CN109834577A - 用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器 - Google Patents

用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器。化学机械抛光仪器包括抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽。第一传感器用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度。抛光头位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片。调节器位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫。根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。

Description

用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器
技术领域
本发明实施例涉及一种用于化学机械研磨的系统、控制方法以及仪器。
背景技术
在半导体制造工艺中，可以对衬底(例如半导体芯片)进行一次或多次抛光或平面化以除去芯片的顶面上的一部分。典型的抛光工艺是一种化学机械抛光(CMP)，其通过将芯片放在抛光垫上以及以芯片面朝下的方式被抛光垫按压以进行抛光。在抛光工艺期间，抛光垫的特性可能会发生变化(如抛光垫可能被磨损)，从而降低了抛光率和被抛光的芯片的质量。因此，通过调节器进行垫调节以修复(recondition)抛光垫的表面。
然而，现有方法无法有效地监控抛光条件或抛光垫轮廓以及对CMP仪器进行适当的调整。
发明内容
根据本发明的实施例，一种化学机械抛光仪器包括抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽。第一传感器用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度。抛光头位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片。调节器位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫。根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
根据本发明的实施例，一种化学机械抛光仪器的控制方法包括以下步骤，所述化学机械抛光仪器具有抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。由所述第一传感器测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述抛光垫的多个凹槽的深度。根据所述垫轮廓调整至少一个抛光条件。根据所述至少一个抛光条件，通过所述抛光头抛光推向所述抛光垫的芯片。根据所述至少一个抛光条件，通过所述调节器修复所述抛光垫。
根据本发明的实施例，一种化学机械抛光系统包括化学机械抛光仪器、存储器以及控制器。化学机械抛光仪器包括抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽。第一传感器用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度。抛光头位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片。调节器位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫。根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。存储器用于存储程序指令。控制器，耦合到所述存储器以及所述化学机械抛光仪器，并用于执行存储在所述存储器中的所述程序指令以：根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整至少一个抛光条件；以及根据所述至少一个抛光条件控制所述抛光头以及所述调节器。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1示出根据本公开的实施例的化学机械抛光(CMP)仪器的示意图；
图2示出根据本公开的另一实施例的CMP仪器的示意图；
图3示出根据本公开的实施例的包括CMP仪器的系统；
图4A至图4C示出根据本公开的实施例的抛光垫的不同凹槽图案的俯视图；
图5示出根据本公开的实施例的抛光垫的不同区域；
图6A至图6B示出根据本公开的实施例的抛光垫的剖视图；以及
图7示出根据本公开的实施例的CMP仪器的控制方法的流程图。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在执行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
此外，为易于说明，本文中可能使用例如“位于...之下(beneath)”、“位于...下面(below)”、“下部的(lower)”、“位于...上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示一个组件或特征与另一(其他)组件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地执行解释。
参考图1，其为示出CMP仪器110的示意图。CMP仪器110包括抛光垫111、第一传感器112、抛光头113以及调节器114。抛光垫111可以具有随机排列或以特定凹槽图案排列的多个凹槽。
第一传感器112位于抛光垫111的上方，用于测量抛光垫111的垫轮廓(profile)。在一实施例中，垫轮廓可以包括抛光垫111上的每个凹槽的深度。在另一实施例中，垫轮廓可以包括抛光垫111上的每个凹槽的深度和宽度。然而，本公开不限于此，用以定义抛光垫111上的凹槽的形状或外观的任何其他参数都可以包含在本公开的垫轮廓中。
在一实施例中，第一传感器112可以包括一个或多个相同类型或不同类型的传感器。第一传感器112可以包括光传感器、声波传感器、图像传感器以及任何其他类型的传感器中的至少一个。例如，第一传感器112可以包括用于测量抛光垫111的三维形貌(例如，形状)的三维激光照相机。第一传感器112可以先产生激光束到位于激光路径中的抛光垫111，接着接收从抛光垫111反射的反射激光束。根据反射激光束的接收，第一传感器112可以获得抛光垫111的垫轮廓。在另一实例中，第一传感器112可以包括三维图像照相机或三维声波照相机或其任何组合。
只要可以测量垫轮廓即可，第一传感器112可以是接触式传感器或非接触式传感器。本公开不对第一传感器112的类型和第一传感器112的数量加以限制。
在本公开的实施例中，第一传感器112可以位于抛光垫111的上方，以测量抛光垫111的垫轮廓。举例来说，第一传感器112可以附接到CMP仪器110的抛光头113或调节器114或嵌入CMP仪器110的抛光头113或调节器114。然而，本公开不限于此，第一传感器112可以通过接触或非接触第一传感器112的方式放置在抛光垫111上方的任何位置处。
抛光头113位于抛光垫111的上方，且用于对衬底(如半导体芯片)进行抛光工艺。抛光头113可以保持(hold)半导体芯片(也称为芯片)，使半导体芯片以面朝下的方式面向抛光垫111。在抛光工艺期间，通过施加向下力将芯片压向抛光垫111，从而在抛光头113上产生压力。抛光垫111可以划分为多个区域(例如，同心区域)，当抛光头113位于抛光垫111的不同区域时，抛光头113上的区域压力(zone pressure)可以不同。抛光头113可以以特定的或可调节的向下力旋转并移动穿过抛光垫111的表面以抛光芯片。根据至少一个抛光条件(例如，抛光参数)来操作抛光头113，其中抛光条件可以包括抛光头113的区域压力及/或抛光头113的旋转速度。根据由第一传感器112测量的抛光垫111的垫轮廓来调整所述至少一个抛光条件。值得注意的是，根据多个不同的参数来操作抛光头113，并且可以根据抛光垫111的垫轮廓调整这些参数本身或些参数的组合。
调节器114用于修复抛光垫111以恢复抛光垫111的特性。调节器114可以由嵌有金刚石颗粒的金属制成，但是本公开不限于此。根据多个不同的参数或抛光条件来操作调节器114，所述参数或抛光条件例如为调节器的扫描范围、调节器的扫描频率、调节器的旋转速度、将调节器推向抛光垫的向下力等。调节器114通常会旋转，并且在抛光垫111的表面上以如图1中所示的双向箭头的扫描方式移动。
一旦抛光垫111的垫轮廓由第一传感器112测量，可以根据所测量的垫轮廓来调整调节器114的所述至少一个抛光条件(参数)。在一实施例中，根据抛光垫111的垫轮廓调整调节器114的扫描范围、调节器114的扫描频率、调节器114的旋转速度以及将调节器114推向抛光垫的向下力中的至少一个。然而，本公开不限于此，可以根据抛光垫111的垫轮廓调整调节器114的任何其他参数。
CMP仪器110还可以包括流体输送臂(未示出)，流体输送臂用于在抛光工艺期间将抛光浆液提供到抛光垫111上。流体传送臂可以进一步用于控制抛光浆液的流速。在本公开的实施例中，可以根据抛光垫111的垫轮廓在抛光工艺期间调整抛光浆液的流速。
图2示出根据本公开的实施例的CMP仪器210。CMP仪器200可以包括保持芯片的抛光垫211、第一传感器212、抛光头213、调节器214、第二传感器216、第三传感器217以及第四传感器215。抛光垫211、第一传感器212、抛光头213以及调节器214类似于图1所示的抛光垫111、第一传感器112、抛光头113以及调节器114，因此在这里省略这些组件的详细描述。
第二传感器216用于测量调节器214的向下力，以及第三传感器217用于测量调节器214的切割速度。第二传感器216和第三传感器217可以位于调节器214的上方或下方或集成至调节器214中。第二传感器216和第三传感器217可位于调节器214附近的位置。
第四传感器215用于测量芯片的厚度。第四传感器215可以位于抛光头213上，或者集成到抛光头213中，或者位于CMP仪器210附近的任何位置。传感器215、216及217可以通过接触或非接触的方式操作，且本公开未限制传感器的类型、数量和位置。
在本公开的实施例中，根据至少一个抛光条件或抛光参数操作抛光头213和调节器214。抛光参数可以根据由第一传感器212测量的垫轮廓及/或由第二传感器216测量的调节器214的向下力及/或由第三传感器217测量的调节器214的切割速度及/或由第四传感器215测量的芯片的厚度调整。
图3示出系统300的示意图，其包括CMP仪器310、处理器320以及存储器330。CMP仪器310可以包括抛光垫311、第一传感器312、抛光头313以及调节器314。抛光垫311、第一传感器312、抛光头313以及调节器314类似于图1中的抛光垫111、第一传感器112、抛光头113以及调节器114，因此在这里省略这些组件的详细描述。
第一传感器312可耦合至处理器320，以将抛光垫311的测量的垫轮廓传送至处理器320。进而，处理器320可接收来自第一传感器的垫轮廓，并使用所接收的垫轮廓来调整CMP仪器310的所述至少一个抛光条件。举例来说，处理器320可调整控制抛光头313和调节器314的操作的所述至少一个抛光条件。
在本公开的一实施例中，处理器320可以接收从第一传感器312发送的数据，并且根据从第一传感器312接收到的数据产生抛光垫311的垫轮廓。
在一实施例中，系统300还可以包括一个或多个传感器，其用于测量与CMP仪器310的操作有关的不同参数。举例来说，系统300可以包括传感器，其用于测量芯片的厚度、调节器314的向下力、调节器314的切割速度、调节器314的旋转速度、抛光头313的旋转速度、抛光头313的向下力或区域压力等。传感器可以耦合到处理器320以将测量的数据传送到处理器320。处理器320可以使用由传感器测量的数据和由第一传感器312测量的垫轮廓来调整CMP仪器310的抛光条件。
现参考图4A至图4C，其示出CMP仪器中的抛光垫411的不同凹槽图案的俯视图。抛光垫411包括随机形成或形成特定图案的多个凹槽，只要凹槽能够提供期望的功能即可。图4A示出同心圆凹槽图案的实例，其中抛光垫411的所述多个凹槽402以同心圆方式排列。图4B示出笛卡尔格槽(Cartesian grid grooved)图案的实例，以及图4C示出旋转(rotated)笛卡尔格槽图案的实例。需要说明的是，图4A至图4C所示的凹槽图案仅用于说明目的，本公开的凹槽图案不限于此。凹槽图案可以包括同心圆图案、径向图案、笛卡尔格图案、螺旋图案、旋转笛卡尔格图案以及它们的任意组合。
CMP仪器中的抛光垫可划分为不同区域，图5示出根据本公开的实施例的抛光垫511的不同区域Z1、Z2及Z3的实例。抛光垫511的垫轮廓可以根据抛光垫511的不同区域中的凹槽产生。举例来说，用于测量抛光垫的垫轮廓的第一传感器可以是三维激光照相机，所述三维激光照相机根据抛光垫上的激光路径测量每个凹槽的深度和宽度。激光路径可以穿过抛光垫的区域，使得三维激光照相机可以测量每个区域中的每个凹槽的深度和宽度。可以使用单个区域或多个区域的凹槽的深度和宽度来产生抛光垫的垫轮廓。
在一实施例中，抛光头推向抛光垫的一个区域的压力(例如区域压力)与抛光头推向抛光垫的另一个区域的压力不同。举例来说，区域Z1上的抛光头的区域压力可能不同于区域Z2上的抛光头的区域压力。在本公开的实施例中，将抛光头的区域压力视为抛光参数之一，并根据抛光垫的垫轮廓调整抛光头的区域压力。
图6A示出包括多个凹槽602的抛光垫611的剖视图。如图6A所示，所述多个凹槽可以形成为特定图案，但是本公开不限于此。图6A中所示的每个凹槽602具有深度D和宽度W，并且可以由第一传感器测量每个凹槽602的深度D和宽度W，以产生垫轮廓。
图6B示出包括多个凹槽602和凹槽604的抛光垫611的剖视图。凹槽602具有深度D和宽度W，以及凹槽604具有深度D’和宽度W’。深度D’小于深度D，以及宽度W’可以与宽度W相同或不同。
因此，在抛光工艺中，凹槽602可以变为凹槽604。由于图6B所示的抛光垫611的表面是不均匀的，所以可能会给抛光工艺带来各种问题，例如抛光垫的寿命缩短、影响抛光工艺的质量等。
参考图7，示出CMP仪器的控制方法的流程图。在步骤701中，由第一传感器测量抛光垫的垫轮廓，其中抛光垫的垫轮廓包括抛光垫的多个凹槽的深度。
在步骤703中，根据垫轮廓调整至少一个抛光条件。在一实施例中，所述至少一个抛光条件可以包括调节器的扫描范围、调节器的扫描频率、调节器的旋转速度、将调节器推向抛光垫的向下力以及抛光头的区域压力。然而，在一实施例中，可以采用额外的传感器来测量调节器的切割速度、调节器的向下力以及芯片的厚度。根据垫轮廓及/或所测量的切割速度及/或所测量的向下力及/或芯片的厚度来调整所述至少一个抛光条件。
在步骤705中，根据所述至少一个抛光条件控制抛光头，以对推向抛光垫的芯片进行抛光。在步骤707中，根据所述至少一个抛光条件控制调节器，以修复抛光垫。
根据本公开的一些实施例，介绍了一种化学机械抛光(CMP)仪器。CMP仪器可以包括具有随机排列或以特定图案排列的多个凹槽的抛光垫。CMP仪器还包括第一传感器，用于测量抛光垫的垫轮廓，其中所述垫轮廓包括抛光垫上的每个凹槽的深度。CMP仪器还包括抛光头和调节器，根据至少一个抛光条件操作所述抛光头和所述调节器，其中根据第一传感器测量的抛光垫的垫轮廓调整所述抛光条件。通过第一传感器测量抛光垫的垫轮廓，CMP仪器可以根据垫轮廓调整调节器的抛光条件，以更有效地修复抛光垫。此外，CMP仪器还可以根据垫轮廓调整抛光头的抛光条件，从而提高抛光工艺的表现。因此，增加了抛光垫的使用寿命并减少了抛光工艺中的缺陷和问题，且提高了抛光工艺的表现。
在一实施例中，提供一种化学机械抛光仪器。化学机械抛光仪器包括抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽。第一传感器用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度。抛光头位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片。调节器位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫。根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
在一些实施例中，所述第一传感器用于测量所述多个凹槽中的每一个的深度以及所述多个凹槽中的每一个的宽度，以得到所述抛光垫的所述垫轮廓。
在一些实施例中，所述第一传感器包括光传感器、声波传感器以及图像传感器中的至少一个。
在一些实施例中，所述第一传感器包括三维激光传感器。
在一些实施例中，所述至少一个抛光条件包括所述调节器的扫描范围、所述调节器的扫描频率、所述调节器的旋转速度、将所述调节器推向所述抛光垫的向下力以及所述抛光头的区域压力中的至少一个。
在一些实施例中，所述化学机械抛光仪器还包括：第二传感器以及第三传感器。所述第二传感器用于测量将所述调节器推向所述抛光垫的向下力。所述第三传感器用于测量所述调节器的切割速度。根据所述向下力和所述调节器的所述切割速度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
在一些实施例中，所述化学机械抛光仪器还包括第四传感器。所述第四传感器用于测量所述芯片的厚度。根据所述向下力、所述调节器的所述切割速度以及所述芯片的所述厚度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
在一些实施例中，所述化学机械抛光仪器还包括第五传感器。所述第五传感器用于测量所述芯片的厚度。根据所述垫轮廓以及所述芯片的所述厚度调整所述至少一个抛光条件。
在一实施例中，提供一种化学机械抛光仪器的控制方法，所述化学机械抛光仪器具有抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述控制方法包括：由所述第一传感器测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述抛光垫的多个凹槽的深度；根据所述垫轮廓调整至少一个抛光条件；根据所述至少一个抛光条件，通过所述抛光头抛光推向所述抛光垫的芯片；以及根据所述至少一个抛光条件，通过所述调节器修复所述抛光垫。
在一些实施例中，所述测量所述抛光垫的所述垫轮廓的步骤包括：测量所述抛光垫的所述多个凹槽中的每一个的深度；以及测量所述抛光垫的所述多个凹槽中的每一个的宽度。
在一些实施例中，所述第一传感器包括光传感器、声波传感器以及图像传感器中的至少一个。
在一些实施例中，所述第一传感器包括三维激光传感器。
在一些实施例中，所述至少一个抛光条件包括所述调节器的扫描范围、所述调节器的扫描频率、所述调节器的旋转速度、将所述调节器推向所述抛光垫的向下力以及所述抛光头的区域压力中的至少一个。
在一些实施例中，所述控制方法还包括：测量将所述调节器推向所述抛光垫的向下力；以及测量所述调节器的切割速度。所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：根据所述向下力和所述调节器的所述切割速度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
在一些实施例中，所述控制方法还包括：测量所述芯片的厚度。所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：根据所述向下力、所述调节器的所述切割速度以及所述芯片的所述厚度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
在一些实施例中，所述控制方法还包括：测量所述芯片的厚度。所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：根据所述垫轮廓以及所述芯片的所述厚度调整所述至少一个抛光条件。
在一实施例中，提供一种系统。所述系统包括化学机械抛光仪器、存储器以及控制器。所述化学机械抛光仪器包括抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器。所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽。第一传感器用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度。抛光头位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片。调节器位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫。存储器用于存储程序指令。控制器耦合到所述存储器以及所述化学机械抛光仪器，并用于执行存储在所述存储器中的所述程序指令以：根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整至少一个抛光条件；以及根据所述至少一个抛光条件控制所述抛光头以及所述调节器。
在一些实施例中，所述第一传感器用于测量所述多个凹槽中的每一个的深度以及所述多个凹槽中的每一个的宽度。
在一些实施例中，所述至少一个抛光条件包括所述调节器的扫描范围、所述调节器的扫描频率、所述调节器的旋转速度、将所述调节器推向所述抛光垫的向下力以及所述抛光头的区域压力中的至少一个。
在一些实施例中，所述系统还包括：第二传感器、第三传感器以及第四传感器。所述第二传感器用于测量将所述调节器推向所述抛光垫的向下力。所述第三传感器用于测量所述调节器的切割速度。所述第四传感器用于测量所述芯片的厚度。根据所述向下力、所述调节器的所述切割速度以及所述芯片的所述厚度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
以上概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本公开的各个方面。所属领域中的技术人员应知，他们可容易地使用本公开作为设计或修改其他过程及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的及/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，这些等效构造并不背离本公开的精神及范围，而且他们可在不背离本公开的精神及范围的条件下对其作出各种改变、替代及变更。

Claims (10)

1.一种化学机械抛光仪器，其特征在于，包括：
抛光垫，其中所述抛光垫包括位于其上的多个凹槽；
第一传感器，用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度；
抛光头，位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片；以及
调节器，位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫，
其中根据至少一个抛光条件操作所述抛光头以及所述调节器，且根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
2.一种化学机械抛光仪器的控制方法，所述化学机械抛光仪器具有抛光垫、第一传感器、抛光头以及调节器，其特征在于，所述控制方法包括：
由所述第一传感器测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述抛光垫的多个凹槽的深度；
根据所述垫轮廓调整至少一个抛光条件；
根据所述至少一个抛光条件，通过所述抛光头抛光推向所述抛光垫的芯片；以及
根据所述至少一个抛光条件，通过所述调节器修复所述抛光垫。
3.根据权利要求2所述的控制方法，其中所述测量所述抛光垫的所述垫轮廓的步骤包括：
测量所述抛光垫的所述多个凹槽中的每一个的深度；以及
测量所述抛光垫的所述多个凹槽中的每一个的宽度。
4.根据权利要求2所述的控制方法，其中所述第一传感器包括光传感器、声波传感器以及图像传感器中的至少一个。
5.根据权利要求2所述的控制方法，其中所述第一传感器包括三维激光传感器。
6.根据权利要求2所述的控制方法，其中所述至少一个抛光条件包括所述调节器的扫描范围、所述调节器的扫描频率、所述调节器的旋转速度、将所述调节器推向所述抛光垫的向下力以及所述抛光头的区域压力中的至少一个。
7.根据权利要求2所述的控制方法，还包括：
测量将所述调节器推向所述抛光垫的向下力；以及
测量所述调节器的切割速度，
其中所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：
根据所述向下力和所述调节器的所述切割速度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
8.根据权利要求7所述的控制方法，还包括：
测量所述芯片的厚度，
其中所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：
根据所述向下力、所述调节器的所述切割速度以及所述芯片的所述厚度中的至少一个以及所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件。
9.根据权利要求2所述的控制方法，还包括：
测量所述芯片的厚度，
其中所述根据所述垫轮廓调整所述至少一个抛光条件的步骤包括：
根据所述垫轮廓以及所述芯片的所述厚度调整所述至少一个抛光条件。
10.一种化学机械抛光系统，包括：
化学机械抛光仪器，包括：
抛光垫，其中所述研磨垫包括位于其上的多个凹槽；
第一传感器，用于测量所述抛光垫的垫轮廓，其中所述抛光垫的所述垫轮廓包括所述多个凹槽的深度；
抛光头，位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓抛光推向所述抛光垫的芯片；以及
调节器，位于所述抛光垫的上方，且用于根据所述垫轮廓修复所述抛光垫；
存储器，用于存储程序指令；以及
控制器，耦合到所述存储器以及所述化学机械抛光仪器，并用于执行存储在所述存储器中的所述程序指令以：
根据所述抛光垫的所述垫轮廓调整至少一个抛光条件；以及
根据所述至少一个抛光条件控制所述抛光头以及所述调节器。
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