CN109817831B

CN109817831B - 显示基板及其制造方法、显示装置

Info

Publication number: CN109817831B
Application number: CN201910110762.XA
Authority: CN
Inventors: 李俊杰; 张嵩; 李园园
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2019-02-12
Filing date: 2019-02-12
Publication date: 2021-01-26
Anticipated expiration: 2039-02-12
Also published as: CN109817831A

Abstract

本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的发光器件层、薄膜封装层、光学胶层和偏光片，偏光片通过光学胶层贴附在薄膜封装层远离发光器件层的一面上，光学胶层中掺杂有氨气吸收物。本申请可以降低从薄膜封装层溢出的氨气与偏光片发生反应的风险，从而降低偏光片褪色的风险，改善显示装置的显示效果。本申请用于降低偏光片褪色的风险。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示基板具有可柔性显示的优点，广泛应用于柔性显示产品当中。OLED显示基板包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的发光器件层、封装层和偏光片(英文：Polarizer；简称：POL)，封装层主要用于将发光器件层与空气隔离，偏光片主要用于对OLED显示基板进行调光。

目前，由于柔性显示的市场需求，封装层主要为通过薄膜封装(英文：Thin FilmEncapsulation；简称：TFE)技术形成的薄膜封装层。形成薄膜封装层的过程包括：以氨气(NH₃)、甲硅烷(SiH₄)和氮气(N₂)等的混合气体作为反应气体在发光器件层远离衬底基板的一侧沉积氮化硅作为薄膜封装层。

但是，NH₃、SiH₄和N₂反应的过程中会生成铵离子，在形成薄膜封装层后，部分铵离子会残留在薄膜封装层中，在显示基板的使用过程中，这些铵离子会以氨气的形式从薄膜封装层溢出与偏光片发生反应，导致偏光片褪色，影响显示装置的显示效果。

发明内容

本申请提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以降低偏光片褪色的风险，从而改善显示装置的显示效果。所述技术方案如下：

第一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：

衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的发光器件层、薄膜封装层、光学胶层和偏光片，所述偏光片通过所述光学胶层贴附在所述薄膜封装层远离所述发光器件层的一面上，所述光学胶层中掺杂有氨气吸收物。

可选地，所述光学胶层具有中央区域和围绕所述中央区域的边缘区域，所述边缘区域所掺杂的所述氨气吸收物的密度大于所述中央区域所掺杂的所述氨气吸收物的密度。

可选地，所述氨气吸收物包括硫酸氢铵和氨气分子筛中的至少一种，所述氨气分子筛的孔径大于氨气分子的孔径。

可选地，所述氨气分子筛包括4A分子筛。

可选地，所述光学胶层具有两个胶面，至少一个所述胶面上粘附有所述氨气吸收物。

可选地，所述光学胶层的材料中混合有所述氨气吸收物，所述氨气吸收物掺杂在所述光学胶层内。

可选地，所述显示基板还包括设置在所述偏光片远离所述薄膜封装层的一侧的保护层。

第二方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成发光器件层和薄膜封装层；

通过掺杂有氨气吸收物的光学胶层，在所述薄膜封装层远离所述发光器件层的一面上贴附偏光片。

可选地，所述方法还包括：在所述偏光片远离所述薄膜封装层的一侧形成保护层。

第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一方面或第一方面的任一可选方式所述的显示基板。

本申请提供的技术方案带来的有益效果是：

本申请提供的显示基板及其制造方法、显示装置，显示基板包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的发光器件层、薄膜封装层、光学胶层和偏光片，偏光片通过光学胶层贴附在薄膜封装层远离发光器件层的一面上，光学胶层中掺杂有氨气吸收物。由于光学胶层中掺杂有氨气吸收物，该氨气吸收物可以对氨气进行吸收，降低从薄膜封装层溢出的氨气与偏光片发生反应的风险，从而降低偏光片褪色的风险，改善显示装置的显示效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种光学胶层的正视图；

图3是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

由于柔性显示的市场需求，TFE技术得到更多的应用。目前，在制造显示基板的过程中，经常通过TFE技术在发光器件的外侧形成薄膜封装层。但是，形成薄膜封装层的过程会使用到氨气且会产生铵离子，在形成薄膜封装层后，部分铵离子会残留在薄膜封装层中，这些铵离子会在显示基板的使用过程中的会以氨气的形式从薄膜封装层溢出与偏光片里的有关物质反应，使偏光片褪色。

本申请实施例提供了一种显示基板及其制造方法，显示装置，在显示基板中，偏光片通过光学胶层贴附在薄膜封装层远离发光器件层的一面上，且光学胶层中掺杂有氨气吸收物，氨气吸收物可以对氨气进行吸收，降低从薄膜封装层溢出的氨气与偏光片发生反应的风险，从而降低偏光片褪色的风险，改善显示装置的显示效果。本申请的详细方案请参考下述实施例。

请参考图1，其示出了本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图，参见图1，该显示基板1包括衬底基板01以及依次设置在衬底基板01上的发光器件层02、薄膜封装层03、光学胶层04和偏光片05，偏光片05通过光学胶层04贴附在薄膜封装层03远离发光器件层02的一面上，光学胶层04中掺杂有氨气吸收物X。

可选地，该氨气吸收物X可以包括硫酸氢铵和氨气分子筛中的至少一种，氨气分子筛的孔径大于氨气分子的孔径，例如，氨气分子筛包括4A分子筛。其中，4A分子筛为孔径等于4A的分子筛，A为孔径的计量单位。硫酸氢铵可以通过与氨气发生化学反应对氨气进行吸收，氨气分子筛可以通过物理吸附的方式对氨气进行吸附。本申请实施例通过在光学胶层04中掺杂氨气吸收物X，可以降低从薄膜封装层03溢出的氨气到达偏光片05的风险，从而降低从薄膜封装层03溢出的氨气与偏光片05发生反应的风险。

可选地，光学胶层04为双面胶层，其具有两个胶面，光学胶层04的至少一个胶面上粘附有氨气吸收物X。或者，光学胶层04的材料中混合有氨气吸收物X，使得氨气吸收物X掺杂在光学胶层04内。可选地，光学胶层04可以为OCA(英文：Optically Clear Adhesive)光学胶。

可选地，请参考图2，其示出了本申请实施例提供的一种光学胶层04的正视图，参见图2，光学胶层04具有中央区域Q1和围绕中央区域的边缘区域Q2，边缘区域Q2所掺杂的氨气吸收物的密度大于中央区域Q1所掺杂的氨气吸收物的密度。其中，本文所述的氨气吸收物X的密度指的是单位面积内氨气吸收物X的分子数量。需要说明的是，通常情况下，氨气更容易从显示基板的边缘溢出，因此，设置光学胶层04的边缘区域Q2所掺杂的氨气吸收物的密度大于中央区域Q1所掺杂的氨气吸收物的密度，可以使光学胶层04中的氨气吸收物X能够更有效的对氨气进行吸收。

可选地，请继续参考图1，该显示基板还包括设置在偏光片05远离薄膜封装层03的一侧的保护层06，保护层06通过光学胶层07贴附在偏光片05远离薄膜封装层03的一面上。其中，该保护层06可以为保护膜、盖板膜或玻璃盖板等结构，该光学胶层07可以为OCA光学胶。

可选地，显示基板还可以包括设置在发光器件层02与衬底基板01之间的薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)层(图2中未示出)，TFT层包括阵列排布的多个TFT，TFT可以是氧化物(英文：oxide)TFT、非晶硅(英文：Amorphous silicon；简称：a-Si)TFT或低温多晶硅(英文：Low temperature polycrystalline silicon；简称；LTPS)TFT，无论是哪种TFT，其均可以包括沿远离衬底基板01的方向依次设置的栅极、栅绝缘层、有源层、层间介质层和源漏极层，源漏极层包括绝缘设置的源极和漏极，源极和漏极分别通过层间介质层上相应的过孔与有源层连接，本申请实施例在此不再赘述。

可选地，本申请实施例所述的显示基板可以电致发光显示基板，例如可以是有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示基板或量子点发光二极管(英文：Quantum Dot Light Emitting Diodes；简称：QLED)显示基板。在电致发光显示基板中，发光器件层02可以为电致发光器件层，发光器件层02包括多个发光器件(图1中未示出)，每个发光器件包括沿远离衬底基板01的方向依次设置的阳极、电致发光层和阴极(图1均未示出)，当然，发光器件还包括沿远离衬底基板01的方向依次设置在阳极与电致发光层之间的空穴注入层和空穴传输层(图1均未示出)，以及，沿远离衬底基板01的方向依次设置在电致发光层与阴极之间的电子传输层和电子注入层(图1均未示出)。其中，对于OLED显示基板而言，电致发光层为OLED发光层，对于QLED显示基板而言，电致发光层为QLED发光层。

可选地，薄膜封装层03可以为仅包括无机膜层的无机薄膜封装层，或者，薄膜封装层03为由无机膜层和有机膜层交替叠加形成的无机-有机薄膜封装层。其中，无机膜层通常以氨气、甲硅烷和氮气等的混合气体作为反应气体形成。

需要说明的是，图1和图2中所示的氨气吸收物X并不代表氨气吸收物的实际形态，也不代表氨气吸收物的分子的大小，其仅用于说明光学胶层04中掺杂有氨气吸收物，因此图1和图2中的氨气吸收物X不能理解在对氨气吸收物的限定。此外，本申请实施例所描述的显示基板的结构仅仅是示例性的，实际应用中，显示基板还可以包括比本申请更多或更少的结构，例如，显示基板还可以包括栅线、数据线和公共电极线等信号走线，阵列基板行驱动(英文：Gate driver On Array；简称：GOA)电路和源极驱动电路等电路，本申请实施例对此不做限定。

综上所述，本申请提供的显示基板，显示基板包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的发光器件层、薄膜封装层、光学胶层和偏光片，偏光片通过光学胶层贴附在薄膜封装层远离发光器件层的一面上，光学胶层中掺杂有氨气吸收物。由于光学胶层中掺杂有氨气吸收物，该氨气吸收物可以对氨气进行吸收，降低从薄膜封装层溢出的氨气与偏光片发生反应的风险，从而降低偏光片褪色的风险，改善显示装置的显示效果。

本申请实施例提供的显示基板可以应用于下文的方法，本申请实施例中显示基板的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。

请参考图3，其示出了本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图，该显示基板的制造方法可以用于制造图1所示实施例提供的显示基板。参见图3，该方法可以包括如下步骤：

步骤301、在衬底基板上形成发光器件层。

如图1所示，发光器件层02设置的衬底基板01的一面。

其中，衬底基板01可以是透明基板，例如其可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的刚性基板，或者，衬底基板01是采用聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)等柔性材料制成的柔性基板。

其中，发光器件层02可以为电致发光器件层，发光器件层02包括多个发光器件(图1中未示出)，每个发光器件包括沿远离衬底基板01的方向依次设置的阳极、电致发光层和阴极，因此在衬底基板01上形成发光器件层02可以包括在衬底基板01上依次形成阳极、电致发光层和阴极。进一步地，发光器件还可以包括沿远离衬底基板01的方向依次设置在阳极与电致发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，以及，沿远离衬底基板01的方向依次设置在电致发光层与阴极之间的电子传输层和电子注入层，因此在衬底基板01上形成发光器件层02可以包括：在衬底基板01上依次形成阳极、空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。其中，阳极和阴极均可以通过构图制作，空穴注入层、空穴传输层和电致发光层均可以通过喷墨打印工艺制作，电子传输层和电子注入层可以采用蒸镀工艺制作，本申请实施例对此不做限定。

需要说明的是，实际应用中，显示基板还包括设置在衬底基板与发光器件层之间的TFT层，因此在该步骤301之前，该方法还包括在衬底基板01上形成TFT层，本申请实施例在此不再赘述。

步骤302、在衬底基板远离发光器件层的一侧形成薄膜封装层。

如图1所示，薄膜封装层03位于发光器件层02远离衬底基板01的一侧，且薄膜封装层03与发光器件层02接触。

其中，薄膜封装层03可以为仅包括无机膜层的无机薄膜封装层，或者，薄膜封装层03为由无机膜层和有机膜层交替叠加形成的无机-有机薄膜封装层。本申请实施例以薄膜封装层03为无机-有机薄膜封装层为例进行说明。示例地，可以通过重复执行下述步骤(1)和步骤(2)，以在衬底基板01远离发光器件层02的一侧形成薄膜封装层03。

步骤(1)、以氨气、甲硅烷和氮气等的混合气体作为反应气体，在发光器件层02远离衬底基板01的一侧沉积一层氮化硅作为无机膜层。

步骤(2)、通过喷墨打印工艺在该无机膜层远离发光器件层02的一侧打印一层有机材料作为有机膜层。

需要说明的是，该步骤302是以无机膜层的材料为氮化硅为例进行说明的，容易理解，该无机膜层还可以为氧化硅或氮氧化硅等无机材料，本申请实施例对此不作限定。

步骤303、通过掺杂有氨气吸收物的光学胶层，在薄膜封装层远离发光器件层的一面上贴附偏光片。

如图1所示，偏光片05通过掺杂有氨气吸收物X的光学胶层04贴附在薄膜封装层03远离发光器件层02的一面上，光学胶层04为双面胶层，例如光学胶层04为OCA光学胶，光学胶层04具有两个胶面，一个胶面与薄膜封装层03粘接，另一面与偏光片05粘接。如图2所示，光学胶层04具有中央区域Q1和边缘区域Q2，边缘区域Q2所掺杂的氨气吸收物的密度大于中央区域Q1所掺杂的氨气吸收物的密度。其中，光学胶层04的至少一个胶面上粘附有氨气吸收物X，或者，光学胶层04的材料中混合有氨气吸收物X，使得氨气吸收物X掺杂在光学胶层04内。

可选地，当光学胶层04的至少一个胶面上粘附有氨气吸收物X时，该步骤303可以包括：首先，在光学胶层04的至少一个胶面上粘附氨气吸收物X，且使光学胶层04的边缘区域Q2所掺杂的氨气吸收物的密度大于中央区域Q1所掺杂的氨气吸收物的密度，然后将光学胶层04的一胶面与偏光片05粘接，另一胶面与薄膜封装层03远离发光器件层02的一面粘接，以通过光学胶层04将偏光片05贴附在薄膜封装层03远离发光器件层02的一面上。

可选地，当光学胶层04的材料中混合有氨气吸收物X，使得氨气吸收物X掺杂在光学胶层04内时，在制备光学胶层04时，可以将用于制备光学胶层04的材料分成两部分，并在该两部分中分别混合氨气吸收物X，使该两部分中混合的氨气吸收物X的密度不同，之后采用氨气吸收物X的密度较大的一部分材料制备光学胶层04的边缘区域，采用氨气吸收物X的密度较小的一部分材料制备光学胶层04的中央区域，得到光学胶层04。该步骤302可以包括：将光学胶层04的一胶面与偏光片05粘接，另一胶面与薄膜封装层03远离发光器件层02的一面粘接，以通过光学胶层04将偏光片05贴附在薄膜封装层03远离发光器件层02的一面上。

步骤304、在偏光片远离薄膜封装层的一侧形成保护层。

如图1所示，保护层06通过光学胶层07设置在偏光片05远离薄膜封装层03的一侧，该保护层06可以为保护膜、盖板膜或玻璃盖板等结构，该光学胶层07可以为OCA光学胶。可选地，光学胶层07具有两个胶面，可以将光学胶层07的一胶面与保护层07粘接，另一胶面与偏光片05粘接，以在偏光片05远离薄膜封装层03的一侧形成保护层07。

综上所述，本申请提供的显示基板的制造方法，显示基板包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的发光器件层、薄膜封装层、光学胶层和偏光片，偏光片通过光学胶层贴附在薄膜封装层远离发光器件层的一面上，光学胶层中掺杂有氨气吸收物。由于光学胶层中掺杂有氨气吸收物，该氨气吸收物可以对氨气进行吸收，降低从薄膜封装层溢出的氨气与偏光片发生反应的风险，从而降低偏光片褪色的风险，改善显示装置的显示效果。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的显示基板，该显示装置可以为电致发光显示装置，且可以是柔性显示装置，例如，该显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪或可穿戴设备等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光学胶层具有中央区域和围绕所述中央区域的边缘区域，所述边缘区域所掺杂的所述氨气吸收物的密度大于所述中央区域所掺杂的所述氨气吸收物的密度。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述氨气吸收物包括硫酸氢铵和氨气分子筛中的至少一种，所述氨气分子筛的孔径大于氨气分子的孔径。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述氨气分子筛包括4A分子筛。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光学胶层具有两个胶面，至少一个所述胶面上粘附有所述氨气吸收物。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述偏光片远离所述薄膜封装层的一侧的保护层。

7.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成发光器件层和薄膜封装层；

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述偏光片远离所述薄膜封装层的一侧形成保护层。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求1至6任一项所述的显示基板。