺杂浓度以线性渐变的方式增加，每秒增加1E+15atoms/cm3，从4E+17atoms/cm3增加到5E+17atoms/cm3。其中，D1＝2.5D2，D2＝4D3，x1>x2>x3。例如，n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501的生长厚度D1为500nm，则n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502的生长厚度D2为200nm，n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层501的生长厚度D3为50nm。
本申请实施例所提供的一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，引入N型AlxGa1-xN层50并控制生长过程中Si掺杂浓度规律性渐变，可以提高Si的掺杂效率以及提高该层的结晶质量，有利于消除4英寸蓝宝石衬底对GaN薄膜的应力累积效应，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲，有利于提高GaN外延片的合格率，并且提高了LED发光效率和抗静电能力。先生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501，使得N型AlxGa1-xN层50能够与掺杂Si的n型GaN40层更好的匹配，具有更小的晶格失配度，减少外延生长过程中产生的极化场，从而减少翘曲。在n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501上生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502，LED外延层原子会释放片内应力，阻挡前期晶格失配产生的缺陷向上延伸，从而降低位错密度，提高晶体质量，使LED亮度、漏电、抗静电等性能得到改善。在n型中掺杂Alx2Ga1- x2N层502上生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503，可以使外延原子填充均匀向上，能够提高片内材料生长均匀性。
此外，本申请实施例中n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501、n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502、n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503的厚度满足：D1＝2.5D2，D2＝4D3，这样设计可以降低LED的正向电压，起到更好的节能效果。。
另，本申请中，n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501、n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502、n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503满足x1>x2>x3，如此设计可以降低漏电电流，提高抗静电能力，从而使外延片性能更好。
可选地，上述步骤105中，500nm≤D1≤600nm，200nm≤D2≤240nm，50nm≤D3≤60nm，如果厚度太薄，会导致电子能够占据的能态变少，从而使得LED内量子效率降低。而厚度太厚时，会导致生长的过程中结晶质量变差，并且使外延片外观情况降低，裂纹比例提高，降低外延片的可靠性。因此，本申请通过合理地设计D1/D2/D3的厚度范围，有利于提高LED的内量子效率，易于获得较高的结晶质量，并改善外延片外观情况，提高外延片可靠性。具体地，n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501的生长厚度D1的值可以为500nm-600nm中的任意一个值，n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502的生长厚度D2的值可以为200nm-240nm中的任意一个值，n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503的生长厚度D3的值可以为50nm-60nm中的任意一个值，本申请对此不进行具体限定。需要说明的是，D1、D2、D3的取值还需要满足D1＝2.5D2，D2＝4D3。例如，D1＝500nm，则D2＝200nm，D3＝50nm。在本申请实施例所提供的外延生长方法中，外延片中掺杂了In，会随着外延的生长产生较多的非辐射复合中心。
可选地，上述步骤105中，0.025≤x1≤0.035，0.025≤x2≤0.035，0.025≤x3≤0.035，当x1、x2、x3的值小于0.025时，会导致外延材料的极化效应增大，电子和空穴对发生空间分离，使得波函数交迭降低，从而降低外延薄膜发光效率。当x1、x2、x3的值大于0.035时，AlGaN材料与衬底之间的晶格失配度逐渐增加，会直接导致过大的应力，引起外延片翘曲。因此，将x1、x2、x3范围设计为上述范围时，可以提高发光效率，并有利于降低翘曲。具体地，x1、x2、x3的值可以为0.025-0.035范围中的任意一个值，本申请对此不进行具体限定。需要说明的是，x1、x2和x3还需要满足x1>x2>x3。例如，如果x1＝0.032，则x2只能取0.025-0.031范围内的任意一个值，如果x2＝0.030，则x3只能取0.025-0.029范围内的任意一个值。
可选地，上述步骤101中，处理衬底10进一步为：在1000-1200℃，反应腔压力维持在100-150mbar的氢气气氛下高温处理4英寸蓝宝石衬底5-10分钟。
可选地，上述步骤102中，生长低温缓冲层20，进一步为：
将温度降低到550℃-650℃，保持反应腔压力为400mbar-600mbar，分别通入NH3、TMGa和H2生长低温缓冲层20。需要说明的是，通入NH3的流量为10000sccm-20000sccm，通入TMGa的流量为50sccm-100sccm，通入H2的流量为100L/min-130L/min，低温缓冲层20的生长厚度为20nm-50nm。
可选地，上述步骤103中，生长不掺杂GaN层30，进一步为：
将温度升高到1000℃-1200℃，保持反应腔压力150mbar-300mbar，分别通入NH3、TMGa和H2，在低温缓冲层20上持续生长不掺杂GaN层30。需要说明的是，通入NH3的流量为30000sccm-40000sccm，通入TMGa的流量为200sccm-400sccm，通入H2的流量为100L/min-130L/min，不掺杂GaN层30的生长厚度为2μm-4μm。
可选地，上述步骤104中，生长掺杂Si的N型GaN层40，进一步为：
保持反应腔压力150mbar-300mbar，保持温度1000℃-1100℃，通入流量为40L/min-60L/min的NH3、200sccm-300sccm的TMGa、50L/min-90L/min的H2及20sccm-50sccm的SiH4，在不掺杂GaN层30上持续生长2μm-4μm掺杂Si的n型GaN层40，Si掺杂浓度为5E+18atoms/cm3-1E+19atoms/cm3。
可选地，上述步骤106中，生长有源层MOW 60，进一步为：
保持反应腔压力300mbar-400mbar，设置温度为700℃-750℃，通入50000sccm-60000sccm的NH3、100sccm-150sccm的TEGa、以及TMIn，TMIn的流量每秒增加25sccm-52sccm，从150sccm-170sccm逐渐增加到1500sccm-1700sccm，在n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503上生长30s-50s的InyGa1-yN层601，生长厚度为3nm，y的范围为0.015-0.25，In掺杂浓度每秒增加4E+17atoms/cm3-7E+17atoms/cm3，从1E+19atoms/cm3渐变为3E+19atoms/cm3；升高温度至800℃-850℃，保持反应腔压力300mbar-400mbar，通入50000sccm-60000sccm的NH3、400sccm-500sccm的TEGa，生长10nm的GaN层602，InyGa1-yN层601和GaN层602的周期数为10-15。
可选地，上述步骤107中，生长P型AlGaN层70，进一步为：
升高温度至900℃-1000℃，保持反应腔压力200mbar-400mbar，在有源层MQW 60上持续生长20nm-50nm的P型AlGaN层70，Al掺杂浓度为1E+20atoms/cm3-3E+20atoms/cm3，Mg掺杂浓度为5E+18atoms/cm3-1E+19atoms/cm3。
可选地，上述步骤108中，生长掺镁的P型GaN层80，进一步为：
维持温度930℃-950℃，保持反应腔压力200mbar-600mbar，在P型AlGaN层70上持续生长100nm-300nm的掺镁的P型GaN层80，Mg掺杂浓度1E+19atoms/cm3-1E+20atoms/cm3。
可选地，上述步骤109中，降温冷却进一步为：降温至700-800℃，保温20-30min，关闭加热系统，关闭给气系统，炉内冷却。
利用上述方法所形成的LED外延层200结构请参见图3，该LED外延层200包括：衬底10，低温缓冲层20，不掺杂GaN层30，掺杂Si的n型GaN层40，N型AlxGa1-xN层50，有源层MOW60，P型AlGaN层70，掺镁的P型GaN层80；其中，N型AlxGa1-xN层50包括n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层501、n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层502和n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层503；有源层MOW 60包括Iny1Ga(1-y1)N层601和GaN层602。本实施例LED外延层200中，引入了N型AlxGa1-xN层50，并在其生长过程中控制Si掺杂浓度规律性渐变，可以提高Si的掺杂效率以及提高该层的结晶质量，有利于消除4英寸蓝宝石衬底对GaN薄膜的应力累积效应，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲，有利于提高GaN外延片的合格率，并且提高了LED发光效率和抗静电能力。
实施例2
请结合图1，现有技术中LED外延层生长方法包括：处理衬底1，生长低温缓冲层2，生长不掺杂GaN层3，生长掺杂Si的n型GaN层4，生长有源层MOW 5，生长P型AlGaN层6，生长掺镁的P型GaN层7，外延层结构请参见图1。本申请实施例在现有技术的基础上加入了N型AlxGa1-xN层50。在本实施例中，根据现有技术中的LED外延生长方法制备1000片样品1，根据本申请的LED外延生长方法制备1000片样品2。样品生长完后任意挑选样品1和样品2各4片，在相同的条件下测试外延片的XRD102面，请参见表1，表1所示为样品1和样品2外延XRD测试数据。任意挑选样品1和样品2各8片，在相同的条件下测试外延片的翘曲度BOW值，请参见表2，表2所示为样品1和样品2外延片翘曲度测试数据。样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层大约1500埃，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极大约2500埃，相同的条件下镀保护层SiO2大约500埃，然后在相同的条件下将样品研磨切割成762μm*762μm(30mil*30mil)的芯片颗粒，然后在相同位置从样品1和样品2中各自挑选100颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。进行光电性能测试：同一台LED点测机在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能，请参见表3，表3所示为样品1和样品2的光电性能测试数据。
表1样品1和样品2外延XRD测试数据
表2样品1和样品2外延片翘曲度数据
表3样品1和样品2LED测试机光电测试数据
由表1可以得出，本发明提供的LED外延生长方法制备的样品2的XRD102面数值变小，说明本发明提供的LED外延生长方法制作的外延晶体的质量变好。
由表2可以得出，本发明提供的LED外延生长方法制备的外延片的翘曲度明显变小。此外，对1000片样品1和1000片样品2的研磨破片情况进行统计发现，样品1破片36片，样品2破片19片，即样品1破片率为3.6％，而样品2的破片率为1.9％，说明本发明提供的LED外延生长方法能够明显减少外延片翘曲度，有效降低破片率。
由表3可以得出，本发明提供的LED外延生长方法制备的样品2的亮度高、电压低、抗静电能力好，并且样品2的半高宽小于样品1的半高宽，说明本发明提供的LED外延生长方法制备的LED波长均匀性更好，波长更集中，光电性能更好。
通过上述实施例可知，本发明提供的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，至少实现了如下的有益效果：
(1)本发明所提供的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，引入N型AlxGa1-xN层并控制生长过程中Si掺杂浓度规律性渐变，可以提高Si的掺杂效率以及提高该层的结晶质量，有利于消除4英寸蓝宝石衬底对GaN薄膜的应力累积效应，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲，有利于提高GaN外延片的合格率，并且提高了LED发光效率和抗静电能力。
(2)本发明所提供的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，先生长重掺杂Alx1Ga1-x1N层，使N型AlxGa1-xN层能够更好的与掺杂Si的n型GaN层匹配，具有更小的晶格失配度，减少外延生长过程中产生的极化场，从而减少翘曲。在n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层上生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层，外延层原子会释放片内应力，阻挡前期晶格失配产生的缺陷向上延伸，从而降低位错密度，提高晶体质量，使LED亮度、漏电、抗静电等性能得到改善。在n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层上生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层，可以使外延原子填充均匀向上，能够提高片内材料生长均匀性。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (9)
1.一种适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，包括：处理衬底、生长低温缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长N型AlxGa1-xN层、生长有源层MOW、生长P型AlGaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却，
所述生长N型AlxGa1-xN层包括：生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层、生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层、生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层；其中，
所述生长n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层，进一步为：
保持生长温度为950℃-1000℃，生长压力为300mbar-400mbar，向反应腔通入流量为70L/min-80L/min的NH3、400L/min-500L/min的SiH4、110sccm-130sccm的TEGa、200sccm-240sccm的TMAl源，在掺杂Si的n型GaN层上生长厚度为D1的所述n型重掺杂Alx1Ga1-x1N层，生长时间为500s，Si掺杂浓度每秒增加4E+16atoms/cm3，从4E+19atoms/cm3线性渐变增加为6E+19atoms/cm3；
所述生长n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层，进一步为：
保持所述生长温度、所述生长压力、NH3、TEGa以及TMAl流量不变，SiH4的通入流量控制在250L/min-300L/min，在所述n型重掺杂Alx1Ga1-x1N上生长厚度为D2的所述n型中掺杂Alx2Ga1-x2N层，所述生长时间为250s，所述Si掺杂浓度每秒增加8E+15atoms/cm3，从2E+18atoms/cm3线性渐变增加为4E+18atoms/cm3；
所述生长n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层，进一步为：
保持所述生长温度、所述生长压力、NH3、TEGa以及TMAl流量不变，SiH4的通入流量控制在160L/min-200L/min，在所述n型中掺杂Alx2Ga1-x2N上生长厚度为D3的所述n型轻掺杂Alx3Ga1-x3N层，所述生长时间为100s，所述Si掺杂浓度每秒增加1E+15atoms/cm3，从4E+17atoms/cm3线性渐变增加为5E+17atoms/cm3；
其中，D1＝2.5D2，D2＝4D3，x1>x2>x3。
2.根据权利要求1所述的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，
500nm≤D1≤600nm，200nm≤D2≤240nm，50nm≤D3≤60nm。
3.根据权利要求1所述的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，
0.025≤x1≤0.035，0.025≤x2≤0.035，0.025≤x3≤0.035。
4.根据权利要求1所述的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长低温缓冲层，进一步为：
降温至550℃-650℃，保持所述反应腔压力400mbar-600mbar，通入流量为10000sccm-20000sccm的所述NH3、50sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的所述H2，生长厚度为20nm-50nm的低温缓冲层。
5.根据权利要求1所述的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长不掺杂GaN层，进一步为：
升温到1000℃-1200℃，保持所述反应腔压力150mbar-300mbar，通入流量为30000sccm-40000sccm的所述NH3、200sccm-400sccm的所述TMGa、100L/min-130L/min的所述H2、在所述低温缓冲层上持续生长2μm-4μm的不掺杂GaN层。
6.根据权利要求1所述的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长掺杂Si的N型GaN层，进一步为：
保持所述反应腔压力150mbar-300mbar，保持温度1000℃-1100℃，通入流量为40L/min-60L/min的所述NH3、200sccm-300sccm的所述TMGa、50L/min-90L/min的所述H2及20sccm-50sccm的所述SiH4，在所述不掺杂GaN层上持续生长2μm-4μm掺杂Si的n型GaN层，所述Si掺杂浓度为5E+18atoms/cm3-1E+19atoms/cm3。
7.根据权利要求1所述的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长有源层MOW，进一步为：
保持所述反应腔压力300mbar-400mbar，设置所述温度为700℃-750℃，通入50000sccm-60000sccm的所述NH3、100sccm-150sccm的所述TEGa、以及TMIn，所述TMIn的流量每秒增加25sccm-52sccm，从150sccm-170sccm逐渐增加到1500sccm-1700sccm，在所述n型轻掺杂AlxGa1-x N层上生长30s-50s的InyGa1-yN，生长厚度为3nm，y的范围为0.015-0.25，In掺杂浓度每秒增加4E+17atoms/cm3-7E+17atoms/cm3，从1E+19atoms/cm3渐变为3E+19atoms/cm3；
升高所述温度至800℃-850℃，保持所述反应腔压力300mbar-400mbar，通入50000sccm-60000sccm的所述NH3、400sccm-500sccm的所述TEGa，生长10nm的GaN层，所述InyGa1-yN层和所述GaN层的周期数为10-15。
8.根据权利要求1所述的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长P型AlGaN层，进一步为：
升高所述温度至900℃-1000℃，保持所述反应腔压力200mbar-400mbar，在所述有源层MQW上持续生长20nm-50nm的P型AlGaN层，Al掺杂浓度为1E+20atoms/cm3-3E+20atoms/cm3，Mg掺杂浓度为5E+18atoms/cm3-1E+19atoms/cm3。
9.根据权利要求1所述的适用于4英寸衬底的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长掺镁的P型GaN层，进一步为：
维持所述温度930℃-950℃，保持所述反应腔压力200mbar-600mbar，在所述P型AlGaN层上持续生长100nm-300nm的掺镁的P型GaN层，Mg掺杂浓度1E+19atoms/cm3-1E+20atoms/cm3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811555982.5A CN109860342B (zh) | 2018-12-19 | 2018-12-19 | 适用于4英寸衬底的led外延生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811555982.5A CN109860342B (zh) | 2018-12-19 | 2018-12-19 | 适用于4英寸衬底的led外延生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109860342A true CN109860342A (zh) | 2019-06-07 |
| CN109860342B CN109860342B (zh) | 2020-01-17 |
Family
ID=66891586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811555982.5A Active CN109860342B (zh) | 2018-12-19 | 2018-12-19 | 适用于4英寸衬底的led外延生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109860342B (zh) |
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2018
- 2018-12-19 CN CN201811555982.5A patent/CN109860342B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |