CN109768776B - 一种射频电路、发射机、基站与用户终端 - Google Patents

一种射频电路、发射机、基站与用户终端 Download PDF

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Abstract

一种射频电路、发射机、基站与用户终端。本发明实施例提供了一种射频电路，包括：第一电路，所述第一电路用于：接收第一信号与第二信号；将所述第一信号分路为第三信号与第四信号，将所述第二信号分路为第五信号与第六信号；调节所述第五信号的相位，得到第七信号；将所述第七信号与所述第三信号合路为第八信号；第二电路，所述第二电路包括主功放支路与辅功放支路，所述主功放支路包括异相电路，所述辅功放支路包括辅功放，所述主功放支路用于对所述第四信号与所述第六信号进行处理，所述辅功放支路用于对所述第八信号进行处理。本发明实施例提供的射频电路中，第二电路能够在额定功率下达到最高效率，能够满足实际应用的要求。

Description

一种射频电路、发射机、基站与用户终端
技术领域
本发明涉及通信领域，尤其涉及一种射频电路、发射机、基站与用户终端。
背景技术
在无线基站中，射频功放的能耗占据基站设备总能耗很高的比重。为了实现能耗的降低，普遍采取双输入射频电路，如异相(outphasing)电路、或包括一个主功放与一个辅功放的多赫蒂(DHT，Doherty)电路，以改善功放效率。但是传统的双输入射频电路在提升回退效率的时候，在功率回退点和高功率点之间会出现效率大幅度降低的情况，影响了基站等设备最终输出的调制波的效率。
为了改善双输入射频电路的效率大幅度降低的情况，现阶段的技术将DHT电路与异相电路结合起来形成复合射频电路，即：将异相电路作为DHT电路的主功放，然后加入辅功放进行阻抗牵引(load modulation)。复合射频电路可以有效的改善双输入射频电路的在功率回退点和高功率点之间效率大幅度降低的情况，但是将原本的双输入射频电路的输入信号个数由两个增加为了三个，导致整个复合射频电路的体积过大；且为了给复合射频电路提供三个输入信号，需要为该复合射频电路设置三个发射通道，该复合射频电路的使用成本较高，不利于大规模的应用普及。
为了减少发射通道的个数，现阶段技术中一般采用的方法是将两个发射通道所发射的信号经过分路、合路等操作变为三个输入信号，并将该三个输入信号接入复合射频电路。但通过这样的方法得到三个输入信号后，在调节该两个发射通道所发射的信号时，总会有至少一个输入信号不能被调节到期望值，导致复合射频电路不能在额定功率下达到最优的功放效率，电路整体性能不佳。
发明内容
本发明实施例提供了一种射频电路，能取得最优的功放效率。本发明实施例还提供了一种发射机、基站与用户终端。
本发明实施例第一方面提供了一种射频电路，包括第一电路和第二电路，其中，所述第一电路用于：接收第一信号与第二信号；将所述第一信号分路为第三信号与第四信号，将所述第二信号分路为第五信号与第六信号；调节所述第五信号的相位，得到第七信号；将所述第七信号与所述第三信号合路为第八信号；所述第二电路包括主功放支路与辅功放支路，所述主功放支路包括异相电路，所述辅功放支路包括辅功放，所述异相电路用于对所述第四信号与所述第六信号进行处理，所述辅功放用于对所述第八信号进行处理。
在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述第一电路还包括微带线，所述微带线用于调节所述第五信号的相位，其中，所述微带线的长度与所述第五信号的相位偏移量成正比例关系。
结合以上任意一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述第一电路还包括衰减网络与合路器；所述衰减网络用于对所述第七信号与所述第三信号进行衰减；所述合路器用于将衰减后的第七信号与衰减后的第三信号合路为所述第八信号。
结合以上任意一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述第一信号与所述第二信号由调制信号经过相位分解后得到，包括：
所述第一信号的相位为，所述第二信号的相位为-，所述的取值范围为0-90°之间，且所述第一信号与所述第二信号的幅度相等，其中，为一个时间相关函数，t≥0，t为时间。
结合以上任意一种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述辅功放用于对所述第八信号进行处理，包括，所述第八信号从所述辅功放的信号输入端输入；当所述第八信号的幅度达到信号阈值时，所述辅功放启动，并对所述第八信号进行放大处理，所述信号阈值为启动所述辅功放所需要的最小信号幅度；其中，所述辅功放的导通角的取值大于120°。
第二方面，本发明实施例提供了一种发射机，包括第一方面提供的任意一种射频电路。
第三方面，本发明实施例提供了一种基站，包括第二方面提供的发射机，所述基站还包括通信接口、处理器、电源。
第四方面，本发明实施例提供了一种用户终端，包括第二方面提供的发射机，所述用户终端还包括存储器、外部端口、外设接口、处理器和电源。
本发明实施例提供了一种射频电路，包括第一电路，第一电路用于：接收第一信号与第二信号；将第一信号分路为第三信号与第四信号，将第二信号分路为第五信号与第六信号；调节第五信号的相位，得到第七信号；将第七信号与第三信号合路为第八信号；第二电路，第二电路包括主功放支路与辅功放支路，主功放支路包括异相电路，所述辅功放支路包括辅功放，主功放支路用于对第四信号与第六信号进行处理，辅功放支路用于对第八信号进行处理。本发明实施例中，不同的第一信号与第二信号，对应的第四信号与第六信号也不相同。且通过对第五信号进行相位调节，可以实现对第八信号的控制。因此，输入到第二电路的第四信号、第六信号与第八信号均可以被调节成适配第二电路的最优参数，使得第二电路能够在额定功率下达到最高效率，电路性能佳，能够满足实际应用的要求。
附图说明
图1为现有技术的一种复合射频电路的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种射频电路的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的第一电路一个具体实例电路的输入输出特性曲线；
图4为本发明实施例提供的另一种射频电路的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的射频电路中的第八信号的相位-相位曲线。
图6为本发明实施例提供的一种基站的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种用户终端的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种射频电路，可以提高电路的输出功率与效率，以下将详细进行说明。
现有技术中，复合射频电路包括主功放支路与辅功放支路，为复合射频电路提供输入信号的电路的结构请参阅图1，第一发射通道发射的信号分路成信号①与信号②，第二发射通道发射的信号分路成信号③与信号④。信号①与信号③作为复合射频电路主功放支路的输入，信号②与信号④经过合路后得到信号⑤作为复合射频电路辅功放支路的输入。其中，信号分路与合路是由耦合器、功分器等电路或器件实现的，其分路规则由分路的电路或器件的特性决定。其中，例如，假若为复合射频电路提供输入信号的电路的相移为0，第一发射通道发射的信号为
Figure BDA0001918277030000031
第二发射通道发射的信号为
Figure BDA0001918277030000032
采用0-90°功分器进行分路与合路，则分路后信号①为
Figure BDA0001918277030000033
信号②为
Figure BDA0001918277030000034
信号③为
Figure BDA0001918277030000035
信号④为
Figure BDA0001918277030000036
合路后信号⑤为
Figure BDA0001918277030000037
其中，A1为第一发射通道发射的信号的峰值，
Figure BDA0001918277030000038
为第一发射通道发射的信号的相位，A2为第二发射通道发射的信号的峰值，
Figure BDA0001918277030000039
为第二发射通道发射的信号的相位。由上述例子可以看出，当电路结构确定后，预使信号①、信号③的幅度与相位固定在各自的期望值，则需要调整第一发射通道与第二发射通道的参数A1、
Figure BDA00019182770300000312
A2、
Figure BDA00019182770300000313
则输入辅功放支路的信号⑤的幅度与相位也将固定，不能被调节到信号⑤的期望值。且不论如何调节第一发射通道与第二发射通道发射的信号，信号①、信号③与信号⑤中总会有至少一个信号不能被调节到期望值。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种射频电路，结构示意图请参阅图2，主要包括：
第一电路201，用于接收第一信号与第二信号，将第一信号分路为第三信号与第四信号，将第二信号分路为第五信号与第六信号；调节第五信号的相位，得到第七信号；将第七信号与第三信号合路为第八信号；
第二电路202，包括主功放支路与辅功放支路，主功放支路包括异相电路，辅功放支路包括辅功放，该异相电路用于对第四信号与第六信号进行处理，该辅功放用于对第八信号进行处理。
其中，第一信号与第二信号为第一电路201的输入信号，不同的第一信号与第二信号，对应有不同的第四信号与第六信号。具体的，不同的第一信号，经过分路后对应有不同的第四信号；不同的第二信号，分路后对应有不同的第六信号。
其中，第二信号分路后的第五信号经过相位调节变为第七信号，与第一信号分路后的第三信号合路，形成第八信号。因此，通过对第五信号进行相位调节，使得第五信号发生不同程度的相位偏移，可以实现对第八信号的控制。
本实施例提供了一种射频电路，包括第一电路201与第二电路202。可以理解的，只有在输入第二电路202的三个输入信号均调节为适配该第二电路202的最优参数时，第二电路202才能在额定功率下达到最高效率。本实施例通过调节第一信号与第二信号，可以实现对第四信号与第六信号的控制。通过对第五信号进行相位调节，可以实现对第八信号的控制。这样输入到第二电路202的第四信号、第六信号与第八信号均可以被自如调节成适配第二电路202的最优参数，使得第二电路202能够在额定功率下达到最高效率，能够满足实际应用的要求。
可选的，第一电路201还包括微带线，用于调节第五信号的相位。其中，微带线的长度与第五信号的相位偏移量成正比例关系，微带线越长，第五信号的相位偏移量越大。本发明实施例也可以采用延时线、变容二极管、移相器或其他电路或器件来调节第五信号的相位，此处不做限定。
可选地，作为本发明的另一个实施例，第一信号和第二信号可以由调制信号经过数字域的相位分解后得到，该第一信号与第二信号具有相同幅度与相反相位。通过调整调制信号的幅度或相位，可以实现对第一信号与第二信号的幅度或相位调节。一般的，调制信号由正弦波信号经过包络调制后得到，在进行数字域的相位分解时，调制信号的幅度与调制信号的分解相位之间存在如下对应关系：
Figure BDA0001918277030000041
其中，
Figure BDA0001918277030000044
表示调制信号的分解相位的瞬时值，r(t)表示调制信号的幅度的瞬时值，rmax表示调制信号的幅度的峰值。其中，
Figure BDA0001918277030000045
为一个时间相关函数，t≥0，t为时间，且
Figure BDA0001918277030000042
由公式(1)可知，调制信号的分解相位随着调制信号的幅度的变化而变化，在某时刻时，调制信号的幅度越大，其分解相位越小；调制信号的幅度越小，其分解相位越大。
调制信号经过公式(1)中所描述的相位分解后，分解为第一信号与第二信号。其中，第一信号与第二信号的幅度相等且不大于rmax，第一信号的相位为
Figure BDA0001918277030000046
第二信号的相位为
Figure BDA0001918277030000047
第一信号与第二信号的幅度相等，幅度与相位随时间变化，因此分路后的第三信号、第四信号、第五信号、第六信号、第五信号经过相位调节后的第七信号的幅度与相位也随时间变化。其中，由于第八信号由第七信号与第三信号合路后得到，因此第八信号的幅度与第七信号、第三信号的相位有关。因此，通过对第五信号进行相位调节，使得第五信号的相位发生不同程度的偏移，得到的第八信号具有不同的相位-幅度曲线，具体的应用实例请参阅图3：
图3中绘制的是第一电路201一个具体实例电路的输入输出特性曲线，横坐标表示调制信号的分解相位，即第一信号的相位值，纵坐标表示第八信号针对调制信号的最大电压值归一化后的电压幅度，不同的曲线表示对第五信号不同的相位偏移量对应的第八信号。其中，曲线1表示第五信号的相位偏移量为0(即未经过相位调节后)时的第八信号；曲线2表示第五信号的相位偏移量为20度时对应的第八信号；曲线3表示第五信号的相位偏移量为40度时对应的第八信号。其中，为了便于比较，图3中还添加了调制信号的相位-幅度曲线，即曲线0。
通过曲线2或3与曲线1的对比可以看出，调节了第五信号的相位后，第八信号的幅值变小。且通过曲线2与曲线3的对比可以看出，通过调节第五信号的相位偏移量，可以控制第八信号的幅值，随着第五信号的相位偏移量增大，第八信号的幅度变小。
第二电路202包括主功放支路与辅功放支路，主功放支路包括异相电路，辅功放支路中包括辅功放。一般地，异相电路工作在B类或者AB类条件下，辅功放工作在C类条件下。第二电路202电路在工作时，异相电路一直开启，但辅功放一开始并不开启，只有在输入到该辅功放的信号输入端的第八信号的幅度达到能够启动辅功放的最小信号幅度，即达到导通角对应的信号阈值时，辅功放才启动，对第八信号进行放大处理。可以理解的，当调制信号的幅度较小时，调制信号的分解相位较大，因此第八信号的幅度较小，辅功放不开启；当调制信号的幅度较大时，调制信号的分解相位较小，因此第八信号的幅度较大，辅功放开启。这样使得辅功放在调制信号幅度较大时才开启，提升电路的功放效率。
现阶段的技术中，一般通过栅压偏置将辅功放调节在深C类(即辅功放的导通角较小，如100°)条件下，来保证在输入到辅功放的信号的幅度未达到信号阈值时辅功放不开启，且辅功放的导通角越小，辅功放对应的信号阈值越大。但是，若辅功放的导通角较小，则辅功放开启后，第二电路202的饱和功率与增益都会受到严重影响，导致射频电路的饱和功率较小，电路的增益曲线压缩严重，不能满足实际应用要求；而若调节栅压偏置增大辅功放的导通角，则辅功放对应的的信号阈值就会变小，使得当调制信号幅度较小时，第八信号也能达到信号阈值，进而开启辅功放，但由于输入信号幅度较小，会导致射频电路的功放效率较低。因此，现阶段的技术中，射频电路的功放效率与饱和功率不能兼顾。为了保证电路的功放效率，必须牺牲电路的饱和功率和线性特性。
本实施例中，通过调节第五信号的不同相位，实现了对第八信号的幅值的调节，进而能在保证电路的功放效率时，提升电路的饱和功率，具体的：首先，由于第八信号的幅度变小，因此本实施例中可以适度降低辅功放对应的信号阈值，且仍可以保证调制信号幅度较小时，第八信号达不到信号阈值，保证了电路的功放效率；其次，由于本实施例中可以降低辅功放对应的信号阈值，因此辅功放的栅压偏置可以将辅功放调节在浅C类(即辅功放的导通角较大，本申请提供的射频电路，辅功放导通角可以取大于120°的值，如160°)，这样辅功放开启后第二电路202的饱和功率会得到增大。综上所述，本实施例能够在不降低第二电路202的功放效率的同时，提高第二电路202的饱和功率。
以图3为例，微带线或其他的电路或器件具调节第五信号的标准可以为：调节第五信号的相位，使得第一相位值大于第二相位值。其中，第一相位值为第八信号的相位-幅度曲线与调制信号的相位-幅度曲线(曲线0)的交点对应的第一信号的相位的取值，第二相位值为第二电路的功率回退点对应的第一信号的相位的取值。这样可以保证辅功放在功率回退时能够保持关断状态，在第八信号的功率大于功率回退点时能够快速开启。
本发明实施例在图2所示的实施例的基础上，还提供了一种更为细化的射频电路，用于在第一信号与第二信号由调制信号经过相位分解后得到时，实现更多的附加功能，请参阅图4，其基本结构包括：
第一电路401，用于：接收第一信号与第二信号，该第一信号与第二信号由调制信号经过相位分解后得到；将第一信号分路为第三信号与第四信号，将第二信号分路为第五信号与第六信号；调节第五信号的相位，得到第七信号。其中，信号分路可以由耦合器、功分器等电路或器件实现，此处不做限定。其中，调节第五信号的相位可以由微带线、延时线、变容二极管、移相器或其他电路或器件来调节第五信号的相位，此处不做限定。其中，第一电路401还包括衰减网络与合路器，衰减网络用于对第七信号与第三信号进行衰减，合路器用于将衰减后的第七信号与衰减后的第三信号合路为第八信号，合路器可以为耦合器、功分器等电路或器件，此处不做限定。其中，合路器中还可以包括微带线、延时线、变容二极管、移相器或其他电路或器件，用于对衰减后的第三信号或衰减后的第七信号进行相位调节，以弥补耦合器、功分器等电路或器件的相移。
第二电路402，与图2所示的第二电路202基本相同，此处不做赘述。
其中，通过第一电路401的衰减网络对第七信号与第三信号进行衰减，可以实现对第七信号与第三信号的幅度的调节。而当第七信号与第三信号的幅度变化时，会引起合路的第八信号的相位变化，请参阅图5。
其中，图5中曲线1表示第七信号幅度为1V，第三信号幅度为0.8V，第五信号的相位偏移量为30°时，第八信号的的相位-相位曲线；图5中曲线2表示第七信号幅度衰减为0.8V，第三信号幅度为1V，第五信号的相位偏移量为30°时，第八信号的的相位-相位曲线。其中，横坐标表示调制信号的分解相位，纵坐标表示第八信号的相位。由图5可以看出，第七信号与第三信号的幅度变化时，会引起合路的第八信号的相位变化。因此通过设置衰减网络对第七信号与第三信号的幅度进行调节，可以实现对第八信号的相位的控制。因此图4所示的实施例提供的射频电路能够调节第八信号的AM-PM特性进而提升射频电路的线性校正效果，减小射频电路输出信号的失真。其中，AM-PM特性是指放大器输入信号的幅度变化导致的输入信号与输出信号之间的相位差的变化。
可选的，本发明实施例中调节第五信号相位的微带线等电路或器件、衰减网络、和/或合路器等部件也可以由具有调幅和/或调相功能的芯片来代替，本发明实施例中不做限定。
本发明实施例还提供了一种发射机，包括图2或图4所述的射频电路。本发明实施例提供的发射机可以用于基站的射频部分，例如在远端射频单元(RRU，remote radiounit)中使用，或者在基站收发信台(BTS，base transceiver station)中使用，也可以用于用户终端中，也可以用于其它通信装置或设备，此处不做限定。
更进一步的，本发明实施例还提供了一种基站，请参阅图6，包括通信接口601、处理器602、电源603与发射机604。其中，发射机604为上述实施例中所述的发射机。可以理解，图中未示出，本发明实施例提供的基站中还可以包括其他一些通用的装置、模块或电路等结构。
更进一步的，本发明实施例还提供了一种用户终端，包括存储器701、外部端口702、发射机703、外设接口704、处理器705和电源706。其中，发射机703为上述实施例中所述的发射机。可以理解，图中未示出，本发明实施例提供的用户终端中还可以包括其他一些通用的装置、模块或电路等结构。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本申请还提供以下实施例。需要说明的是，以下实施例的编号并不一定需要遵从前面实施例的编号顺序：
实施例1、一种射频电路，其特征在于，包括第一电路和第二电路，其中，
所述第一电路用于，接收第一信号与第二信号；将所述第一信号分路为第三信号与第四信号，将所述第二信号分路为第五信号与第六信号；调节所述第五信号的相位，得到第七信号；将所述第七信号与所述第三信号合路为第八信号；
所述第二电路包括主功放支路与辅功放支路，所述主功放支路包括异相电路，所述辅功放支路包括辅功放，所述异相电路用于对所述第四信号与所述第六信号进行处理，所述辅功放用于对所述第八信号进行处理。
实施例2、根据实施例1所述的射频电路，其特征在于，所述第一电路还包括微带线，所述微带线用于调节所述第五信号的相位，其中，所述微带线的长度与所述第五信号的相位偏移量成正比例关系。
实施例3、根据实施例2所述的射频电路，其特征在于，所述第一电路还包括衰减网络与合路器；
所述衰减网络用于对所述第七信号与所述第三信号进行衰减；
所述合路器用于将衰减后的第七信号与衰减后的第三信号合路为所述第八信号。
实施例4、根据实施例2或3所述的射频电路，其特征在于，所述第一信号与所述第二信号由调制信号经过相位分解后得到，包括：
所述第一信号的相位为
Figure BDA0001918277030000075
所述第二信号的相位为
Figure BDA0001918277030000076
所述
Figure BDA0001918277030000073
的取值范围为0-90°之间，且所述第一信号与所述第二信号的幅度相等，其中，
Figure BDA0001918277030000074
为一个时间相关函数，t≥0，t为时间。
实施例5、根据实施例4所述的射频电路，其特征在于，所述辅功放用于对所述第八信号进行处理，包括：
所述第八信号从所述辅功放的信号输入端输入；
当所述第八信号的幅度达到信号阈值时，所述辅功放启动，并对所述第八信号进行放大处理，所述信号阈值为启动所述辅功放所需要的最小信号幅度；
其中，所述辅功放的导通角的取值大于120°。
实施例6、一种发射机，其特征在于，包括实施例1至5中任一项所述的射频电路。
实施例7、一种基站，其特征在于，包括实施例6所述的发射机，所述基站还包括通信接口、处理器、电源。
实施例8、一种用户终端，其特征在于，包括实施例6所述的发射机，所述用户终端还包括存储器、外部端口、射频电路、外设接口、处理器和电源。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，模块或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

Claims (23)

1.一种射频电路，其特征在于，所述射频电路用于，接收第一信号与第二信号；将所述第一信号分路为第三信号与第四信号，将所述第二信号分路为第五信号与第六信号；调节所述第五信号的相位，得到第七信号；将所述第七信号与所述第三信号合路为第八信号；
其中，所述第一信号与所述第二信号由调制信号经过相位分解后得到；所述第一信号的幅度和所述第二信号的幅度相等，且所述第一信号的相位和所述第二信号的相位相反，所述第一信号的相位为
Figure FDA0003298402650000011
所述第二信号的相位为
Figure FDA0003298402650000012
其中，
Figure FDA0003298402650000013
为一个时间相关函数，t≥0，t为时间，所述
Figure FDA0003298402650000014
表示所述调制信号的分解相位的瞬时值，所述分解相位与所述调制信号的幅度相关。
2.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路包括微带线，所述微带线用于调节所述第五信号的相位。
3.根据权利要求2所述的射频电路，其特征在于，所述微带线的长度与所述第五信号的相位偏移量成正比例关系。
4.根据权利要求2所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路包括延时线、变容二极管或者移相器，所述延时线、所述变容二极管或者所述移相器用于调节所述第五信号的相位。
5.根据权利要求1-4任一项所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路还包括衰减网络；
所述衰减网络用于对所述第七信号与所述第三信号进行衰减。
6.根据权利要求5所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路还包括合路器；
所述合路器用于将衰减后的所述第七信号与衰减后的所述第三信号合路为所述第八信号。
7.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述
Figure FDA0003298402650000015
的取值范围为0-90°之间。
8.根据权利要求1-4任一项所述的射频电路，所述射频电路还包括主功放支路与辅功放支路，所述主功放支路包括异相电路，所述辅功放支路包括辅功放，所述异相电路用于对所述第四信号与所述第六信号进行处理，所述辅功放用于对所述第八信号进行处理。
9.根据权利要求8所述的射频电路，其特征在于，所述辅功放用于对所述第八信号进行处理，包括：
所述第八信号从所述辅功放的信号输入端输入；
当所述第八信号的幅度达到信号阈值时，所述辅功放对所述第八信号进行放大处理，所述信号阈值为启动所述辅功放所需要的最小信号幅度；
其中，所述辅功放的导通角的取值大于120°。
10.一种发射机，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的射频电路。
11.一种通信装置，其特征在于，包括权利要求10所述的发射机。
12.根据权利要求11所述的通信装置，所述通信装置为远端射频单元。
13.根据权利要求11所述的通信装置，所述通信装置为基站。
14.根据权利要求11所述的通信装置，所述通信装置为用户终端。
15.一种射频电路的驱动方法，其特征在于，所述方法包括：
射频电路接收第一信号与第二信号，其中，所述第一信号与所述第二信号由调制信号经过相位分解后得到；
所述射频电路将所述第一信号分路为第三信号与第四信号；
所述射频电路将所述第二信号分路为第五信号与第六信号；
所述射频电路调节所述第五信号的相位，得到第七信号；
所述射频电路将所述第七信号与所述第三信号合路为第八信号；
其中，所述第一信号的幅度和所述第二信号的幅度相等，且所述第一信号的相位和所述第二信号的相位相反，所述第一信号的相位为
Figure FDA0003298402650000021
所述第二信号的相位为
Figure FDA0003298402650000022
其中，
Figure FDA0003298402650000023
为一个时间相关函数，t≥0，t为时间，所述
Figure FDA0003298402650000024
表示所述调制信号的分解相位的瞬时值，所述分解相位与所述调制信号的幅度相关。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述射频电路调节所述第五信号的相位，得到所述第七信号包括：
所述射频电路通过微带线调节所述第五信号的相位，得到所述第七信号。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述微带线的长度与所述第五信号的相位偏移量成正比例关系。
18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述射频电路调节所述第五信号的相位，得到所述第七信号包括：
所述射频电路通过延时线、变容二极管或者移相器调节所述第五信号的相位，得到所述第七信号。
19.根据权利要求15-18任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述射频电路通过衰减网络对所述第七信号与所述第三信号进行衰减。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述射频电路将所述第七信号与所述第三信号合路为所述第八信号，包括：
所述射频电路通过合路器将衰减后的所述第七信号与衰减后的所述第三信号合路为所述第八信号。
21.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述
Figure FDA0003298402650000025
的取值范围为0-90°之间。
22.根据权利要求15-18任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过异相电路对所述第四信号与所述第六信号进行处理；
通过辅功放对所述第八信号进行处理。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，通过所述辅功放对所述第八信号进行处理，包括：
通过所述辅功放的信号输入端输入所述第八信号；
当所述第八信号的幅度达到信号阈值时，所述辅功放对所述第八信号进行放大处理，所述信号阈值为启动所述辅功放所需要的最小信号幅度；
其中，所述辅功放的导通角的取值大于120°。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017107140A1 (zh) * 2015-12-24 2017-06-29 华为技术有限公司 一种功放控制方法、装置及功放控制系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1714500A (zh) * 2002-12-19 2005-12-28 艾利森电话股份有限公司 复合放大器结构
CN103675764A (zh) * 2013-11-22 2014-03-26 西安天和防务技术股份有限公司 一种全固态多路合成微波功率雷达发射机
CN104167995A (zh) * 2013-05-15 2014-11-26 香港城市大学 功率放大器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4605902A (en) * 1982-09-03 1986-08-12 Rockwell International Corporation Hybrid junction signal combiner
JP3629346B2 (ja) * 1996-12-25 2005-03-16 株式会社アドバンテスト 信号伝送方式及び伝送線路駆動回路
JP4467756B2 (ja) * 2000-10-13 2010-05-26 三菱電機株式会社 ドハティ型増幅器
US7071775B2 (en) * 2004-06-21 2006-07-04 Motorola, Inc. Method and apparatus for an enhanced efficiency power amplifier
KR20110002020A (ko) * 2008-03-12 2011-01-06 하이프레스 인코포레이티드 디지털 ｒｆ 트랜시버 시스템 및 방법
US7764120B2 (en) * 2008-08-19 2010-07-27 Cree, Inc. Integrated circuit with parallel sets of transistor amplifiers having different turn on power levels
US8965454B2 (en) * 2009-03-04 2015-02-24 Andrew Llc Amplifier system for cell sites and other suitable applications
US8837629B2 (en) * 2011-05-11 2014-09-16 Fadhel M Ghannouchi Extended bandwidth digital Doherty transmitter
CN102130657A (zh) 2010-09-14 2011-07-20 华为技术有限公司 一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站
US9813036B2 (en) * 2011-12-16 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Dynamic loadline power amplifier with baseband linearization
US9444140B2 (en) * 2012-05-23 2016-09-13 Intel Corporation Multi-element antenna beam forming configurations for millimeter wave systems
CN102752011A (zh) * 2012-06-08 2012-10-24 陕西长岭电子科技有限责任公司 一种射频信号闭锁器及其实现方法
CN102710220B (zh) * 2012-06-28 2015-04-01 武汉虹信通信技术有限责任公司 一种基于预失真和Doherty的前馈功率放大器
US8948306B2 (en) * 2013-01-11 2015-02-03 Gatesair, Inc. Broadband high efficiency amplifier system
US8779826B1 (en) * 2013-01-25 2014-07-15 Cambridge Silicon Radio Limited Power splitter and combiner
US9083294B2 (en) * 2013-03-13 2015-07-14 Futurewei Technologies, Inc. Apparatus and method for multilevel lossless outphasing power amplifier
WO2014151302A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Hardware-efficient compensator for outphasing power amplifiers
US9397617B2 (en) * 2013-06-25 2016-07-19 Rf Micro Devices, Inc. Multi-broadband Doherty power amplifier
CN103891137B (zh) 2013-06-27 2016-08-10 华为技术有限公司 一种多频段功率放大装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1714500A (zh) * 2002-12-19 2005-12-28 艾利森电话股份有限公司 复合放大器结构
CN104167995A (zh) * 2013-05-15 2014-11-26 香港城市大学 功率放大器
CN103675764A (zh) * 2013-11-22 2014-03-26 西安天和防务技术股份有限公司 一种全固态多路合成微波功率雷达发射机

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