CN109830251B - 数据存储装置及其操作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种数据存储装置，包括：非易失性存储器装置，具有温度传感器；以及控制器，其中非易失性存储器装置基于从控制器输出的操作命令来执行操作，并且将由温度传感器测量的温度信息与操作结果一起传输到控制器。

Description

数据存储装置及其操作方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年11月23日提交的申请号为10-2017-0157430的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的各个实施例总体涉及一种数据存储装置。特别地，实施例涉及一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置。
背景技术
数据存储装置可响应于来自外部装置的写入请求，存储由外部装置提供的数据。此外，数据存储装置可响应于来自外部装置的读取请求，将存储的数据提供给外部装置。外部装置可以是一种能够处理数据的电子装置，诸如计算机、数码相机或移动电话。数据存储装置可被安装在外部装置中，或者可以可分开的形式被制造并联接到外部装置。
因为使用存储器装置的数据存储装置不具有机械驱动部件，所以各种优点可包括优良的稳定性和耐用性、高信息存取速度和低功耗。具有这种优点的数据存储装置包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、通用闪速存储(UFS)装置和固态驱动器(SSD)。
发明内容
各个实施例涉及一种能够精确地确定非易失性存储器装置内部的温度的数据存储装置。
在实施例中，数据存储装置可包括：非易失性存储器装置，具有温度传感器；以及控制器，其中非易失性存储器装置基于从控制器输出的操作命令执行操作，并且将由温度传感器测量的温度信息与操作结果一起传输到控制器。
在实施例中，操作非易失性存储器装置的方法可包括：从控制器接收操作命令；基于操作命令执行操作；基于由温度传感器测量的温度收集温度信息；以及将操作结果与温度信息一起输出到控制器。
在实施例中，操作数据存储装置的方法可包括：将操作命令从控制器传输到非易失性存储器装置；基于操作命令在非易失性存储器装置中执行操作；收集非易失性存储器装置内部的温度信息；以及将操作结果与温度信息一起从非易失性存储器装置传输到控制器。
在实施例中，存储器系统可包括：存储器装置，适于感测存储器装置的温度；以及控制器，适于控制存储器装置以向控制器提供对操作命令以及感测的温度的响应。
根据实施例的数据存储装置可精确地确定非易失性存储器装置的温度。
而且，根据实施例的数据存储装置可在没有单独请求的情况下确定非易失性存储器装置的温度，从而防止数据存储装置的性能劣化。
附图说明
图1是示意性示出根据本公开的实施例的数据存储装置的框图。
图2是示出根据实施例的包括温度传感器的数据存储装置的框图。
图3是示出根据实施例的包括温度传感器的数据存储装置的框图。
图4是描述根据实施例的非易失性存储器装置的操作方法的流程图。
图5是描述根据实施例的数据存储装置的操作方法的流程图。
图6是描述根据实施例的数据存储装置的操作方法的流程图。
图7是描述根据实施例的数据存储装置的操作方法的流程图。
图8是示出根据实施例的包括固态驱动器的数据处理系统的示例的示图。
图9是示出根据实施例的包括数据存储装置的数据处理系统的示例的示图。
图10是示出根据实施例的包括数据存储装置的数据处理系统的示例的示图。
图11是示出根据实施例的包括数据存储装置的网络系统的示例的示图。
图12是示出根据实施例的包括在数据存储装置中的非易失性存储器装置的示例的示图。
具体实施方式
在本发明中，在结合附图阅读以下示例性实施例之后，本发明的优点、特征及方法将变得显而易见。然而，本发明可以不同的形式实施，并不应被解释为限制于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例以详细地描述本发明至本发明所属领域的技术人员能够实施本发明的技术构思的程度。
将理解的是，本发明的实施例不限于附图中所示的细节，附图不一定按比例被绘制，在一些情况下，比例可能被夸大以更清楚地描绘本发明的某些特征。虽然使用了特定术语，但是应当理解的是，所使用的术语仅用于描述特定实施例，而不旨在限制本发明的范围。
如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任何一个和所有组合。将理解的是，当一个元件被称为“在另一元件上”、“连接至”或“联接至”另一元件时，它可直接在其它元件上、连接至或联接至其它元件，或可存在中间元件。如本文使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式也旨在包括复数形式。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表示至少一个陈述的特征、步骤、操作和/或元件的存在，但不排除一个或多个其它特征、步骤、操作和/或其元件的存在或添加。
固态驱动器内部的温度，尤其是NAND闪速存储器装置内部的温度，与通过降低存储器单元的压力而保证的NAND闪速存储器装置的可靠性密切相关。详细地，如果在存储器单元中重复执行诸如读取操作、写入操作等的操作，则NAND闪速存储器装置的压力增加，并且NAND闪速存储器装置的温度升高。如果操作命令被传输到温度过度升高的存储器单元并执行对应的操作，则会导致增加发生错误的可能性的问题。
在这种考虑中，温度传感器可被设置在NAND闪速存储器装置中，控制器可输出请求温度信息的命令，并且与此相对应，在NAND闪速存储器装置中测量的温度可被传送到控制器。然而，在这方面，因为另外的操作命令被输出，所以可能会导致低效。
进一步地，控制器可测量其内部的温度，并且NAND闪速存储器装置的温度可通过将校正值应用于控制器的温度来间接地确定。然而，在这方面，由于与NAND闪速存储器装置无关的控制器内部的操作而上升或下降的温度可能被反映到NAND闪速存储器装置的检测中，可能难以精确地确定NAND闪速存储器装置的温度，因此可能会实施对操作命令的不必要控制。
在下文中，将通过各个示例性实施例参照附图来描述数据存储装置、数据存储装置的操作方法及操作非易失性存储器装置的方法。
图1是示意性示出根据本公开的实施例的数据存储装置的框图。
参照图1，数据存储装置100可存储待由诸如移动电话、MP3播放器、便携式计算机、台式计算机、游戏机、TV、车载信息娱乐系统等的主机装置(未示出)访问的数据。数据存储装置100可被称为存储器系统。
数据存储装置100可根据主机接口被制造在各种类型的存储装置中，主机接口表示针对主机装置的传输协议。例如，数据存储装置100可被配置成诸如以下的各种存储装置中的任意一种：固态驱动器(SSD)，MMC、eMMC、RS-MMC和微型-MMC形式的多媒体卡，SD、迷你-SD和微型-SD形式的安全数字卡，通用串行总线(USB)存储装置，通用闪速存储(UFS)装置，个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡型存储装置，外围组件互连(PCI)卡型存储装置，高速PCI(PCI-E)卡型存储装置，标准闪存(CF)卡，智能媒体卡，记忆棒等。
数据存储装置100可被制造在各种封装类型中的任意一种中。例如，数据存储装置100可被制造在诸如以下的各种封装类型中的任意一种中：堆叠封装(POP)、系统级封装(SIP)、片上系统(SOC)、多芯片封装(MCP)、板上芯片(COB)、晶圆级制造封装(WFP)以及晶圆级堆叠封装(WSP)。
图2是示出根据实施例的包括温度传感器的数据存储装置的框图。图3是示出根据实施例的包括温度传感器的数据存储装置的框图。
参照图2和图3，根据实施例的每个数据存储装置100可包括控制器200。控制器200可包括控制单元210和随机存取存储器220。
控制单元210可通过微控制单元(MCU)或中央处理单元(CPU)来配置。控制单元210可处理从主机装置传输的请求。为了处理该请求，控制单元210可驱动加载在随机存取存储器220中的代码类型的指令或算法，即固件FW，并且可控制内部功能块和对应的非易失性存储器装置301或302。
随机存取存储器220可通过诸如动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)的随机存取存储器来配置。随机存取存储器220可存储待由控制单元210驱动的固件FW。此外，随机存取存储器220可存储驱动固件FW所需的数据，例如元数据。也就是说，随机存取存储器220可作为控制单元210的工作存储器来操作。
根据实施例的数据存储装置100可包括非易失性存储器装置300、301和302，每个非易失性存储器装置均包括温度传感器372。非易失性存储器装置300、301和302中的每一个可基于从控制器200输出的操作命令来执行操作，并且可将由温度传感器372测量的温度信息与操作结果一起传输到控制器200。
如图2所示，温度传感器372可联接到位于非易失性存储器装置301中的存储器单元371中的每一个。温度传感器372可单独测量存储器单元371中的每一个的温度，或者可位于存储器单元区域370中，并且可测量存储器单元区域370以及存储器单元371的温度。
而且，如图3所示，温度传感器372可以不设置在存储器单元区域370中而是设置在非易失性存储器装置302中以测量非易失性存储器装置302的温度。
非易失性存储器装置300、301和302中的每一个可包括数据输出驱动器380。非易失性存储器装置300、301和302可通过数据输出驱动器380与控制器200联接并接收从控制器200输出的命令，并且可将从存储器单元区域370和温度传感器372获得的信息传输到控制器200。参照图2，数据输出驱动器380可与存储器单元区域370联接，并且可接收在存储器单元371中执行的操作结果和在存储器单元区域370中测量的温度信息，并且将所获得的信息传输到控制器200。
参照图3，数据输出驱动器380可获得在存储器单元区域370中执行的操作的结果，可从温度传感器372获得温度信息，并且可将所获得的信息传输到控制器200。
由温度传感器372测量的温度信息可与执行的操作的结果一起通过连续地传输温度信息和执行的操作的结果被传输到控制器200。温度信息与执行的操作的结果的传输顺序并不重要。也就是说，可以设置为首先传输温度信息或者首先传输操作结果。
由根据实施例的数据存储装置100中的每一个执行的操作可以是写入操作。非易失性存储器装置300可将关于执行写入操作的写入结果的信息和温度信息一起传输到控制器200，这可基于从控制器200接收的结果信息请求命令来执行。而且，由数据存储装置100中的每一个执行的操作可以是读取操作，并且非易失性存储器装置300、301和302中的每一个可将读取数据与温度信息一起传输到控制器200。
在根据实施例的数据存储装置100中的每一个中，控制器200可输出第一命令，并且在接收到第一命令之后，每当接收到针对操作的操作命令时，非易失性存储器装置300、301和302中的每一个可将温度信息与操作结果一起传输到控制器200。控制器200通过第一命令可以请求开始将在非易失性存储器装置300、301和302中的每一个中测量的温度信息与操作结果一起传输到控制器200的操作。
进一步地，在由于第一命令而开始一起传输温度信息与操作结果的操作之后，控制器200可输出第二命令，并且非易失性存储器装置300、301和302中的每一个可响应于第二命令，停止将在非易失性存储器装置300、301和302中的每一个中测量的温度信息与操作结果一起传输到控制器200的操作。即，由于第二命令，控制器200可响应于第二命令而请求停止将在非易失性存储器装置300、301和302中的每一个中测量的温度信息与操作结果一起传输到控制器200的操作。
根据实施例中的每一个的数据存储装置100可测量控制器200内部的温度，并且可在控制器200内部的温度等于或高于参考温度时输出第一命令。此外，当预定时间内命令被输出到非易失性存储器装置300、301和302中的每一个的次数等于或大于参考次数时，第一命令可被输出。温度和命令输出的次数可以被预先设置作为输出第一命令的参考，并且可在任何时间对其进行改变。
图4是描述根据实施例的操作非易失性存储器装置的方法的流程图。
参照图4，根据实施例的操作非易失性存储器装置的方法可包括以下步骤：在步骤S100中，从控制器接收操作命令；在步骤S200中，基于操作命令执行操作；在步骤S300和S400中，基于由温度传感器测量的温度收集温度信息；以及在步骤S500中，将执行操作的结果与温度信息一起输出到控制器。
执行操作的步骤和收集温度信息的步骤的顺序可以变化。也就是说，可首先基于由温度传感器测量的温度收集温度信息，然后，可以执行操作。由温度传感器测量的温度信息可以“与”操作结果一起被传输到控制器的事实可以指温度信息和操作结果被连续传输。然而，传输温度信息和操作结果的顺序并不重要。换言之，可设置为首先传输温度信息或操作结果中的任意一个。
在根据实施例的操作非易失性存储器装置的方法中，由非易失性存储器装置执行的操作可以是写入操作。非易失性存储器装置可将关于执行写入操作的写入结果的信息与温度信息一起传输到控制器。这可在从控制器接收到结果信息请求命令之后基于结果信息请求命令来执行。由非易失性存储器装置执行的操作可以是读取操作，并且非易失性存储器装置可将读取数据与温度信息一起传输到控制器。
根据实施例的操作非易失性存储器装置的方法可进一步包括接收第一命令的步骤(未示出)，以及从接收到第一命令的时间点开始，每当接收到针对操作的操作命令时将温度信息与操作结果一起传输到控制器的步骤(未示出)。换言之，第一命令可意味着开始将在非易失性存储器装置中测量的温度信息与操作结果一起传输到控制器的操作。
根据实施例的非易失性存储器装置的操作方法可进一步包括由控制器输出第二命令的步骤(未示出)。可从接收到第二命令的时间点开始中断温度信息与操作结果的传输。在由于第一命令而开始温度信息与操作结果一起传输的操作之后，控制器可输出第二命令，并且非易失性存储器装置可从接收到第二命令的时间点开始中断温度信息与操作结果一起传输的操作。即，第二命令可意味着中断温度信息与操作结果的传输。
图5是描述根据实施例的操作数据存储装置的方法的流程图。
参照图5，根据实施例的操作数据存储装置的方法可包括以下步骤：在步骤S3000中，通过控制器将操作命令传输到非易失性存储器装置；在步骤S4000中，基于操作命令在非易失性存储器装置中执行操作；在步骤S5000中，收集非易失性存储器装置内部的温度信息；以及在步骤S6000中，通过非易失性存储器装置将操作结果与温度信息一起传输到控制器。
执行操作的步骤和收集温度信息的步骤的顺序可以变化。也就是说，可首先基于由温度传感器测量的温度来收集温度信息，然后，可执行操作。由温度传感器测量的温度信息可“与”操作结果一起被传输到控制器的事实可以指温度信息和操作结果被连续传输。然而，温度信息和操作结果的传输顺序并不重要。换言之，可设置为首先传输温度信息或操作结果中的任何一个。
在根据实施例的数据存储装置的操作方法中，由数据存储装置执行的操作可以是写入操作。非易失性存储器装置可将关于执行写入操作的写入结果的信息与温度信息一起传输到控制器。这可在从控制器接收到结果信息请求命令之后基于结果信息请求命令来执行。由数据存储装置执行的操作可以是读取操作，并且非易失性存储器装置可将读取数据与温度信息一起传输到控制器。
图6是描述根据实施例的操作数据存储装置的方法的流程图。
参照图6，根据实施例的操作数据存储装置的方法可进一步包括以下步骤：在步骤S2000中，通过控制器输出第一命令。从接收到第一命令的时间点开始，每当接收到操作命令时，非易失性存储器装置可将温度信息与操作结果一起传输到控制器。根据实施例的操作数据存储装置的方法可进一步包括通过控制器输出第二命令的步骤(未示出)。非易失性存储器装置可从接收到第二命令的时间点开始中断温度信息与操作结果的传输。
换言之，第一命令可表示开始将在非易失性存储器装置中测量的温度信息与操作结果一起传输到控制器的操作。进一步地，在由于第一命令而开始温度信息与操作结果一起传输的操作之后，控制器可输出第二命令，并且非易失性存储器装置可从接收到第二命令的时间点开始中断温度信息与操作结果一起传输的操作。即，第二命令可表示中断温度信息与操作结果的传输的命令。
图7是描述根据实施例的操作数据存储装置的方法的流程图。
参照图7，在根据实施例的操作数据存储装置的方法中，当满足预定要求时(即，步骤S1000中为“是”)，第一命令可从控制器输出。即，该方法可进一步包括在步骤S1000中确定是否满足预定要求的步骤。
详细地，控制器内部的温度被测量，并且当控制器内部的温度等于或高于参考温度时，控制器可输出第一命令。此外，对命令从控制器被输出到非易失性存储器装置的次数进行计数，并且当计数的次数等于或大于参考次数时，控制器可输出第一命令。
如果不满足预定要求(即，步骤S1000中为“否”)，则执行以下步骤：在步骤S3000中通过控制器将操作命令传输到非易失性存储器装置、在步骤S4000中响应于操作命令在非易失性存储器装置中执行操作、以及在步骤S6100中输出执行的操作的结果。
图8是示出根据实施例的包括固态驱动器的数据处理系统的示例的示图。参照图8，数据处理系统1000可包括主机装置1100和固态驱动器(SSD)1200。
SSD 1200可包括控制器1210、缓冲器存储器装置1220、非易失性存储器装置1231至123n、电源1240、信号连接器1250和电源连接器1260。
控制器1210可控制SSD 1200的整个操作。控制器1210可包括主机接口单元1211、控制单元1212、随机存取存储器1213、错误校正码(ECC)单元1214和存储器接口单元1215。
主机接口单元1211可通过信号连接器1250与主机装置1100交换信号SGL。信号SGL可包括命令、地址、数据等。主机接口单元1211可根据主机装置1100的协议接口连接主机装置1100和SSD 1200。例如，主机接口单元1211可通过诸如以下的标准接口协议中的任意一种与主机装置1100通信：安全数字、通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)、并行高级技术附件(PATA)、串行高级技术附件(SATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、串列SCSI(SAS)、外围组件互连(PCI)、高速PCI(PCI-e)和通用闪速存储(UFS)。
控制单元1212可解析和处理从主机装置1100输入的信号SGL。控制单元1212可根据用于驱动SSD 1200的固件或软件来控制内部功能块的操作。随机存取存储器1213可用作驱动这种固件或软件的工作存储器。
错误校正码(ECC)单元1214可生成待传输到非易失性存储器装置1231至123n的数据的奇偶校验数据。生成的奇偶校验数据可与数据一起被存储在非易失性存储器装置1231至123n中。错误校正码(ECC)单元1214可基于奇偶校验数据检测从非易失性存储器装置1231至123n读出的数据的错误。如果检测的错误在可校正范围内，则错误校正码(ECC)单元1214可校正检测的错误。
存储器接口单元1215可根据控制单元1212的控制将诸如命令和地址的控制信号提供给非易失性存储器装置1231至123n。此外，存储器接口单元1215可根据控制单元1212的控制与非易失性存储器装置1231至123n交换数据。例如，存储器接口单元1215可将存储在缓冲存储器装置1220中的数据提供给非易失性存储器装置1231至123n，或者将从非易失性存储器装置1231至123n读出的数据提供给缓冲存储器装置1220。
缓冲器存储器装置1220可临时存储待存储在非易失性存储器装置1231至123n中的数据。进一步地，缓冲器存储器装置1220可临时存储从非易失性存储器装置1231至123n读出的数据。临时存储在缓冲存储器装置1220中的数据可根据控制器1210的控制被传输到主机装置1100或非易失性存储器装置1231至123n。
非易失性存储器装置1231至123n可用作SSD 1200的存储介质。非易失性存储器装置1231至123n可通过多个通道CH1至CHn分别与控制器1210联接。一个或多个非易失性存储器装置可联接到一个通道。联接到每个通道的非易失性存储器装置可联接到相同的信号总线和数据总线。
电源1240可将通过电源连接器1260输入的电源PWR提供至SSD1200内部。电源1240可包括辅助电源1241。当发生突然断电时，辅助电源1241可供电以使SSD 1200正常地结束。辅助电源1241可包括大容量电容器。
信号连接器1250可根据主机装置1100和SSD 1200之间的接口连接方案通过各种类型的连接器配置。
电源连接器1260可根据主机装置1100的供电方案通过各种类型的连接器配置。
图9是示出根据实施例的包括数据存储装置的数据处理系统的示例的示图。参照图9，数据处理系统2000可包括主机装置2100和数据存储装置2200。
主机装置2100可以诸如印制电路板的板形式来配置。虽然未示出，但主机装置2100可包括用于执行主机装置的功能的内部功能块。
主机装置2100可包括诸如插座、插槽或连接器的连接端子2110。数据存储装置2200可被安装到连接端子2110。
数据存储装置2200可以诸如印制电路板的板形式来配置。数据存储装置2200可被称为存储器模块或存储卡。数据存储装置2200可包括控制器2210、缓冲器存储器装置2220、非易失性存储器装置2231和2232、电源管理集成电路(PMIC)2240和连接端子2250。
控制器2210可控制数据存储装置2200的整体操作。控制器2210可以与图8所示的控制器1210相同的方式来配置。
缓冲器存储器装置2220可临时存储待被存储在非易失性存储器装置2231和2232中的数据。进一步地，缓冲器存储器装置2220可临时存储从非易失性存储器装置2231和2232读取的数据。临时存储在缓冲存储器装置2220中的数据可根据控制器2210的控制被传输到主机装置2100或非易失性存储器装置2231和2232。
非易失性存储器装置2231和2232可用作数据存储装置2200的存储介质。
PMIC 2240可将通过连接端子2250输入的电力提供到数据存储装置2200内部。PMIC 2240可根据控制器2210的控制管理数据存储装置2200的电力。
连接端子2250可联接到主机装置2100的连接端子2110。诸如命令、地址、数据等的信号和电力可通过连接端子2250在主机装置2100与数据存储装置2200之间被传输。连接端子2250可根据主机装置2100与数据存储装置2200之间的接口连接方案被配置成各种类型。连接端子2250可被设置在数据存储装置2200的任意一侧。
图10是示出根据实施例的包括数据存储装置的数据处理系统的示例的示图。参照图10，数据处理系统3000可包括主机装置3100和数据存储装置3200。
主机装置3100可以诸如印制电路板的板形式来配置。尽管未示出，但主机装置3100可包括用于执行主机装置的功能的内部功能块。
数据存储装置3200可以表面安装型封装的形式来配置。数据存储装置3200可通过焊球3250安装到主机装置3100。数据存储装置3200可包括控制器3210、缓冲器存储器装置3220和非易失性存储器装置3230。
控制器3210可控制数据存储装置3200的整体操作。控制器3210可以与图8所示的控制器1210相同的方式来配置。
缓冲器存储器装置3220可临时存储待被存储在非易失性存储器装置3230中的数据。进一步地，缓冲存储器装置3220可临时存储从非易失性存储器装置3230读出的数据。临时存储在缓冲存储器装置3220中的数据可根据控制器3210的控制被传输到主机装置3100或非易失性存储器装置3230。
非易失性存储器装置3230可用作数据存储装置3200的存储介质。
图11是示出根据实施例的包括数据存储装置的网络系统的示例的示图。参照图11，网络系统4000可包括通过网络4500联接的服务器系统4300和多个客户端系统4410至4430。
服务器系统4300可响应于来自多个客户端系统4410至4430的请求维护数据。例如，服务器系统4300可存储由多个客户端系统4410至4430提供的数据。对于另一示例，服务器系统4300可将数据提供给多个客户端系统4410至4430。
服务器系统4300可包括主机装置4100和数据存储装置4200。数据存储装置4200可由图1至图3所示的数据存储装置100、图8所示的SSD1200、图9所示的数据存储装置2200或图10所示的数据存储装置3200构成。
图12是示出根据实施例的包括在数据存储装置中的非易失性存储器装置的示例的示图。参照图12，非易失性存储器装置300可包括存储器单元阵列310、行解码器320、数据读取/写入块330、列解码器340、电压发生器350和控制逻辑360。
存储器单元阵列310可包括设置在字线WL1至WLm和位线BL1至BLn彼此交叉的区域处的存储器单元MC。
行解码器320可通过字线WL1至WLm与存储器单元阵列310联接。行解码器320可根据控制逻辑360的控制操作。行解码器320可对由外部装置(未示出)提供的地址解码。行解码器320可基于解码结果选择并驱动字线WL1至WLm。例如，行解码器320可将由电压发生器350提供的字线电压提供给字线WL1至WLm。
数据读取/写入块330可通过位线BL1至BLn与存储器单元阵列310联接。数据读取/写入块330可包括分别对应于位线BL1至BLn的读取/写入电路RW1至RWn。数据读取/写入块330可根据控制逻辑360的控制操作。数据读取/写入块330可根据操作模式用作写入驱动器或读出放大器。例如，数据读取/写入块330可用作写入驱动器，该写入驱动器在写入操作中将由外部装置提供的数据存储在存储器单元阵列310中。又例如，数据读取/写入块330可用作读出放大器，该读出放大器在读取操作中从存储器单元阵列310读取数据。
列解码器340可根据控制逻辑360的控制操作。列解码器340可对由外部装置提供的地址解码。列解码器340可基于解码结果将分别对应于位线BL1至BLn的数据读取/写入块330的读取/写入电路RW1至RWn与数据输入/输出线(或数据输入/输出缓冲器)联接。
电压发生器350可生成待在非易失性存储器装置300的内部操作中使用的电压。通过电压发生器350生成的电压可被施加到存储器单元阵列310的存储器单元。例如，在编程操作中生成的编程电压可被施加到待执行编程操作的存储器单元的字线。又例如，在擦除操作中生成的擦除电压可被施加到待执行擦除操作的存储器单元的阱区域。再例如，在读取操作中生成的读取电压可被施加到待执行读取操作的存储器单元的字线。
控制逻辑360可基于由外部装置提供的控制信号控制非易失性存储器装置300的整体操作。例如，控制逻辑360可控制非易失性存储器装置300的读取操作、写入操作和擦除操作。
对上述装置的描述可应用于根据本公开的实施例的方法。因此，在方法中省略对与上述装置的描述相同的描述。
尽管上面已经描述了各个实施例，但是本领域技术人员将理解，所描述的实施例仅为示例。因此，本文所述的数据存储装置、数据存储装置的操作方法及非易失性存储器装置的操作方法不应受限于所述实施例。

Claims (12)

1.一种数据存储装置，包括：
非易失性存储器装置，具有温度传感器；以及
控制器，当在预定时间内命令被输出到所述非易失性存储器装置的次数等于或大于参考次数时，所述控制器向所述非易失性存储器装置输出第一命令，并且向所述非易失性存储器装置输出操作命令，
其中所述非易失性存储器装置基于所述操作命令执行操作，并且基于所述第一命令和所述操作命令将由所述温度传感器测量的温度信息与操作结果一起传输到所述控制器。
2.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中所述操作为写入操作。
3.根据权利要求2所述的数据存储装置，其中所述操作结果包括关于写入数据的结果的信息。
4.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中所述操作为读取操作。
5.根据权利要求4所述的数据存储装置，其中所述操作结果包括关于读取数据的结果的信息。
6.根据权利要求1所述的数据存储装置，
从接收到所述第一命令的时间点开始，每当接收到所述操作命令时，所述非易失性存储器装置将所述温度信息与所述操作结果一起传输到所述控制器。
7.根据权利要求1所述的数据存储装置，
其中所述控制器输出第二命令，并且
所述非易失性存储器装置从接收到所述第二命令的时间点开始中断所述温度信息与所述操作结果的传输。
8.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中当所述控制器内部的温度等于或高于参考温度时，所述控制器输出所述第一命令。
9.一种数据存储装置的操作方法，其包括：
当在预定时间内命令被输出到非易失性存储器装置的次数等于或大于参考次数时，将第一命令从控制器输出到所述非易失性存储器装置，
从所述控制器向所述非易失性存储器装置传输操作命令；
基于所述操作命令在所述非易失性存储器装置中执行操作；
收集所述非易失性存储器装置内部的温度信息；以及
基于所述第一命令和所述操作命令，将操作结果与所述温度信息一起从所述非易失性存储器装置传输到所述控制器。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
其中从接收到所述第一命令的时间点开始，每当接收到所述操作命令时，所述非易失性存储器装置将所述温度信息与所述操作结果一起传输到所述控制器。
11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
从所述控制器输出第二命令，
其中所述非易失性存储器装置从接收到所述第二命令的时间点开始中断所述温度信息与所述操作结果的传输。
12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：当所述控制器内的温度等于或高于参考温度时，将所述第一命令从所述控制器传输到所述非易失性存储器装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7381269B2 (ja) * 2019-09-20 2023-11-15 キオクシア株式会社 ストレージコントローラ、ストレージ装置及びストレージ装置の制御方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101719052A (zh) * 2009-12-22 2010-06-02 成都市华为赛门铁克科技有限公司 一种写数据的方法、装置及系统

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4082913B2 (ja) * 2002-02-07 2008-04-30 株式会社ルネサステクノロジ メモリシステム
JP2013050818A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Toshiba Corp メモリシステム
KR102347179B1 (ko) 2015-05-22 2022-01-04 삼성전자주식회사 비휘발성 저장 장치의 온도 제어 방법
KR102456118B1 (ko) * 2016-02-24 2022-10-19 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102512448B1 (ko) * 2016-03-28 2023-03-22 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그의 동작 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101719052A (zh) * 2009-12-22 2010-06-02 成都市华为赛门铁克科技有限公司 一种写数据的方法、装置及系统

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