CN109819679A - 太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能发电系统 - Google Patents
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Abstract
实施例提供了具有提高效率的太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和其太阳能电池具有提高效率的光伏发电系统。实施例的太阳能电池包括第一电极、光吸收层、n型层和第二电极。光吸收层在第一电极和n型层之间。n型层在光吸收层和第二电极之间。光吸收层包含Cu2O。n型层包含硫化物。
Description
技术领域
本文中描述的实施例涉及太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能发电系统。
背景技术
存在作为高效太阳能电池的多结(叠层)太阳能电池。在叠层太阳能电池中，可使用对每个波段具有高光谱灵敏度的电池，因此可使叠层太阳能电池比单个结更有效。另外，Cu2O化合物已经被期望作为叠层太阳能电池的顶部电池，该化合物是廉价材料并且具有宽带隙。然而，Cu2O化合物容易被氧化，在其表面上生成CuO，从而致使pn界面的特性劣化，并因此妨碍Cu2O太阳能电池具有不低于10％的转换效率。
[引用列表]
[专利文献]
[PTL 1]日本专利号6099435
发明内容
[技术问题]
实施例提供了具有提高效率的太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和其太阳能电池具有提高效率的光伏发电系统。
[问题的解决方案]
实施例的太阳能电池包括第一电极、光吸收层、n型层和第二电极。光吸收层在第一电极和n型层之间。n型层在光吸收层和第二电极之间。光吸收层包含Cu2O。n型层包含硫化物。
附图说明
[图1]
图1是根据实施例的太阳能电池的剖视概念图。
[图2]
图2是根据实施例的多结太阳能电池的剖视概念图。
[图3]
图3是根据实施例的太阳能电池模块的概念图。
[图4]
图4是根据实施例的太阳能电池模块的剖视概念图。
[图5]
图5是根据实施例的太阳能电池系统的概念图。
具体实施方式
(第一实施例)
第一实施例涉及一种太阳能电池。图1示出第一实施例的太阳能电池100的概念图。如图1中所示，根据本实施例的太阳能电池100包括衬底1、位于衬底1上的第一电极2、位于第一电极2上的光吸收层3、位于光吸收层3上的n型层4和位于n型层4上的第二电极5。在第一电极2和光吸收层3之间或者在n型层4和第二电极5之间可以包括中间层(未示出)。
(衬底)
作为本实施例的衬底1，优选地使用钠钙玻璃，并且通常也可以使用诸如石英、白板玻璃或化学强化玻璃之类的玻璃、诸如不锈钢、Ti(钛)或Cr(铬)之类的金属板或者诸如聚酰亚胺或亚克力(acryl)之类的树脂。
(第一电极)
本实施例的第一电极2是位于衬底1和光吸收层3之间的层。在图1中，第一电极2与衬底1和光吸收层3直接接触。作为第一电极2，优选的是透明导电膜、金属膜或者金属膜和透明导电膜的层叠物。透明导电膜不受特别限制，并且是氧化铟锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺硼氧化锌(BZO)、掺镓氧化锌(GZO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺锑氧化锡(ATO)、掺钛氧化铟(ITiO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)等的膜。透明导电膜可以是层叠膜，并且在层叠膜中除了以上氧化物之外还可以包括氧化锡等的膜。金属膜不受特别限制，并且是Mo、Au、W等的膜。第一电极2可以是通过在透明导电膜上设置以点、线或网格的形式的金属而形成的电极。此时，以点、线或网格的形式的金属设置在透明导电膜和光吸收层3之间。优选的是，以点、线或网格的形式的金属相对于透明导电膜具有不低于50％的开口率(apertureratio)。以点、线或网格的形式的金属不受特别限制，并且是Mo、Au、W等。
(光吸收层)
本实施例的光吸收层3是位于第一电极2和n型层4之间的层。在图1中，光吸收层3与第一电极2和n型层4直接接触。光吸收层3是包含Cu2O的p型层。Cu2O是未掺杂或掺杂的氧化亚铜。Cu2O的厚度通常为不小于500nm且不大于2000nm，但是不限于此。与具有黄铜矿结构的化合物相比，Cu2O是廉价的，由此能够使太阳能电池100的成本降低。另外，Cu2O具有大约2.0eV的带隙，其为宽带隙。当本实施例的太阳能电池100的光吸收层3具有宽带隙时，在多结使用包括具有窄带隙的光吸收层(诸如Si)的太阳能电池作为底部电池时，本实施例的太阳能电池100的优选之处在于，对底部电池侧上的发电有贡献的波长的穿透性高，因此底部电池侧上的发电量高。当使用本实施例的太阳能电池100作为多结太阳能电池时，本实施例的太阳能电池100优选地设置在光入射侧。
(n型层)
本实施例的n型层4是位于光吸收层3和第二电极5之间的层。在图1中，n型层4与光吸收层3和第二电极5直接接触。虽然包含Cu2O的光吸收层已经与氧化物体系的n型层一起形成了pn结，但是在本实施例中，从抑制光吸收层3氧化的观点来看，包含硫化物层的层被优选地作为n型层4。另外，从抑制光吸收层3氧化的观点来看，n型层4更优选地为硫化物层。n型层4的硫化物优选地为包含Zn和In的硫化物化合物、包含Cd和Zn的硫化物化合物或者包含In和Ga的硫化物化合物。更具体地，n型层4优选地为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的至少一种硫化物的层。n型层4更优选地为由选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或更多种硫化物制成的层。n型层4优选地为由选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和In2zGa21-2zS组成的组的一种类型的硫化物制成的层。与使用氧化物的情况相比，使用硫化物而非氧化物作为n型层4可以抑制包含Cu2O的光吸收层3的氧化。Cu2O容易被氧化成CuO。当Cu2O被氧化时，pn界面变得粗糙并且界面的电阻增加，从而造成转换效率降低。特别地，当n型层4为氧化物时，长时间处于高温度及高湿度条件下的包含Cu2O的光吸收层3容易被氧化，但是将硫化物用于n型层4可以抑制吸收层3的氧化。在pn界面处的状态对太阳能电池100的转换效率的影响大的情况下，优选的是将本实施例的n型层4与包含Cu2O的光吸收层3组合使用。
n型层4的厚度优选地为不小于5nm且不大于100nm。如果n型层4的厚度不大于5nm，则当n型层4的覆盖率差时出现漏电流，这不是优选的。如果n型层4的厚度超过100nm，则透射率降低并且短路电流减小，这不是优选的。因此，n型层4的厚度更优选地为不小于10nm且不大于50nm。为了实现具有良好覆盖率的膜，n型层的表面粗糙度优选地为不大于5nm。
导带偏移(ΔE＝Ecp-Ecn)(即光吸收层3的导带最小值(CBM)的位置(Ecp(eV))与n型层4的导带下方的位置(Ecn(eV))之间的差值)为不小于-0.2eV且不大于0.6eV(-0.2eV≦ΔE≦+0.6eV)。当导带偏移大于0时，pn结界面处的导带变得不连续并且出现峰(spike)。当导带偏移小于0时，pn结界面处的导带变得不连续并且出现崖(cliff)。峰和崖两者都是光生电子的势垒(barrier)，因此峰和崖较小是优选的。因此，导带偏移优选地为不小于0.0eV且不大于0.4eV(0.0eV≦ΔE≦+0.4eV)。可以使用以下方法来估计CBM的位置。实际上通过光发射能谱(photoemission spectroscopy)来测量价带最大值(VBM)，光发射能谱是电子占据能级的评估方法，然后在假定已知带隙的情况下计算CBM。然而，在实际的pn结界面处，没有保持诸如相互扩散和阳离子空位生成之类的理想界面，因此带隙有可能改变。因此，还优选地通过反向光发射能谱(inverse photoemission spectroscopy)来评估CBM，反向光发射能谱直接使用光电子发射的反向过程。具体地，可以通过在光电转换元件的表面上反复进行低能量离子蚀刻和正/反向光发射能谱来评估pn结界面的电子态。
ZnxIn2-2xS3-2x中的x满足0≦x＜1。ZnS不是优选的，因为它与Cu2O具有大的导带偏移。优选地，x满足0.0≦x≦0.6，并且更优选地，x满足0.0≦x≦0.3。在该范围内，光生电子的势垒小，并且从防止pn结界面的质量劣化的观点来看，硫化物是优选的。
CdyZn1-yS中的y满足0<y≦1。ZnS不是优选的，因为它与Cu2O具有大的导带偏移。优选地，y满足0.3≦y≦0.7，并且更优选地，y为0.4≦y≦0.6。在该范围内，光生电子的势垒小，并且从防止pn结界面的质量劣化的观点来看，硫化物是优选的。
In2zGa21-2zS3中的z满足0＜z≦1。Ga2S3不是优选的，因为它与Cu2O具有大的导带偏移。优选地，z满足0.2≦z≦1.0，并且更优选地，z满足0.5≦z≦1.0。在该范围内，光生电子的势垒小，并且从防止pn结界面的质量劣化的观点来看，硫化物是优选的。
(第二电极)
在图1中，第二电极5与n型层4直接接触。作为第二电极5，透明导电膜是优选的。与第一电极2的材料相同的材料优选地用于透明导电膜。
通过X射线光发射能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)获得太阳能电池100的组成等。另外，可以通过用透射电子显微镜(TEM)以100000倍测量太阳能电池100的横截面来获得每层的厚度和粒度。可以通过用原子力显微镜(AFM)执行观测来获得表面粗糙度。
(第二实施例)
第二实施例涉及一种多结太阳能电池。图2是第二实施例的多结太阳能电池200的剖视概念图。图2的多结太阳能电池200包括在光入射侧上的第一实施例的太阳能电池(第一太阳能电池)100和第二太阳能电池201。第二太阳能电池201的光吸收层的带隙小于第一实施例的太阳能电池100的光吸收层3的带隙。注意的是，本实施例的多结太阳能电池还包括其中结合有三个或更多个太阳能电池的太阳能电池。
第一实施例的太阳能电池100的光吸收层3具有大约2.0eV的带隙，因此第二太阳能电池201的光吸收层优选地具有不小于1.0eV且不大于1.4eV的带隙。第二太阳能电池201的光吸收层优选地为具有高In含量比的CIGS类型、CIT类型和CdTe类型中的至少一种化合物半导体层或晶体硅或更多者。
(第三实施例)
第三实施例涉及一种太阳能电池模块。图3是第三实施例的太阳能电池模块300的透视概念图。图3的太阳能电池模块300是其中层叠有第一太阳能电池模块301和第二太阳能电池模块302的太阳能电池模块。第一太阳能电池模块301在光入射侧上，并且对于第一太阳能电池模块301而言，使用的是第一实施例的太阳能电池100。对于第二太阳能电池模块302而言，优选地使用第二太阳能电池201。
图4是太阳能电池模块300的剖视概念图。在图4中，详细示出了第一太阳能电池模块301的结构，而未示出第二太阳能电池模块302的结构。在第二太阳能电池模块301中，根据要使用的太阳能电池的光吸收层等来适当选择太阳能电池模块的结构。图4的太阳能电池模块包括由虚线包围的多个子模块303，在子模块303中多个太阳能电池100(太阳能电池)横向布置并且串联电连接，并且多个子模块303并联或串联电连接。相邻的子模块303通过汇流条304电连接。
太阳能电池100已经被划线，并且在相邻的太阳能电池100中，上侧的第二电极5和下侧的第一电极2被连接。与第一实施例的太阳能电池100类似，第三实施例的太阳能电池100也具有衬底1、第一电极2、光吸收层3、n型层4和第二电极5。优选的是，子模块303中的太阳能电池100的两端都连接到汇流条304，并且汇流条304使多个子模块303并联或串联电连接，以用第二太阳能电池模块302调节输出电压。
(第四实施例)
第四实施例涉及一种太阳能发电系统。第三实施例的太阳能电池模块300可以被用作第四实施例的太阳能发电系统中的用于生成电力的发电机。本实施例的太阳能发电系统使用太阳能电池模块执行发电，并且具体地，包括执行发电的太阳能电池模块、转换由发电生成的电能的单元以及消耗由电力积累装置生成的电力或消耗生成的电力的负载。图5示出本实施例的太阳能发电系统400的配置概念图。图5的太阳能发电系统包括太阳能电池模块401(300)、转换器402、蓄电池403和负载404。蓄电池403和负载404中的任一个可以被省略。负载404可以被配置为能够利用存储在蓄电池403中的电能。转换器402是包括执行电力转换(即变压)、DC-AC转换等的电路或元件(诸如DC-DC转换器、DC-AC转换器或AC-AC转换器)的设备。根据生成的电压以及蓄电池403和负载404的配置，可以针对转换器402采用合适的配置。
被包括在子模块303(被包括在太阳能电池模块300中并且已经接收到光)中的太阳能电池生成电力并且其电能被转换器402转换并且被存储在蓄电池403中或者被负载404消耗。在太阳能电池模块401中，有可能提供用于持续不断地引导太阳能电池模块401朝向太阳的太阳光跟踪驱动设备，提供用于收集太阳光的光收集器，并且添加用于提高发电效率的设备等。
优选的是，太阳能发电系统400用于诸如住宅、商业设施和工厂之类的房地产，并且用于诸如车辆、航空器和电子设备之类的可移动物品。期望通过使用太阳能电池模块401的实施例的具有优异转换效率的光电转换元件得到发电量的增加。
下文中，将基于示例更具体地描述实施例，但是这些实施例不限于以下示例。
(示例1)
在钠钙玻璃(碱玻璃)衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Zn0.3In1.4S2.4硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将ZnxIn2-2xS3-2x的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％(重量百分数)或3wt％。
(示例2)
在钠钙玻璃(碱玻璃)衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Cd0.4Zn0.6S的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将CdyZn1-yS的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压和FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例3)
在钠钙玻璃(碱玻璃)衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型InGaS3的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将InGaS3的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例4)
在无碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Zn0.3In1.4S2.4的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将ZnxIn2-2xS3-2x的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例5)
在无碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Cd0.4Zn0.6S的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Cd0.4Zn0.6S的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例6)
在无碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型InGaS3的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将InGaS3的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例7)
首先，在钠钙玻璃(碱玻璃)上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Zn0.3In1.4S2.4的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Zn0.3In1.4S2.4的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例8)
首先，在钠钙玻璃(碱玻璃)上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Cd0.4Zn0.6S的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Cd0.4Zn0.6S的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例9)
首先，在钠钙玻璃(碱玻璃)上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型InGaS3的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将InGaS3的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例10)
首先，在非碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Zn0.3In1.4S2.4的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Zn0.3In1.4S2.4的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例11)
首先，在非碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Cd0.4Zn0.6S的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Cd0.4Zn0.6S的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例12)
首先，在非碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型InGaS3的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将InGaS3的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地为2wt％或3wt％。
(示例13)
在钠钙玻璃(碱玻璃)衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Zn0.3In1.4S2.4硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将ZnxIn2-2xS3-2x的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例14)
在钠钙玻璃(碱玻璃)衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Cd0.4Zn0.6S的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将CdyZn1-yS的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例15)
在钠钙玻璃(碱玻璃)衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型InGaS3的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将InGaS3的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例16)
在无碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Zn0.3In1.4S2.4的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将ZnxIn2-2xS3-2x的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例17)
在无碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Cd0.4Zn0.6S的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Cd0.4Zn0.6S的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例18)
在无碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。通过在氧气、氮气或氩气气氛中在500℃溅射来在透明的第一电极上形成Cu2O化合物膜。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型InGaS3的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将InGaS3的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例19)
首先，在钠钙玻璃(碱玻璃)上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Zn0.3In1.4S2.4的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Zn0.3In1.4S2.4的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例20)
首先，在钠钙玻璃(碱玻璃)上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Cd0.4Zn0.6S的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Cd0.4Zn0.6S的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例21)
首先，在钠钙玻璃(碱玻璃)上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型InGaS3的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将InGaS3的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例22)
首先，在非碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Zn0.3In1.4S2.4的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Zn0.3In1.4S2.4的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例23)
首先，在非碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型Cd0.4Zn0.6S的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将Cd0.4Zn0.6S的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
(示例24)
首先，在非碱玻璃衬底上沉积ITO透明导电膜和ATO透明导电膜作为后表面侧上的第一电极。此后，沉积Au或Mo点电极，以便在保持开口的同时提高导电性。通过在氧气、氮气和氩气的气氛中在500℃溅射来在金属点上沉积Cu2O化合物。此后，在室温，通过溅射来在p-Cu2O层上沉积n型InGaS3的硫化物，并且沉积AZO透明导电膜作为前表面侧上的第二电极。通过将InGaS3的硫化物用于n型层，防止了Cu2O的氧化并改善了电压FF。另外，所获得的太阳能电池的效果在于，即使长时间暴露于高温度及高湿度(85℃，湿度85％，1000小时)，与沉积ZnO或Ga2O3作为n型层的情况相比，也抑制了Cu2O的氧化并且防止了开路电压FF的降低。在沉积前表面侧上的第二电极时，必须在室温形成膜，以便抑制Cu2O的氧化。然而，通过使用AZO，即使在室温也可以获得具有低电阻的膜。对于AZO的靶而言，Al2O3与ZnO的比率优选地在2wt％和3wt％之间。
另外，实施例1至24的太阳能电池中的每一个适合作为多结太阳能电池的顶部电池。实施例1至24的太阳能电池中的每一个具有透明度并且还具有非常适合作为顶部电池的带隙，因此，所述太阳能电池对底部电池侧上的发电及转换的影响小并且对作为多结太阳能电池的效率提高有贡献。
这里，一些元件只用其元件符号来表示。
条款
条款1
一种太阳能电池，包括：
第一电极；
光吸收层；
n型层；以及
第二电极，
其中
光吸收层在第一电极和n型层之间，
n型层在光吸收层和第二电极之间，
光吸收层包含Cu2O，并且
n型层包含硫化物。
条款2
根据条款1所述的太阳能电池，其中n型层为包含选自由包含Zn和In的硫化物化合物、包含Cd和Zn的硫化物化合物和包含In和Ga的硫化物化合物组成的组的一种或多种硫化物的层。
条款3
根据条款1或2所述的太阳能电池，其中
n型层为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或多种硫化物的层，并且
n型层满足x为0.0≦x≦0.6，y为0.3≦y≦0.7，并且z为0.2≦z≦1.0。
条款4
根据条款1至3中的任一项条款所述的太阳能电池，其中
n型层为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或多种硫化物的层，并且
n型层满足x为0.0≦x≦0.3，y为0.4≦y≦0.6，并且z为0.5≦z≦1.0。
条款5
根据条款1至4中的任一项条款所述的太阳能电池，其中光吸收层的导带最小值的位置与n型层的导带最小值的位置之间的差值为不小于-0.2eV且不大于0.6eV。
条款6
一种多结太阳能电池，包括：
根据条款1至5中的任一项条款所述的太阳能电池；以及
具有带隙比根据条款1至5中的任一项条款所述的太阳能电池的光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池。
条款7
根据条款6所述的多结太阳能电池，其中具有带隙比根据条款1至5中的任一项条款所述的太阳能电池的光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池的光吸收层为化合物半导体或晶体硅。
条款8
一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块使用根据条款1至5中的任一项条款所述的太阳能电池。
条款9
一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块使用根据条款1至5中的任一项条款所述的太阳能电池和具有带隙比根据条款1至5中的任一项条款所述的太阳能电池的光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池。
条款10
一种太阳能发电系统，所述太阳能发电系统通过使用根据条款8或9所述的太阳能电池模块执行太阳能发电。
虽然已描述了某些实施例，但是这些实施例仅作为示例呈现，并且不旨在限制本发明的范围。实际上，本文中描述的新颖实施例可以以各种其他形式实施；此外，可以在不脱离本发明的精神的情况下，对本文中描述的实施例的形式进行各种省略、替换和改变。所附权利要求书及其等同物旨在涵盖将落入本发明的范围和精神内的这些形式或修改。
[附图标记]
100:太阳能电池(第一太阳能电池)，1：衬底，2：第一电极，3：光吸收层，4：n型层，5：第二电极，
200:多结太阳能电池，201：第二太阳能电池，
300:太阳能电池模块，301：第一太阳能电池模块，302：第二太阳能电池模块，303：子模块，304：汇流条，
400:光伏发电系统，401：太阳能电池模块，402：转换器，403：蓄电池，404：负载
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种太阳能电池，包括：
衬底；
位于所述衬底上的第一电极；
光吸收层；
n型层；以及
第二电极，
其中，
所述光吸收层在所述第一电极和所述n型层之间，
所述n型层在所述光吸收层和所述第二电极之间，
所述光吸收层包含Cu2O，并且
所述n型层包含硫化物。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述n型层为包含选自由包含Zn和In的硫化物化合物、包含Cd和Zn的硫化物化合物和包含In和Ga的硫化物化合物组成的组的一种或多种硫化物的层。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其中
所述n型层为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或多种硫化物的层，并且
所述n型层满足x为0.0≦x≦0.6，y为0.3≦y≦0.7，并且z为0.2≦z≦1.0。
4.根据权利要求1至3中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中
所述n型层为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或多种硫化物的层，并且
所述n型层满足x为0.0≦x≦0.3，y为0.4≦y≦0.6，并且z为0.5≦z≦1.0。
5.根据权利要求1至4中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中所述光吸收层的导带最小值的位置与所述n型层的导带最小值的位置之间的差值为不小于-0.2eV且不大于0.6eV。
6.一种多结太阳能电池，包括：
根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池；以及
具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的多结太阳能电池，其中所述具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池的光吸收层为化合物半导体或晶体硅。
8.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块使用根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池。
9.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块使用根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池和具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池。
10.一种太阳能发电系统，所述太阳能发电系统通过使用根据权利要求8或9所述的太阳能电池模块执行太阳能发电。
11.根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中所述n型层为包含含有Cd和Zn的硫化物化合物的层。
12.根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中所述n型层为包含InzGa1-zS的层，并且
所述n型层满足x为0.2≦z≦1.0。
13.根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中所述n型层的表面粗糙度不大于5nm。
14.根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中所述第一电极与所述衬底和所述光吸收层直接接触。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中所述第一电极是在所述衬底和所述光吸收层之间的层。
Claims (10)
1.一种太阳能电池，包括：
第一电极；
光吸收层；
n型层；以及
第二电极，
其中，
所述光吸收层在所述第一电极和所述n型层之间，
所述n型层在所述光吸收层和所述第二电极之间，
所述光吸收层包含Cu2O，并且
所述n型层包含硫化物。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述n型层为包含选自由包含Zn和In的硫化物化合物、包含Cd和Zn的硫化物化合物和包含In和Ga的硫化物化合物组成的组的一种或多种硫化物的层。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其中
所述n型层为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或多种硫化物的层，并且
所述n型层满足x为0.0≦x≦0.6，y为0.3≦y≦0.7，并且z为0.2≦z≦1.0。
4.根据权利要求1至3中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中
所述n型层为包含选自由ZnxIn2-2xS3-2x、CdyZn1-yS和InzGa1-zS组成的组的一种或多种硫化物的层，并且
所述n型层满足x为0.0≦x≦0.3，y为0.4≦y≦0.6，并且z为0.5≦z≦1.0。
5.根据权利要求1至4中的任一项权利要求所述的太阳能电池，其中所述光吸收层的导带最小值的位置与所述n型层的导带最小值的位置之间的差值为不小于-0.2eV且不大于0.6eV。
6.一种多结太阳能电池，包括：
根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池；以及
具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的多结太阳能电池，其中所述具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池的光吸收层为化合物半导体或晶体硅。
8.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块使用根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池。
9.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块使用根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池和具有带隙比根据权利要求1至5中的任一项权利要求所述的太阳能电池的所述光吸收层的带隙小的光吸收层的太阳能电池。
10.一种太阳能发电系统，所述太阳能发电系统通过使用根据权利要求8或9所述的太阳能电池模块执行太阳能发电。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190528 |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |