CN109763106A - 平面靶材的退绑修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种平面靶材的退绑修复方法,其包括如下步骤:S1、平面靶材包括若干退绑片和若干非退绑片,在每一非退绑片上施加一压块,压块与非退绑片的接触面积占非退绑片面积的1/3~1/2;在每一非退绑片上盖上锡箔纸;S2、对退绑片启动加热,以0.5~1℃/min的升温速率升温至80~100℃,然后保温30~50min;S3、再以1~1.5℃/min的升温速率升温至140~150℃,然后保温10~20 min;S4、继续以1~1.5℃/min的升温速率升温至180~200℃,然后保温20~35 min;待铟完全融化后,退绑片即从平面靶材上退绑。本发明不仅能实现靶材片的退绑,还能重新绑定靶材片实现靶材的修复。
Description
技术领域
本发明涉及一种靶材的制备领域,尤其涉及一种平面靶材的退绑修复方法。
背景技术
溅射技术是指用具有一定能量的粒子轰击固体表面而使该固体表面的原子或者分子离开固体表面溅射出去的技术,该固体通常被称为靶材,飞溅而出的原子或分子落于另一固体表面形成镀膜,被镀膜的固体通常称之为基片;一般情况下,靶材都是绑定在背板上面使用,随着科学技术的发展,溅射组件的尺寸越来越大,而单片大尺寸靶材制备相当困难,成本昂贵,因此现在主流的替代方法是采用多片靶材拼接的方式来制备大尺寸靶材,即在一块大的背板上,绑定拼接多片靶材,形成大尺寸溅射组件,常用的绑定焊料为铟。
然而,在多片靶材片拼接形成大尺寸靶材后,在大尺寸靶材的清理、转运和包装过程中,难免有部分靶材片因磕碰产生裂纹、崩边等,或者绑定后发现所需间隙等不合格,这就需要把不合格的靶材片退绑出来,更换合格的靶材片重新绑定。
中国专利申请CN109161862A提出一种平面和旋转靶材解绑定的装置及方法,采用油浴直接加热至170~250℃的方法来熔化并回收铟,从而实现靶材的解绑。该方法通过直接高温加热实现了靶材的解绑,但是其技术问题在于:一次性直接高温加热会使得铟被氧化,被氧化的铟需要还原为铟后才能重复使用;而且通过该方法仅仅能实现靶材的解绑或退绑,但是不能进行靶材的重新绑定。
所以,有必要设计一种新的平面靶材的退绑修复方法以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种避免退绑时靶材开裂的平面靶材的退绑修复方法。
为实现前述目的,本发明采用如下技术方案:一种平面靶材的退绑修复方法,其包括如下步骤:
S1、平面靶材包括若干退绑片和若干非退绑片,在每一非退绑片上施加一压块,压块与非退绑片的接触面积占非退绑片面积的1/3~1/2;在每一非退绑片上盖上锡箔纸;
S2、对退绑片启动加热,以0.5~1℃/min的升温速率升温至80~100℃,然后保温30~50min;
S3、再以1~1.5℃/min的升温速率升温至140~150℃,然后保温10~20 min;
S4、继续以1~1.5℃/min的升温速率升温至180~200℃,然后保温20~35 min;待铟完全融化后,退绑片即从平面靶材上退绑。
作为本发明的进一步改进,该方法还包括如下步骤:S5、用新的靶材片重新绑定至原先退绑片的位置上,关闭加热,随炉冷却,去除锡箔纸。
作为本发明的进一步改进,S1中压块在非退绑片上施加的作用力为0.01kg/cm2~0.03 kg/cm2。
作为本发明的进一步改进,所述平面靶材为ITO靶材、硫化镉靶材、碲化锌靶材其中之一。
本发明提出一种平面靶材的退绑修复方法,该方法通过适当大小的压块作用力来避免靶材片的移位以及铟重新熔化后流出从而导致的焊合率降低;同时选用合适的升温速率、升温梯度和保温时间来熔化焊料铟,消除因铟和靶材片的热膨胀系数不同而导致的靶材开裂或裂纹等缺陷,不仅能实现靶材片的退绑,还能重新绑定靶材片实现靶材的修复。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例对技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提出一种平面靶材的退绑修复方法,其包括如下步骤:
S1、平面靶材包括若干退绑片和若干非退绑片,在每一非退绑片上施加一压块,压块与非退绑片的接触面积占非退绑片面积的1/3~1/2;在每一非退绑片上盖上锡箔纸;
S2、对退绑片启动加热,以0.5~1℃/min的升温速率升温至80~100℃,然后保温30~50min;
S3、再以1~1.5℃/min的升温速率升温至140~150℃,然后保温10~20 min;
S4、继续以1~1.5℃/min的升温速率升温至180~200℃,然后保温20~35 min;待铟完全融化后,退绑片即从平面靶材上退绑。
在本发明的某些实施例中,该方法还包括如下步骤:S5、用新的靶材片重新绑定至原先退绑片的位置上,关闭加热,随炉冷却,去除锡箔纸。
在本发明的某些实施例中,S1中压块在非退绑片上施加的作用力为0.01kg/cm2~0.03 kg/cm2。适当大小的压块作用力能避免非退绑片的移位以及铟熔化后流出从而导致非退绑片的焊合率降低。
在本发明的某些实施例中,所述平面靶材为ITO靶材、硫化镉靶材、碲化锌靶材其中之一。在其它实施例中,所述平面靶材也可以是其它适合拼接形成大尺寸靶材的靶材。
S2缓慢加热的目的在于通过缓慢加热,使得退绑片的外表面和内部受热均匀,使外表面和内部之间的温差尽可能小,从而避免退绑片的破损。
S3的目的在于在铟加热至熔点之前,使得铟的温度和退绑片之间的温度差尽可能小,减少热膨胀系数不同所带来的影响,避免退绑片开裂或者出现裂纹。
S4的目的在于在180~200℃下使铟熔化,实现退绑片的退绑,但是温度不能太高以免将铟氧化从而降低了绑定焊合率。
实施例1。
将需要退绑修复的硫化镉平面靶材,放在一加热平台上,该硫化镉平面靶材由10片长、宽分别为15cm、15cm的靶材片拼接绑定而成,其中由左数起第7片为退绑片,其他绑片为非退绑片,在每一非退绑片上施加一压块,压块的面积为100cm2,压块的重量为1kg;在每一非退绑片上盖上锡箔纸,保证非退绑片受热均匀。对退绑片开启加热,以1℃/min的升温速率升温至90℃,保温40min;再以1.2℃/min的升温速率升温至140℃,保温20 min;继续以1.5℃/min的升温速率升温至180℃,保温25 min;待铟完全融化后,退绑片即从平面靶材上退绑。将新的靶材片重新绑定至原先退靶片的位置,关闭加热,随炉冷却,去除锡箔纸。对重新绑定好的靶材进行焊合率测试,测试结果显示其焊合率为98.9%。
实施例2。
将需要退绑修复的碲化锌平面靶材,放在一加热平台上,该碲化锌平面靶材由12片长、宽分别为20cm、15cm的靶材片拼接绑定而成,其中由左数起第3片为退绑片,其他绑片为非退绑片,在每一非退绑片上施加一压块,该压块的面积为150cm2,压块的重量为3kg;在每一非退绑片上盖上锡箔纸,保证非退绑片受热均匀。对退绑片开启加热,以0.5℃/min的升温速率升温至100℃,保温30min;再以1.5℃/min的升温速率升温至145℃,保温15 min;继续以1.2℃/min的升温速率升温至190℃,保温20 min;待铟完全融化后,退绑片即从平面靶材上退绑。将新的靶材片重新绑定至原先退靶片的位置,关闭加热,随炉冷却,去除锡箔纸。对重新绑定好的靶材进行焊合率测试,测试结果显示其焊合率为99.0%。
实施例3。
将需要退绑修复的ITO平面靶材,放在一加热平台上,该ITO平面靶材由8片长、宽分别为12cm、20cm的靶材片拼接绑定而成,其中由左数起第3片为退绑片,其他绑片为非退绑片,在每一非退绑片上施加一压块,该压块的面积为80cm2,压块的重量为2.4kg;在每一非退绑片上盖上锡箔纸,保证非退绑片受热均匀。对退绑片开启加热,以0.8℃/min的升温速率升温至90℃,保温50min;再以1℃/min的升温速率升温至150℃,保温10 min;继续以1℃/min的升温速率升温至200℃,保温35 min;待铟完全融化后,退绑片即从平面靶材上退绑。将新的靶材片重新绑定至原先退靶片的位置,关闭加热,随炉冷却,去除锡箔纸。对重新绑定好的靶材进行焊合率测试,测试结果显示其焊合率为98.2%。
本发明提出一种平面靶材的退绑修复方法,该方法通过适当大小的压块作用力来避免靶材片的移位以及铟重新熔化后流出从而导致的焊合率降低;同时选用合适的升温速率、升温梯度和保温时间来熔化焊料铟,消除因铟和靶材片的热膨胀系数不同而导致的靶材开裂或裂纹等缺陷,不仅能实现靶材片的退绑,还能重新绑定靶材片实现靶材的修复。
尽管为示例目的,已经公开了本发明的优选实施方式,但是本领域的普通技术人员将意识到,在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下,各种改进、增加以及取代是可能的。
Claims (4)
1.一种平面靶材的退绑修复方法,其特征在于:其包括如下步骤:
S1、平面靶材包括若干退绑片和若干非退绑片,在每一非退绑片上施加一压块,压块与非退绑片的接触面积占非退绑片面积的1/3~1/2;在每一非退绑片上盖上锡箔纸;
S2、对退绑片启动加热,以0.5~1℃/min的升温速率升温至80~100℃,然后保温30~50min;
S3、再以1~1.5℃/min的升温速率升温至140~150℃,然后保温10~20 min;
S4、继续以1~1.5℃/min的升温速率升温至180~200℃,然后保温20~35 min;待铟完全融化后,退绑片即从平面靶材上退绑。
2.根据权利要求1 所述的平面靶材的退绑修复方法,其特征在于:该方法还包括如下步骤:S5、用新的靶材片重新绑定至原先退绑片的位置上,关闭加热,随炉冷却,去除锡箔纸。
3.根据权利要求1 所述的平面靶材的退绑修复方法,其特征在于:S1中压块在非退绑片上施加的作用力为0.01kg/cm2~0.03 kg/cm2。
4.根据权利要求1 所述的平面靶材的退绑修复方法,其特征在于:所述平面靶材为ITO靶材、硫化镉靶材、碲化锌靶材其中之一。
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